JPH0548349U - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体集積回路装置の設計において試作後、
トランジスタ等を追加する必要が生じた場合、再び製作
するマスクパターンを少なくすることを目的とする。 【構成】 目的の集積回路を構成するトランジスタ等に
必要な拡散層のほかに機能を満足するための追加トラン
ジスタ等に必要な拡散層を設けた。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は半導体集積回路装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

半導体集積回路装置には、製造工程の途中まで、たとえば金属蒸着による配線 工程の前までを全く同様につくりだめしておき、金属蒸着による配線のマスクパ ターンのみを変えて所要の機能を有する半導体集積回路装置をつくるマスタスラ イス方式が採られているものがある。しかし、マスタスライス方式以外の従来の 半導体集積回路装置では、所要の機能を有する目的の回路を構成する拡散層のみ を形成する方法が採られてきた。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

従来の上記のようなマスタスライス方式以外の半導体集積回路装置では、試作 後に所要の機能を満足させるためにトランジスタ等の追加が必要になった場合、 全てのマスクパターンを作り直さねばならず、開発コストがかさみ、開発期間に 大いに影響するという問題があった。本考案は、上記の問題を解決することを目 的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案の半導体集積回路装置は、試作後に所要の機能を満足させるためにトラ ンジスタ等を追加する必要が生じた場合、該半導体集積回路を構成するトランジ スタ等に必要な拡散層のほかに機能を満足するための追加トランジスタ等に必要 な拡散層を備えたものである。

【０００５】

【実施例】

図１は本考案の一実施例を示す平面図で、１はＰ型拡散層、２はＮ型拡散層、 ３は金属配線層、４はポリシリコン配線層、５はコンタクト層、６は追加用Ｐ型 拡散層、７は追加用Ｎ型拡散層である。図２は図１の等価回路を示す回路図で、 １１はＮＡＮＤゲート、１２はＮＯＲゲートである。図１に示す実施例は、目的 の集積回路（ＮＡＮＤゲート１１とＮＯＲゲート１２からなる回路）を構成する トランジスタに必要な拡散層のほかに機能を満足するためのトランジスタ等に必 要な追加用の拡散層を設けたもので、目的の回路構成のほかに追加用拡散層６， ７が形成されている。

【０００６】 上記のように、目的の集積回路を構成するトランジスタ等に必要な拡散層のほ かに追加用の拡散層を設けておくと、集積回路に機能を追加する必要が生じた場 合、拡散層形成までに使用するマスクパターンを作り直すことなく、目的を達成 することができる。図３は図１の集積回路にインバータを追加した例を示す平面 図、図４は図３の等価回路を示す回路図である。図１，２と同一の符号は同一の ものを示し、１３はインバータである。追加用拡散層６，７を利用してトランジ スタを形成し、種々の回路構成の変更をすることができる。

【０００７】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案によれば、試作後にトランジスタ等を追加する必 要が生じた場合、少ないマスクパターンの変更と少ない工程で再試作が可能にな るので、試作コストを削減でき、試作時間を短縮できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例を示す平面図である。

【図２】図１の等価回路を示す回路図である。

【図３】図１の集積回路にインバータを追加した例を示
す平面図である。

【図４】図３の等価回路を示す回路図である。

【符号の説明】

１ Ｐ型拡散層 ２ Ｎ型拡散層 ３ 金属配線層 ４ ポリシリコン配線層 ５ コンタクト層 ６ 追加用Ｐ型拡散層 ７ 追加用Ｎ型拡散層

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体集積回路装置の設計において、試
   作後にトランジスタ等を追加する必要が生じた場合、再
   び製作するマスクパターンを少なくするため、該半導体
   集積回路を構成するトランジスタ等に必要な拡散層のほ
   かに機能を満足するための追加トランジスタ等に必要な
   拡散層を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。