JPS60140853A - 集積回路のパタ−ン形成方法 - Google Patents

集積回路のパタ−ン形成方法

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Publication number
JPS60140853A
JPS60140853A JP24700483A JP24700483A JPS60140853A JP S60140853 A JPS60140853 A JP S60140853A JP 24700483 A JP24700483 A JP 24700483A JP 24700483 A JP24700483 A JP 24700483A JP S60140853 A JPS60140853 A JP S60140853A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
design rule
design
alteration
lattices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24700483A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisamitsu Aizawa
相澤 久光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP24700483A priority Critical patent/JPS60140853A/ja
Publication of JPS60140853A publication Critical patent/JPS60140853A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は集積回路のパターン形成方法、特にビルディン
グブロック方式LSIをはじめとする集積回路のマスク
パターン設計を容易ならしめるためのパターン形成方法
に関する。
(従来技術) 従来、集積回路のマスクパターン設計は設計ルールを満
足することを確認しながら、配線・トランジスタ・抵抗
・コンタクト等の図形を自由々位置に描いて行われてい
た。従って、設計ルールに変更が生じた場合は、集積回
路のパターン股引を新規に行わなければならないという
欠点があった。
(発明の目的) 本発明は、上記欠点を解決し、設計ルールに変更が生じ
た場合は、新しい設計ルールに対処できる集積回路を容
易に実現可能としたパターン形成方法を提供するもので
ある。
(発明の構成) 本発明によると集積回路の製造を実現可能とする設計基
準に基づいて形成された水平方向・垂直方向の可変格子
上に、集積回路を構成するに必要な配線・トランジスタ
・抵抗・コンタクト等を形成するパターンの基準点を配
置して形成することを特徴とする集積回路の#6成方法
が得られる。
(実施例1) 次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のレイアウトパターン図を示
し、第1図を参照すると水平方向・垂直方向それぞれに
ついて、トランジスタ・サイズ。
コンタクトサイズ、配線幅等の設計ルールに従って格子
10を作成し、その格子上に電源配線1、接地電位配線
2、全組配線層5、拡散層3、ポリシリコンゲート4、
電源コンタクト6、接地コンタクト7、拡散コンタクト
8等のコンポーネントのパターンを構成する基準点を配
置しである。
ここで、設計ルールに変更が生じた場合、水平方向・垂
直方向の各格子の間隔を変えるだけで、新しい設計ルー
ルに合ったレイアウトパターンが作成できる。たとえば
、ポリシリコンゲートの幅(トランジスタのL)が大き
くなった場合には、垂直方向の格子の間隔を広げること
によって対処できる。
(発明の効果) 本発明は以上説明したように、格子上に各要素(配線・
トランジスタ・コンタクト等゛)を配置することにより
、設計ルールの変更に対する対架が容易となり、設計ル
ールをパラメータとした集積回路のマスクパターン生成
が容易にできるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例のレイアウトパターン図で
ある。 ■・・・・・・電源配線、2・・・・・・接地電位配線
、3・・・・・・拡散層、4・・・・・・ポリゾリコン
ゲー)、5− ・・・金属配線層、6・・・・・・電源
コンタクト、7・・・・・・接す色コンタクト、8・・
・・・・拡散コンタクト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 集積回路の製造を実現可能とする設計基準に基づいて形
    成された水平方向・垂直方向の可変格子上に、集積回路
    を構成するに必要な配線・トランジスタ・抵抗・コンタ
    クト等を形成するパターンの基準点を配置して形成する
    ことを特徴とする集積回路のパターン形成方法。
JP24700483A 1983-12-28 1983-12-28 集積回路のパタ−ン形成方法 Pending JPS60140853A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7205191B2 (en) 2003-05-14 2007-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

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