JPH05505848A - 高純度芳香族ポリエステル、これらのポリエステルを含むフイルム及びその他の製品ならびに装置、及びそのようなフイルムの製造法 - Google Patents

高純度芳香族ポリエステル、これらのポリエステルを含むフイルム及びその他の製品ならびに装置、及びそのようなフイルムの製造法

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JPH05505848A JP3513901A JP51390191A JPH05505848A JP H05505848 A JPH05505848 A JP H05505848A JP 3513901 A JP3513901 A JP 3513901A JP 51390191 A JP51390191 A JP 51390191A JP H05505848 A JPH05505848 A JP H05505848A
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イソノバ・テヒニシエ・イノバツイオネン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

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【発明の詳細な説明】 高純度芳香族ポリエステル、これらのポリエステルを含むフィルム及びその他の 製品ならびに装置、及びそのようなフィルムの製造法技術の範囲 本発明は、基本的に1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエ タン又は9.9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、及びイソフタル 酸クロリド及び/又はタレフタル酸クロリドから誘導した共重合繰り返し単位を 含むポリエステルに関する。さらに本発明は、これらのポリエステルを含むフィ ルム及び他の製品ならびに装置、及びそのようなフィルムの製造法に関する。
技術の現状 このようなポリエステルは、基本的にEP−0064971(1,1−ビス(4 −ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタンから誘導)及びEP−00064 972,(9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレンから誘導)によ り周知である。これらの特許において、ポリエステルの少なくともいくらかが“ 二結節点性”分子量分布を有し、ポリエステルの重量の10−20%が低分子量 化合物から成るという報告がなされている。
ある所望の物理的性質を得るための、9.9−ビス(4−ヒドロキシフェニル) フルオレン又は1.1−ビス(4−フェニル)−1−フェニルエタン/イソフタ ル酸及びテレフタル酸ポリマー(後文では時々簡潔のためにそれぞれFPE及び CPEコポリマーと呼ぶ)の分子量の重要性が文献において議論されている。上 記の通り、引用欧州特許明細書は、10−20%のオリゴマー化合物の存在がF PE又はCPEコポリマーの有利な性質を形成するとみなしている。本出願人は 初めて、少量の(すなわちポリエステルの全重量の2−10%)オリゴマー化合 物がFPEコポリマー中に存在しても不利な性質を生ずることに気付いた。これ は、コポリマーの平均分子量が高い、又は内部粘度が高い場合でも当てはまる。
本出願人は、FPE又はCPE中の少量のオリゴマー化合物が溶剤感受性を増し 、伸び率を低くし、引っ張り強さを低くし、耐薬品性を低くし、寸法安定性を悪 くし、材料を高温に暴露した時の電気的性質の変動を生ずると決定した。従って オリゴマーの存在によりFPEコポリマーが、例えば高温条件下で臨界電気特性 が保持されねばならない多くの用途に適さないものとなる。寸法不安定性及び化 学的不安定性は材料を、熱によりそれを印刷するような用途に適さないものとす る。さらに本出願人は、少量のオリゴマーの存在によりFPEコポリマーが紫外 線に対して敏感になり真空条件下で不安定になると決定した。少量のオリゴマー を含むフィルムは、紫外線に少々暴露しても“黄変”又は分解するであろう。こ れは包装材料などの、フィルムの光学的性質が重要である用途へのフィルムの利 用を大きく制限する。真空不安定性は、真空条件下でコポリマーからの重量損失 を生ずる。このため材料は、蒸着又はスパッタリング法を用いる用途など、材料 を高真空中に(例えば10−@トール)置(ような用途に適さなくなる。
発明の説明 本発明の第1の目的は、オリゴマー材料の含有量が非常に少ない上記の種類のポ リスエステルの開示である。
本発明のポリエステルは、分子量が8000以下の低分子量化合物の含有量が4 重量%以下であり、破断点伸びが少なくとも50%のフィルムを形成することを 特徴とする。1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタンか ら誘導したポリエステルの場合、有利なことに破断点伸びは、少なくとも60% である。はとんどの用途において重量平均分子量は、少なくとも500.000 であり、他の用途の場合少なくとも700,000又は900.000又はそれ 以上であることが好ましい。
さらに本発明は、本発明のポリエステルを含む、その厚さが少なくとも5ミクロ ンであるフィルムに関する。そのようなフィルムは、真空蒸着皮膜を有すること が有利であり、その膜は磁気記録層に適する材料であることができる。
本発明はさらに、接着剤で被覆した、本発明のポリエステルフィルムを含むテー プに関する。
本発明はさらに、好ましくはオリゴマー化合物の含有率が1%以下の本発明のポ リエステルで絶縁した導体を含む電気装置に関する。この導体は、線材又は金属 箔である二とが有利であり、又は導電性材料の層として存在することもできる。
ポリエステルはフィルムの状態で導体を包むのが有利である。他の具体化に従い 導体は、導電性材料の層として存在することもでき、その場合装置には、重なり 合った状態の多数の該層が組み入れられ、該ポリエステルはフィルム又は層とし て該導電性材料の隣接する層の間に差し込まれて存在する。その場合、これらの 導電性材料の層は該ポリエステル層上に蒸着される。そのような装置は、フィル ムを巻いたコンデンサーであることが有利である。
本発明に従い、ポリエステルは光伝送体として使用することができ、その場合ポ リエステルは光学繊維の形態で存在することができ、あるいは光学繊維上に被着 した皮膜の状態で存在することもできる。
本発明はさらに本発明のポリエステルの繊維を含む繊維ウェブに関する。
最後に本発明は、ポリエステルフィルムの製造法において、a)ポリエステルを 適した有機溶剤中に溶解し、b)段階(a)で調製した溶液の所望の厚さのフィ ルムを基質上に流延し、C)溶剤を蒸発させ、任意に基質から乾燥フィルムを取 り除く段階を含むことを特徴とする方法に関する。
さらに本発明は、本発明のポリエステル製造のための新規界面重合法を提供する 。
発明の詳細な説明 本発明のポリエステルのいくつかは、次式%式%(1) [式中Xは、テレフタル酸又はイソフタル酸から誘導した二価の有機基であり、 Xはそれぞれ独立に選び、Yは、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フル オレン又は1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタンから 誘導し、nは、1以上又は1と等しい全数である] で表される繰り返し基を含む。本出願人は、非常に狭い分子量分布を得ることが できた。分子量が高い程多くの用途に適する。はとんどの用途の場合、重量平均 分子量は、少なくとも500,000であり、他の用途の場合少なくとも700 .000又は900.000又はそれ以上であることが好ましい。
本発明のポリエステルは、ビスフェノール、9.9−ビス−(4−ヒドロキシフ ェニル)フルオレン又は1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニ ルエタンあるいはこれらの官能基誘導体(例えばナトリウム、カリウム又はリチ ウムジフエル−トなどのアルカリ金属ジフエル−ト)を、テレフタル酸及びイソ フタル酸又はこれらの官能基誘導体(例えば酸ハライド又は無水物)から成る群 より選んだ少なくとも1種類の酸と、相移動触媒の存在下で界面重合法を用いて 反応させることにより製造することができる。
界面重合法は、FPE又はCPEコポリマーの製造に使用されてきたが、本文に 記載の新規界面重合法を使用することによりオリゴマーを含まないFPE又はC PEコポリマーの製造が可能になる。
化合物、9,9−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン及び1.1−ビ ス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタンは、文献において周知であ り、U、S、特許4,503.266 (Szab。
Ic5)に記載の方法と類似の方法により製造することができ、この文献を参照 としてここに挿入する。簡単に示すと製造法は、ハロゲン化水素ガス及び触媒量 の少なくとも1種類の二価、三価又は四価金属ハライドの存在下でフェノール及 び例えばフルオレノンを反応させる段階を含む。本発明で使用する9、9−ビス (4−ヒドロキシフェニル)フルオレンは、非常に純粋でなければならず、すな わち高圧液体クロマトグラフィーで測定して純度が99.8%、好ましくは99 .9%−99,95%でなければならない。純度が99.95%の9,9−ビス (4−ヒドロキシフェニル)フルオレンの融点は、示差走査熱量計(D S C )で測定して225.5−227℃であり、同一純度の1.1−ビス(4−ヒド ロキシフェニル)−1−フェニルエタンの融点は、188−190℃である。未 反応フェノールのオルト−パラ−異性体又は二量体の量が多い程オリゴマー化合 物の割合が大きくなり、それは最終的FPEコポリマーが沈澱する有機相中に存 在する。一般に沈澱前の有機相中のオリゴマー化合物の量が多い程、FPEコポ リマー中に生ずるオリゴマー化合物の割合が大きくなる。
イソフタル酸、テレフタル酸、それらの酸ハライド及びそれらの無水物は、文献 により周知である。本発明の目的の場合これらの化合物は、無水でなければなら ず、すなわち水和水又は自由水を含んではならない。
これらの材料は使用前に、例えば真空蒸留により精製し、その直後に使用しなけ ればならない。これらの化合物は又、高圧液体クロマトグラフィーで測定した純 度が少なくとも99.90%、好ましくは少なくとも99.95%でなければな らない。
問題のビスフェノールとの反応の場合、酸クロリド又はその誘導体を個別に又は 混合物として使用することができ、’30−70重量%のイソフタル酸に対して 70−30%のテレフタル酸の比率で使用するのが好ましい。等モル量のテレフ タル酸及びイソフタル酸の混合物を本発明で使用するのが最も好ましい。
本発明に適した相移動触媒には、第3アミン、第3スルホニウム塩及び第4アン モニウム、ホスホニウムならびにアルミニウム塩が含まれる。
これらの化合物は文献により周知であり、商品として入手できるか又は周知の方 法を用いて合成することができる。相移動触媒は、個別に又は混合物として使用 することができるが、個別に使用するのが好ましい。
相移動触媒は、ビスフェノール又はノカルポン酸のように純粋である必要はなく 、分析試薬の品質が本発明で使用するのに十分な純度である。
本発明で使用するのに適した相移動触媒の代表的例には、ベンジルトリエチルア ンモニウムクロリド及びテトラブチルアンモニウムヨーダイトならびにこれらの 混合物が含まれる。分析試薬の等級の相移動触媒は、本発明で使用するのに十分 な純度である。
水酸化アルカリは、水と混合して少なくともpH10となることができる材料を 含む。好ましい水酸化アルカリは、アルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナトリ ウム、リチウム、カリウムを含む。水酸化ナトリウムが最も好ましく、ビスフェ ノール1モル当たり約2. 0−3. 0モルの水酸化物のモル比で使用する。
3. 0モル以上の水酸化物の量は、単にコポリマーの沈澱前の有機相中の、洗 浄段階で除去しなければならないイオン性不純物の量を増すだけなので使用され ない。水酸化アルカリは非常に高純度である必要はない。商品として入手できる 分析試薬(AR)の品質の材料が本発明の使用に適している。
オリゴマーを含まないFPE又はCPEコポリマーの好ましい製造法は、ビスフ ェノール及び相移動触媒を含む予備乳液混合物の調製を含む。
予備乳液は、ビスフェノール(少なくとも純度が99.5%)、水酸化ナトリウ ム、蒸留水、及び有機補助溶剤、例えばジオキサン又はアセトンなどの混合物を 形成することにより調製する。ビスフェノールに対する水酸化ナトリウムのモル 比は2.3−1とする。有機補助溶剤は無水である必要はないが、ジオキサンを 使用する場合、例えばそれを不活性化塩基性酸化アルミニウムに通すことにより 過酸化合物を除去しなければならない。得られた混合物をその沸点まで加熱し、 室温に冷却し、高速撹拌機及び温度計を備えた適した反応容器中に装填する。反 応容器は冷却ジャケットを備えているのが好ましい。この撹拌混合物に、蒸留水 に溶解した相移動触媒、好ましくはベンジルトリエチルアンモニウムクロリドの 室温溶液を加え、その後冷却した有機溶剤、例えば1,2−ジクロロエタン(D CE)又はメチレンクロリドを加え、予備乳液を形成する。有機溶剤を冷却する のが有利である。DCHなどの無水有機溶剤中に等モル量のイソフタル酸クロリ ド及びテレフタロイルクロリドを溶解した混合物を、撹拌した予備乳液に加える 。反応が進行する間撹拌を続ける。その後反応混合物のpHを酸性、好ましくは pH約2−3に調節しなければならない。その後得られた溶液を、有機相から水 相が分離するまで放置する。有機相がコポリマーを含む。撹拌できるように溶液 の粘度を下げるために必要ならさらにDCEを加えることができる。
得られた有機相をその後大体同体積の脱イオン水と混合し、イオン性不純物など の水溶性不純物を有機相から抽出する。水及び溶解不純物を有機相から分離させ 、デカンテーションする。デカンチーシコンした水の導電率が5μs(マイクロ −シーメンス)以下になるまでこの方法を繰り返す。最後の洗浄段階の後、選択 した溶解度の有機溶剤、すなわちオリゴマー化合物が可溶性であるがポリマーが 不溶性である過剰の(有機相の体積の約2倍)有機溶剤に有機相を撹拌しながら 注ぐことにより有機相からオリゴマーを含まないコポリマーを沈澱させる。沈澱 のための好ましい有機溶剤は、炭素数が3−10、好ましくは炭素数が3−5の 低級ケトン、例えばメチルエチルケトンである。沈澱のための最も好ましい有機 溶剤は、アセトンである。沈澱したポリマーを任意に蒸留水で洗浄することがで きる。本発明のポリマーは、適した有機溶剤中にポリマーを溶解し、所望の基質 上で溶液を流延する又は溶液のフィルムを形成し、溶剤を蒸発させ、必要ならフ ィルムを基質から除去するなどの周知の方法を用いて流延し、フィルム又は皮膜 とすることができる。本発明のポリマーは、少なくとも5ミクロンの厚さの自立 フィルムとすることができる。溶解したポリマーは、金属箔、線材又は他の基質 上に少なくとも0.5ミクロンの厚さで被覆することができる。
本発明のFPE及びCPEコポリマーは、優れた引っ張り強さ及び伸び率、耐薬 品性、防湿性、耐熱性(例えばFPEは300℃まで難燃性であり寸法安定性で ある)、電気的性質(例えば高い体積抵抗率、高い表面抵抗率、高いトラッキン グ抵抗性及び耐アーク性、高い誘電率、高い耐電圧及び低い誘電正接)、耐紫外 線性、真空安定性を有し、金属への優れた接着性を示す。その結果FPE材料の フィルム又は皮膜は、E。
1、Dupont deNemours & Companyから入手可能なK aptonなどのポリイミドが現在使用されている多くの用途に使用することが できる。線材は、それをフィルム又は接着剤被覆フィルムあるいはテープで包む ことにより、又は(例えばn−メチルピロリドン、シクロヘキサンあるいはテト ラヒドロフランに溶解した)ポリマーの溶液を線材に適用し、溶剤を蒸発させる ことにより絶縁することができる。皮膜又はフィルムは最高少なくとも300℃ までの広い温度範囲で高い体積抵抗率を有する。誘電体として本発明のフィルム を用いたフィルム巻きコンデンサーは、その高温容量(200℃かそれ以上)、 全温度範囲における低い誘電正接、高い耐電圧及び高い誘電率の故に特に有用で ある。そのようなコンデンサーは、例えば本発明のフィルム及び導電性金属箔の 層を交互に巻く、あるいは本発明のフィルム上に金属導電体を蒸着し、その金属 被覆フィルムを螺旋状に巻くなどの従来の方法で製造することができる。本発明 のフィルムは、アルミニウム、銅などの真空萎着皮膜のための基質、あるいはク ロム又はコバルトなどの磁気記録層のための基質としても特に有用である。
本発明のフィルムは、熱印刷法の基質としても有用である。本発明のポリエステ ルは又、所望の高い屈折率、低い複屈折係数及び高温に耐える能力の故に光学的 用途lこも有用である。例えばポリエステルは、光学繊維又は光学繊維のための クラッドとして使用することができる。これは又、光学的記録ディスクに使用す ることもでき、その場合はその高い寸法安定性が有利である。
本発明のポリエステルは繊維として、例えば溶液吹き込み繊維及びミクロ繊維、 あるいは紡糸繊維としても有用である。
本発明をさらに説明するために以下の実施例を示すが、本発明を制限するもので はない。
最初に一般的方法を記載し、そこでは9.9−ビス(4−ヒドロキシフェノール )フルオレン又は1.l−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−1−フェニルエタ ンの代わりに゛ビスフェノール”という一般的言葉を使用する。
ビスフェルレートの溶液の調製のために、9モルのビスフェノール、20.7モ ルの水酸化アルカリ及び0.9モルのベンジルトリエチルアンモニウムクロリド を、高速撹拌機及び温度計を脩えた200リツトルの容器中で27リツトルの脱 イオン水及び後に個々の実施例にて示す9リツトルの蒸留したばかりの溶剤の混 合物に溶解する。
酸クロリド溶液の調製のために、9モルの蒸留したばかりの酸クロリド、すなわ ち45モルのイソフタル酸クロリド及び4.5モルのテレフタル酸クロリドを、 やはり個々の実施例にて示す6リツトルの十分乾燥した塩素化炭化水素に溶解す る。
次に、水層に45リツトルの冷却塩素化炭化水素を入れ、高速撹拌機を用いて約 2−2.5分撹拌し、その後温度を15−20℃に保ってさらに5分間撹拌して 該予備乳液を得ることにより、ビスフェルレートを該塩素化炭化水素と共に含む いわゆる水層の予備乳液を調製する。その後まだ撹拌しながら酸−ジクロリド溶 液を約2分間で予備乳液に加え、さらに5分間撹拌する。この間に反応混合物の 粘度が増加し、温度が15−20℃から約30℃に上昇する。その後混合物を2 70m1のHCL水溶液(37%)を用いて中和する。
撹拌を止めた後、混合物を15分間放置して水相を上層として有機相から分離さ せる。水相をデカンテーションした後、溶液中に合成されたポリエステルを含む 残留有機相を各25リツトルの脱イオン水で4回洗浄する。最後の洗浄段階の後 、洗浄した水相の導電率は5μs(マイクロ−シーメンス)かそれ以下である。
最後の洗浄の後、50リツトルのアセトンを撹拌しながらゆっくり残留水相に加 え、コポリエステルを沈澱させる。沈澱を遠心して集め、アセトン及びその漬水 で洗浄する。得られたコポリエステルを120℃の炉で18時間乾燥する。
内部粘度(dI/gで表すIV)の決定のために、60部(重量)のフェノール 及び40部の1−.1−.2−.2−テトラクロロエタンの混合物25m1中に 溶解した125mgのポリエステルの溶液を用い、30℃にて粘度を測定する。
5本のULTRASTYRAGELゲル透過カラム(WaterAssocia tesポリスチレン標準を用いた106A、105A、10’A、10”A及び 500AのWater As5ociates)を直列に用いた高圧液体クロマ トグラフィーHewlett Packard1090を用いて分子量分布を測 定する。溶剤は、CaH1上で蒸留し、0.5μmフィルター(FH型、Mi  l 11pore)で濾過した1、2−ジクロロエタンであり:検出器は、シュ ウチリウム放電ランプ(240nmにて最高放射エネルギーを持ち254nmに てフィルターを持つ、波長が1l90−600nのランプ)を持つフィルター光 度検出器である。試料の調製のために、O,1mgのポリエステルを5mlの溶 剤に溶解し、0.5amのMillex SRフィルター装置(Millpor e)を通して濾過する。純粋な溶剤の流量は0.8mlであり、試料の注入体積 は100μlである。
上記の一般法により、以下に特定する実施例1−6に従いコポリエステルを製造 した: 実施例1 ビスフェノール:9.9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン 塩素化炭化水素=1.2−ジクロロエタン補助溶剤: ジオキサン 水酸化アルカリ: NaOH 結1 rV=3.40dl/g MW=1,053.000 低分子量含有率(MW<8000): 1.6%実施例2 ビスフェノール・ 9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン 塩素化炭化水素:1.2−ジクロロエタン補助溶剤: ジオキサン 水り化フルカ+): IV=3.10dl/gMW=964.000 低分子量含有率(MW<8000): 1.8%実施例3 ビスフェノール=9.9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン 塩素化炭化水素: ジクロロエタン 補助溶剤: アセトン 水酸化アルカリ: LiOH 結l IV=2.85dl/g MW=724.000 低分子量含有率(MW<8000)+2.5%実施例4 ビスフェノール: 9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン 塩素化炭化水素: ジクロロエタン 補助溶剤: アセトン 水酸化アルカリ: KOH 結l IV=3.80dl/g MW=1. 133.000 低分子量含有率(MW<8000):2.4%実施例5 ビスフェノール:1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタ ン 塩素化炭化水素: ジクロロエタン 補助溶剤: アセトン 水酸化アルカリ: KOH 結果: IV=3.24dl/g MW=823.000 低分子量含有率(MW<8000):3.3%実施例6 ビスフエノール:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタ ン 塩素化炭化水素: ジクロロエタン 補助溶剤= 2−プロパツール 水酸化アルカリ: NaOH 結果: IV=2.05dl/g MW=299.000 低分子量含有率(MW<8000):4.0%オリゴマー含有率への沈澱剤の効 果を示すために以下の実施例において、比較試験を行った。コポリマーは、上記 の一般法に従い、以下を用いて合成した。
実施例7 ビスフェノール・ 9.9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン 塩素化炭化水素:1.2−ジクロロエタン補助溶剤: アセトン 水酸化アルカリ: KOH 結果: IV=2.37dl/g MW=545.000 低分子量含有率(MW<8000):3.42%アセトンを用いて沈澱させる代 わりに下表に示す種々の沈澱剤を用いて、同一バッチの有機相からコポリエステ ルを沈澱させた:% 8 メタノール 415,000 2.00 7.2410 アセトン/IPA  487,000 2.08 5.97=1=1 11 メチルエチルケトン 614.300 2.31 2.50実験は、FP E又はCPEコポリエステル中の低分子量化合物の含有率が低い程、それぞれF PE又はCPEコポリエステルから製造したフィルムの場合の電気的性質が優れ ている又は再現性が良いことを示した。
これは、低分子量化合物の含有率が低いためにポリエステル末端基の含有事が減 少するという事実の結果であろう。末端基の濃度が高いとポリエステルの電気的 性質を減退させるので、末端基濃度がより低いことが有利である。
さらに低分子量化合物の含有率がそのように低いポリマーFPE及びCPEから 流延したフィルムの破断点伸び(ASTM D882−75に従って測定)は5 0%以上であり、平均偏差が低い。低分子量化合物の含有率が高いと破断点伸び を減少させる。本発明のポリエステルから流延したフィルムの破断点伸びは再現 性が良く、FPEの場合に50−70%であり、CPEフィルムの場合は60− 100%である。
要 約 基本的に1.1−ヒス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン及び9 ,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、ならびにイソフタル酸クロ リド及び/又はテレフタル酸クロリドから誘導した共重合繰り返し単位から成り 、分子量が8000以下の低分子量化合物の含有率が4重量%以下であり、破断 点伸びが少なくとも50である高純度芳香族ポリエステル。これらのポリエステ ルは、新規界面重合法によって製造され、その場合例えばMEK又はアセトンを 沈澱剤として用いることによりポリマーの沈澱の間の低分子量化合物の比率がさ らに減少する。ポリエステルは優れた引っ張り強さ及び伸び率、耐薬品性、防湿 性、耐熱性、優れた電気的性質、例えば高い堆積抵抗率、高い表面抵抗率、高い 抗トラッキング性、及び耐アーク性、高い誘電率、高い耐電圧、及び低い誘電正 接を有する。ポリエステルは、基質上に沈着させたフィルム又は層として有利に 使用することができる。これは、例えば電気絶縁体、特にフィルム巻きコンデン サーにおける誘電媒体及び光学繊維における光学媒体として使用することができ る。
国際調査報告 1+++sm*Ifsnl A工+−++−−+−PCT/EP 911016 31国際調査報告 ρCT/EP 91101631

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.基本的に1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン又 は9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、及びイソフタル酸クロ リド及び/又はテレフタル酸クロリドから誘導した共重合繰り返し単位を含み、 分子量が8000以下の低分子量化合物の含有率が4重量%以下であり、破断点 伸びが少なくとも50%のフィルムを形成することを特徴とするポリエステル。
  2. 2.低分子量化合物が2重量%以下、好ましくは1重量%以下である、請求の範 囲1に記載のポリエステル。
  3. 3.破断点伸びが少なくとも60%である、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ ニル)−1−フェニルエタンに基づく、請求の範囲1に記載のポリエステル。
  4. 4.重量平均分子量が少なくとも500,000である、請求の範囲1に記載の ポリエステル。
  5. 5.重量平均分子量が少なくとも700,000である、請求の範囲1に記載の ポリエステル。
  6. 6.重重平均分子量が少なくとも900,000である、請求の範囲1に記載の ポリエステル。
  7. 7.等モル量のイソフタル酸及びテレフタル酸から誘導した、請求の範囲1に記 載のポリエステル。
  8. 8.請求の範囲1に記載のポリエステルを含むフィルム。
  9. 9.厚さが少なくとも5ミクロンである、請求の範囲8に記載のフィルム。
  10. 10.真空蒸着皮膜を有する、請求の範囲8に記載のフィルム。
  11. 11.該真空蒸着皮膜が磁気記録層に適した材料を含む、請求の範囲10に記載 のフィルム。
  12. 12.接着剤で被覆した請求の範囲8に記載のフィルムを含むテープ。
  13. 13.請求の範囲1に記載のポリエステルで絶縁した導電体を含む、電気装置。
  14. 14.該導電体が線材である電気装置。
  15. 15.該導電体が金属箔である、請求の範囲13に記載の装置。
  16. 16.該導電体が導電材料の層として存在し、装置に多数の該層を重ね合わせて 組み込み、該ポリエステルが該導電材料の隣接層の間に差し込まれたフィルムと して存在する、請求の範囲14に記載の装置。
  17. 17.導電材料の該層を該ポリエステル層上に蒸着した、請求の範囲16に記載 の装置。
  18. 18.該装置がフィルム巻きコンデンサーである、請求の範囲16に記載の装置 。
  19. 19.該ポリエステル層が1%以下のオリゴマー化合物を含む、請求の範囲16 に記載の装置。
  20. 20.該ポリエステルが、導電体を包むフィルムの形態で存在する、請求の範囲 13に記載の装置。
  21. 21.請求の範囲1のポリエステルを光伝送体として使用した光学装置。
  22. 22.ポリエステルが光学繊維の形態で存在する光学装置。
  23. 23.請求の範囲1にポリエステルを含む皮膜を被着した光学繊維。
  24. 24.請求の範囲1のポリエステルの繊維を含む繊維ウェブ。
  25. 25.a)適した有機溶剤中にポリエステルを溶解し、b)段階(a)で調製し た溶液の所望の厚さのフィルムを基質上に流延し、 c)溶剤を蒸発させ、任意に基質から乾燥フィルムを除去する段階を含む、請求 の範囲8に記載のフィルムの製造法。
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