JPH0551745A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0551745A JPH0551745A JP21510791A JP21510791A JPH0551745A JP H0551745 A JPH0551745 A JP H0551745A JP 21510791 A JP21510791 A JP 21510791A JP 21510791 A JP21510791 A JP 21510791A JP H0551745 A JPH0551745 A JP H0551745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plate
- holder
- raw material
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板を保持するとともに加熱する基板保持台
と、その基板保持台に対する加熱源と、前記基板保持台
に保持された前記基板面に向けて原料ガスを供給するガ
ス供給口とが設けられたＣＶＤ装置において、形成され
る膜の膜質及び膜厚の均一性の向上を図る。 【構成】 赤外線放射材料で形成された板状体６が、基
板保持台３に保持された基板２とガス供給口５との間で
基板２に対向する状態で設けられているＣＶＤ装置。
又、基板保持台３から放射される赤外線を反射する材料
で形成された板状体６が、基板保持台３に保持された基
板２とガス供給口５との間で基板２に対向する状態で設
けられているＣＶＤ装置。
と、その基板保持台に対する加熱源と、前記基板保持台
に保持された前記基板面に向けて原料ガスを供給するガ
ス供給口とが設けられたＣＶＤ装置において、形成され
る膜の膜質及び膜厚の均一性の向上を図る。 【構成】 赤外線放射材料で形成された板状体６が、基
板保持台３に保持された基板２とガス供給口５との間で
基板２に対向する状態で設けられているＣＶＤ装置。
又、基板保持台３から放射される赤外線を反射する材料
で形成された板状体６が、基板保持台３に保持された基
板２とガス供給口５との間で基板２に対向する状態で設
けられているＣＶＤ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板を保持するととも
に加熱する基板保持台と、その基板保持台に対する加熱
源と、前記基板保持台に保持された前記基板面に向けて
原料ガスを供給するガス供給口とが設けられたＣＶＤ装
置に関する。
に加熱する基板保持台と、その基板保持台に対する加熱
源と、前記基板保持台に保持された前記基板面に向けて
原料ガスを供給するガス供給口とが設けられたＣＶＤ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、かかるＣＶＤ装置においては、基
板が基板保持台に保持されるとともに加熱された状態
で、ガス供給口から基板面に向けて原料ガスを供給し、
熱により基板面で原料ガスを化学反応させて基板面に膜
を形成していた。
板が基板保持台に保持されるとともに加熱された状態
で、ガス供給口から基板面に向けて原料ガスを供給し、
熱により基板面で原料ガスを化学反応させて基板面に膜
を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の装置では、原料ガスが基板面に直接向けて供給され
るので基板面において原料ガスの流動が起こり、そのた
めに基板面の位置により、原料ガスの化学反応の反応量
あるいは反応速度が不均一となり、従って、形成される
膜の膜質あるいは膜厚が不均一になるという問題があっ
た。またこの状態においては、基板保持台から放射され
たエネルギーは、再度保持台側へもどることはなく、熱
エネルギーが十分に利用されていなかった。本発明はか
かる実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、Ｃ
ＶＤ装置において、熱エネルギーを有効利用でき、さら
に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性の向上を図る点
にある。
来の装置では、原料ガスが基板面に直接向けて供給され
るので基板面において原料ガスの流動が起こり、そのた
めに基板面の位置により、原料ガスの化学反応の反応量
あるいは反応速度が不均一となり、従って、形成される
膜の膜質あるいは膜厚が不均一になるという問題があっ
た。またこの状態においては、基板保持台から放射され
たエネルギーは、再度保持台側へもどることはなく、熱
エネルギーが十分に利用されていなかった。本発明はか
かる実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、Ｃ
ＶＤ装置において、熱エネルギーを有効利用でき、さら
に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性の向上を図る点
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によるＣＶＤ装置
の第１の特徴構成は、赤外線放射材料で形成された板状
体が、基板保持台に保持された基板とガス供給口との間
で基板に対向する状態で設けられている点にある。
の第１の特徴構成は、赤外線放射材料で形成された板状
体が、基板保持台に保持された基板とガス供給口との間
で基板に対向する状態で設けられている点にある。
【０００５】第２の特徴構成は、基板保持台から放射さ
れる赤外線を反射する材料で形成された板状体が、基板
保持台に保持された基板とガス供給口との間で基板に対
向する状態で設けられている点にある。
れる赤外線を反射する材料で形成された板状体が、基板
保持台に保持された基板とガス供給口との間で基板に対
向する状態で設けられている点にある。
【０００６】
【作用】第１の特徴構成によれば、ガス供給口から供給
された原料ガスは、基板とガス供給口の間に設けられた
板状体に衝突してその流速が減殺されるとともに、板状
体の外周方向に分散されかつ更にその流速が減殺された
後、板状体の外周からその周囲に向けて拡散する。従っ
て、従来のような基板面での原料ガスの流動が極めて効
果的に抑制され、基板面において原料ガスは滞留状態と
なる。又、板状体が基板保持台から放射された赤外線を
吸収して加熱させられた結果、板状体自体からも赤外線
を放射して、その板状体から放射される赤外線により、
基板及び基板と板状体との対向部の原料ガスが加熱され
る。
された原料ガスは、基板とガス供給口の間に設けられた
板状体に衝突してその流速が減殺されるとともに、板状
体の外周方向に分散されかつ更にその流速が減殺された
後、板状体の外周からその周囲に向けて拡散する。従っ
て、従来のような基板面での原料ガスの流動が極めて効
果的に抑制され、基板面において原料ガスは滞留状態と
なる。又、板状体が基板保持台から放射された赤外線を
吸収して加熱させられた結果、板状体自体からも赤外線
を放射して、その板状体から放射される赤外線により、
基板及び基板と板状体との対向部の原料ガスが加熱され
る。
【０００７】第２の特徴構成によれば、ガス供給口から
供給された原料ガスは、基板とガス供給口の間に設けら
れた板状体に衝突してその流速が減殺されるとともに、
板状体の外周方向に分散されかつ更にその流速が減殺さ
れた後、板状体の外周からその周囲に向けて拡散する。
従って、従来のような基板面での原料ガスの流動が極め
て効果的に抑制され、基板面において原料ガスは滞留状
態となる。又、板状体が基板保持台から放射された赤外
線を反射し、その板状体により反射される赤外線により
基板及び基板と板状体との対向部の原料ガスが加熱され
る。
供給された原料ガスは、基板とガス供給口の間に設けら
れた板状体に衝突してその流速が減殺されるとともに、
板状体の外周方向に分散されかつ更にその流速が減殺さ
れた後、板状体の外周からその周囲に向けて拡散する。
従って、従来のような基板面での原料ガスの流動が極め
て効果的に抑制され、基板面において原料ガスは滞留状
態となる。又、板状体が基板保持台から放射された赤外
線を反射し、その板状体により反射される赤外線により
基板及び基板と板状体との対向部の原料ガスが加熱され
る。
【０００８】
【発明の効果】第１の特徴構成によれば、基板面におい
て原料ガスは滞留状態となることから、基板面における
原料ガスの化学反応を基板面の位置にかかわらず均一に
起こさせることができ、以て、従来に比して、形成され
る膜の膜質及び膜厚の均一性を向上し得るに至った。
又、基板保持台により基板及び基板保持台の近くの原料
ガスが加熱されるに加えて、板状体から均等かつ平面状
に放射される赤外線により、基板及び基板と板状体との
対向部の原料ガスが加熱されることによる相乗作用によ
り、従来に比して、基板面での原料ガスの化学反応の反
応量を増大させること及び均等加熱状態を実現すること
ができ、以て、従来に比して、膜の形成速度を向上し得
るに至った。
て原料ガスは滞留状態となることから、基板面における
原料ガスの化学反応を基板面の位置にかかわらず均一に
起こさせることができ、以て、従来に比して、形成され
る膜の膜質及び膜厚の均一性を向上し得るに至った。
又、基板保持台により基板及び基板保持台の近くの原料
ガスが加熱されるに加えて、板状体から均等かつ平面状
に放射される赤外線により、基板及び基板と板状体との
対向部の原料ガスが加熱されることによる相乗作用によ
り、従来に比して、基板面での原料ガスの化学反応の反
応量を増大させること及び均等加熱状態を実現すること
ができ、以て、従来に比して、膜の形成速度を向上し得
るに至った。
【０００９】第２の特徴構成によれば、基板面において
原料ガスは滞留状態となることから、基板面における原
料ガスの化学反応を基板面の位置にかかわらず均一に起
こさせることができ、以て、従来に比して、形成される
膜の膜質及び膜厚の均一性を向上し得るに至った。又、
基板保持台により基板及び基板保持台の近くの原料ガス
が加熱されるに加えて、板状体により反射される赤外線
により、基板及び基板と板状体との対向部の原料ガスが
加熱されることによる相乗作用により、従来に比して、
基板面での原料ガスの化学反応の反応量を増大させるこ
とができ、以て、従来に比して、膜の形成速度を向上し
得るに至った。
原料ガスは滞留状態となることから、基板面における原
料ガスの化学反応を基板面の位置にかかわらず均一に起
こさせることができ、以て、従来に比して、形成される
膜の膜質及び膜厚の均一性を向上し得るに至った。又、
基板保持台により基板及び基板保持台の近くの原料ガス
が加熱されるに加えて、板状体により反射される赤外線
により、基板及び基板と板状体との対向部の原料ガスが
加熱されることによる相乗作用により、従来に比して、
基板面での原料ガスの化学反応の反応量を増大させるこ
とができ、以て、従来に比して、膜の形成速度を向上し
得るに至った。
【００１０】
〔第１実施例〕図１及び図２に基づいて第１実施例を説
明する。
明する。
【００１１】ＣＶＤを行う容器１内には、基板２を保持
するとともに加熱する基板保持台３を設けてある。基板
保持台３は、セラミック等の赤外線放射率の高い材料で
形成してある。４は、基板保持台３に埋設させて設けた
基板保持台３に対する加熱源としての抵抗加熱体であ
る。５は、容器１内に原料ガスを供給するガス供給口で
あり、６は、セラミック等の赤外線放射率の高い材料で
形成された板状体であり、その板状体６は、基板保持台
３に保持された基板２とガス供給口５との間で基板２に
対向する状態で設けてある。尚、板状体６の大きさは、
基板２の外形よりも、やや大きくしてある。７は、容器
１内を所定の圧力に制御する真空ポンプである。
するとともに加熱する基板保持台３を設けてある。基板
保持台３は、セラミック等の赤外線放射率の高い材料で
形成してある。４は、基板保持台３に埋設させて設けた
基板保持台３に対する加熱源としての抵抗加熱体であ
る。５は、容器１内に原料ガスを供給するガス供給口で
あり、６は、セラミック等の赤外線放射率の高い材料で
形成された板状体であり、その板状体６は、基板保持台
３に保持された基板２とガス供給口５との間で基板２に
対向する状態で設けてある。尚、板状体６の大きさは、
基板２の外形よりも、やや大きくしてある。７は、容器
１内を所定の圧力に制御する真空ポンプである。
【００１２】上記のように構成されたＣＶＤ装置におい
て、基板保持台３により基板２を保持するとともに加熱
する。ガス供給口５から供給された原料ガスは、基板２
とガス供給口５の間に設けられた板状体６に衝突してそ
の流速が減殺されるとともに、板状体６の外周方向に分
散されかつ更にその流速が減殺された後、板状体６の外
周からその周囲に向けて拡散するので、基板２面での原
料ガスの流動が効果的に抑制され、基板２面において原
料ガスは滞留状態となる。従って、基板２面において原
料ガスの化学反応を基板面の位置にかかわらず均一に起
こさせることができるので、均一な膜質及び膜厚の膜を
形成することができる。
て、基板保持台３により基板２を保持するとともに加熱
する。ガス供給口５から供給された原料ガスは、基板２
とガス供給口５の間に設けられた板状体６に衝突してそ
の流速が減殺されるとともに、板状体６の外周方向に分
散されかつ更にその流速が減殺された後、板状体６の外
周からその周囲に向けて拡散するので、基板２面での原
料ガスの流動が効果的に抑制され、基板２面において原
料ガスは滞留状態となる。従って、基板２面において原
料ガスの化学反応を基板面の位置にかかわらず均一に起
こさせることができるので、均一な膜質及び膜厚の膜を
形成することができる。
【００１３】又、板状体６は基板保持台３から放射され
た赤外線を吸収して加熱させられた結果、板状体６自体
からも平面的に赤外線を放射する。従って、基板保持台
３により基板２及び基板保持台３の近くの原料ガスが加
熱されるに加えて、板状体６から放射される赤外線によ
り基板２及び基板２と板状体６の対向部の原料ガスが加
熱されることによる相乗作用により、基板２面での原料
ガスの化学反応の反応量を増大させることができ、膜の
形成速度を向上することができる。
た赤外線を吸収して加熱させられた結果、板状体６自体
からも平面的に赤外線を放射する。従って、基板保持台
３により基板２及び基板保持台３の近くの原料ガスが加
熱されるに加えて、板状体６から放射される赤外線によ
り基板２及び基板２と板状体６の対向部の原料ガスが加
熱されることによる相乗作用により、基板２面での原料
ガスの化学反応の反応量を増大させることができ、膜の
形成速度を向上することができる。
【００１４】〔第２実施例〕図３に基づいて第２実施例
を説明する。
を説明する。
【００１５】上記第１実施例では、板状体６を、セラミ
ック等の赤外線放射率の高い材料で形成する場合を例示
したが、これに代えて、板状体６を、アルミニウム等の
赤外線反射率の高い材料で形成しても良く、又、その板
状体６の基板２との対向面６ａを鏡面状態に仕上げると
より一層効果的である。
ック等の赤外線放射率の高い材料で形成する場合を例示
したが、これに代えて、板状体６を、アルミニウム等の
赤外線反射率の高い材料で形成しても良く、又、その板
状体６の基板２との対向面６ａを鏡面状態に仕上げると
より一層効果的である。
【００１６】この場合、板状体６は基板保持台３から放
射された赤外線を反射する。従って、基板保持台３によ
り基板２及び基板保持台３の近くの原料ガスが加熱され
るに加えて、板状体６により反射される赤外線により基
板２及び基板２と板状体６の対向部の原料ガスが加熱さ
れることによる相乗作用により、基板２面での原料ガス
の化学反応の反応量を増大させることができ、膜の形成
速度を向上することができる。
射された赤外線を反射する。従って、基板保持台３によ
り基板２及び基板保持台３の近くの原料ガスが加熱され
るに加えて、板状体６により反射される赤外線により基
板２及び基板２と板状体６の対向部の原料ガスが加熱さ
れることによる相乗作用により、基板２面での原料ガス
の化学反応の反応量を増大させることができ、膜の形成
速度を向上することができる。
【００１７】〔別実施例〕上記実施例では、熱により原
料ガスを化学反応させて基板面に膜を形成するＣＶＤ装
置に本発明を適用する場合を例示したが、この他に、エ
キシマレーザ等のレーザ光により原料ガスを活性化して
化学反応を起こさせて基板面に膜を形成する光ＣＶＤ装
置等にも本発明を適用できる。
料ガスを化学反応させて基板面に膜を形成するＣＶＤ装
置に本発明を適用する場合を例示したが、この他に、エ
キシマレーザ等のレーザ光により原料ガスを活性化して
化学反応を起こさせて基板面に膜を形成する光ＣＶＤ装
置等にも本発明を適用できる。
【００１８】板状体の大きさは、基板２の外形よりも小
さくしても良く、また、板状体６の外形形状は不問であ
る。
さくしても良く、また、板状体６の外形形状は不問であ
る。
【００１９】第１実施例におけるセラミック等として
は、Ａｌ2Ｏ3，チタン酸アルミニウム，Ｓｉ3Ｎ4，Ｓｉ
Ｃ等、いわゆる遠赤外線材料を挙げることができる。
は、Ａｌ2Ｏ3，チタン酸アルミニウム，Ｓｉ3Ｎ4，Ｓｉ
Ｃ等、いわゆる遠赤外線材料を挙げることができる。
【００２０】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
【図１】第１実施例におけるＣＶＤ装置の構成図
【図２】同、要部平面図
【図３】第２実施例におけるＣＶＤ装置の構成図
２ 基板 ３ 基板保持台 ４ 加熱源 ５ ガス供給口 ６ 板状体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土肥 祥司 大阪府大阪市中央区平野町四丁目１番２号 大阪瓦斯株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板（２）を保持するとともに加熱する
基板保持台（３）と、その基板保持台（３）に対する加
熱源（４）と、前記基板保持台（３）に保持された前記
基板（２）面に向けて原料ガスを供給するガス供給口
（５）とが設けられたＣＶＤ装置であって、 赤外線放射材料で形成された板状体（６）が、前記基板
保持台（３）に保持された前記基板（２）と前記ガス供
給口（５）との間で前記基板（２）に対向する状態で設
けられているＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 基板（２）を保持するとともに加熱する
基板保持台（３）と、その基板保持台（３）に対する加
熱源（４）と、前記基板保持台（３）に保持された前記
基板（２）面に向けて原料ガスを供給するガス供給口
（５）とが設けられたＣＶＤ装置であって、 前記基板保持台（３）から放射される赤外線を反射する
材料で形成された板状体（６）が、前記基板保持台
（３）に保持された前記基板（２）と前記ガス供給口
（５）との間で前記基板（２）に対向する状態で設けら
れているＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21510791A JPH0551745A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21510791A JPH0551745A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551745A true JPH0551745A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=16666871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21510791A Pending JPH0551745A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0551745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2729803A1 (fr) * | 1988-06-23 | 1996-07-26 | Dassault Electronique | Recepteur logarithmique a diodes de detection |
| US5997630A (en) * | 1995-06-28 | 1999-12-07 | Mbt Holding Ag | Concrete accelerators |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21510791A patent/JPH0551745A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2729803A1 (fr) * | 1988-06-23 | 1996-07-26 | Dassault Electronique | Recepteur logarithmique a diodes de detection |
| US5997630A (en) * | 1995-06-28 | 1999-12-07 | Mbt Holding Ag | Concrete accelerators |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4654509A (en) | Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus | |
| JP4275729B2 (ja) | 急速熱処理装置及び方法 | |
| US4789771A (en) | Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus | |
| US20050077285A1 (en) | Device for homogeneous heating of an object | |
| WO2003009350A3 (en) | Flash anneal | |
| TWI432599B (zh) | 用以均等化加熱溫度的化學蒸氣沉積裝置 | |
| JPH0551745A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH0273624A (ja) | Ｃｖｄ用ガス導入装置 | |
| CN111712901A (zh) | 单片体形成装置及单片体形成方法 | |
| JP2006228971A (ja) | 加熱ユニット | |
| US6599585B2 (en) | UV curing system for heat sensitive substances and process | |
| JP6296189B1 (ja) | 加熱装置、半導体製造装置 | |
| TW469494B (en) | Apparatus having reflector for forming thin film | |
| JP6376236B2 (ja) | 加熱装置、半導体製造装置 | |
| JP7211029B2 (ja) | ガラス物品の製造方法、及び薄板ガラスの加熱方法 | |
| JPH043006Y2 (ja) | ||
| JPH0534068A (ja) | 乾燥装置 | |
| JP5495547B2 (ja) | 処理装置、およびデバイス製造方法 | |
| US20210008750A1 (en) | Discrete piece manufacturing method | |
| JPH10284569A (ja) | ウエハ搬送装置 | |
| JPH0562908A (ja) | Ｃｖｄ薄膜形成装置の基板保持台 | |
| JPH05177160A (ja) | 冷却装置 | |
| JPH1157578A (ja) | 乾燥装置及び被乾燥物 | |
| JPH05318692A (ja) | 金属表面へのプラスチックス被膜形成方法 | |
| JPH05317785A (ja) | 赤外線および熱風併用乾燥装置 |