JPH0550766B2 - - Google Patents

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JPH0550766B2
JPH0550766B2 JP22249485A JP22249485A JPH0550766B2 JP H0550766 B2 JPH0550766 B2 JP H0550766B2 JP 22249485 A JP22249485 A JP 22249485A JP 22249485 A JP22249485 A JP 22249485A JP H0550766 B2 JPH0550766 B2 JP H0550766B2
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JP
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valve
passage
pressure
throttle valve
valve body
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Kazunari Imazato
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Sanwa Seiki Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は圧力制御弁に関し、特に、圧力脈動を
減衰させる構造の改良に係り、例えば、リリーフ
弁や減圧弁等に使用される電磁比例圧力制御弁に
利用して有効なものに関する。
〔従来の技術〕
従来の電磁比例圧力制御弁として、例えば、第
2図に示されているようなものがある。この制御
弁は、一次側通路6Aと二次側通路7Aとの連通
を開閉する弁体12Aと、弁体の作動を制御する
パイロツト弁2Aと、弁体の反弁座側に形成され
ている背後室8Aと、背後室と一次側通路とに連
通する第1絞り弁路14Aと、背後室とパイロツ
ト弁とに連通する第2絞り弁路20Aと、印加電
流値と比例する励磁力を発生してパイロツト弁を
制御するソレノイド3Aとを備えており、前記ソ
レノイド3Aに所定の電流を印加して印加電流値
と比例する力をパイロツト弁2Aに作用させるこ
とにより、パイロツト弁2Aおよび弁体12Aを
介して一次側通路の圧力を前記印加電流値と比例
する値に制御するように構成されている。
最近このような電磁比例圧力制御弁において
は、制御の容易さやヒステリシスの改善のため、
ソレノイドを適当なデイザー効果を持つたパルス
幅変調(Pulse Width Modulation)により制御
を行うことが一般化して来ている。
一方、この場合、制御圧力に搬送周波数に合致
した圧力脈動が発生することが知られている。
そこで、従来から、第2図に示されているよう
な電磁比例圧力制御弁においては、第2絞り弁路
20Aの径を小さく設定することにより、圧力脈
動を減衰させるようにしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、このような電磁比例圧力制御弁におい
ては、第2絞り弁路が小径に設定されているた
め、制御可能な圧力範囲の下限(最低制御圧力)
が高くなつてしまうという問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明にかかる圧力制御弁は、弁体の背後に形
成されている背後室に連通するダンパ室を設ける
とともに、このダンパ室を第1絞り弁路および第
2絞り弁路に別の絞り弁路によつて連通させるよ
うにしたものである。
〔作用〕
パイロツト弁を押す力が減少すると、第1絞り
弁路から弁体の背後室へ圧力流体の補給が増加さ
れる。第1絞り弁路を圧力流体が通過するとき、
圧力損失が発生し、弁体が後方に押されようとす
るが、ダンパ室が形成されていると、弁体の後退
速度に遅れが生ずるため、弁体は一次側通路と二
次側通路との連通の隙間の変化を少なくすること
ができる。
弁体が隙間の変化を少なく維持している間に、
パイロツト弁を押す力が増加すると、第1絞り弁
路からの弁体背後室への流入が減少する。その結
果、パイロツト弁の微振動に伴う圧力脈動は減衰
されることになる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例である電磁比例圧力
制御弁を示す縦断面図である。
本実施例において、電磁比例圧力制御弁は主弁
1と、主弁1を制御するパイロツト弁2と、パイ
ロツト弁操作手段としてのソレノイド3とを備え
ており、主弁およびパイロツト弁2はハウジング
4に組み込まれ、ソレノイド3はハウジング4に
組み付けられている。
ハウジング4には弁筒収容室5が形成されてい
るとともに、一次側通路6および二次側通路7が
収容室5の一端面および側面にそれぞれ接続する
ように開設されている。収容室5には主弁1の弁
筒(以下、第1弁筒という。)8およびパイロツ
ト弁2の弁筒(以下、第2弁筒という。)9が一
端(以下、後側とする。)開口から順次嵌入され
て隣接するように収容されており、両弁筒8,9
は第2弁筒9が収容室5に螺入されることにより
固定されている。
第1弁筒8には小径、環状、大径よりなる中空
部8b,8a,8cが設けられている。環状中空
部8aにおける前端部には主弁1の弁座(以下、
第1弁座という。)10が形成されており、第1
弁座10によつて形成された弁口は小径中空部8
aを介して一次側通路6に連通されている。第1
弁筒8の筒壁には連絡通路11が第1弁座10と
二次側通路7とを連絡するように開設されてい
る。第1弁筒8には主弁1の弁体12が大径中空
部8cに前後方向に摺動自在に嵌入されており、
弁体12は第1弁座10に離着座することによ
り、一次側通路6と二次側通路7との連通を開閉
するように構成されている。
弁体12は略カツプ形状に形成されており、そ
の凹部13の底壁には第1絞り弁路14が一次側
通路6に連通するように開設されている。また、
弁体12の凹部13内にはスプリング15が弁体
12の底壁と第2弁筒9の前面との間に蓄力状態
に介設されており、スプリング15は弁体12を
第1弁座10に着座させる方向に常時付勢するよ
うになつている。
第2弁筒9には弁室16が同心的に形成されて
おり、弁室16の前端部にはパイロツト弁2の弁
座(以下、第2弁座という。)17が形成されて
いる。弁室16にはパイロツト弁の弁体としての
ポペツト18が連絡通路19aを有する軸受部材
19に摺動自在に支承されて内装されており、ポ
ペツト18は第2弁座17に離着座することによ
り、これが形成する弁口を開閉するように構成さ
れている。第2弁筒9の前端面壁には第2絞り弁
路20が開設されており、第2絞り弁路20は第
2弁座17が形成する弁口と第1絞り弁路14と
を連通させるようになつている。第2弁筒9の筒
壁には第3絞り弁路21が弁室16と二次側通路
7とを連通させるように開設されている。
また、第2弁筒9の前端面には略円筒形状に形
成されたスリーブ22が同心的に配されて一体的
に突設されており、スリーブ22は弁体12の凹
部13に相対的に進退自在に嵌入されている。こ
の凹部13とスリーブ22との嵌合により、第1
弁筒8の中空部8aにおける後端部には、弁体1
2の進退によつて容積が変化するダンパ室23が
実質的に形成されており、ダンパ室23は凹部1
3の内周面とスリーブ22の外周面との間に適当
に形成された絞り弁路としてのクリアランス24
により、第1絞り弁路14と第2絞り弁路20と
が連通している凹部13内に連通するようになつ
ている。
ポペツト18の後端部には雄ねじ部25が刻設
されており、雄ねじ部25には調整部材26が前
後方向に位置調整可能に螺合されている。
ソレノイド3はハウジング4にポペツト18と
軸心が略合致するように組み付けられており、電
磁コイル27と、このコイル27の励磁力を付勢
されるプランジヤ28とを備えている。プランジ
ヤ28はポペツト18に調整部材26を介して突
合するように配設されており、ポペツト18に対
してコイル27への印加電流値に比例する力を付
勢するようになつている。
次に作用を説明する。
一次側通路の圧力流体が第1絞り弁路14から
弁体12の凹部13に流入し、クリアランス24
からダンパ室23に流入するため、弁体12は第
1絞り弁路14の前後において同一圧力に保たれ
る。その結果、弁体12はスプリング15の付勢
力と弁体12の径による受圧面積と弁座10の受
圧面積差に基づく力によつて第1弁座10に密着
されている。
このとき、圧力流体は第2絞り弁路20を経て
第2弁座17の一次側室16aに流入するため、
圧力はポペツト18にも作用している。しかし、
この圧力がポペツト18を後退させようとする作
用力が、印加電流値に比例してソレノイド3がポ
ペツト18を押す力よりも小さい間は、ポペツト
18は第2弁座17に密着されている。
一次側通路6における圧力が増加し、ポペツト
18に作用する力がソレノイド13による付勢力
よりも大きくなると、ポペツト18は後退されて
第2弁座17から離れるため、圧力流体は第3絞
り弁路21を通つて二次側通路7に流出する。
同時に、弁体12の凹部13内には第1絞り弁
路14を通つて圧力流体が補給されるが、第1絞
り弁路14を通る際に圧力損失が発生するため、
弁体12の凹部13側は一次側通路6よりも圧力
が低くなる。その結果、第1弁座10に押し付け
られている力の平衡が崩れて、弁体12は後退さ
れ、第1弁座10から離れるため、一次側通路6
の圧力流体は第1弁座10、連絡通路11を通じ
て二次側通路7に流出することになる。
圧力流体が流出し一次側通路6における圧力が
設定値になると、ソレノイド3の付勢力と第2弁
座17の一次側室16aの圧力によつてポペツト
18を押している力とが平衡し、第2弁座17に
おいて所定の隙間が形成されるため、各絞り弁路
14,20,21における流れは安定することに
なる。その結果、弁体12が第1絞り弁路14の
前後において力学的平衡を保たれることにより、
第1弁座10と弁体12は所定の隙間による絞り
状態を形成し、一次側通路6の圧力流体を第1弁
座10と弁体12間の隙間より二次側通路7へ流
出されることになる。
そして、このような電磁比例圧力制御弁におけ
る圧力制御において、ソレノイドをパルス幅変調
制御した場合、制御圧力に搬送周波数に合致した
圧力脈動が発生される。
しかし、本実施例においては、弁体12の凹部
13とスリーブ22とが摺動自在に嵌合されるこ
とにより、第1弁筒8の中空部8cの一部にダン
パ室23が形成されているとともに、このダンパ
室23がクリアランス24を通じて凹部13内に
連通されているため、圧力脈動は効果的に減衰さ
れることになる。
すなわち、パレス幅変調制御によるソレノイド
3の励磁力の微細な低下に伴つてポペツト18が
第2弁座17の一次側室16aの圧力によつて第
2弁座17において形成された隙間が広がると、
第2絞り弁路20を通じて凹部13内の圧力流体
が流出するため、第1絞り弁路14から凹部13
内へ圧力流体が補給される。この圧力流体が第1
絞り弁路14を通るとき、圧力損失が発生し、弁
体12は後方に押されようとするが、ダンパ室2
3が弁体12の背後に設けられているため、弁体
12の後退速度に若干遅れが生じ、弁体12と第
1弁座10との間の隙間の変化は少なくなる。
弁体12と第1弁座10間の隙間の変化が少な
い期間内に、ソレノイド3の励磁力の増加に伴つ
てポペツト18と第2弁座17間の隙間が減少さ
れると、第2絞り弁路20を通じての凹部13内
の圧力流体の流出は減少するため、第1絞り弁路
14から凹部13内への圧力流体の流入も減少さ
れる。この結果、第1弁路14の前後において圧
力損失は減少し、弁体12は前方へ押されようと
するが、ダンパ室23が弁体12の背後に設けら
れているため、弁体12の前進速度に遅れが生
じ、弁体12と第1弁座10の隙間の変化は少な
くなる。このようにして、パルス幅変調制御によ
るソレノイド3の励磁力についての微弱な変動の
うち微小な領域では弁体12の動きが抑止される
ため、圧力脈動は効果的に減衰されることにな
る。
ところで、第2図に示されているように、ダン
パ室を備えていない電磁比例圧力制御弁において
も、第2絞り弁路20Aの径を小さく設定するこ
とにより、圧力脈動は減衰させることができる。
すなわち、ポペツトが開成すると、弁体12A
の背後室8Aの圧力が低下し、弁体12Aを後退
させようとするが、第2絞り弁路20Aが小径で
あると、第2絞り弁路20Aにおける流通が抑制
されるため、弁体12Aの後退速度に遅れが生ず
る。その結果、圧力脈動は減衰されることにな
る。
ところが、第2絞り弁路を小径に設定すると、
最低制御圧力が高くなつてしまうという問題点が
発生する。これを具体的に説明すると次の通りで
ある。
第1絞り弁路、第2絞り弁路、第2絞り弁路に
おける各径をd1,d2,d3とし、一次側通路の圧力
をPp、二次側通路の圧力をPt、第1絞り弁路の
二次側圧力をP1、各絞り弁路を通過する流量を
Qとして、各絞り弁路の前後の圧力差を考える
と、次式が得られる。ここで、パイロツト弁は可
変絞り弁路として作用するが、最低制御圧力を考
える場合、全開状態として扱えばよいので、絞り
効果は考慮外におくものとする。
Pp−P1=(Q/Kd1 22 ……(1) Pp−Pt=(Q/K)2× (1/d1 4+1/d2 4+1/d3 4) ……(2) 故に、 (Pp−P1)/(Pp−Pt) =〔(Q/K)2×1/d1 4〕/〔(Q/K)2× (1/d1 4+1/d2 4+1/d3 4)〕 =1/〔1+(d1/d24+(d1/d34〕 ……(3) すなわち、第2絞り弁路の径d2を小さく設定す
ると、(d1/d24、が大きくなつて、前式(3)の分
母が大きくなるため、(Pp−P1)/(Pp−Pt)、
が小さくなる。これは結果的に、Pp−P2の圧力
差が小さくなつたことを意味し、一次側通路の圧
力Ppに対して制御すべき圧力範囲の下限が高い
ことを示している。
これに対して、本実施例においては、第2絞り
弁路の径を小径にすることなく、圧力脈動を減衰
することができるため、最低制御圧力を低くする
ことができ、制御可能圧力範囲を広くすることが
できる。
例えば、第2絞り弁路の径を、直径0.8mmから
1.0mmに設定することにより、最低制御圧力を約
30%減少させることができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において、
種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、ダンパ室は弁体の凹部にスリーブを摺
動自在に嵌合して形成するに限らず、第1弁筒ま
たは第2弁筒の内部に形成してもよい。
ダンパ室は凹部とスリーブとのクリアラスによ
り第1絞り弁路および第2絞り弁路に連通させる
に限らず、専用の絞り弁路により連通させるよう
にしてもよい。
前記実施例では電磁比例圧力制御弁につき説明
したが、本発明はこれに限らず、他のパイロツト
操作型の圧力制御弁全般に適用することができ
る。
〔発明の効果〕
(1) 弁体の背後にダンパ室を設けるとともに、第
1絞り弁路および第2絞り弁路にダンパ室を絞
り弁路によつて連通させることにより、パイロ
ツト弁が開成後の弁体の開成を若干遅れさせる
ことができるため、圧力脈動を減衰させること
ができる。
(2) 第2絞り弁路の径を小径に設定することなく
して圧力脈動を減衰させることができるため、
最低制御圧力を低く設定することができ、制御
可能な圧力範囲を広くすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である電磁比例圧力
制御弁を示す縦断面図である。第2図は従来例を
示す縦断面図である。 1……主弁、2……パイロツト弁、3……ソレ
ノイド、4……ハウジング、5……弁筒収容室、
6……一次側通路、7……二次側通路、8……主
弁の弁筒、9……パイロツト弁の弁筒、10……
主弁の弁座、11……連絡通路、12……主弁の
弁体、13……凹部、14……第1絞り弁路、1
5……スプリング、16……弁室、17……パイ
ロツト弁の弁座、18……ポペツト(パイロツト
弁の弁体)、19……軸受部材、19a……連絡
通路、20……第2絞り弁路、21……第3絞り
弁路、22……スリーブ、23……ダンパ室、2
4……クリアランス(絞り弁路)、25……雄ね
じ部、26……調整部材、27……電磁コイル、
28……プランジヤ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一次側通路と二次側通路との連通を開閉する
    弁体と、弁体の作動を制御するパイロツト弁と、
    弁体の反弁座側に形成されている背後室と、背後
    室と一次側通路とを連通させる第1絞り弁路と、
    背後室とパイロツト弁と連通させる第2絞り弁路
    とを備えている圧力制御弁において、前記背後室
    に連通するダンパ室を備えているとともに、ダン
    パ室が前記第1絞り弁路および第2絞り弁路に別
    の絞り弁路によつて連通されていることを特徴と
    する圧力制御弁。 2 ダンパ室が、弁体に形成される凹部と圧力室
    に突設されるスリーブとを摺動自在に嵌合される
    ことによつて形成されており、絞り弁路が凹部と
    スリーブとのクリアランスによつて形成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    圧力制御弁。
JP22249485A 1985-10-05 1985-10-05 圧力制御弁 Granted JPS6282412A (ja)

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JP22249485A JPS6282412A (ja) 1985-10-05 1985-10-05 圧力制御弁

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Publication Number Publication Date
JPS6282412A JPS6282412A (ja) 1987-04-15
JPH0550766B2 true JPH0550766B2 (ja) 1993-07-29

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JP5938818B2 (ja) * 2011-08-22 2016-06-22 新電元メカトロニクス株式会社 リリーフ弁
CN105351583A (zh) * 2015-12-01 2016-02-24 杭州杭氧工装泵阀有限公司 一种先导平衡型笼式调节阀阀瓣结构

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