JPS6185873A - 薄膜半導体素子の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体素子の製造方法Info
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- JPS6185873A JPS6185873A JP59208653A JP20865384A JPS6185873A JP S6185873 A JPS6185873 A JP S6185873A JP 59208653 A JP59208653 A JP 59208653A JP 20865384 A JP20865384 A JP 20865384A JP S6185873 A JPS6185873 A JP S6185873A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/208—Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、非晶質シリコン（以下ａ −５１と記す）太
陽電池のような基板上に成膜した半界体薄膜を用いた薄
膜半導体素子に関する。
陽電池のような基板上に成膜した半界体薄膜を用いた薄
膜半導体素子に関する。
非晶質シリコン大ｐｉ！池のような薄膜半導体素子では
、その成膜工程中におけるピンホール等の欠陥の発生が
あると、電極作成工程において電極物質がピンホール等
の欠陥を貫通して反対電極と電気的短絡をすることがあ
る。そのためその欠陥部においてシャント抵抗が減少し
、もれ電流が増大し、素子の電流・電圧出力特性が大幅
に低下して実用に適さない、従来は製造工程の管理を高
め、ピンホール発生率を低下させることが行われている
。しかし基板が大面積化すると、ピンホール発生による
もれ電流の増大により製造歩留りの向上が困難となる。 そこで不良部分のみを除去して太陽電池としての特性を
改善して歩留り向上をはかることが望まれのである。 欠陥を除去する方法としてはエツチングで欠陥部の表面
電極を除去する方法、あるいは素子に降伏電圧以下の十
分高い逆バイアス電圧をかけて欠陥部を焼き取る方法（
米国特許第４１６６９１８号明細書）、あるいは素子を
電解液に漫清し、その電解質を介して逆バイアス電極を
印加して欠陥を除去する方法（特許出願公開昭５８−４
９８４号公報）、あるいはａ −３１成膜後ピンホ一ル
部に絶縁物を充填する方法（特許出願公開昭５８−７７
２６３号公報）等が知られている。第一の方法および第
四の方法では欠陥の位置を確定する必要があり、それを
行うのに時間がかかるという欠点を有する。第二および
第三の方法では特に欠陥の位置を決める必要はないが、
第三の方法では工程途中に電解液に浸漬するため、乾燻
工程が余分に必要とされる。第二の方法は一番簡単であ
るが、大面積基板にこれを応用する場合より高い電圧を
かける必要があり素子の破壊を避けようとすると十分欠
陥が除去出来ないという欠点を有する。また、太陽電池
の大面積化に伴い電極部分による抵抗損失を低減するた
め、一枚の基板上に複数個の機！Ｉ領領域並列あるいは
直列に接続せしめた集積層構造太陽電池において第二の
方法を適用すると、不良機能領域以外の良品のｍ ｎ
ｆｉｌ域にも高い逆バイアス電圧が印加されることにな
り、良品部も損なうという欠点が生じる。
、その成膜工程中におけるピンホール等の欠陥の発生が
あると、電極作成工程において電極物質がピンホール等
の欠陥を貫通して反対電極と電気的短絡をすることがあ
る。そのためその欠陥部においてシャント抵抗が減少し
、もれ電流が増大し、素子の電流・電圧出力特性が大幅
に低下して実用に適さない、従来は製造工程の管理を高
め、ピンホール発生率を低下させることが行われている
。しかし基板が大面積化すると、ピンホール発生による
もれ電流の増大により製造歩留りの向上が困難となる。 そこで不良部分のみを除去して太陽電池としての特性を
改善して歩留り向上をはかることが望まれのである。 欠陥を除去する方法としてはエツチングで欠陥部の表面
電極を除去する方法、あるいは素子に降伏電圧以下の十
分高い逆バイアス電圧をかけて欠陥部を焼き取る方法（
米国特許第４１６６９１８号明細書）、あるいは素子を
電解液に漫清し、その電解質を介して逆バイアス電極を
印加して欠陥を除去する方法（特許出願公開昭５８−４
９８４号公報）、あるいはａ −３１成膜後ピンホ一ル
部に絶縁物を充填する方法（特許出願公開昭５８−７７
２６３号公報）等が知られている。第一の方法および第
四の方法では欠陥の位置を確定する必要があり、それを
行うのに時間がかかるという欠点を有する。第二および
第三の方法では特に欠陥の位置を決める必要はないが、
第三の方法では工程途中に電解液に浸漬するため、乾燻
工程が余分に必要とされる。第二の方法は一番簡単であ
るが、大面積基板にこれを応用する場合より高い電圧を
かける必要があり素子の破壊を避けようとすると十分欠
陥が除去出来ないという欠点を有する。また、太陽電池
の大面積化に伴い電極部分による抵抗損失を低減するた
め、一枚の基板上に複数個の機！Ｉ領領域並列あるいは
直列に接続せしめた集積層構造太陽電池において第二の
方法を適用すると、不良機能領域以外の良品のｍ ｎ
ｆｉｌ域にも高い逆バイアス電圧が印加されることにな
り、良品部も損なうという欠点が生じる。
本発明はこのような複数個の機能領域を接続してなる薄
膜半導体素子の一部の機能領域に欠陥が生じた場合、容
品にその欠陥部を除去して製造歩留りを向上することの
できる薄膜半導体素子の製造方法を提供することを目的
とする。
膜半導体素子の一部の機能領域に欠陥が生じた場合、容
品にその欠陥部を除去して製造歩留りを向上することの
できる薄膜半導体素子の製造方法を提供することを目的
とする。
本発明は、各機能領域側々に特性試験を行って基準値を
はずれた特性値を有するａｓｔａ域を見出し、次いでそ
の機能領域に電流を流して欠陥部の電極材料を飛散また
は絶縁物化させることによりその機能領域の特性を回復
させて素子の製造歩留りを向上させる。
はずれた特性値を有するａｓｔａ域を見出し、次いでそ
の機能領域に電流を流して欠陥部の電極材料を飛散また
は絶縁物化させることによりその機能領域の特性を回復
させて素子の製造歩留りを向上させる。
第１図は本発明の一実施例を示す、１０個の１０ｃｍ角
太陽電池ユニットセルを直列接続したａ −５１太陽電
池ｌを治具２の上におく、治具にはシーケンサ３を連結
し、コンビエータ４よって制御して、各機ｎ領域すなわ
ちユニ７）セルの端子に順次ビン５を立て、光源６の照
射の下で測定器７によりシャント抵抗を測定する。基準
値以下のシャント抵抗を示したユニットセルが見出され
るとブザーを鳴らして治具の移動を停止し、スイッチ８
を閉じて電源９によってピン５からそのユニットセルに
電流を流す、電流はピンホール等で生じた電気短絡部に
流れ、電流による発熱によって接触している電極の一方
、例えば金属電極の＾ｌを飛散させて短絡状態を除く、
電極材料を飛ばす代わりに、例えば酸化させて絶縁物に
してもよい、これによりこのユニットセルの電流・電圧
特性は改善される。シャント抵抗の基準値は１０ｃ＊角
ａ −５１太陽電池の場合１〜８０Ωであることが望ま
しい、欠陥除去には、光源部１５を消して逆バイアス電
圧を５〜１５ボルトで固定し、電流を２〜８０■＾を０
．１〜１秒の間に流すとよい、この時電流計ｌＯの針が
大きく振れ元に戻れば欠陥除去が完了したことになり、
次の機能領域に移ってい（、この方法により、不良ユニ
ットセルの開放電圧Ｖｏｃ ＝ ０．７８９ボルト、短
絡電流密度Ｊｓｃ ＝ １２．２２−＾／−１曲線囚子
ＦＦｍ０゜３９９、変換効率マ讃３．８５％の各特性が
、Ｖｏｃ＝０゜８２９ボルト、Ｊ３（＝ １２．３３ｍ
＾／−１ＰＦ−０，４９４、ＩＦ−５，０６％と改善が
見られ、太陽電池素子全体としても＋７−４．９％から
ηは５．３％になり歩留り向上に効果のあることがわか
った。欠陥のある機能領域を判定するものとしてシャン
ト抵抗以外に、開放端電圧１曲線率等を用いても同様な
効果が得られることは言うまでもない。 本発明はプラズマＣＶＤ法によって形成されるａ−５１
を用いた太陽電池に限らず、蒸着法やスクリーン印刷に
よって形成されるＣｄＳ等の周期表■−■族半導体ｌ１
ｉｌＩＩ！Ｉを用いた半導体素子の欠陥部除去にも利用
できる。それにより光センサあるいはイメージセンサ等
の集積形センサに対しても歩留り向上が可能となる。 【発明の効果］ 本発明は、複数の機能領域からなる薄膜半導体素子のピ
ンホール等の欠陥のある機能領域を特性測定によって見
出し、次いでその領域に電流を流して電流による発熱を
利用して欠陥部の電極材料を飛散させるか絶縁物とする
ことにより特性を回復し、素子の製造歩留りを改善する
もので、欠陥部の位置を確定する必要がな（、他の健全
な機能領域には電流通電のための電圧が印加されないの
で健全領域を損なうこともなく、簡単な操作で欠陥部が
除去されるため、特に−−５１太陽電池の製遣歩留り向
上に及ぼす効果は大きい。 ４６図面のｆ！ＪＩＬな説明 第１図は本発明の一実施例の配置図である。 １ ： ａ−５ｉ太陽電池、２：治具、３：シーケンサ
、４：コンビエータ、 ５：ピン、６：光源、７：シャ
ント抵抗測定器、９：電源。 第１図
太陽電池ユニットセルを直列接続したａ −５１太陽電
池ｌを治具２の上におく、治具にはシーケンサ３を連結
し、コンビエータ４よって制御して、各機ｎ領域すなわ
ちユニ７）セルの端子に順次ビン５を立て、光源６の照
射の下で測定器７によりシャント抵抗を測定する。基準
値以下のシャント抵抗を示したユニットセルが見出され
るとブザーを鳴らして治具の移動を停止し、スイッチ８
を閉じて電源９によってピン５からそのユニットセルに
電流を流す、電流はピンホール等で生じた電気短絡部に
流れ、電流による発熱によって接触している電極の一方
、例えば金属電極の＾ｌを飛散させて短絡状態を除く、
電極材料を飛ばす代わりに、例えば酸化させて絶縁物に
してもよい、これによりこのユニットセルの電流・電圧
特性は改善される。シャント抵抗の基準値は１０ｃ＊角
ａ −５１太陽電池の場合１〜８０Ωであることが望ま
しい、欠陥除去には、光源部１５を消して逆バイアス電
圧を５〜１５ボルトで固定し、電流を２〜８０■＾を０
．１〜１秒の間に流すとよい、この時電流計ｌＯの針が
大きく振れ元に戻れば欠陥除去が完了したことになり、
次の機能領域に移ってい（、この方法により、不良ユニ
ットセルの開放電圧Ｖｏｃ ＝ ０．７８９ボルト、短
絡電流密度Ｊｓｃ ＝ １２．２２−＾／−１曲線囚子
ＦＦｍ０゜３９９、変換効率マ讃３．８５％の各特性が
、Ｖｏｃ＝０゜８２９ボルト、Ｊ３（＝ １２．３３ｍ
＾／−１ＰＦ−０，４９４、ＩＦ−５，０６％と改善が
見られ、太陽電池素子全体としても＋７−４．９％から
ηは５．３％になり歩留り向上に効果のあることがわか
った。欠陥のある機能領域を判定するものとしてシャン
ト抵抗以外に、開放端電圧１曲線率等を用いても同様な
効果が得られることは言うまでもない。 本発明はプラズマＣＶＤ法によって形成されるａ−５１
を用いた太陽電池に限らず、蒸着法やスクリーン印刷に
よって形成されるＣｄＳ等の周期表■−■族半導体ｌ１
ｉｌＩＩ！Ｉを用いた半導体素子の欠陥部除去にも利用
できる。それにより光センサあるいはイメージセンサ等
の集積形センサに対しても歩留り向上が可能となる。 【発明の効果］ 本発明は、複数の機能領域からなる薄膜半導体素子のピ
ンホール等の欠陥のある機能領域を特性測定によって見
出し、次いでその領域に電流を流して電流による発熱を
利用して欠陥部の電極材料を飛散させるか絶縁物とする
ことにより特性を回復し、素子の製造歩留りを改善する
もので、欠陥部の位置を確定する必要がな（、他の健全
な機能領域には電流通電のための電圧が印加されないの
で健全領域を損なうこともなく、簡単な操作で欠陥部が
除去されるため、特に−−５１太陽電池の製遣歩留り向
上に及ぼす効果は大きい。 ４６図面のｆ！ＪＩＬな説明 第１図は本発明の一実施例の配置図である。 １ ： ａ−５ｉ太陽電池、２：治具、３：シーケンサ
、４：コンビエータ、 ５：ピン、６：光源、７：シャ
ント抵抗測定器、９：電源。 第１図
Claims (1)
- １）複数個の機能領域を接続してなる薄膜半導体素子を
製造するに際し、各機能領域個々に特性試験を行って基
準値をはずれた特性値を有する機能領域を見出し、次い
で該機能領域に電流を流して欠陥部の電極材料を飛散ま
たは絶縁物化させることを特徴とする薄膜半導体素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208653A JPS6185873A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 薄膜半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208653A JPS6185873A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 薄膜半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185873A true JPS6185873A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16559810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208653A Pending JPS6185873A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 薄膜半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185873A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228662B1 (en) | 1999-03-24 | 2001-05-08 | Kaneka Corporation | Method for removing short-circuited sections of a solar cell |
| US6365825B1 (en) * | 1999-05-14 | 2002-04-02 | Kaneka Corporation | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59208653A patent/JPS6185873A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228662B1 (en) | 1999-03-24 | 2001-05-08 | Kaneka Corporation | Method for removing short-circuited sections of a solar cell |
| US6365825B1 (en) * | 1999-05-14 | 2002-04-02 | Kaneka Corporation | Reverse biasing apparatus for solar battery module |
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