JPH05501163A - 光ファイバーの高強度接続方法及び接続装置 - Google Patents

光ファイバーの高強度接続方法及び接続装置

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光ファイバーの高強度接続方法及び接続装置且里二立互 本発明は光ファイバーの高強度接続方法及び接続装置に関する。
且里二1見 標準的な光伝送系において、中継局はどこでも70Kmから200km離れてい る。現在では、光ファイ/<−&!上記の距離よりもかなり短い個体長さで線引 きされてし)るので、ケーブル化に必要な長さを得るために【ま、光成及びケー ブルの設置に固有の高い応力に耐えるために、これらの接続は高い強度を有して し)な番すれ番fならない、さらに、ファイバーケーブルが修理され、再接続し なければならないときに、長時間の疲労効果を受け、ファイバーの完全な破壊を 生じることを避口するために、接続は高い強度を有していなけれifならなし) 。
結果として起る修理は極めて高価であり、ケーブルシカで大洋の海底に敷設され ている場合に、特に高価なものとなる。
現在、シリカファイバーの融解接続を形成するために、通常、次の二つの技術的 手段が用し1られてし)る。
その一つの手段は、水素と塩素あるいは水素と酸素のような2種あるいはそれ以 上の可燃性ガスの混合物を用いることである。融解すべきファイバーをガスの燃 焼によって形成される火焔中に互いに接触させておくと、ファイバーが十分高温 になった時に相互に融解し、接続を形成する。J、T、Krause他の“Fi bre 5plicesWith ’Perfect Fibre ’Stre ngth of 5,5 GPa、 v (0、Ol”(Electronic  Letters、Vol、21.No、12.June 6゜1985、 p p、533−535 )、参照のこと。
より通常的に用いられている技術的手段は、二つの金属電極間に形成される小さ い電気アークを用いることである。二つの接触ファイバーを電気アーク中に置く と、ファイバーが加熱され、相互に融解する。この件については、D、 L、B 15beeの“Splicing 5ilicaFibers With an  Electric Arc”(Applied 0ptics。
Vol、 15.No、3.March 1976、pp、796−798)参 照のこと。
約700℃の融点を有する材料からなるファイバーは電熱ニクロム線から輻射さ れる熱によって融解されていた。(例えば、D、L、B15beeの“0pti cal FiberJoining Technique″ (Bell Sy stem TechnicalJournal、Vol、50.No、 10. December 1971.pp、3153−3158)参照)。しかしなが ら、約2000℃で融解するシリカファイバーを融解するためには、フィラメン トヒータは用いられていなかった。
用いられる接続方法とは無関係に、ファイバーは、その機械的強度を損なわない ように、非常に注意して取扱わなければならない。特に、ファイバー強度は機械 的摩耗及び化学薬品によって損なわれることがある。
機械的摩耗は、ファイバーの表面に顕微鏡的なかき傷を生じ、極めて局部的な応 力を生じさせる原因となる。
そのようなファイバーが取扱いあるいはケーブル敷設で応力を加えられた場合に は、付加された応力は上記かき傷の近傍に集中し、容易にファイバーの完全な破 壊に結び付くことになる。同様に、ファイバー表面上の化学反応は表面欠陥を生 じさせ、極めて局部的な応力を生じさせる原因となる。長時間にわたって強度特 性を保証するためには、これらの原因を排除しなければならないことは明白であ る。
且ユニ1盈 光ファイバーは、標準的には、内部ガラスコアを外部ガラスクラッドで囲繞した 構成からなっている。また、ファイバー表面を保護するために、ファイバーは弾 性保護ジャケットを備えている。
接続用のそのようなファイバーの形成の第一段階は、まず保護ジャケットを除去 することにある。これは、一般には、ジャケットを軟化して剥ぎ取りやすくする 適切な溶剤中にファイバーの端部を浸漬することによって行われる。しかしなが ら、溶剤はファイバーの露出端を通してファイバーとジャケットとの間に進行す ることが見出されている。上に説明したように、ファイバー表面での化学反応は 局部的な表面欠陥を生じさせることになる。さらに、溶剤の汚染に由来する顕微 鏡的に小さな粒子は、溶剤の影響下にジャケットが膨潤するときに形成されるフ ァイバー−ジャケット間の空隙に運び込まれることがある。続いて保護ジャケッ トを剥ぎ取るるときに、上記粒子によって引き起こされる摩耗が微小なかき傷を 生じさせ、ファイバーの強度を大きく損なうことになる。これは、本発明の第一 の態様に従えば、ファイバーの露出端におけるファイバー−ジャケット界面とジ ャケット除去溶剤との間の接触を妨げることによって避けることができる。本発 明の一つの実施例において、ファイバ一端部は、溶剤中に浸漬される前に、適宜 の接合剤で密封されている。
第二の実施例においては、ジャケット除去機構は、ファイバ一端部を完全に溶剤 の外に保持しており、これによって、ファイバー表面の化学的汚染あるいは微粒 子汚染は排除されている。
本発明の第二の態様に従えば、融解接続を行うときに形成されるフリットあるい は変色がファイバー表面上に固定することから守られる。融解接続を行う際に、 粉末状のフリットが加熱部位の両側に析出することおよび/あるいはこの部位に 変色の発生することが見出されている。そのような接続点に張力を加えると、フ ァイバーは、殆ど常に、フリット発生部位あるいは変色発生部位の一方或いは他 方で破断する。応力が加えられた場合に、フリットが揺動され、フリットとファ イバー表面との間の摩砕作用を生じるものと信じられている。結果的に生じる機 械的摩耗がファイバーを実質的に弱めることになる。
本発明のこの第二の態様に従えば、ファイバーが加熱されるときに接続部位にガ スを流入させる。ガス流入速度は気化したSiO□をファイバーから運び去るよ うに調節する。これによって、気化した物質がより低温のファイバー表面に析出 すること、接続点に隣接してフリット領域およびlあるいは変色領域が形成され ることが妨げられる。
接続部位全体にわたって一様な温度を得るためには、熱は電熱のタングステンリ ボンあるいはタンタルリボンによって供給する。このような配置とすることの利 点は、複数のファイバーを同時に接続することができることにある。また、種々 の物質に適応させるために、接続温度を無限に得ることができるのもこの配置の 利点である。
本発明の第三の態様に従えば、接続を行った後、フ工程間にとられる種々の予防 策にも拘らず発生するであろう微小なかき傷をいやすことに役立ち、また、残留 するフリットおよび/あるいは変色を除去することに役立つ。
一区mダ乳豆 本発明の教示は、後述の詳細な説明を下記の図面と共に考察することによって、 明確に理解することができるであろう。
図1及び図2は、接続すべきファイバーの化学的及び機械的汚染を防ぐための方 法を説明するための図。
図3及び図4は、接続ブロックの詳細を示す図で、図4は図3の4−4における 断面図を示す。
図5は、本発明の融解後熱処理工程における装置の配置を示す図。
図6は、ファイバーケーブル接続用の複数のオーブンループを有する加熱体を示 す図。
図7は、複数のV溝を有し、図6に示した様式のヒータを使用するケーブル接続 機を示す図。
図8は、図3に示した接続ブロックの8−8における断面を示した図。
程を含んでいる。すなわち、ファイバーを露出させるためにジャケットを剥ぎ取 る工程、ファイバーの端部を切り開く工程、ファイバーを端部同士接触させる工 程、ファイバーを十分高い温度に加熱して融解させる工程、融解したファイバー を再被覆する工程を含んでいる。
上に説明したように、上記プロセスの各工程はファイバーを弱めないような方法 で行う必要がある。上記したように、ファイバーの強度はジャケットの除去に先 立って行うジャケットの軟化に用いる化学薬品によって悪影響を受ける。ファイ バ一端部を除去用溶剤中に浸漬して、溶剤がファイバーとジャケットとの間に引 上げられたときに、ファイバー表面との接触が生じることは既に知られている。
従って、本発明の一つの態様によれば、ファイバ一端部のファイバー−ジャケッ ト露出界面は除去用溶剤から隔離される。これは、ファイバ一端部を保護被覆で 被覆すること、あるいはファイバ一端部を除去用溶剤の外に保持することによっ て行われる。例えば、図1は、ファイバー10の端部を、露出端を少量の密封剤 12、例えば適切な気乾性溶剤で濡らしたセメント、より具体的にはDUCOセ メント(DUCOはE、1.DuPont da Nemours and C ompanyof Wilmington、Delawareの登録商標)ある いは紫外線(u、v、)硬化エラストマ、で保護した状態で除去溶剤11中に浸 漬した状態を示す。どのような密封剤を用いた場合にも、除去溶剤のファイバー 表面への浸透を妨げることによってファイバーを保護するように作用する。
また、別の方法は、図2に示したように、ファイバーを図示のように環状化する ことによってファイバー21の端部20を溶剤の外に保持することである。
剥ぎ取り・切除操作の後、露出したファイバーを清浄化することが望ましい。裸 のファイバー表面上に残留する微粒子物質及び化学的残留物を除去するためには 、超音波洗浄のような手段が用いられる。接続進行の間に加えられる熱が残留物 を炭化あるいは酸化して接続ファイバーの強度を大きく損なうことがあるので、 この清浄化は重要である。
清浄化工程に続いて接続が行われることになる。前述したように、殆どの接続機 は、ファイバーの融解に要する熱を与えるために、電気アークを用いている。
しかしながら、アークは不安定であり、揺動しやすい。
そのような不安定な性質のために、与えられる熱が不均一となり、同時に接続で きるファイバー数が限定されることになる。標準的な電気アーク接続機では、約 5本のファイバーを扱うに止まる。
本発明の第2の態様によれば、接続はタングステンリボンあるいはタンタルリボ ンによって発生される熱を用いることによって達成できる。リボンはギリシャ文 字オメガ、すなわちΩ、状の形のループに折り曲げられる。以下、これを“オー ブンループ(“openloop”)と称することにする。結合すべきファイバ ーをループの中心に置き、接触端部をループ面に配置することが望ましい。ルー プの開口部は融解したファイバーの接続機からの取外しを容易にする。
先に説明したように、ファイバーを融解するまで加熱したときに、ファイバーの 低温部分に粉末状のフリットの形成、及びlあるいは、接続部分の変色が発生す る。この析出及び変色と結果として起るファイバー強度への有害な影響とを防ぐ ためには、ファイバー及びフィラメントの周辺の領域を不活性ガスの流れで充満 させる。このことは加熱フィラメントが焼尽することを防ぎ、また、気化したS in、を運び去るように働き、これによって接続領域に隣接する低温表面上に析 出することが防がれる。充満させるに必要なガス容量は約0.5 cm”であり 、フィラメントを保護し、フリットの析出を防ぐに要する流量は1分間に171 0リツトルであることが見出されている。従って、1クオートの魔法瓶の大きさ の圧縮ガスシリンダは50から100の接続を形成するに十分なガスを有してい ることになる。
図3は本発明による接続機チャックを示した図である。接続機は、その中に、一 対の縦に配置された、接続すべきファイバーが置かれる精密切削のV型溝31及 び32が形成されているブロック30を含んでいる。チャンネルは、ファイバー をチャンネル内に置いたときに同様に同軸的に並べられるように、同軸的に並べ る。
前記した型式のオープンループフィラメントヒータ33はV溝間の空間に配置す る。チャンネル(図には示してない)はフィラメント上に吹き付けられるガスを 清浄化することを可能にする。蝶番的に回転可能なカバープレート34には、ヒ ータ部材に適合する凹所35と、それを通してガスが逃れる開口部36を有して いる。ファイバーをV溝内の所定の位置においた状態で、ヒータ部材を大気から 遮断するためにカバーを所定の位置まで下げる。
図4及び図8は図3に示した接続機の拡大断面図で、それぞれ、図3の4−4及 び8−8における断面を示した図である。図4及び図8においては、図3と同一 の識別数詞(符号)を用いて、ブロック30、溝31およびフィラメント33を 示しである。また、ガスが流れるチャンネル40も同時に示しである。このガス は、アルゴンあるいはヘリウムあるいは窒素などの不活性ガスである。また、図 8には、■溝31及び32、ファイバー80、カバープレート34およびガス流 82の方向を示しである。
接続操作においては、接続すべきファイバーをファイバー接続機のV溝中に置く 。このとき、接触部がフィラメントループの面内にあるように配置する。望まし くは、ファイバーは、接続機の溝に沿って長手方向に設けた孔を用いて真空吸引 して、位置を保持する。
カバープレートを下げた後、ガス流を流し始め、フィラメントに電流を流す。
接続機ブロックの面がファイバーを傷つけることを防ぐために、溝は、グラファ イト層、PTFE層あるいはその他の周知の非摩耗性材料で被覆しておくことが 望ましい。あるいは、溝をこれらの材料のブロック中に直接形成することもでき る。
フィラメントヒータを用いることの利点の一つは、熱を無限に調整することがで きることにある。ファイバーのガラス組成により、フィラメント電流を変えるこ とによって、融解温度を容易に調整することができる。このようにして、各種の タイプの光ファイバーに対して、最適融解温度を用いることができる。本発明に よれば、端部の離隔距離を除いて、ファイバーを手で操作することなしに、0. 02dB程度の低い損失でファイバー接続を達成することができる。
露出したファイバー表面を保護する種々の努力にも拘らず、表面が傷つけられる 可能性は常に存在する。
従って、本発明の第3の態様により、融解ファイバーを、再被覆前に融解後熱処 理する。この処理の作用は、ファイバーの取扱い中に生じた痕跡のフリット、微 小スクラッチを除去することによって接続ファイバーの強度を増大させることに ある。
この融解後熱処理は、接続領域を熱処理するために用いられる。具体的には、残 留フリット及びファイバー表面の若干を蒸散させるために、接続時にフィラメン トを操作すると同様に、加熱フィラメントをファイバーに沿って移動させる。こ れによって、容器内で蒸発が起り、蒸発したシリカが制御されたガス流によって 運び去られ、従って、ファイバー面への再凝縮が妨げられる。このプロセスはフ リット及び微小スクラッチを同時に排除する。蒸発に加えて、融解後熱処理は、 接続の強度を増大させると同時に、表面張力治癒効果により微小スクラッチを除 去することによってファイバ一部分の基体断面全体の強度を増大させる。
融解後熱処理装置の構造は、この装置がファイバーに対して縦方向に移動し得る ようにファイバーを緩やかに保持している点を除いて、本質的には、接続機の構 造と同様である。この運動間のファイバーの損傷を避けるために、この装置の溝 は、テフロン(TEFLON)(丁EFLON は、 E、I、DuPont  de Nemours and Commpanyof Wilmington  Delaware社所有の登録商標)のようなポリテトラフルオロエチレン( PTFE)、黒鉛あるいはその他の種々の既知の非摩耗性材料によって構成され る。
これらの材料はファイバーにかき傷を形成しないことが知られている。
図5は、融解後熱処理段階の装置配置を示した図である。ここで、ファイバー5 0は一対の保持チャック51.52によって確実に保持されている。保持チャッ ク間に熱処理チャック53が配置されている。該熱処理チャックは加熱エレメン ト54を有しており、矢印55及び56で示すように、ファイバーに沿って縦方 向に移動するように構成されている。この場合も、接続機の場合と同様に、熱処 理工程中はヒータ部分を通して不活性ガスを流入させる。
フィラメントヒータの使用は、ケーブルを接続する場合のような複数対のファイ バーの接続を容易にする。
ケーブル中のファイバーの数が少数の場合には、図6に示すように、複数のオー ブンループ61a、 61b・・・61nからなる加熱エレメントを用いること によって容易に達成することができる。この場合、各オーブンループは各一対の ファイバーに対応する。従って、加熱エレメントはケーブル中のファイバーの数 に等しい数のループを有している必要がある。ケーブル中に多数のファイバーが ある場合には、実際上、ループの間隔は極めて近接したものとなる。このような 場合には、代りに、1個あるいは2個の線状の加熱エレメントが用いられる。
どのような設計の場合でも、ヒータは、図7に示すように、接続チャック70中 に組み込まれる。しかし、ケーブル接続機の場合には、ケーブル中の全てのファ イバーに適応するに十分な複数の整列V溝対71a −72a。
71b −72b−−−71n −72nを設ける。同様に、ガス流も、フィラ メントを保護し、工程中に形成されるフリット及び変色を除去するために、対応 的に増加させる必要がある。
l豊 本発明は、引張り強さの高いファイバー接続を形成するための手法に焦点を合わ せたものである。この目的のために、裸のファイバーは極めて注意深く取わなけ ればならないという一般的な通則以外に、三つの態様がある。最も重要な態様は 、融解操作の間、形成される可能性のあるフリット及び変色を排除するために、 ガス流の使用を含むことである。本発明のこの態様は、先にフィラメントヒータ と関連づけて述べたが、ガス流の使用によって擾乱されないタイプのヒータしか 用い得ないことが判る。従って、レーザヒータ(例えば、L、Rivollan 他の“Monomode Fibre Fusion Splicingwit h Co、 La5er″Electronic Letters、Vol、1 9.No、2゜January 20,1983.pp、54−55参照)ある いは誘導加熱炉を用いることができる6本発明のその他の態様は、ファイバーの 露出端で化学薬品及び微粉末がファイバーと接触することを防ぐことによって、 ファイバーを化学汚染及び微粉末汚染から保護することにある。上記の汚染は、 ジャケットの剥ぎ取りに先立ってジャケットを軟化させるためにファイバーを溶 剤中に浸漬するときに生じるものである。最後に、ファイバーを接続した後に、 加工中に生じる可能性のある表面損傷を取り除くために、融解後熱処理の工程を 加える。
上述した手法の何れかあるいは全てがファイバーを本発明の教示に従って接続す るときに適用できるものであることは容易に理解できるであろう。
FIG、2 補正書の写しく翻訳文)提出書(特許法第184条の8)平成 3年12月19 日 1、国際出願番号 PCT/US901033442、発明の名称 光ファイバ ーの高強度接続方法及び接続装置フォールス アイヴイー ドライブ 2710 氏 名 タイネス アーサー リチャード国 籍 アメリカ合衆国 住 所 アメリカ合衆国 ニュー シャーシー 07747マタウオン キャン ヨン ウツズ 25氏 名 ミーグ エリツク ウィリアム国 籍 アメリカ合 衆国 5、補正書の提出年月日 1990年12月17日6、添付書類の目録 (1)補正書翻訳文 1通 請求の範囲 1、一対のシリコン基材光ファイバーを接続する方法で、下記の工程からなるこ とを特徴とする接続方法:接続すべき二つの光ファイバーのそれぞれの端部を、 加熱処理ホルダ内に形成した、縦方向に一定の間隔をおいて並べ、同軸的に配置 した一対の溝の一つに保持する工程; 加熱処理ホルダ中に保持した上記光ファイバーの端部を同軸的に配置する工程; 上記加熱処理ホルダ内の上記溝間の領域に位置させた上記ファイバ一端部を、該 ファイバーが共に融解するに十分な温度まで加熱する工程; 蒸発するシリコンを除去するために、上記加熱と同時に、上記領域を通してファ イバーの端部上に非反応性すなわち不活性のガス流を流入させる工程。
2、上記ファイバー融解用の熱が電熱導体フィラメントによって与えられること を特徴とする1項記載の方法。
3、融解工程後、ファイバーを熱処理する工程をさらに包含していることを特徴 とする2項記載の方法。
4、シリコン基材光フアイバー用に用いる接続機で、下記手段からなることを特 徴とする接続機:接続すべき光ファイバー(80)の端部を受けるための、少な くとも一対の、縦方向に配置され同軸的に並べられた溝(31,32)を有する 熱処理保持装置(53);上記溝間の空間によって形成される領域に置かれたフ ァイバーの端部を加熱する手段; 蒸発するシリコンを除去するために、上記領域を通し、上記ファイバーの端部上 に非反応性すなわち不活性ガス(82)を流入させる手段。
5、上記加熱手段が電気的フィラメントヒータ(33)からなることを特徴とす る4項記載の接続機。
6、上記溝(31,32)がグラファイト、PTFEあるいはその他の非摩耗性 材料中に埋め込まれていることを特徴とする5項記載の接続機。
7、上記フィラメントヒータがオーブンループ状に形成されていることを特徴と する6項記載の接続機。
8、上記熱処理保持装置が複数対のV溝(71a、72aニア比、72b ;7 1n、 72n)を有していることを特徴とする5項記載の接続機。
9、光ファイバー(50)に融解後熱処理を与えるための装置で、下記手段から なることを特徴とする装置二上記ファイバーを保持するために配置した一対のホ ルダ(51,52); 上記ファイバー(50)を加熱すると同時に、該ファイバー上にガス(82)を 送入するための手段(36,40);上記ファイバーと上記加熱手段及びガス送 入手段との間に上記ファイバーに沿った方向(55,56)の相対運動を与える 手段。
lO0上記加熱手段がフィラメントヒータ(54)からなることを特徴とする9 項記載の装置。
なくとも一つの溝を有していることを特徴とする10項記載の装置。
12、上記溝が、グラファイト、PTFEあるいはその他の非摩耗性材料中に埋 め込まれていることを特徴とする11項記載の装置。
国際調査報告 lsI#LM+11111+ 11@els#IeR’ PCT/υS 901 03344国際調査報告

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.一対のシリコン基材光ファイバーを接続する方法で、下記の工程からなるこ とを特徴とする接続方法:接続すべき二つの光ファイバーのそれぞれの端部を、 加熱処理ホルダ内に形成した、縦方向に一定の間隔をおいて並べ、同軸的に配置 した一対の溝の一つに保持する工程; 加熱処理ホルダ中に保持した上記光ファイバーの端部を同軸的に配置する工程; 上記加熱処理ホルダ内の上記溝間の領域に位置させた上記ファイバー端部を、該 ファイバーが共に融解するに十分な温度まで加熱する工程; 蒸発するシリコンを除去するために、上記加熱と同時に、上記領域を通してファ イバーの端部上に非反応性すなわち不活性のガス流を流入させる工程。
  2. 2.上記ファイバー融解用の熱が電熱導体フィラメントによって与えられること を特徴とする1項記載の方法。
  3. 3.上記ファイバーが外部ジャケットによって囲繞されており、かつ、下記工程 を包含していることを特徴とする2項記載の方法: 上記ジャケットを軟化させるために、所定長さの上記ファイバーを溶剤中に浸漬 する工程;上記ファイバーの融解に先立って上記軟化ジャケットを剥ぐ工程。
  4. 4.上記ファイバーのそれぞれの端部で露出したファイバーージャケット界面に 上記溶剤が接触することを防ぐ工程をさらに包含していることを特徴とする3項 記載の方法。
  5. 5.上記ファイバーージャケット界面の端部に密封剤を設ける工程をさらに包含 していることを特徴とする4項記載の方法。
  6. 6.上記露出ファイバーージャケット界面を上記溶剤中に浸漬しないことを特徴 とする4項記載の方法。
  7. 7.融解工程後、ファイバーを熱処理する工程をさらに包含していることを特徴 とする2項記載の方法。
  8. 8.シリコン基材光ファイバー用に用いる接続機で、下記手段からなることを特 徴とする接続機:接続すべき光ファイバー(80)の端部を受けるための、少な くとも一対の、縦方向に配置され同軸的に並べられた溝(31、32)を有する 熱処理保持装置(53);上記溝間の空間によって形成される領域に置かれたフ ァイバーの端部を加熱する手段; 蒸発するシリコンを除去するために、上記領域を通し、上記ファイバーの端部上 に非反応性すなわち不活性ガス(82)を流入させる手段。
  9. 9.上記加熱手段が電気的フィラメントヒータからなることを特徴とする8項記 載の接続機。
  10. 10.上記溝(31、32)がグラファイト、PTFEあるいはその他の非摩耗 性材料中に埋め込まれていることを特徴とする9項記載の接続機。
  11. 11.上記フィラメントヒータがオープンループ状に形成されていることを特徴 とする10項記載の接続機。
  12. 12.上記熱処理保持装置が複数対のV溝(71a、72a;71b、72b; 71n、72n)を有していることを特徴とする9項記載の接続機。
  13. 13.光ファイバー(50)に融解後熱処理を与えるための装置で、下記手段か らなることを特徴とする装置:上記ファイバーを保持するために配置した一対の ホルダ(51、52); 上記ファイバー(50)を加熱すると同時に、該ファイバー上にガス(82)を 送入するための手段(36、40);上記ファイバーと上記加熱手段及びガス送 入手段との間に上記ファイバーに沿った方向(55、56)の相対運動を与える 手段。
  14. 14.上記加熱手段がフィラメントヒータ(54)からなることを特徴とする1 3項記載の装置。
  15. 15.上記ホルダが上記ファイバーを保持するための少なくとも一つの溝を有し ていることを特徴とする14項記載の装置。
  16. 16.上記溝が、グラファイト、PTFEあるいはその他の非摩耗性材料中に埋 め込まれていることを特徴とする15項記載の装置。
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