JPH05506888A - 妨害の除去 - Google Patents

妨害の除去

Info

Publication number
JPH05506888A
JPH05506888A JP91509995A JP50999591A JPH05506888A JP H05506888 A JPH05506888 A JP H05506888A JP 91509995 A JP91509995 A JP 91509995A JP 50999591 A JP50999591 A JP 50999591A JP H05506888 A JPH05506888 A JP H05506888A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
minimize
disturbances
plasma
channels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP91509995A
Other languages
English (en)
Inventor
リトバック ハーバート イー.
リーチ スティーブン シー.
ロジャーズ エドワード ジー.
Original Assignee
キシニックス インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by キシニックス インコーポレイテッド filed Critical キシニックス インコーポレイテッド
Publication of JPH05506888A publication Critical patent/JPH05506888A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/66Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
    • G01N21/68Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32963End-point detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の 1]1Ω」し1 溌l[Ω」11 本発明は一般的には処理の進展を検知するための光学装置に使用するものであり 、そのような処理に関連する信号を伝送してそのような信号を検出し、そのよう な信号からそのような処理をllJmするための情報を引き出すものに関する。
さらに詳しく言えばこの発明はマイクロ電子装置の製造用であって、制限的な意 味ではな(半導体装置とか、他の微細加工技術を含みそれらは反応物質、または 製品、エツチングされるフィルム、またはそれらの組み合わせが光を発生する場 合におけるドライエツチング処理過程の終点(エンドポイント)決定のための光 学放射信号から、妨害を除去する発明に関連する。
フォトリソグラフィ技術は希望する回路パターンを半導体装置の表面に移植する ことを可能にしている。
これは通常フォトレジストフィルムをウェーハ上に設け、イメージングと現像処 理プロセスを経てウェーハ上にパターンを形成する。
ウェーハはそれから現像処理工程によって形成されたパターン中でエツチングさ れる。ドライエツチングは、低い圧力の反応装置の中でマイクロサーキットフィ ルムの化学的な処理を行うものであって、種々のドライエンチング過程によって 達成されドライエツチング過程は制限的な意味ではなくプラズマエッチ、反応イ オンエッチ、イオンミリング、反応イオンエッチ。
イオンミーリング、反応イオンビームエッチ、マグネトロンエッチ、および流れ エツチングを含んでいる。
4フツ化炭素や、その他のガスがプラズマ反応装置の中に導入され、高い周波数 の放電がそれらのガスを反応イオンや分子の断片に返還するために用いられ、そ れらがエツチングされるべきフィルムと反応する。
エツチングステップにおいて、エツチングの進展をモニタし、エンドポイントを 検知することが重要であって、エンドポイントとは下層の材質に達するかまたは エツチングされるべきフィルムが、除去されたかということである。このポイン トはエンドポイントと言われているが、エツチングプロセスをエンドポイントを 越えてしばらくの間行うことができ、そのようなものをオーバーエツチングとい う。
光学放射分光がプラズマエツチングシステムにおけるエンドポイントを検出する ために現在用いられている。これはプラズマがある分子の種類を励起すると、そ れらにエツチングされている各々の種類の′vF@、的な波長の光を放出するこ とに基づいて可能である。光学モニターシステムにおいて、特定の波長のプラズ マから放出される特定の波長の光が選択されて、例えばフォトダイオード、光電 子増倍管2または検出器アレイのように光の強度を電気信号に変換する検出器に 供給される。検出された生の信号の強さは、検出された光のレベルに関連してお り、そして特殊な処理の反応精神に関連する波長を選択することにより、処理プ ロセスは特徴的な波長によって、またはすべての分光操作のすべての波長によっ て行われる。特にエツチングされている層の下側の層によって発生させられる放 射に相当する波長を選択することにより、前記終点は前記層の到達を容易に検出 することができる。エツチングされているフィルムが完全に下側の材料またはフ ィルムから取り除かれたときには、ガス層とフィルム上に化学的変化が現れる。
電気フィルムからの発生する種族はもはや現れな(なり、ある反応物質がそれら がもはや反応によって消費されないことにより、増加する。
これらの化学的変化は光学的放射強度の変化として、現れる。かくして適当な放 射特徴を連続的に観察し、適当な放射の特徴すなわち反応物質またはエッチ反応 の生成物または放射強度の変化のような適当な放射の特徴を連続的に観察するこ とにより、エツチングされるべきフィルムが除去されて、下層の材質またはフィ ルムにエツチング機能が到達したこと、またはエンドポイントの信号が現れる。
エンドポイントを知らせる信号である放射強度の変化は反応材料の放射の増強ま たは生成物の現象、または他の反応の放射の存在として現れる。
しかしながらあるプロセスにおいては、光学放射信号の変化はモニタされ、エン ドポイントの検出のためには小さくて検出困難である場合がある。エンドポイン トにおける信号または信号の変化が非常に小さい場合には、妨害信号が信号また は信号の変化を不明確にしエンドポイントの観察を妨げるか、または誤ったエン ドポイントを読み取らせることになる。妨害は幾つかの原因から発生するもので あり、これらは制限的な意味ではなくて、下記のものを含んでいる:(1)妨害 に関連するプロセスとして、当然のことではあるがプラズマの化学的な撹乱に原 因し、それらはプラズマのゆらぎ、または信号ドリフトとして明らかに知られて おり; (2)装置に原因する変動要因、それらはそのプロセスを制御する操作者の行為 に原因するものであり、制御ループとか同じような活動であって、それらが通常 のエツチングマシーンが流れを安定させたり、圧力、出力、温度、またはその他 の可変要素を制御するために固有に存在しているものである; (3)ある種のプラズマエッチ装置の動作において、プラズマの密度が外部の磁 界の変動によって周期的に変化に導かれるとか、高周波プラズマ装置または他の 手段の高周波電力が変調されることによるなどの周期的な変動がある。これらの 機械は低い周波数で典型的には0.1から100ヘルツの低い周波数で生成され 、各室においてプラズマの周期的な変調が見られる。
プラズマエツチング装置においてそのような変調は周期的な光学放射信号の振動 として、およびエンドポイントにおける比較的小さい放射の変化を打ち消すため に、十分な大きさで現れる。
そのようなシステムにおけるエンドポイントの検出、またはプラズマ処理または 光学放射の計測に基づく過程の診断の他の障害はスペクトル走査の上に重ねられ る信号対波長の振動であり、すなわちプラズマ放射の信号対波長である。
(4)モニタされている波長の近くの種族からプラズマは放出する。
前述したすべての妨害は広帯域の性質、すなわち多くの分光波長領域において発 生するものである。ある程度、以下のことが正しいと考えることができる。すな わち2つの異なった波長領域において測定された放射強度は部分的に関連づけら れるであろう。両方の波長領域において共通して現れる強度のゆらぎがあり、そ れらはプラズマの共通の乱れに原因するものである。
このような相関性は2またはそれ以上の波長と強度の組み合わせを同時に行うこ とによって障害除去のための手段媒体を提供する。
本発明の主たる目的はエツチングプロセスをモニタしてプラズマエツチング室内 におけるエンドポイントを決定する方法において、検出され観察されるべき変化 を示す信号を曖昧にする妨害が存在するエツチング室内におけるエツチング過程 をモニタしてエンドポイントを検出する方法を提供することである0本発明のさ らに他の目的は周期的に低い周波数で発生するプラズマ変調が存在するなかで、 プラズマ中におけるプロセスをモニタしてエンドポイントを検出することである 0本発明のさらに他の目的は、エンドポイントにおける光学的な放射がプラズマ のゆらぎによる信号に比べて比較的小さい状況において光学的な放射分光を用い てエンドポイントを検出する方法および装置を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、プラズマ放射からの異なった波長の信号を分析して 、互いに相関性を持つものを分離して、無関係な部分と対象づける方法および装 置。
本発明のさらに付加的な目的は、モニタされる波長の近くで発生する他の種族の 障害となる放射の存在下におけるプロセスの監視をすることである。
光学放射分光は選択された波長領域における放射強度の変化を検出し観測するこ とである。理想的には放射強度の変化は信号から分離された源から現れる。しか しながら、現実に多くの原因がそのような変化に寄与している。これらは以下の ように大きく特徴づけられる: (1)ランダム雑音であって、いずれも電気的な雑音であらて、通常良く設計さ れた装置においては極めて低いレベルのものであり、ショットノイズは光の信号 を電気的な信号に変換する過程において本来的に現れるものである。
C)関連性を持つゆらぎであって、それは強度のドリフト、すなわち前述したよ うに2またはそれ以上の波長領域において同時に現れる。
(3)プラズマの周期的な変調;および(7L)ウェーハまたは基盤の表面から フィルムを除去するとことに原因する強度の変化、すなわちエンドポイント。
エンドポイントにおいて発生する変化は明白にわれわれが決定したいのであるが そのような変化は一般的に前記(I)、(2)および(3)で述べた妨害によっ て曖昧にされる。
この発明の実施において、段々雑音の電子的な部分は良好な電気的設計とによっ て極小にされ、ショットノイズ部分は大量の光をエツチング容器から集めること によって極小化される。
関連する変動に原因する強度の変化は、2またはそれ以上の波長を同時に観測す ることによって極小化させられ、それらのゆらぎが通常存在するのであるが、そ れらの内のあるものは、エンドポイントの強度変化の中に現れる。2つのチャン ネル、例えばチャンネルBからチャンネルAを単に減産することによって、共通 のまたは関連する強度の変化が除去され、エンドポイントの強度変化のみが残さ れるというアルゴリズムがあり、その現存するエンドポイント検出アルゴリズム 用いてエンドポイントを検出する。
米国特許4,312,732は“プラズマ放射処理操作の光学モニタのための方 法”デーゲンコルブ等に与えられており、そこに参照されている文献はプラズマ 放電の光学的な放射の基礎的な概念を教示している。
U皇!L 本発明は、放射分光を用いることによって、同時に2またはそれ以上の選択され た波長を同時に注目しそれらの波長領域からの信号を結合して結果の信号を得て プラズマの乱れ、そのような信号のゆらぎの効果を極小化するアルゴリズムを用 いることにより、プラズマエツチング装置における光学放射信号からの妨害を除 去する方法を教示している。
本発明を実行するあたり、ランダムノイズの電子的な部分は除去されるかまたは 良い電気的な設計によって極小化されておりシッットノイズの部分はエツチング 容器中から大量の光を集めることによって極小化されている。
関連する相関性を持つゆらぎに原因する強度の変化は、そのような変化を、エン ドポイント検出の場合を除き、体験する2つまたはそれ以上の波長を同時に観測 することによって除去されるかまたは極小消化される。あるアルゴリズムにより 両方のチャンネル、チャンネルAからチャンネルBへ単に引き算することにより 、共通のまたは関連性をもつ強度の変化を除去してわれわれが現存するエンドポ イント検出アルゴリズムによって検出すべきエンドポイントの強度変化だけを残 す。
一般的に見てエンドポイント信号検出のモニタにおいて、2つの波長領域を観察 すること自体は新規なものではないが、しかしながら2つの波長を用いることは 、今後プラズマ室において信号の変化が非常に少なく、例えば露出されたフィル ムエリアが5%以下であるような場合においては、エンドポイント検出を改善す るには適当でないと考えられる。
現場の人達がそのようなアプローチが不適当であるとする理由はニジジットノイ ズまたは電気的なノイズがそのような関連する信号を不明確にしていること、2 つの検出器が実質的に同じ場所を見ているということが認識されていないという 臨界的な問題および他の波長が関連するゆらぎを示していると言う認識に欠ける ことにある。
上述した結果により、発生源のゆらぎの除去または減少の目的で他の波長を見て 、信号対雑音比を増強させるという意味を示していない。
われわれは、関連する信号は適当なレンズを用いて集められる光の量を増加し、 ディジタル処理をすることにより、相関性を持つ信号が検出されることおよび2 つまたは光ファイバ束であって、個々の束のそれぞれが互いに隣接して交互に配 列されるようにした光ファイバを用いることによって、光の質を向上させること を見いだした。メディアンフィルタリングのようなディジタル処理はリニアフィ ルタリングよりもランダムノイズを減少させるであろうし、集められる光を同化 させることの組み合わせにおいて、適当なレンズを用いることによって集められ る光の量を増加させることとの組み合わせによって、シッットノイズ相対値を下 降させる。光ファイバ束の個々のファイバのシステム的な配列は、同時に継続し ている出願“光収集方法および装置”であって、この出願と同時に出願された両 方のチャンネルが同じターゲット領域を観察することを可能にしている。同じタ ーゲットを見るという概念は基礎的なものであると思われるが、われわれはファ イバ束が隣接しておかれており、ファイバが本発明で交互に配列されているもの は、ターゲットを見るという観点から十分に異なったものであって、相関性は無 しとされてしまって、以前には有効な診断・ンールと見なされていなかった。
本発明の他の重要な要素は、関連する相関性の信号は相関性を持たない信号より 、全体のスペクトラムではなくて特定の波長領域を観測することに−よって分離 されるということである0本発明のさらに重要な特徴は従前はノイズとして特徴 付けられたもののなかに、エンドポイントの過程の進展に関連する部分が存在す るという認識を得たことである。われわれの議論のためにわれわれがノイズとし て言及するものは、われわれはエンドポイント過程に関連しない信号部分を意味 しそしてそれらは好ましくないものを指す。
プラズマ変調を用いるある種の特殊な過程において考慮されなければならない他 の信号要素が存在する。
その要素はプラズマ変調に関連する信号部分であって、それは通常はその過程に おいて発生しないものである。
われわれの目的を達成するために、プラズマ変調信号によって引き起こされる部 分の信号は同様に処理されるか除去されるかしなければならない。
最後に他のもう1つの不明確な要素は信号のドリフトである。再度もし雑音とプ ラズマのゆらぎが勘定に入れられて、信号のドリフトが考慮されなければ、望ま れる発展とエンドポイント検出はそれらが信号の中に存在していても明確になら ない。
要するに、エンドポイントと処理の展開を示す信号がプラズマエッチ室内におい て、非常に小さいのでそれらは生の信号の中において非常に小さく中の信号とい うのはランダムノイズと相関性を持つゆらぎと周期的な変調と処理過程に関連す る信号から構成されているものである。われわれはさらにプラズマ変調の周期的 な変調の効果はプラズマ変調サイクルの積み重ねられた回数中において、光学的 放射信号を平均することによって除去できることを見いだした。この処理によっ て、信号は変調されない信号に効果的に変換される。
われわれはさらにプロセスに関連する信号が、同時に2またはそれ以上の選択さ れた波長領域を観察することにより、そして適当なアルゴリズムを各波長におけ る強度変化の組み合わせに適用することにより除去し、相関するゆらぎの大部分 を減少させることができることを見いだした。
の な−゛ 図1は本発明による装置の略図である。
図2は2チヤンネルシステムのチャンネルAにおける信号対時間経過のグラフで ある。
図3は2チヤンネルシステムにおけるチャンネルBの信号の時間変化を示すグラ フである。
図4は図2と図3の信号をあるアルゴリズムによって結合することにより、導き 出される結果の曲線を示すグラフである。
の な 本発明はエンドポイントを検出し、プラズマまたはプロセスの進展をドライエツ チングプロセスであって、光学的放射の信号障害がある場合における光学的観察 システムの改良にある。
本発明において信号対雑音域は極大化され、妨害が次のステップによって極小化 される: (a)分離されたチャンネルにおいて2またはそれ以上の電気信号を測定し; (b)前記分離されたチャンネルからの電気信号を正規化する。
(c)前記信号をランダムノイズ、相関性を持つゆらぎおよびドライプロセス観 察信号に分析する;(d)プロセスモニタ信号中の信号対ランダム雑音比を極大 化する;および (e)分離されているチャンネルからの相関性のあるゆらぎの不明確とされる効 果をある論理によって極小化する。
結果の信号はもはやランダムノイズとか相関性を持つゆらぎによって不明確にさ れない。
図1を参照すると、ドライエツチング反応器に放出された光4の光源であり、そ れは光ファイバ束6に伝達される。光ファイバ束6は複数のチャンネル8に分離 される。この実施例においては2つのチャンネルがしめされているが、必要があ ればそれ以上のものを使用することができる。チャンネル8は光を同じ源から集 めて、そしてそれを分離されている光操作センサ10に送り、光センサ10はそ の光信号を電気信号に変換し、その電気信号は制御ユニット12において処理さ れ制御ユニットはエンドポイント制御検出装置として用いられる。
前述したようにエンドポイント検出は障害によってマスクされるのであるが、そ の障害がエンドポイント信号よりも大きい障害によってマスクされ、プラズマの ゆらぎによって周期的であるか偶発的なものになっている。本発明における改善 はこれらの条件下において非常に有効である。
僅かな信号変化が高いレベルの妨害によってマスクされる工程において、われわ れは2またはそれ以上のファイバ束を複数の波長領域において用いること、複数 の領域においてファイバを異なる光ファイバ束に分けて用いることが、ファイバ 束において非常に有効である。エンドポイント検出に有効であるということを見 い出した。しかしながら、それは異なったファイバ束をほぼ同じ位置に交互に配 置するのではなく、今後は光ファイバ束を折り込むようにして用いるのである。
特に、エンドポイント信号が妨害に対して非常に小さい場合においては、複数の 波長検出器が同じ領域を見るということが決定的に重要である。われわれは光フ ァイバ束の折り込みが各バンドからの光が実質的に同じ源から来ているものであ ることを確実にしている。
妨害が低い周波数の変調において周期的に変わる。
例えば、プラズマエツチング装置によって意図的に提供されるような場合におい ては、われわれは任意の波長領域においてプラズマ変調の回数を積真することに よって、モニタリングプロセスとエンドポイント検出機関における改良ができる ことを発見した。
複数の信号が検出された場合にわれわれは、それらを適当なアルゴリズムを用い ることにより、周期的なプラズマ変調妨害だけではなく、さらにプラズマの乱れ とかゆらぎ、例えばウェーハホールダの回転に起因するものを極小化することを 見いだした。異なる光学放射チャンネル(チャンネルAとチャンネルB)を用い るシステムにおいて、結果のアルゴリズムA−(NxB)、A/ (NxB)こ こにおいてNは調節可能なスケーリングパラメータの定数であって、SN比を極 小にするために結果として入れられる信号のSN比を最小にするために調節して 、エンドポイントを有効に表すために用いられるものであって、それはそのエン ドポイントというものは個々の信号においてはマスクされているというものであ るが、これらのアルゴリズムは同一のアルゴリズムである。
本発明の他の要素は各々のチャンネルの信号レベルを最小基準値に対して正規化 することである。
本発明のこの実施形態においては、共通の最小信号レベルは経験的に決定される ものであり、電子的な自動利得制御回路またはその他の手段によって、各チャン ネルについて別々にその参照信号に対して荒く調節さる0周期的な変調を持つ過 程においては集積された平均化が行われる。このステップは微細に調整されたソ フトウェアのスケーリングによって、精密に各チャンネルの各々のエッチの初め に調節される。
われわれは主としてエツチング装置の変調による妨害の原因について議論をした が、信号中のゆらぎ、がそれらが種々の源から発生して妨害となることを示して いる。
一括処理の場合においては大量のウェーハを回転テーブルの上にのせるのである が、信号が特定のウェーハの相対的な光の窓に従属する。これに加えるに半導体 の製造過程において、例えばトラッキングシステム。
各々のウェーハを回転させるのが最も普通に行われることである。そのようなシ ステムにおいて、信号はその回転によって発生する0本発明はそのようなすべて の状況から発生する妨害に対しても有効である。
この発明の実施例において、1つの半導体ウェーハはシリコン基板の上に薄い( はぼ500nm)のシリコン酸化物フィルムで覆われており、フォトレジストマ スクを用いることによってほぼ2〜3%の露出させた領域がプラズマエラチャに よって形成される。エラチャにおいて、シリコンダイオードフィルムの中に小さ な接触用の孔を形成する目的でなされるものである。
プラズマエラチャによって、エツチング中に発生する光はエンドポイント制御装 置、例えばキシニックモデル1200であって、複数の波長領域を観測する能力 を備えるものによって、観測される。1つの波長は例えば483nII(チャン ネルA)であって、これは−酸化炭素分子の光学放射に対応するものであり、そ れは処理のエンドポイントを検出するために観測されており、露出されたシリコ ン酸化物のフィルムが除去された点において、エツチングが基盤に達したときに エンドポイントを観察するために用いられる。前記−酸化炭素の放射はこの点に おいて減少するので、その理由はフィルムがなくなってしまうと、−酸化炭素を 形成するための室内の酸素が減少するからである。第二の光の波長はすなわち4 85n+*(チャンネルB)であり、エツチングの過程において同時に観察され 、背景または妨害修正用チャンネルとして用いられる。
A、−(NXB)の形の結合された信号、ここにおいてAとBはチャンネルAと チャンネルBのそれぞれの信号の強度であり、Nは調節可能な要素であり、膚型 的にはほぼ1であるが、その式がエンドポイントを決定するために式からの結合 された信号が用いられる。
図2はチャンネルAのエツチング期間における信号の変化を示すデータである。
図3はチャンネルBからのエツチング期間中のデータを示している。いずれのチ ャンネルもエンドポイントを示す明確に規定された信号を示しておらず、各々の チャンネルのデータは全体において緩い下降方向の信号ドリフトを含んでおり、 同様に短い時間の信号のゆらぎを含んでいる。
図4はA−(NXB)のアルゴリズムであって、N=1.0の場合に、導き出さ れた結果の直線を示している。図3のスケールは図1と図2に対してほぼ3倍は ど拡大させられている。信号の効果はほぼ1:20に始まり、終わりはほぼ3: 20であり、これは良く定義されたエンドポイントカーブを規定しており、これ はエンドポイント検出器の傾斜検出ソフトウェアによって、容易に認識できる。
前記アルゴリズムは効果的に妨害を除去して真のエンドポイントカーブを表して いる。ひとたびエンドポイントが検出されると、前記装置は制御信号を送出して エラチャにエツチングの終了をさせるかプロセスの変換を開始させる。
(%) (%) (%) 、!−」1−1− 光学的放射から変換された電気信号を不明確にするランダム雑音と相関性をもつ ゆらぎによる妨害を極小化する改良された方法である。
特に、マイクロ電子装置の製造におけるドライエツチングプロセスにおいて、ラ ンダム雑音、相関性をもつゆらぎおよびプラズマの周期的な変調の存在する中か ら導かれるれ信号とランダム雑音の比を最大にし、相関性をもつゆらぎによる不 明確化の程度を極小にすることにより、エンドポイント決定時の光学的放射から の妨害を除去する改良された方法を示している。
国際調査報告 m A++1+−IIIs灯/US91103518

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.光学放射を検出する方法であって放射光を測定可能▽な電気信号に変換し, 微細加工のためのドライエッチ工程をモニタするものであり,妨害を極小化する ための改善された方法であって: (a)2またはそれ以上の波長の領域において、分離されたチャンネル中の電気 信号を測定するステップと、(b)チャンネルからの分離された電気的信号を分 離し正規化させるステップと、 (c)電気的信号をランダムノイズ,相関性を持つゆらぎおよびドライプロセス モニタ信号に分析するステップと、 (d)プロセスモニタリング信号において信号とランダムノイズの比を最大にす るステップと、(e)アルゴリズムを用いて分離されたチャンネルからの相関性 を持つゆらぎの不確かな効果を極小化するステップと、 を含み、 よって得ちれた信号をランダムノイズまたは相関性を持つゆらぎから妨げられら れないものとする妨害を極小化する方法。
  2. 2.請求項1記載の方法において、前記チャンネルの分離は2またはそれ以上の 組のファイバを持つファイバ束である妨害を極小化する方法。
  3. 3.請求項2記載の方法において、前記ファイバのセットは各々のファイバ束の 領域の偏りを極小化するために混ぜられている妨害を極小化する方法。
  4. 4.請求項1記載の方法において、前記ドライエッチプロセスはプラズマエッチ であって、それは周期的なプラズマ変調を含んでいる妨害を極小化する方法。
  5. 5.請求項4記載の方法において、前記チャンネルの分離はファイバ束は2また は3以上の光ファイバを持つことによって行われる妨害を極小化する方法。
  6. 6.請求項4記載の方法において、前記ファイバは各々のファイバ束の偏りを無 くするために混ぜられている妨害を極小化する方法。
  7. 7.請求項1記載の方法において、前記エッチングのために露出されるフィルム 領域は5%以内である妨害を極小化する方法。
  8. 8.請求項1記載の方法において、前記デジタル処理がランダムノイズ比を極大 化するために用いられている妨害を極小化する方法。
  9. 9.請求項1記載の方法において、前記生の処理されていない測定可能な電気信 号はノイズ部分を持っていて、その部分の中に有効な結果の信号が生の信号のそ のようなノイズ部分に含まれている妨害を極小化する方法。
  10. 10.請求項1記載の方法において、前記妨害は周期的に低い周波数の変調によ って変わるものであり、前記分離された電気的な信号は選択された信号によって ある加算されたプラズマモジュレーションのサイクルだけで平均化される妨害を 極小化する方法。
JP91509995A 1990-05-18 1991-05-17 妨害の除去 Pending JPH05506888A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US526,558 1990-05-18
US07/526,558 US5208644A (en) 1990-05-18 1990-05-18 Interference removal
PCT/US1991/003518 WO1991018283A1 (en) 1990-05-18 1991-05-17 Interference removal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05506888A true JPH05506888A (ja) 1993-10-07

Family

ID=24097824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP91509995A Pending JPH05506888A (ja) 1990-05-18 1991-05-17 妨害の除去

Country Status (3)

Country Link
US (4) US5208644A (ja)
JP (1) JPH05506888A (ja)
WO (1) WO1991018283A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006518913A (ja) * 2003-02-14 2006-08-17 ユナクシス・ユーエスエイ・インコーポレーテッド 時分割多重化エッチプロセスにおける終点検出
JP2014072264A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208644A (en) * 1990-05-18 1993-05-04 Xinix, Inc. Interference removal
JPH04196529A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp プラズマ処理装置
US6149761A (en) * 1994-12-08 2000-11-21 Sumitomo Metal Industries Limited Etching apparatus and etching system using the method thereof
JPH08232087A (ja) * 1994-12-08 1996-09-10 Sumitomo Metal Ind Ltd エッチング終点検出方法及びエッチング装置
JP3193265B2 (ja) * 1995-05-20 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置
US5738756A (en) * 1995-06-30 1998-04-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for detecting optimal endpoints in plasma etch processes
US5691540A (en) * 1996-04-30 1997-11-25 Ibm Corporation Assembly for measuring a trench depth parameter of a workpiece
DE19730644C1 (de) 1997-07-17 1998-11-19 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Erkennen des Übergangs unterschiedlicher Materialien in Halbleiterstrukturen bei einer anisotropen Tiefenätzung
US6046796A (en) * 1998-04-22 2000-04-04 Advanced Micro Devices, Inc. Methodology for improved semiconductor process monitoring using optical emission spectroscopy
US6075909A (en) * 1998-06-26 2000-06-13 Lucent Technologies, Inc. Optical monitoring system for III-V wafer processing
JP3383236B2 (ja) * 1998-12-01 2003-03-04 株式会社日立製作所 エッチング終点判定方法及びエッチング終点判定装置
WO2000071971A1 (en) 1999-05-24 2000-11-30 Luxtron Corporation Optical techniques for measuring layer thicknesses
US6570662B1 (en) 1999-05-24 2003-05-27 Luxtron Corporation Optical techniques for measuring layer thicknesses and other surface characteristics of objects such as semiconductor wafers
WO2001013401A1 (de) * 1999-08-12 2001-02-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur überwachung eines herstellungsprozesses zur bearbeitung eines substrats in der halbleiterfertigung
US20040035529A1 (en) * 1999-08-24 2004-02-26 Michael N. Grimbergen Monitoring a process and compensating for radiation source fluctuations
US6358359B1 (en) 1999-11-03 2002-03-19 Agere Systems Guardian Corp. Apparatus for detecting plasma etch endpoint in semiconductor fabrication and associated method
US6969619B1 (en) * 2003-02-18 2005-11-29 Novellus Systems, Inc. Full spectrum endpoint detection
DE602004017983D1 (de) 2003-05-09 2009-01-08 Unaxis Usa Inc Endpunkt-Erkennung in einem zeitlich gemultiplexten Verfahren unter Verwendung eines Hüllkurvenalgorithmus
US20050020073A1 (en) * 2003-07-22 2005-01-27 Lam Research Corporation Method and system for electronic spatial filtering of spectral reflectometer optical signals
US20050070103A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for endpoint detection during an etch process
US9997325B2 (en) * 2008-07-17 2018-06-12 Verity Instruments, Inc. Electron beam exciter for use in chemical analysis in processing systems
US8778204B2 (en) * 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
US20220148862A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-12 Applied Materials, Inc. Optical cable for interferometric endpoint detection

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4312732A (en) * 1976-08-31 1982-01-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the optical monitoring of plasma discharge processing operations
JPS55157233A (en) * 1979-05-28 1980-12-06 Hitachi Ltd Method and apparatus for monitoring etching
ATE23752T1 (de) * 1980-08-21 1986-12-15 Oriel Scient Ltd Optische analyseeinrichtung.
US4569717A (en) * 1983-05-24 1986-02-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method of surface treatment
US4611919A (en) * 1984-03-09 1986-09-16 Tegal Corporation Process monitor and method thereof
US4491499A (en) * 1984-03-29 1985-01-01 At&T Technologies, Inc. Optical emission end point detector
US4618262A (en) * 1984-04-13 1986-10-21 Applied Materials, Inc. Laser interferometer system and method for monitoring and controlling IC processing
US4707075A (en) * 1984-07-31 1987-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Very-low-temperature fiberscope
US4695700A (en) * 1984-10-22 1987-09-22 Texas Instruments Incorporated Dual detector system for determining endpoint of plasma etch process
EP0197372A3 (de) * 1985-04-10 1987-04-29 Erik Nylander Vorrichtung zur Regelung einer Flüssigkeit-, insbesondere Wasserstandshöhe
US5077464A (en) * 1988-07-20 1991-12-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for endpoint detection in a semiconductor wafer etching system
US5151584A (en) * 1988-07-20 1992-09-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for endpoint detection in a semiconductor wafer etching system
US4953982A (en) * 1988-07-20 1990-09-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for endpoint detection in a semiconductor wafer etching system
US4927485A (en) * 1988-07-28 1990-05-22 Applied Materials, Inc. Laser interferometer system for monitoring and controlling IC processing
US4896965A (en) * 1988-09-14 1990-01-30 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Real-time alkali monitoring system
US5045149A (en) * 1988-10-24 1991-09-03 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for end point detection
US5097430A (en) * 1990-01-16 1992-03-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for displaying process end point signal based on emission concentration within a processing chamber
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5059784A (en) * 1990-03-30 1991-10-22 Applied Materials, Inc. Optical mask filter capable of reducing the semiperiodic component of temporal variation in endpoint detection
US5208644A (en) * 1990-05-18 1993-05-04 Xinix, Inc. Interference removal
US5160402A (en) * 1990-05-24 1992-11-03 Applied Materials, Inc. Multi-channel plasma discharge endpoint detection method
EP0612862A1 (en) * 1993-02-24 1994-08-31 Applied Materials, Inc. Measuring wafer temperatures

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006518913A (ja) * 2003-02-14 2006-08-17 ユナクシス・ユーエスエイ・インコーポレーテッド 時分割多重化エッチプロセスにおける終点検出
JP4724795B2 (ja) * 2003-02-14 2011-07-13 ユナクシス・ユーエスエイ・インコーポレーテッド 時分割多重化エッチプロセスにおける終点検出方法
JP2014072264A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO1991018283A1 (en) 1991-11-28
US5946082A (en) 1999-08-31
US5208644A (en) 1993-05-04
US5786886A (en) 1998-07-28
US5414504A (en) 1995-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05506888A (ja) 妨害の除去
US5450205A (en) Apparatus and method for real-time measurement of thin film layer thickness and changes thereof
US6521080B2 (en) Method and apparatus for monitoring a process by employing principal component analysis
JP3429137B2 (ja) トレンチ形成プロセスのリアルタイム現場監視のための方法
TWI690969B (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
USRE39145E1 (en) Method and apparatus for in-situ monitoring of plasma etch and deposition processes using a pulsed broadband light source
CA2104072C (en) Method and apparatus for optical emission end point detection in plasma etching process
US6673200B1 (en) Method of reducing process plasma damage using optical spectroscopy
US20010051437A1 (en) Process Monitoring Apparatus and Method
EP0841682A2 (en) Method of detecting end point of plasma processing and apparatus for the same
KR0167475B1 (ko) 플라즈마 에칭장치
KR20000071595A (ko) 반도체장치 제조프로세스의 프로세스상태를 모니터링하기위한 방법 및 장치
US6104487A (en) Plasma etching with fast endpoint detector
JP2010518597A (ja) プラズマエッチングプロセスのプロセスパラメータ決定のための方法および装置
US7746473B2 (en) Full spectrum adaptive filtering (FSAF) for low open area endpoint detection
JP6804694B1 (ja) エッチング処理装置、エッチング処理方法および検出器
JP4041579B2 (ja) プラズマ処理の終点検出方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP4041212B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法並びにプラズマ処理方法
JP3645462B2 (ja) 回路基板の製造方法およびその装置
TWI780618B (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
US20070269910A1 (en) Wafer Tilt Detection Apparatus and Method
JPH09181050A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2002270588A (ja) エッチング装置およびエッチング方法
JPS62224932A (ja) プラズマアツシング終点検出装置