JPH05510A - オリフイスプレートの製造方法 - Google Patents
オリフイスプレートの製造方法Info
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- JPH05510A JPH05510A JP15155991A JP15155991A JPH05510A JP H05510 A JPH05510 A JP H05510A JP 15155991 A JP15155991 A JP 15155991A JP 15155991 A JP15155991 A JP 15155991A JP H05510 A JPH05510 A JP H05510A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0015—Production of aperture devices, microporous systems or stamps
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- G—PHYSICS
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- G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高品質で低コストなオリフィスプレートを多
量に製造する。 【構成】 本発明のオリフィスプレートの電鋳用原盤
は、導電性基板の凹部分に非導電物質が埋め込まれた構
造を持ち、表面が略平坦で、かつ、機械的強度にも優れ
ているため、電鋳膜作成後、原盤との剥離時に基板の損
傷を起こさず重複使用に耐える。また化学的安定にも優
れ、原盤汚染時には、効果的に洗浄可能である。
量に製造する。 【構成】 本発明のオリフィスプレートの電鋳用原盤
は、導電性基板の凹部分に非導電物質が埋め込まれた構
造を持ち、表面が略平坦で、かつ、機械的強度にも優れ
ているため、電鋳膜作成後、原盤との剥離時に基板の損
傷を起こさず重複使用に耐える。また化学的安定にも優
れ、原盤汚染時には、効果的に洗浄可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インクジェットプリン
ターのインク吐出部を形成するオリフィスプレートを、
精度良く、良好な品質の下に、しかも安価に得ることの
できるオリフィスプレートの製造方法に関する。
ターのインク吐出部を形成するオリフィスプレートを、
精度良く、良好な品質の下に、しかも安価に得ることの
できるオリフィスプレートの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インクジェットプリンターのインク吐出
部は、たとえば図３に示すように、複数のオリフィス１
１が形成されたオリフィスプレート１０が複数のインク
室１２に接続されて構成されている。
部は、たとえば図３に示すように、複数のオリフィス１
１が形成されたオリフィスプレート１０が複数のインク
室１２に接続されて構成されている。
【０００３】このオリフィスプレートの製造には、従来
より電鋳法が用いられており、その原盤には、導電性基
板上に非導電性のフォトレジストを塗布し、さらに露光
・現像処理を行ってレジストパターンを形成したものが
用いられていた。
より電鋳法が用いられており、その原盤には、導電性基
板上に非導電性のフォトレジストを塗布し、さらに露光
・現像処理を行ってレジストパターンを形成したものが
用いられていた。
【０００４】図４（ａ）乃至同図（ｄ）はオリフィスプ
レートの従来の製造方法を工程順に示す説明図である。
以下、この図を用いて、オリフィスプレートの従来の製
造方法について具体的に説明する。
レートの従来の製造方法を工程順に示す説明図である。
以下、この図を用いて、オリフィスプレートの従来の製
造方法について具体的に説明する。
【０００５】すなわち、先ず、導電性基板１００上にフ
ォトレジスト１０１を塗布した後、フォトマスク１１０
を介して紫外線１２０を照射する［図４（ａ）参照］。
次いで、現像処理を行った後、焼成（ベーク）行って安
定させると、導電性基板１００上にレジストパターン１
０２が形成される［図４（ｂ）参照］。このレジストパ
ターン１０２が形成された導電性基板１００上に、さら
に離型皮膜１０３を形成したものを原盤１０４とし、電
鋳法によりこの原盤１０４に必要量の電鋳膜１０５を厚
づけする［図４（ｃ）参照］。その後、電鋳膜１０５を
原盤１０４から剥離すれば、オリフィスプレート１０が
製造される［図４（ｄ）参照］。
ォトレジスト１０１を塗布した後、フォトマスク１１０
を介して紫外線１２０を照射する［図４（ａ）参照］。
次いで、現像処理を行った後、焼成（ベーク）行って安
定させると、導電性基板１００上にレジストパターン１
０２が形成される［図４（ｂ）参照］。このレジストパ
ターン１０２が形成された導電性基板１００上に、さら
に離型皮膜１０３を形成したものを原盤１０４とし、電
鋳法によりこの原盤１０４に必要量の電鋳膜１０５を厚
づけする［図４（ｃ）参照］。その後、電鋳膜１０５を
原盤１０４から剥離すれば、オリフィスプレート１０が
製造される［図４（ｄ）参照］。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オリフ
ィスプレートの従来の製造方法においては、基板に対す
るレジストパターンの密着性が弱く、またレジストパタ
ーン自体が非常に軟らかいため、電鋳膜を剥離する際に
レジストパターンの一部が電鋳膜側に奪われて欠落し、
基板上のパターンが損傷することがあり、製造されるオ
リフィスプレートの品質が必ずしも良好ではないという
問題があった。
ィスプレートの従来の製造方法においては、基板に対す
るレジストパターンの密着性が弱く、またレジストパタ
ーン自体が非常に軟らかいため、電鋳膜を剥離する際に
レジストパターンの一部が電鋳膜側に奪われて欠落し、
基板上のパターンが損傷することがあり、製造されるオ
リフィスプレートの品質が必ずしも良好ではないという
問題があった。
【０００７】また、レジストパターンを形成するフォト
レジストは有機溶剤やアルカリ溶液に溶解するため、基
板が汚染された場合に効果的な有機溶剤洗浄やアルカリ
性水溶液中での電解洗浄を行うことができず、したがっ
て原盤が反復使用に耐えないことから製造コストが高く
つくという問題もあった。
レジストは有機溶剤やアルカリ溶液に溶解するため、基
板が汚染された場合に効果的な有機溶剤洗浄やアルカリ
性水溶液中での電解洗浄を行うことができず、したがっ
て原盤が反復使用に耐えないことから製造コストが高く
つくという問題もあった。
【０００８】本発明はかかる事情に基ずいてなされたも
のであり、本発明の目的は高品質のオリフィスプレート
を安価に得ることのできるオリフィスプレートの製造方
法を提供することにある。
のであり、本発明の目的は高品質のオリフィスプレート
を安価に得ることのできるオリフィスプレートの製造方
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明のオリフィスプレートの製造方法は、電鋳法
を用いるオリフィスプレートの製造方法において、導電
性基板にレジストパターンを形成した後、該導電性基板
を蝕刻して該導電性基板に凹部を形成し、次いで、上記
レジストパターンを形成するフォトレジストを除去し、
その後、該凹部に非導電性被膜を形成して得られる表面
が略平坦な原盤を電鋳原盤に用いる構成とした。
めに本発明のオリフィスプレートの製造方法は、電鋳法
を用いるオリフィスプレートの製造方法において、導電
性基板にレジストパターンを形成した後、該導電性基板
を蝕刻して該導電性基板に凹部を形成し、次いで、上記
レジストパターンを形成するフォトレジストを除去し、
その後、該凹部に非導電性被膜を形成して得られる表面
が略平坦な原盤を電鋳原盤に用いる構成とした。
【００１０】
【作用】本発明のオリフィスプレートの製造方法におい
ては、導電性基板にレジストパターンを形成した後、該
導電性基板を蝕刻して該導電性基板に凹部を形成すると
ともに上記レジストパターンを形成するフォトレジスト
を除去し、その後、該凹部に非導電性被膜を形成して得
られる表面が平坦な原盤を電鋳原盤に用いて電鋳を行う
と、導電性の良好な部分にのみ電鋳膜が形成され、該電
鋳膜は所定の厚さに達した後、前記原盤から剥離する。
したがって、本発明のオリフィスプレートの製造方法に
おいては、パターンを形成する被膜が埋め込まれ、表面
が平坦となった電鋳原盤を使用することにより、電鋳膜
を剥離する際にパターンの一部が電鋳膜側に奪われて欠
落することがなく、また電鋳原盤の有機溶剤洗浄やアル
カリ洗浄も可能になることから電鋳原盤の反復使用が可
能である。そのため、成形精度が高くて品質の良好なオ
リフィスプレートが安価に製造される。
ては、導電性基板にレジストパターンを形成した後、該
導電性基板を蝕刻して該導電性基板に凹部を形成すると
ともに上記レジストパターンを形成するフォトレジスト
を除去し、その後、該凹部に非導電性被膜を形成して得
られる表面が平坦な原盤を電鋳原盤に用いて電鋳を行う
と、導電性の良好な部分にのみ電鋳膜が形成され、該電
鋳膜は所定の厚さに達した後、前記原盤から剥離する。
したがって、本発明のオリフィスプレートの製造方法に
おいては、パターンを形成する被膜が埋め込まれ、表面
が平坦となった電鋳原盤を使用することにより、電鋳膜
を剥離する際にパターンの一部が電鋳膜側に奪われて欠
落することがなく、また電鋳原盤の有機溶剤洗浄やアル
カリ洗浄も可能になることから電鋳原盤の反復使用が可
能である。そのため、成形精度が高くて品質の良好なオ
リフィスプレートが安価に製造される。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）乃至同図（ｇ）は本発明の一実
施例を工程順に示す説明図である。
て説明する。図１（ａ）乃至同図（ｇ）は本発明の一実
施例を工程順に示す説明図である。
【００１２】本実施例においては、先ず、図１（ａ）に
示すように、導電性基板２０にフォトレジスト２２を塗
布した。ここで、導電性基板２０としては、たとえばＮ
ｉ基板、Ｓｉウェハ、基板、ステンレス基板などを用い
ることができるが、本実施例ではＮｉ基板を用いた。
示すように、導電性基板２０にフォトレジスト２２を塗
布した。ここで、導電性基板２０としては、たとえばＮ
ｉ基板、Ｓｉウェハ、基板、ステンレス基板などを用い
ることができるが、本実施例ではＮｉ基板を用いた。
【００１３】次に、周知のフォトリソグラフィー技術を
用い、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン２３
を形成した。次いで、塩化第２鉄溶液を用いたウェット
エッチング法を採用して露出している基板部分を深さ１
０００Åで蝕刻し、その後、引き続き有機溶剤にてレジ
ストパターンを除去することにより、図１（ｃ）に示す
ように、導電性基板２０の表面にレジストパターン２３
を模倣した凹凸を形成した。図１（ｃ）において、２５
は凹部である。なお、本実施例では塩化第２鉄溶液を用
いたウェットエッチング法を採用したが、周知のドライ
エッチング技術により蝕刻してもよい。また、エッチン
グ深さは、通常、１００〜５００００Å程度である。
用い、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン２３
を形成した。次いで、塩化第２鉄溶液を用いたウェット
エッチング法を採用して露出している基板部分を深さ１
０００Åで蝕刻し、その後、引き続き有機溶剤にてレジ
ストパターンを除去することにより、図１（ｃ）に示す
ように、導電性基板２０の表面にレジストパターン２３
を模倣した凹凸を形成した。図１（ｃ）において、２５
は凹部である。なお、本実施例では塩化第２鉄溶液を用
いたウェットエッチング法を採用したが、周知のドライ
エッチング技術により蝕刻してもよい。また、エッチン
グ深さは、通常、１００〜５００００Å程度である。
【００１４】さらに、この凹凸が形成された導電性基板
２０上に、ゾルゲル液を塗布し、その後、焼成を行って
非導電性被膜２４を形成した。ここで、ゾルゲル液とし
ては、例えば「ＯＣＤ」（東京応化社製）、「ＰＺ−２
０」（高純度化学社製）などが挙げられるが、本実施例
においては「ＯＣＤ」（東京応化社製）を用い、非導電
性被膜２４としてＳｉＯ2 被膜を形成した。また、この
ときの焼成温度は３００〜１１００℃程度であり、焼成
時間は０．５〜３時間程度である。本実施例において
は、温度５００℃にて焼成を１時間行って上記凹部を埋
めるのに必要な厚さ、例えば数千ÅのＳｉＯ2 被膜を形
成した。なお、非導電性被膜としては、酸化物、窒化
物、酸化物と窒化物との混合物等があり、作製方法も上
記のゾルゲル法以外にスパッタリング法、ＣＶＤ法等が
ある。これにより、図１（ｄ）に示すように、導電性基
板２０に形成された凹部２５がＳｉＯ2 被膜からなる非
導電性被膜２４により埋め込まれた。
２０上に、ゾルゲル液を塗布し、その後、焼成を行って
非導電性被膜２４を形成した。ここで、ゾルゲル液とし
ては、例えば「ＯＣＤ」（東京応化社製）、「ＰＺ−２
０」（高純度化学社製）などが挙げられるが、本実施例
においては「ＯＣＤ」（東京応化社製）を用い、非導電
性被膜２４としてＳｉＯ2 被膜を形成した。また、この
ときの焼成温度は３００〜１１００℃程度であり、焼成
時間は０．５〜３時間程度である。本実施例において
は、温度５００℃にて焼成を１時間行って上記凹部を埋
めるのに必要な厚さ、例えば数千ÅのＳｉＯ2 被膜を形
成した。なお、非導電性被膜としては、酸化物、窒化
物、酸化物と窒化物との混合物等があり、作製方法も上
記のゾルゲル法以外にスパッタリング法、ＣＶＤ法等が
ある。これにより、図１（ｄ）に示すように、導電性基
板２０に形成された凹部２５がＳｉＯ2 被膜からなる非
導電性被膜２４により埋め込まれた。
【００１５】しかる後、周知のドライエッチング法を採
用して導電性基板２０自体の表面が露出するまでＳｉＯ
2 被膜を蝕刻することにより、表面がほぼ平坦な原盤２
６が得られた。
用して導電性基板２０自体の表面が露出するまでＳｉＯ
2 被膜を蝕刻することにより、表面がほぼ平坦な原盤２
６が得られた。
【００１６】次いで、この原盤２６上に離型皮膜２８を
形成した。この離型皮膜２８は高分子皮膜である例えば
「ニッカノンタック」（日本化学産業社製）等を用いる
ことにより原盤２６上に一様に形成することができる。
形成した。この離型皮膜２８は高分子皮膜である例えば
「ニッカノンタック」（日本化学産業社製）等を用いる
ことにより原盤２６上に一様に形成することができる。
【００１７】続いて離型皮膜２８付きの原盤２６を電鋳
液に浸漬し、通電すると、図１（ｆ）に示すように、導
電性基板部分にのみニッケルの電鋳膜３０が形成され
た。これにより、該ニッケルの電鋳膜３０を必要量厚づ
けした。ここで、電鋳液には、たとえばスルファミン酸
ニッケル浴、硫酸銅浴などを用いることができる。本実
施例においては、スルファミン酸ニッケル浴を用いた。
液に浸漬し、通電すると、図１（ｆ）に示すように、導
電性基板部分にのみニッケルの電鋳膜３０が形成され
た。これにより、該ニッケルの電鋳膜３０を必要量厚づ
けした。ここで、電鋳液には、たとえばスルファミン酸
ニッケル浴、硫酸銅浴などを用いることができる。本実
施例においては、スルファミン酸ニッケル浴を用いた。
【００１８】その後、電鋳膜３０を原盤２６から剥離す
ることによりオリフィスプレート１０を得た。このと
き、原盤２６の表面はほぼ平坦であるため、原盤２６は
図１（ｅ）に示した原型を保ったままで電鋳膜３０を剥
離させることができた。したがって、成形精度が高くて
品質の良好なオリフィスプレート１０が得られた。
ることによりオリフィスプレート１０を得た。このと
き、原盤２６の表面はほぼ平坦であるため、原盤２６は
図１（ｅ）に示した原型を保ったままで電鋳膜３０を剥
離させることができた。したがって、成形精度が高くて
品質の良好なオリフィスプレート１０が得られた。
【００１９】なお、以上の工程を繰り返す場合、離型皮
膜２８は剥離時に一部損傷することがあるため、再度、
電鋳を行う際には原盤２６上に残留している離型皮膜２
８を除去した後、原盤２６上に新たな離型皮膜２８を形
成することが好ましい。
膜２８は剥離時に一部損傷することがあるため、再度、
電鋳を行う際には原盤２６上に残留している離型皮膜２
８を除去した後、原盤２６上に新たな離型皮膜２８を形
成することが好ましい。
【００２０】以上のように、本実施例においては原盤２
６に凹部２５を形成するとともにこの凹部２５に非導電
性被膜２４であるＳｉＯ2 被膜を形成して凹部２５を埋
め込んであるため原盤２６の表面はほぼ平坦であり、原
盤２６に形成されたＳｉＯ2 被膜のパターンは損傷を受
けない。また、工程中で原盤２６が汚染された場合、導
電性基板２０と非導電性被膜２４であるＳｉＯ2 被膜と
の密着性が良好であり、かつ両者ともアルカリ溶液に難
溶であるため、洗浄力の強いアルカリ水溶液中で原盤２
６を電解洗浄することや有機溶剤洗浄することが可能で
あり、得られるオリフィスプレート１０の品質が安定す
る。
６に凹部２５を形成するとともにこの凹部２５に非導電
性被膜２４であるＳｉＯ2 被膜を形成して凹部２５を埋
め込んであるため原盤２６の表面はほぼ平坦であり、原
盤２６に形成されたＳｉＯ2 被膜のパターンは損傷を受
けない。また、工程中で原盤２６が汚染された場合、導
電性基板２０と非導電性被膜２４であるＳｉＯ2 被膜と
の密着性が良好であり、かつ両者ともアルカリ溶液に難
溶であるため、洗浄力の強いアルカリ水溶液中で原盤２
６を電解洗浄することや有機溶剤洗浄することが可能で
あり、得られるオリフィスプレート１０の品質が安定す
る。
【００２１】次に本発明の他の実施例について、図２
（ａ）乃至同図（ｈ）を用いて工程順に説明する。本実
施例においては、ガラス基板３２を用い、図２（ａ）に
示すように、このガラス基板３２上に金属膜３４を形成
して導電性基板２０とした。ここで、金属膜３４として
は、たとえばＣｒ膜、Ｎｉ膜、Ｔｉ膜、Ｔａ膜などが挙
げられるが、本実施例ではＣｒ膜を形成した。また、こ
の金属膜３４の厚さは、通常、１００〜１００００Åで
あり、本実施例では１０００Åとした。このような金属
膜３４の形成には、たとえば周知のスパッタリング法を
好適に採用することが可能であり、本実施例においても
スパッタリング法によりＣｒ膜を形成した。
（ａ）乃至同図（ｈ）を用いて工程順に説明する。本実
施例においては、ガラス基板３２を用い、図２（ａ）に
示すように、このガラス基板３２上に金属膜３４を形成
して導電性基板２０とした。ここで、金属膜３４として
は、たとえばＣｒ膜、Ｎｉ膜、Ｔｉ膜、Ｔａ膜などが挙
げられるが、本実施例ではＣｒ膜を形成した。また、こ
の金属膜３４の厚さは、通常、１００〜１００００Åで
あり、本実施例では１０００Åとした。このような金属
膜３４の形成には、たとえば周知のスパッタリング法を
好適に採用することが可能であり、本実施例においても
スパッタリング法によりＣｒ膜を形成した。
【００２２】次いで、図２（ｂ）に示すように、Ｃｒ膜
からなる金属膜３４上にフォトレジスト２２を塗布し、
周知のフォトリソグラフィー法を用いて図２（ｃ）に示
すようにレジストパターン２３を形成した。
からなる金属膜３４上にフォトレジスト２２を塗布し、
周知のフォトリソグラフィー法を用いて図２（ｃ）に示
すようにレジストパターン２３を形成した。
【００２３】その後、第２硝酸セリウムアンモニウム溶
液と過塩素酸との混合溶液を用いたウェットエッチング
法を採用してＣｒ膜からなる金属膜３４をガラス基板３
２が露出するまで蝕刻した。なお、本実施例では第２硝
酸セリウムアンモニウム溶液と過塩素酸との混合溶液を
用いたウェットエッチング法を用いたが、周知のドライ
エッチング法を用いることもできる。
液と過塩素酸との混合溶液を用いたウェットエッチング
法を採用してＣｒ膜からなる金属膜３４をガラス基板３
２が露出するまで蝕刻した。なお、本実施例では第２硝
酸セリウムアンモニウム溶液と過塩素酸との混合溶液を
用いたウェットエッチング法を用いたが、周知のドライ
エッチング法を用いることもできる。
【００２４】このようにしてエッチングを行った後、レ
ジストパターン２３を有機溶剤にて除去し、図２（ｄ）
に示すように、Ｃｒ膜からなる金属膜３４がパターン状
に堆積したガラス基板３２を得た。なお、図２（ｄ）に
おいて２５は凹部である。
ジストパターン２３を有機溶剤にて除去し、図２（ｄ）
に示すように、Ｃｒ膜からなる金属膜３４がパターン状
に堆積したガラス基板３２を得た。なお、図２（ｄ）に
おいて２５は凹部である。
【００２５】以後、前記の実施例に準じてオリフィスプ
レート１０を作成した。すなわち、上記のガラス基板３
２上に前記のゾルゲル液を塗布し、その後、前記の実施
例と同様にして厚さ数千ÅのＳｉＯ2 被膜からなる非導
電性被膜２４を形成した。これにより、図２（ｅ）に示
すように、Ｃｒ膜からなる金属膜３４により形成された
凹部２５がＳｉＯ2 被膜からなる非導電性被膜２４によ
り埋め込まれた。
レート１０を作成した。すなわち、上記のガラス基板３
２上に前記のゾルゲル液を塗布し、その後、前記の実施
例と同様にして厚さ数千ÅのＳｉＯ2 被膜からなる非導
電性被膜２４を形成した。これにより、図２（ｅ）に示
すように、Ｃｒ膜からなる金属膜３４により形成された
凹部２５がＳｉＯ2 被膜からなる非導電性被膜２４によ
り埋め込まれた。
【００２６】しかる後、周知のドライエッチング法を採
用してＣｒ膜からなる金属膜３４の表面が露出するまで
ＳｉＯ2 被膜を蝕刻することにより、図２（ｆ）に示す
ように、表面がほぼ平坦な原盤２６が得られた。
用してＣｒ膜からなる金属膜３４の表面が露出するまで
ＳｉＯ2 被膜を蝕刻することにより、図２（ｆ）に示す
ように、表面がほぼ平坦な原盤２６が得られた。
【００２７】次いで、前記の実施例と全く同様にして原
盤２６上に離型皮膜２８を形成し、さらにこの離型皮膜
２８付きの原盤２６を電鋳液に浸漬し、通電することに
より、図２（ｇ）に示すように、ニッケルの電鋳膜３０
を必要量厚づけした。その後、電鋳膜３０を原盤２６か
ら剥離することによって図２（ｈ）に示したオリフィス
プレート１０を得た。本実施例においても、原盤２６の
表面はほぼ平坦であるため、原盤２６は図２（ｆ）に示
した原型を保ったままで電鋳膜３０を剥離させることが
できた。したがって成形精度が高くて品質の良好なオリ
フィスプレート１０が得られた。
盤２６上に離型皮膜２８を形成し、さらにこの離型皮膜
２８付きの原盤２６を電鋳液に浸漬し、通電することに
より、図２（ｇ）に示すように、ニッケルの電鋳膜３０
を必要量厚づけした。その後、電鋳膜３０を原盤２６か
ら剥離することによって図２（ｈ）に示したオリフィス
プレート１０を得た。本実施例においても、原盤２６の
表面はほぼ平坦であるため、原盤２６は図２（ｆ）に示
した原型を保ったままで電鋳膜３０を剥離させることが
できた。したがって成形精度が高くて品質の良好なオリ
フィスプレート１０が得られた。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したことから明らかなよう
に、本発明によれば、導電性基板に凹部を形成し、この
凹部にのみ非導電性被膜を形成することによって得られ
る表面が略平坦な原盤を用いて電鋳を行うので、原盤に
おけるパターンの損傷がなく、しかも原盤のアルカリ電
解洗浄が可能となって原盤の反復使用が可能となり、成
形精度が高くて品質の良好なオリフィスプレートを安価
に得ることのできるオリフィスプレートの製造方法が提
供される。
に、本発明によれば、導電性基板に凹部を形成し、この
凹部にのみ非導電性被膜を形成することによって得られ
る表面が略平坦な原盤を用いて電鋳を行うので、原盤に
おけるパターンの損傷がなく、しかも原盤のアルカリ電
解洗浄が可能となって原盤の反復使用が可能となり、成
形精度が高くて品質の良好なオリフィスプレートを安価
に得ることのできるオリフィスプレートの製造方法が提
供される。
【図１】本発明の一実施例を工程順に示す説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の実施例を工程順に示す説明図であ
る。
る。
【図３】インクジェットプリンターの吐出部の概略を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】オリフィスプレートの従来の製造方法を工程順
に示す説明図である。
に示す説明図である。
１０…オリフィスプレート ２０…導電性基板 ２２…フォトレジスト ２３…レジストパターン ２４…非導電性被膜 ２５…凹部 ２６…原盤
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 電鋳法を用いるオリフィスプレートの製
造方法において、導電性基板上にレジストパターンを形
成した後、該導電性基板を蝕刻して該導電性基板に凹部
を形成し、次いで、上記レジストパターンを形成するフ
ォトレジストを除去し、その後、該凹部に非導電性被膜
を形成して得られる表面が略平坦な原盤を電鋳原盤に用
いることを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15155991A JPH05510A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | オリフイスプレートの製造方法 |
| EP92305790A EP0520760A1 (en) | 1991-06-24 | 1992-06-24 | Method for producing orifice plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15155991A JPH05510A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | オリフイスプレートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05510A true JPH05510A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15521175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15155991A Pending JPH05510A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | オリフイスプレートの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0520760A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05510A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3832518B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2006-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
| JPH11129483A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-05-18 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド用オリフィスプレートの製造方法、オリフィスプレート、該オリフィスプレートを有する液体吐出ヘッド及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
| NL1031259C2 (nl) * | 2006-03-01 | 2007-09-04 | Stork Veco Bv | Elektroformeringswerkwijze. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1621034A1 (de) * | 1967-02-08 | 1971-04-08 | Balco Filtertechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Matrize fuer die galvanoplastische Herstellung von Metallfolien |
| US3655529A (en) * | 1970-07-07 | 1972-04-11 | Bodo Futterer | Electrodeposition process for producing perforated foils with raised portions at the edges of the holes |
| US4675083A (en) * | 1986-04-02 | 1987-06-23 | Hewlett-Packard Company | Compound bore nozzle for ink jet printhead and method of manufacture |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP15155991A patent/JPH05510A/ja active Pending
-
1992
- 1992-06-24 EP EP92305790A patent/EP0520760A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0520760A1 (en) | 1992-12-30 |
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