JPH0549860A - 触媒浄化装置 - Google Patents
触媒浄化装置Info
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Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種排ガス中のＣＯ，ＨＣやだに，細菌など
の有害成分を加熱し酸化浄化する触媒浄化装置におい
て、エネルギーロスが小さく、腐食性の排ガスに対して
も有効な触媒浄化装置を提供する。 【構成】 触媒浄化装置本体５の両端の開口部が排ガス
の入り口または出口として交互に変換するガス出入口１
および８を有し、中央に触媒３と加熱装置４、両端から
中央へのガス流路６の途中にそれぞれ耐腐食性のハニカ
ム構造の蓄熱体２を設置した構成を有する。排ガスは一
方の蓄熱体２から熱を奪い加熱装置４で加熱され触媒３
を通過する。そしてもう一方の蓄熱体２で熱を奪われ冷
却され放出される。風量に対する蓄熱体２の表面積比を
６０〜１２００cm／hに設定し、一定時間毎にガスの流
れ方向７を逆転し、各々の蓄熱体２の加熱又は冷却の働
きを交換させる。排ガスが浄化に必要な温度まで加温さ
れるための熱エネルギーの一部または大部分が触媒浄化
装置本体５の内部で閉じこめられるので、熱ロスを削減
できる。
の有害成分を加熱し酸化浄化する触媒浄化装置におい
て、エネルギーロスが小さく、腐食性の排ガスに対して
も有効な触媒浄化装置を提供する。 【構成】 触媒浄化装置本体５の両端の開口部が排ガス
の入り口または出口として交互に変換するガス出入口１
および８を有し、中央に触媒３と加熱装置４、両端から
中央へのガス流路６の途中にそれぞれ耐腐食性のハニカ
ム構造の蓄熱体２を設置した構成を有する。排ガスは一
方の蓄熱体２から熱を奪い加熱装置４で加熱され触媒３
を通過する。そしてもう一方の蓄熱体２で熱を奪われ冷
却され放出される。風量に対する蓄熱体２の表面積比を
６０〜１２００cm／hに設定し、一定時間毎にガスの流
れ方向７を逆転し、各々の蓄熱体２の加熱又は冷却の働
きを交換させる。排ガスが浄化に必要な温度まで加温さ
れるための熱エネルギーの一部または大部分が触媒浄化
装置本体５の内部で閉じこめられるので、熱ロスを削減
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、触媒浄化装置に関し、
特に各種排ガス中に混入したＣＯ（一酸化炭素），ＨＣ
（炭化水素）などの悪臭成分やだに，細菌，花粉などの
有害成分を適正温度に加熱し、触媒により酸化燃焼浄化
する触媒浄化装置に関する。
特に各種排ガス中に混入したＣＯ（一酸化炭素），ＨＣ
（炭化水素）などの悪臭成分やだに，細菌，花粉などの
有害成分を適正温度に加熱し、触媒により酸化燃焼浄化
する触媒浄化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種の燃焼機や乾燥，熱処理時に
発生するＣＯやＨＣ成分は、その有害性や臭気のため浄
化し排出することが必要不可欠なものになっている。ま
ただにや細菌，花粉なども人に対して悪影響を与えると
ともに半導体などの生産工場では有害成分として、その
浄化に苦慮している。ＣＯやＨＣ成分、その他の有機物
質の浄化方法としては、それらが含まれているガス自身
を加熱し、ガス中の酸素と反応させ燃焼する方法が最も
浄化効率が高く信頼性も高い。ここでガスの温度を上げ
空気中に酸素がＣＯやＨＣと反応するには、８００〜９
００℃以上の温度が必要になる。しかし酸化触媒を用い
れば２００〜４００℃の温度範囲で反応を進めることが
でき、熱エネルギーの無駄を省くことができるため広く
用いられている。
発生するＣＯやＨＣ成分は、その有害性や臭気のため浄
化し排出することが必要不可欠なものになっている。ま
ただにや細菌，花粉なども人に対して悪影響を与えると
ともに半導体などの生産工場では有害成分として、その
浄化に苦慮している。ＣＯやＨＣ成分、その他の有機物
質の浄化方法としては、それらが含まれているガス自身
を加熱し、ガス中の酸素と反応させ燃焼する方法が最も
浄化効率が高く信頼性も高い。ここでガスの温度を上げ
空気中に酸素がＣＯやＨＣと反応するには、８００〜９
００℃以上の温度が必要になる。しかし酸化触媒を用い
れば２００〜４００℃の温度範囲で反応を進めることが
でき、熱エネルギーの無駄を省くことができるため広く
用いられている。
【０００３】以下に従来の触媒浄化装置について説明す
る。図４は、従来の触媒浄化装置の一例で、（ａ）は触
媒浄化装置本体、（ｂ）は熱交換機も含めたシステムを
示す。１０は触媒浄化装置本体、１６は熱交換機、１２
は加熱装置、１３は触媒を示す。（ａ）で排ガスはガス
入口１１から触媒加熱装置本体１０に導入され、加熱装
置１２により所定の温度に昇温され、触媒１３によりＣ
Ｏ，ＨＣなどが酸化浄化され、ガス出口１４から排出さ
れる。このとき排ガスの昇温に要したエネルギーは排ガ
スと一緒に排出されることになる。このエネルギーの一
部を回収する目的で熱交換機を用いたシステムが（ｂ）
である。この場合ガス流入口１７から導入され熱交換機
１６で昇温された排ガスは、矢印に沿って流れ触媒浄化
装置本体１０に進む。ここで浄化された排ガスは、再び
熱交換機１６に入り冷却されガス流出口１８から排出さ
れる。すなわち排ガスの昇温に要したエネルギーの一部
を回収し、エネルギーロスを少なくしようとするもので
ある。
る。図４は、従来の触媒浄化装置の一例で、（ａ）は触
媒浄化装置本体、（ｂ）は熱交換機も含めたシステムを
示す。１０は触媒浄化装置本体、１６は熱交換機、１２
は加熱装置、１３は触媒を示す。（ａ）で排ガスはガス
入口１１から触媒加熱装置本体１０に導入され、加熱装
置１２により所定の温度に昇温され、触媒１３によりＣ
Ｏ，ＨＣなどが酸化浄化され、ガス出口１４から排出さ
れる。このとき排ガスの昇温に要したエネルギーは排ガ
スと一緒に排出されることになる。このエネルギーの一
部を回収する目的で熱交換機を用いたシステムが（ｂ）
である。この場合ガス流入口１７から導入され熱交換機
１６で昇温された排ガスは、矢印に沿って流れ触媒浄化
装置本体１０に進む。ここで浄化された排ガスは、再び
熱交換機１６に入り冷却されガス流出口１８から排出さ
れる。すなわち排ガスの昇温に要したエネルギーの一部
を回収し、エネルギーロスを少なくしようとするもので
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成で用いられる熱交換機１６は、通常熱伝導率の
良い薄肉のアルミニウムが主体となって構成されており
熱交換効率は５０〜６０％が限界であり、またＳＯxや
ＮＯxなどの腐食性のガスを含んだ排ガスに対してはア
ルミニウムが腐食するため使用できないという問題点が
あった。
来の構成で用いられる熱交換機１６は、通常熱伝導率の
良い薄肉のアルミニウムが主体となって構成されており
熱交換効率は５０〜６０％が限界であり、またＳＯxや
ＮＯxなどの腐食性のガスを含んだ排ガスに対してはア
ルミニウムが腐食するため使用できないという問題点が
あった。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、新しい熱交換方式と熱交換材料を用いることによ
り、熱交換効率を大きく向上させることによりエネルギ
ーロスを大幅に減少させるとともに、腐食性の排ガスに
対しても有効な触媒浄化装置を提供することを目的とす
る。
ので、新しい熱交換方式と熱交換材料を用いることによ
り、熱交換効率を大きく向上させることによりエネルギ
ーロスを大幅に減少させるとともに、腐食性の排ガスに
対しても有効な触媒浄化装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の触媒浄化装置は、触媒浄化装置本体の両端の
開口部がガスの入口または出口として交互に交換される
構造を有し、触媒浄化装置本体中央に触媒と、加熱装置
を有し、両端から中央へガス流路の途中にそれぞれセラ
ミックからなるハニカム構造の蓄熱体を設置した構成を
有している。
に本発明の触媒浄化装置は、触媒浄化装置本体の両端の
開口部がガスの入口または出口として交互に交換される
構造を有し、触媒浄化装置本体中央に触媒と、加熱装置
を有し、両端から中央へガス流路の途中にそれぞれセラ
ミックからなるハニカム構造の蓄熱体を設置した構成を
有している。
【０００７】
【作用】この構成によって、本発明の触媒浄化装置は、
排ガスは触媒浄化装置本体に導入されると、まずハニカ
ム構造の蓄熱体を通過することにより蓄熱体から熱を奪
う。さらに加熱装置では触媒浄化が必要な温度になるま
で加熱されて触媒を通過し、有害物質は酸化燃焼浄化さ
れる。そしてもう一方の蓄熱体を通過するとき排ガスの
熱エネルギーは、蓄熱体により奪われ冷却され放出され
る。一定時間の後、触媒浄化装置本体でのガスの流れ方
向を逆にする。すなわち当初ガスの出口側に位置してい
た蓄熱体は触媒により浄化されたガスから熱エネルギー
を十分奪いとった状態にあり、このガスの流れ方向を逆
にする操作によって今度はガスの入口側の蓄熱体として
の役目を担い触媒浄化装置本体に導入された排ガスに熱
を供給する。逆に当初入口側にあった蓄熱体は排ガスに
より熱を奪われた状態であり、ガスの流れ方向を逆にす
ることによって触媒により浄化された排ガスから熱エネ
ルギーを奪う側に変わる。このことは、排ガスが浄化に
必要な温度まで加温されるための熱エネルギーの一部ま
たは大部分を触媒浄化装置本体の内部に閉じこめること
を意味し、排出される熱ロスを削減できることを意味す
る。蓄熱体の構造および量は、熱交換効率に直接関係す
る。セラミックからなるハニカム構造の蓄熱体は、空気
の流れる構造および熱容量の大きさ，耐腐食性の点から
最も優れた蓄熱体として用いることができる。そして処
理ガスの風量に対するハニカム構造の蓄熱体の量は、そ
の表面積比が６０〜１２００cm／hの間であることが必
要となる。この条件は、２層の蓄熱体合計と風量との関
係を示したもので、触媒としてセラミックからなるハニ
カム構造体が用いられる場合は触媒の量を蓄熱体量と合
算し使用する。ガスの流れ方向の切り替え時間は排ガス
を必要な温度に上昇させるための熱量に対して、一方の
蓄熱体の持つ熱容量が３倍以上になるように設定する。
このハニカム構造の蓄熱体の作用により熱ロスの少ない
対腐食性に強い触媒浄化装置を提供することができる。
排ガスは触媒浄化装置本体に導入されると、まずハニカ
ム構造の蓄熱体を通過することにより蓄熱体から熱を奪
う。さらに加熱装置では触媒浄化が必要な温度になるま
で加熱されて触媒を通過し、有害物質は酸化燃焼浄化さ
れる。そしてもう一方の蓄熱体を通過するとき排ガスの
熱エネルギーは、蓄熱体により奪われ冷却され放出され
る。一定時間の後、触媒浄化装置本体でのガスの流れ方
向を逆にする。すなわち当初ガスの出口側に位置してい
た蓄熱体は触媒により浄化されたガスから熱エネルギー
を十分奪いとった状態にあり、このガスの流れ方向を逆
にする操作によって今度はガスの入口側の蓄熱体として
の役目を担い触媒浄化装置本体に導入された排ガスに熱
を供給する。逆に当初入口側にあった蓄熱体は排ガスに
より熱を奪われた状態であり、ガスの流れ方向を逆にす
ることによって触媒により浄化された排ガスから熱エネ
ルギーを奪う側に変わる。このことは、排ガスが浄化に
必要な温度まで加温されるための熱エネルギーの一部ま
たは大部分を触媒浄化装置本体の内部に閉じこめること
を意味し、排出される熱ロスを削減できることを意味す
る。蓄熱体の構造および量は、熱交換効率に直接関係す
る。セラミックからなるハニカム構造の蓄熱体は、空気
の流れる構造および熱容量の大きさ，耐腐食性の点から
最も優れた蓄熱体として用いることができる。そして処
理ガスの風量に対するハニカム構造の蓄熱体の量は、そ
の表面積比が６０〜１２００cm／hの間であることが必
要となる。この条件は、２層の蓄熱体合計と風量との関
係を示したもので、触媒としてセラミックからなるハニ
カム構造体が用いられる場合は触媒の量を蓄熱体量と合
算し使用する。ガスの流れ方向の切り替え時間は排ガス
を必要な温度に上昇させるための熱量に対して、一方の
蓄熱体の持つ熱容量が３倍以上になるように設定する。
このハニカム構造の蓄熱体の作用により熱ロスの少ない
対腐食性に強い触媒浄化装置を提供することができる。
【０００８】
（実施例１）以下本発明の実施例１の触媒浄化装置につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【０００９】図１において、１９はこのシステムへの排
ガスの入り口、２０は浄化されたガスの出口を示す。５
は触媒浄化装置本体、４は触媒浄化装置本体５の中に設
けられた加熱装置、３はこの加熱装置４を介して対向し
て設けた一対の触媒、２はこの触媒３のガス流路６にそ
れぞれ設けたハニカム構造の蓄熱体を示す。９は触媒浄
化装置本体５のガスの流れ方向７を切り替えるダンパー
で、（ａ）では図の触媒浄化装置本体５の下部のガス出
入口１がガスの入口となり、上部のガス出入口８がガス
の出口となっているが、（ｂ）では、ダンパー９を切り
替えることによってガスの流れ方向７が逆転し、図の触
媒浄化装置本体５の上部のガス出入口８がガスの入口と
なり、下部のガス出入口１がガスの出口となっている。
ガスの入り口、２０は浄化されたガスの出口を示す。５
は触媒浄化装置本体、４は触媒浄化装置本体５の中に設
けられた加熱装置、３はこの加熱装置４を介して対向し
て設けた一対の触媒、２はこの触媒３のガス流路６にそ
れぞれ設けたハニカム構造の蓄熱体を示す。９は触媒浄
化装置本体５のガスの流れ方向７を切り替えるダンパー
で、（ａ）では図の触媒浄化装置本体５の下部のガス出
入口１がガスの入口となり、上部のガス出入口８がガス
の出口となっているが、（ｂ）では、ダンパー９を切り
替えることによってガスの流れ方向７が逆転し、図の触
媒浄化装置本体５の上部のガス出入口８がガスの入口と
なり、下部のガス出入口１がガスの出口となっている。
【００１０】本実施例における処理ガス中の有害成分の
浄化効果と熱効率を測定した結果を（表１），（表２）
に示す。
浄化効果と熱効率を測定した結果を（表１），（表２）
に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【００１３】触媒浄化装置は、蓄熱体２として図３に示
すコージライト質のセラミックからなるハニカム構造の
もので、体積あたりの表面積が１８cm2／ccのものと、
１０cm2／ccのものをもちいた。図３において、ａ×ｂ
×ｃが体積を示し、ｄ×ｅ×ｃがハニカムの一つの孔の
表面積を示す。蓄熱体総量は８０００ccを用いた。触媒
３はハニカム状の白金触媒で体積当りの表面積が１８cm
2／ccのものをそれぞれ１０００cc、加熱装置４はmax１
kwのシーズヒータを用い３００℃で温度調節を行った。
２０℃で１００ppmのスチレンを含むガスを用いた。ガ
スの浄化率はスチレンガスの触媒による分解率で示し、
熱効率は簡易的にガスが３００℃まで昇温されたとし
て、３００℃への昇温温度に対してヒーターにより使用
された電力との比較をして算出した。切り替え時間は１
分のインターバルで実施した。
すコージライト質のセラミックからなるハニカム構造の
もので、体積あたりの表面積が１８cm2／ccのものと、
１０cm2／ccのものをもちいた。図３において、ａ×ｂ
×ｃが体積を示し、ｄ×ｅ×ｃがハニカムの一つの孔の
表面積を示す。蓄熱体総量は８０００ccを用いた。触媒
３はハニカム状の白金触媒で体積当りの表面積が１８cm
2／ccのものをそれぞれ１０００cc、加熱装置４はmax１
kwのシーズヒータを用い３００℃で温度調節を行った。
２０℃で１００ppmのスチレンを含むガスを用いた。ガ
スの浄化率はスチレンガスの触媒による分解率で示し、
熱効率は簡易的にガスが３００℃まで昇温されたとし
て、３００℃への昇温温度に対してヒーターにより使用
された電力との比較をして算出した。切り替え時間は１
分のインターバルで実施した。
【００１４】この（表１），（表２）から明らかなよう
に、ガスの風量とハニカム蓄熱体およびハニカム触媒合
算の表面積比が６０〜１２００cm／hの範囲では本実施
例による触媒浄化装置は、９０％以上のスチレンガスの
浄化を７５％以上の熱交換効率で達成することができて
いる。風量の多い場合は排出時のガスの温度が高く熱が
ガスと共に持ち出されることを示し、風量の少なすぎる
場合は、蓄熱体自身から周りへの放熱によるロスが大き
い。体積当りの表面積は１８cm2／ccの蓄熱体を用いた
ものは１８００００cm2，１０cm2／ccの蓄熱体を用いた
ものは１１６０００cm2となる。従来法によるアルミニ
ウムの熱交換機を用いたものでは、排ガスの浄化率を８
０％以上にすることは可能であるが、熱交換率は５０〜
６０％が限界であった。本実施例の最も優れた条件で
は、スチレンガスの浄化率及び熱効率ともに９０％以上
を示した。
に、ガスの風量とハニカム蓄熱体およびハニカム触媒合
算の表面積比が６０〜１２００cm／hの範囲では本実施
例による触媒浄化装置は、９０％以上のスチレンガスの
浄化を７５％以上の熱交換効率で達成することができて
いる。風量の多い場合は排出時のガスの温度が高く熱が
ガスと共に持ち出されることを示し、風量の少なすぎる
場合は、蓄熱体自身から周りへの放熱によるロスが大き
い。体積当りの表面積は１８cm2／ccの蓄熱体を用いた
ものは１８００００cm2，１０cm2／ccの蓄熱体を用いた
ものは１１６０００cm2となる。従来法によるアルミニ
ウムの熱交換機を用いたものでは、排ガスの浄化率を８
０％以上にすることは可能であるが、熱交換率は５０〜
６０％が限界であった。本実施例の最も優れた条件で
は、スチレンガスの浄化率及び熱効率ともに９０％以上
を示した。
【００１５】（実施例２）以下本発明の第２の実施例の
触媒浄化装置について図面を参照しながら説明する。
触媒浄化装置について図面を参照しながら説明する。
【００１６】図２において、３は触媒浄化装置本体５の
中央にまとめられた触媒３を示し、４はその触媒３を挟
むように２層に分けられた加熱装置を示す。ガスの流れ
方向７は実施例１と同様である。この構成の場合触媒３
は蓄熱体としての働きはなく加熱装置４の外側にそれぞ
れ設けた蓄熱体２のみが熱交換の役割を果たす。
中央にまとめられた触媒３を示し、４はその触媒３を挟
むように２層に分けられた加熱装置を示す。ガスの流れ
方向７は実施例１と同様である。この構成の場合触媒３
は蓄熱体としての働きはなく加熱装置４の外側にそれぞ
れ設けた蓄熱体２のみが熱交換の役割を果たす。
【００１７】本実施例における有害成分の浄化効果と熱
効率を測定した結果を（表３），（表４）に示す。
効率を測定した結果を（表３），（表４）に示す。
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】触媒浄化装置は、実施例１と同様に、蓄熱
体２としてコージライト質のセラミックからなるハニカ
ム構造のもので体積あたりの表面積が１８cm2／ccのも
のと、１０cm2／ccのものをもちいた。蓄熱体総量は８
０００ccを用いた。触媒３はハニカム状の白金触媒で２
０００cc、加熱装置４はmax１kwのシーズヒータを用い
３００℃で温度調節を行った。２０℃で１００ppmのス
チレンを含むガスを用いた。ガスの浄化率はスチレンガ
スの触媒による分解率で示し、熱効率は簡易的にガスが
３００℃まで昇温されたとして、３００℃への昇温温度
に対してヒーターにより使用された電力との比較をして
算出した。切り替え時間は１分のインターバルで実施し
た。
体２としてコージライト質のセラミックからなるハニカ
ム構造のもので体積あたりの表面積が１８cm2／ccのも
のと、１０cm2／ccのものをもちいた。蓄熱体総量は８
０００ccを用いた。触媒３はハニカム状の白金触媒で２
０００cc、加熱装置４はmax１kwのシーズヒータを用い
３００℃で温度調節を行った。２０℃で１００ppmのス
チレンを含むガスを用いた。ガスの浄化率はスチレンガ
スの触媒による分解率で示し、熱効率は簡易的にガスが
３００℃まで昇温されたとして、３００℃への昇温温度
に対してヒーターにより使用された電力との比較をして
算出した。切り替え時間は１分のインターバルで実施し
た。
【００２１】この（表３），（表４）から明らかなよう
に、ガスの風量とハニカム構造の蓄熱体の表面積比が６
０〜１２００cm／hの範囲では本実施例による触媒浄化
装置は、９０％以上のスチレンガスの浄化を７５％以上
の熱交換効率で達成することができている。表面積は１
８cm2／ccの蓄熱体を用いたものは１４４０００cm2，１
０cm2／ccの蓄熱体を用いたものは８００００cm2とな
る。
に、ガスの風量とハニカム構造の蓄熱体の表面積比が６
０〜１２００cm／hの範囲では本実施例による触媒浄化
装置は、９０％以上のスチレンガスの浄化を７５％以上
の熱交換効率で達成することができている。表面積は１
８cm2／ccの蓄熱体を用いたものは１４４０００cm2，１
０cm2／ccの蓄熱体を用いたものは８００００cm2とな
る。
【００２２】
【発明の効果】以上の実施例の説明により明らかなよう
に、本発明の触媒浄化装置によれば、触媒浄化装置本体
の両端がガスの入口，出口として交互に変換するガス出
入口を有し、中央に加熱装置と触媒を設置し、両端から
中央へのガス流路の途中にそれぞれハニカム構造の蓄熱
体を有する構造で、一定時間有害成分を含んだ排ガスを
一端から触媒浄化装置内に導入し蓄熱体及び加熱装置に
より加熱後触媒により浄化して後、もう一方の蓄熱体で
冷却し他端から排出する。次にダンパーを切り替えるこ
とによりガスの流れ方向を逆転し、排ガスを一定時間触
媒浄化装置本体内に導入し同様の加熱，浄化，冷却過程
を経て排出する。このときの風量とハニカム構造の蓄熱
体の表面積の関係を６０〜１２００cm／hの範囲で設定
し、この操作を交互に繰り返すことにより熱エネルギー
のロスを最小限に抑え、かつ排ガス中の有害成分を効率
よく燃焼浄化することができる触媒浄化装置を実現する
ものである。
に、本発明の触媒浄化装置によれば、触媒浄化装置本体
の両端がガスの入口，出口として交互に変換するガス出
入口を有し、中央に加熱装置と触媒を設置し、両端から
中央へのガス流路の途中にそれぞれハニカム構造の蓄熱
体を有する構造で、一定時間有害成分を含んだ排ガスを
一端から触媒浄化装置内に導入し蓄熱体及び加熱装置に
より加熱後触媒により浄化して後、もう一方の蓄熱体で
冷却し他端から排出する。次にダンパーを切り替えるこ
とによりガスの流れ方向を逆転し、排ガスを一定時間触
媒浄化装置本体内に導入し同様の加熱，浄化，冷却過程
を経て排出する。このときの風量とハニカム構造の蓄熱
体の表面積の関係を６０〜１２００cm／hの範囲で設定
し、この操作を交互に繰り返すことにより熱エネルギー
のロスを最小限に抑え、かつ排ガス中の有害成分を効率
よく燃焼浄化することができる触媒浄化装置を実現する
ものである。
【図１】（ａ）本発明の第１の実施例における触媒浄化
装置の全体構成の概念を示す説明図 （ｂ）同ガスの流れ方向を逆転した状態を示す説明図
装置の全体構成の概念を示す説明図 （ｂ）同ガスの流れ方向を逆転した状態を示す説明図
【図２】（ａ）本発明の第２の実施例における触媒浄化
装置の全体構成の概念を示す説明図 （ｂ）同ガスの流れ方向を逆転した状態を示す説明図
装置の全体構成の概念を示す説明図 （ｂ）同ガスの流れ方向を逆転した状態を示す説明図
【図３】（ａ）本発明の実施例の触媒浄化装置のハニカ
ム構造の蓄熱体の全体構成を示す斜視図 （ｂ）同格子部分を拡大して示す平面図
ム構造の蓄熱体の全体構成を示す斜視図 （ｂ）同格子部分を拡大して示す平面図
【図４】（ａ）従来の触媒浄化装置本体の構成の概念を
示す説明図 （ｂ）従来の熱交換機も含めた触媒浄化システム全体の
構成の概念を示す説明図
示す説明図 （ｂ）従来の熱交換機も含めた触媒浄化システム全体の
構成の概念を示す説明図
１，８ 排ガスの出入口 ２ 蓄熱体 ３ 触媒 ４ 加熱装置 ５ 触媒浄化装置本体 ６ ガス流路 ７ ガスの流れ方向 ９ ダンパー
Claims (1)
- 【請求項１】 触媒浄化装置本体の両端が排ガスの入
口，出口として交互に交換するガス出入口を有し、中央
に加熱装置と触媒を設置し、両端から中央へのガス流路
の途中にそれぞれ蓄熱体を有し、一定時間悪臭成分を含
んだ排ガスを一端から前記触媒浄化装置本体内に導入
し、前記蓄熱体及び加熱装置により加熱後、前記触媒に
より浄化し、もう一方の前記蓄熱体で冷却して他端から
排出し、次にダンパーの切り替えによりガスの流れ方向
を逆転させ、排ガスを一定時間前記触媒浄化装置本体内
に導入し、加熱，浄化，冷却過程を経て排出する操作を
交互に繰り返すことにより、前記排ガス中の有害成分を
浄化する構成を有した触媒浄化装置において、前記蓄熱
体としてハニカム構造をしたセラミック体を用い処理ガ
スの風量に対するハニカム表面積比を６０〜１２００cm
／ｈとした触媒浄化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207851A JP2743641B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 触媒浄化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207851A JP2743641B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 触媒浄化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0549860A true JPH0549860A (ja) | 1993-03-02 |
| JP2743641B2 JP2743641B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16546578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3207851A Expired - Lifetime JP2743641B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 触媒浄化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743641B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008508892A (ja) * | 2004-08-10 | 2008-03-27 | プロバット‐ヴェルケ・フォン・ギンボルン・マシネンファブリック・ゲーエムベーハー | 植物バルク材用焙煎装置及びこの焙煎装置の操作方法 |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP3207851A patent/JP2743641B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008508892A (ja) * | 2004-08-10 | 2008-03-27 | プロバット‐ヴェルケ・フォン・ギンボルン・マシネンファブリック・ゲーエムベーハー | 植物バルク材用焙煎装置及びこの焙煎装置の操作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2743641B2 (ja) | 1998-04-22 |
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