JPH0547520A - 膜抵抗のレ−ザトリミング方法及び装置 - Google Patents
膜抵抗のレ−ザトリミング方法及び装置Info
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- JPH0547520A JPH0547520A JP3232178A JP23217891A JPH0547520A JP H0547520 A JPH0547520 A JP H0547520A JP 3232178 A JP3232178 A JP 3232178A JP 23217891 A JP23217891 A JP 23217891A JP H0547520 A JPH0547520 A JP H0547520A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザビームに基づいて電気回路が誤動作し
て正確なトリミングが不可能になることを防ぐ。 【構成】 厚膜抵抗Ｒ1 又はＲ2 にレーザビームを投射
してトリミングする。このトリミングは厚膜抵抗Ｒ1 、
Ｒ2 を含むスイッチングレギュレータ用制御回路１の出
力を測定しながら進める。レーザビームの投射に同期し
て制御回路１の入力電圧を遮断し、制御回路１の誤動作
を防ぐ。
て正確なトリミングが不可能になることを防ぐ。 【構成】 厚膜抵抗Ｒ1 又はＲ2 にレーザビームを投射
してトリミングする。このトリミングは厚膜抵抗Ｒ1 、
Ｒ2 を含むスイッチングレギュレータ用制御回路１の出
力を測定しながら進める。レーザビームの投射に同期し
て制御回路１の入力電圧を遮断し、制御回路１の誤動作
を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路等の電気
回路装置に含まれている膜抵抗のレーザトリミング方法
及び装置に関する。
回路装置に含まれている膜抵抗のレーザトリミング方法
及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜抵抗にコヒーレントなレーザビーム
をパルス的に投射し、ホットスポットを順次重ねてカッ
ト溝を形成する所謂レーザトリミング法は、ハイブリッ
ドＩＣのファンクショントリミング等において周知の技
術である。ファンクショントリミングでは、膜抵抗にレ
ーザビームでホットスポットを所定個形成するごとに電
気回路の出力電圧を測定し、この出力電圧が所定値に達
するまで膜抵抗に繰返しレーザビームを投射する。
をパルス的に投射し、ホットスポットを順次重ねてカッ
ト溝を形成する所謂レーザトリミング法は、ハイブリッ
ドＩＣのファンクショントリミング等において周知の技
術である。ファンクショントリミングでは、膜抵抗にレ
ーザビームでホットスポットを所定個形成するごとに電
気回路の出力電圧を測定し、この出力電圧が所定値に達
するまで膜抵抗に繰返しレーザビームを投射する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザビー
ム自体もしくはトリミングされた際に膜抵抗から発せら
れる輻射線の中に様々な波長の光線が含まれている。膜
抵抗の近くにモノリシックＩＣが配置された場合には、
特定の波長の光線がモノリシックＩＣに悪影響を及ぼす
ことがある。例えば、モノリシックＩＣにラッチ回路が
含まれている場合には、特定の波長の光線がモノリシッ
クＩＣに入射することによってラッチ回路が誤動作し、
出力電圧の送出が遮断されることがある。このようにな
ると、膜抵抗のトリミング状態の確認が不可能になる。
また出力電圧が低レベルになると、制御装置はトリミン
グ不足と判断し、膜抵抗のカット溝の形成を継続し、膜
抵抗を不良に至らしめることがある。
ム自体もしくはトリミングされた際に膜抵抗から発せら
れる輻射線の中に様々な波長の光線が含まれている。膜
抵抗の近くにモノリシックＩＣが配置された場合には、
特定の波長の光線がモノリシックＩＣに悪影響を及ぼす
ことがある。例えば、モノリシックＩＣにラッチ回路が
含まれている場合には、特定の波長の光線がモノリシッ
クＩＣに入射することによってラッチ回路が誤動作し、
出力電圧の送出が遮断されることがある。このようにな
ると、膜抵抗のトリミング状態の確認が不可能になる。
また出力電圧が低レベルになると、制御装置はトリミン
グ不足と判断し、膜抵抗のカット溝の形成を継続し、膜
抵抗を不良に至らしめることがある。
【０００４】そこで、本発明はレーザトリミングを正確
に行うことができる方法及び装置を提供することにあ
る。
に行うことができる方法及び装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、電気回路装置の出力を測定し、この測定結
果に基づいて前記電気回路装置に含まれている膜抵抗を
レーザビームでトリミングする方法において、前記電気
回路装置の入力電圧を、前記レーザビームに基づいて前
記電気回路装置が誤動作しないレベルに切り換えて前記
膜抵抗にレーザビームを投射し、その後に前記電気回路
装置の出力を測定することが可能なレベルの入力電圧を
前記電気回路装置に与えることを特徴とする膜抵抗のレ
ーザトリミング方法に係わるものである。
の本発明は、電気回路装置の出力を測定し、この測定結
果に基づいて前記電気回路装置に含まれている膜抵抗を
レーザビームでトリミングする方法において、前記電気
回路装置の入力電圧を、前記レーザビームに基づいて前
記電気回路装置が誤動作しないレベルに切り換えて前記
膜抵抗にレーザビームを投射し、その後に前記電気回路
装置の出力を測定することが可能なレベルの入力電圧を
前記電気回路装置に与えることを特徴とする膜抵抗のレ
ーザトリミング方法に係わるものである。
【０００６】電気回路装置がラッチ回路を含む場合に
は、請求項２に示すように、レーザビーム投射期間と測
定期間との間にラッチ回路をリセット（ラッチ解放）状
態にすることが望ましい。
は、請求項２に示すように、レーザビーム投射期間と測
定期間との間にラッチ回路をリセット（ラッチ解放）状
態にすることが望ましい。
【０００７】上記トリミングを行うための装置に関する
発明は、電気回路装置に含まれている膜抵抗をレーザト
リミングする装置において、測定電源と、この測定電源
と前記電気回路装置の入力端子との間に接続された入力
電圧制御回路と、前記電気回路装置の出力端子に接続さ
れた測定装置と、前記膜抵抗にレーザビームを投射する
ためのレーザビーム投射装置と、前記入力電圧制御回路
と前記測定装置と前記レーザビーム投射装置とを制御す
る制御装置とを備えており、且つ制御装置は所定の周期
を有する第１の制御パルスを発生すると共に、前記所定
の周期と同一又はこの整数倍の周期を有する第２の制御
パルスを前記第１の制御パルスと異なる時間に発生する
ように構成されており、前記レーザビーム投射装置は前
記第１の制御パルスに応答してレーザビームを前記膜抵
抗に投射するように構成されており、前記測定装置は前
記第２の制御パルスに応答して前記電気回路装置の出力
を測定するように構成されており、前記入力電圧制御回
路は前記第１の制御パルスに応答して前記測定電源から
前記電気回路装置に供給する入力電圧を前記第１の制御
パルスの幅よりも長い所定時間だけ低いレベルにするス
イッチを有していることを特徴とする膜抵抗のレーザト
リミング装置に係わるものである。
発明は、電気回路装置に含まれている膜抵抗をレーザト
リミングする装置において、測定電源と、この測定電源
と前記電気回路装置の入力端子との間に接続された入力
電圧制御回路と、前記電気回路装置の出力端子に接続さ
れた測定装置と、前記膜抵抗にレーザビームを投射する
ためのレーザビーム投射装置と、前記入力電圧制御回路
と前記測定装置と前記レーザビーム投射装置とを制御す
る制御装置とを備えており、且つ制御装置は所定の周期
を有する第１の制御パルスを発生すると共に、前記所定
の周期と同一又はこの整数倍の周期を有する第２の制御
パルスを前記第１の制御パルスと異なる時間に発生する
ように構成されており、前記レーザビーム投射装置は前
記第１の制御パルスに応答してレーザビームを前記膜抵
抗に投射するように構成されており、前記測定装置は前
記第２の制御パルスに応答して前記電気回路装置の出力
を測定するように構成されており、前記入力電圧制御回
路は前記第１の制御パルスに応答して前記測定電源から
前記電気回路装置に供給する入力電圧を前記第１の制御
パルスの幅よりも長い所定時間だけ低いレベルにするス
イッチを有していることを特徴とする膜抵抗のレーザト
リミング装置に係わるものである。
【０００８】電気回路装置がラッチ回路を有している場
合には、請求項４に示すように第１、第２及び第３の制
御パルスを発生させ、第３の制御パルスでラッチ回路を
リセットするように構成することができる。
合には、請求項４に示すように第１、第２及び第３の制
御パルスを発生させ、第３の制御パルスでラッチ回路を
リセットするように構成することができる。
【０００９】
【作用】請求項１及び３によれば、レーザビームが投射
されている期間におけるレーザビームに基づく電気回路
装置の誤動作を防ぐことができる。請求項２及び４によ
れば、ラッチ回路を測定に先立ってリセットするので、
誤まったラッチ状態によるトリミングの継続を防ぐこと
ができる。
されている期間におけるレーザビームに基づく電気回路
装置の誤動作を防ぐことができる。請求項２及び４によ
れば、ラッチ回路を測定に先立ってリセットするので、
誤まったラッチ状態によるトリミングの継続を防ぐこと
ができる。
【００１０】
【実施例】次に、図１〜図４を参照して本発明の実施例
に係わる混成集積回路装置の厚膜抵抗のレーザトリミン
グ方法及び装置を説明する。
に係わる混成集積回路装置の厚膜抵抗のレーザトリミン
グ方法及び装置を説明する。
【００１１】図１はスイッチングレギュレータの混成集
積回路から成る制御回路１及びこのレーザトリミング装
置を示す。レーザトリミング装置は、直流電源２と、入
力電圧制御回路３と、レーザビーム投射装置４と、測定
装置５と、制御装置６とから成る。
積回路から成る制御回路１及びこのレーザトリミング装
置を示す。レーザトリミング装置は、直流電源２と、入
力電圧制御回路３と、レーザビーム投射装置４と、測定
装置５と、制御装置６とから成る。
【００１２】直流電源２は測定電圧を被測定制御回路１
に与える。入力電圧制御回路３はトランジスタ７、８、
９と、抵抗１０、１１と、コンデンサ１２と、モノマル
チバイブレータ即ちＭＭＶ１３とを有する。トランジス
タ７は電源２と被測定制御回路１の入力電源端子１４と
の間に抵抗１０を介して接続されている。このトランジ
スタ７のベースは抵抗１１とトランジスタ８を介してグ
ランドに接続されている。コンデンサ１２は抵抗１０の
出力端子とグランドとの間に接続されている。トランジ
スタ９はコンデンサ１２に並列に接続されている。ＭＭ
Ｖ１３は２つのトランジスタ８、９のベースに接続され
ている。
に与える。入力電圧制御回路３はトランジスタ７、８、
９と、抵抗１０、１１と、コンデンサ１２と、モノマル
チバイブレータ即ちＭＭＶ１３とを有する。トランジス
タ７は電源２と被測定制御回路１の入力電源端子１４と
の間に抵抗１０を介して接続されている。このトランジ
スタ７のベースは抵抗１１とトランジスタ８を介してグ
ランドに接続されている。コンデンサ１２は抵抗１０の
出力端子とグランドとの間に接続されている。トランジ
スタ９はコンデンサ１２に並列に接続されている。ＭＭ
Ｖ１３は２つのトランジスタ８、９のベースに接続され
ている。
【００１３】被測定制御回路１は、モノリシックＩＣ１
５、トリミングされる抵抗Ｒ1 、Ｒ2 等を含んでいる。
測定装置５は被測定制御回路１の出力端子に接続され、
被測定制御回路１の出力を測定する。
５、トリミングされる抵抗Ｒ1 、Ｒ2 等を含んでいる。
測定装置５は被測定制御回路１の出力端子に接続され、
被測定制御回路１の出力を測定する。
【００１４】制御装置６はライン６ａで第１の制御パル
スをレーザビーム投射装置４に与えると共にＭＭＶ１３
にトリガ信号を与える。また、制御装置６はライン６ｂ
によって測定装置５に第２の制御パルスを与える。図１
の装置の動作及びトリミング方法は後で詳しく述べる。
スをレーザビーム投射装置４に与えると共にＭＭＶ１３
にトリガ信号を与える。また、制御装置６はライン６ｂ
によって測定装置５に第２の制御パルスを与える。図１
の装置の動作及びトリミング方法は後で詳しく述べる。
【００１５】図１の被測定制御回路１は、図２のスイッ
チングレギュレータのＦＥＴスイッチＱ1 をオン・オフ
制御する回路である。図２のスイッチングレギュレータ
は、ＦＥＴスイッチＱ1 及びこの制御回路１の他に、直
流電源２０と、トランス２１の１次、２次３及び３次巻
線Ｎ1 、Ｎ2 、Ｎ3 と、整流平滑回路２２と、電圧検出
及び制御回路２３と、起動抵抗２４と、補助電源用ダイ
オード２５と、コンデンサ２６とを有する。１次巻線Ｎ
1 とＦＥＴスイッチＱ1 との直列回路は電源２０に接続
されている。２次巻線Ｎ2 は整流平滑回路２２に接続さ
れ、この出力端子２７、２８間に負荷２９が接続されて
いる。制御回路１はＦＥＴスイッチＱ1をオン・オフす
るためのＰＷＭパルスを形成する回路であり、この出力
端子１６がＦＥＴスイッチＱ1 のゲートに接続されてい
る。制御回路１のグランド端子１７は電源２０のグラン
ド端子に接続されている。制御回路１の電圧制御信号入
力端子１８は電圧検出及び制御回路２３に接続されてい
る。電圧検出及び制御回路２３は出力端子２７、２８間
の電圧を検出し、これと基準電圧とを誤差増幅で比較す
る周知の回路である。制御回路１の電源電圧を得るため
に、３次巻線Ｎ3 にダイオード２５とコンデンサ２６が
接続されている。制御回路１の電源端子１４はコンデン
サ２６に接続されている。なお、コンデンサ２６は起動
時に抵抗２４を介して充電される。
チングレギュレータのＦＥＴスイッチＱ1 をオン・オフ
制御する回路である。図２のスイッチングレギュレータ
は、ＦＥＴスイッチＱ1 及びこの制御回路１の他に、直
流電源２０と、トランス２１の１次、２次３及び３次巻
線Ｎ1 、Ｎ2 、Ｎ3 と、整流平滑回路２２と、電圧検出
及び制御回路２３と、起動抵抗２４と、補助電源用ダイ
オード２５と、コンデンサ２６とを有する。１次巻線Ｎ
1 とＦＥＴスイッチＱ1 との直列回路は電源２０に接続
されている。２次巻線Ｎ2 は整流平滑回路２２に接続さ
れ、この出力端子２７、２８間に負荷２９が接続されて
いる。制御回路１はＦＥＴスイッチＱ1をオン・オフす
るためのＰＷＭパルスを形成する回路であり、この出力
端子１６がＦＥＴスイッチＱ1 のゲートに接続されてい
る。制御回路１のグランド端子１７は電源２０のグラン
ド端子に接続されている。制御回路１の電圧制御信号入
力端子１８は電圧検出及び制御回路２３に接続されてい
る。電圧検出及び制御回路２３は出力端子２７、２８間
の電圧を検出し、これと基準電圧とを誤差増幅で比較す
る周知の回路である。制御回路１の電源電圧を得るため
に、３次巻線Ｎ3 にダイオード２５とコンデンサ２６が
接続されている。制御回路１の電源端子１４はコンデン
サ２６に接続されている。なお、コンデンサ２６は起動
時に抵抗２４を介して充電される。
【００１６】図３は混成集積回路構成の制御回路１を示
す。この制御回路１は、共通の絶縁基板（図示せず）上
に半導体集積化されたモノリシックＩＣ３０を配置する
と共に、厚膜抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を配設し、更にコンデンサ
Ｃ1 、Ｃ2 等を配設することによって構成されている。
す。この制御回路１は、共通の絶縁基板（図示せず）上
に半導体集積化されたモノリシックＩＣ３０を配置する
と共に、厚膜抵抗Ｒ1 、Ｒ2 を配設し、更にコンデンサ
Ｃ1 、Ｃ2 等を配設することによって構成されている。
【００１７】モノリシックＩＣ３０は、パルス発生器３
１と、出力遮断用スイッチ３２と、駆動回路３３と、過
電圧検出回路３４と、過熱検出回路３５と、トリガ回路
３６と、ＯＲゲート３７と、ラッチ回路３８と、定電圧
化回路３９と、入力電源端子４０と、出力端子４１と、
外部トリガ端子４２と、３つの接続端子４３、４４、４
５とを有する。このモノリシックＩＣ３０は更に多くの
端子及び回路を含むが、ここには主要なもののみを示し
た。
１と、出力遮断用スイッチ３２と、駆動回路３３と、過
電圧検出回路３４と、過熱検出回路３５と、トリガ回路
３６と、ＯＲゲート３７と、ラッチ回路３８と、定電圧
化回路３９と、入力電源端子４０と、出力端子４１と、
外部トリガ端子４２と、３つの接続端子４３、４４、４
５とを有する。このモノリシックＩＣ３０は更に多くの
端子及び回路を含むが、ここには主要なもののみを示し
た。
【００１８】パルス発生回路３１は駆動回路３３と端子
４１とを介して出力端子１６に接続されている。発振出
力遮断用スイッチ３２はパルス発生器３１の出力ライン
とグランドとの間に接続されている。出力端子１６はス
イッチングレギュレータを構成する時に図２のＦＥＴス
イッチＱ1 に接続される。パルス発生器３１の出力パル
スの幅を制御するために、パルス発生器３１は接続端子
４４、４５を介して第１及び第２のコンデンサＣ1 、Ｃ
2 に接続されている。コンデンサＣ1 の上側端子は、第
１の抵抗Ｒ1 を介して定電圧化回路３９に接続されてい
ると共に、抵抗Ｒ3 を介して制御信号入力端子１８に接
続され、更にダイオードＤ1 を介して第２のコンデンサ
Ｃ2に接続されている。
４１とを介して出力端子１６に接続されている。発振出
力遮断用スイッチ３２はパルス発生器３１の出力ライン
とグランドとの間に接続されている。出力端子１６はス
イッチングレギュレータを構成する時に図２のＦＥＴス
イッチＱ1 に接続される。パルス発生器３１の出力パル
スの幅を制御するために、パルス発生器３１は接続端子
４４、４５を介して第１及び第２のコンデンサＣ1 、Ｃ
2 に接続されている。コンデンサＣ1 の上側端子は、第
１の抵抗Ｒ1 を介して定電圧化回路３９に接続されてい
ると共に、抵抗Ｒ3 を介して制御信号入力端子１８に接
続され、更にダイオードＤ1 を介して第２のコンデンサ
Ｃ2に接続されている。
【００１９】過電圧検出回路３４は入力電源端子４０に
接続されている。この実施例ではトランス２１の３次巻
線Ｎ3 に基づいて補助電源電圧を得、更にＦＥＴスイッ
チＱ1 のオフ期間に３次巻線Ｎ3 に得られる電圧をダイ
オード２５で整流するので、負荷電圧に対応した電圧を
３次巻線Ｎ3 を介して入力電源端子１４に得ることがで
きる。従って、過電圧検出回路３４において入力電源端
子１４の電圧と過電圧レベルを示す基準電圧とを比較器
で比較することによって過電圧検出が可能になる。
接続されている。この実施例ではトランス２１の３次巻
線Ｎ3 に基づいて補助電源電圧を得、更にＦＥＴスイッ
チＱ1 のオフ期間に３次巻線Ｎ3 に得られる電圧をダイ
オード２５で整流するので、負荷電圧に対応した電圧を
３次巻線Ｎ3 を介して入力電源端子１４に得ることがで
きる。従って、過電圧検出回路３４において入力電源端
子１４の電圧と過電圧レベルを示す基準電圧とを比較器
で比較することによって過電圧検出が可能になる。
【００２０】過熱検出回路３５は、ＩＣ３０の温度を検
出するセンサの出力と基準電圧とを比較するように構成
されている。
出するセンサの出力と基準電圧とを比較するように構成
されている。
【００２１】トリガ回路３６はＩＣ３０の端子４２を介
して外部接続端子４６に接続されている。外部接続端子
４６には図２のＦＥＴスイッチＱ1 をオフにする時に信
号が与えられる。なお、端子４６と端子４２の間には抵
抗Ｒ4 、Ｒ5 とコンデンサＣ3 が接続されている。
して外部接続端子４６に接続されている。外部接続端子
４６には図２のＦＥＴスイッチＱ1 をオフにする時に信
号が与えられる。なお、端子４６と端子４２の間には抵
抗Ｒ4 、Ｒ5 とコンデンサＣ3 が接続されている。
【００２２】ＯＲゲート３７は過電圧検出回路３４と過
熱検出回路３５とトリガ回路３６に接続され、これ等の
出力（トリガ信号）をラッチ回路３８の入力端子に与え
る。
熱検出回路３５とトリガ回路３６に接続され、これ等の
出力（トリガ信号）をラッチ回路３８の入力端子に与え
る。
【００２３】ＲＳフリップフロップから成るラッチ回路
３８はＯＲゲート３７の出力をラッチし、このラッチ出
力（セット出力）によってスイッチ３２をオン制御し、
パルス出力を遮断する。ラッチ回路３８のリセット端子
はリセットトリガ回路３８ａに接続されている。リセッ
トトリガ回路３８ａは入力電源端子４０に接続されてお
り、入力電源電圧の立上りに同期してリセットトリガ信
号を発生する。
３８はＯＲゲート３７の出力をラッチし、このラッチ出
力（セット出力）によってスイッチ３２をオン制御し、
パルス出力を遮断する。ラッチ回路３８のリセット端子
はリセットトリガ回路３８ａに接続されている。リセッ
トトリガ回路３８ａは入力電源端子４０に接続されてお
り、入力電源電圧の立上りに同期してリセットトリガ信
号を発生する。
【００２４】制御回路１の厚膜抵抗Ｒ1 、Ｒ2 をトリミ
ングする場合には、この制御回路１を図１に示すように
トリミング装置に接続し、制御装置６から図４の（Ａ）
（Ｂ）に示す第１及び第２の制御パルスをライン６ａ、
６ｂに送出する。（Ａ）に示す第１の制御パルスは、周
波数３kHz 、周期（１／３０００秒）を有して時刻ｔ1
、ｔ4 、ｔ7 で発生する。（Ｂ）に示す第２の制御パ
ルスは第１の制御パルスと同一の周期及び周波数を有し
て時刻ｔ3 、ｔ6 、ｔ9 で発生する。第２の制御パルス
の発生時点は第１の制御パルスの相互間である。第１の
制御パルスはレーザビーム投射装置４に供給されると共
にＭＭＶ１３に供給される。レーザビーム投射装置４は
第１の制御パルスに応答して厚膜抵抗Ｒ1 又はＲ2 にレ
ーザビームを投射し、溝を形成する。厚膜抵抗Ｒ1 又は
Ｒ2 の抵抗値は第１の制御パルスに応答したレーザビー
ムの投射回数に対応して高くなる。レーザビームの投射
に基づく厚膜抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の抵抗値の変化は制御回路
１の出力電圧の変化によって判定する。制御回路１の入
力電源端子１４に図２のコンデンサ２６の代りに電源２
を接続することによって制御回路１は図２の場合と同様
に動作する。なお、図１では電圧制御信号入力端子１８
が開放されているが、ここに所定の電圧を印加してもよ
い。測定装置５は制御回路１の出力端子１６から得られ
る図３のパルス発生器３１の出力パルスを平滑した電圧
を図４の（Ｂ）に示す第２の制御パルスに基づいてサン
プリングし、この値を制御装置６に通知する。出力端子
１６の出力パルスを平滑した電圧は図４の（Ｅ）に示す
ようにレーザビームの投射毎に高くなる。制御装置６は
図４の（Ｅ）の電圧のサンプル値が所定基準値に達した
か否かを判断し、達した時に第１及び第２の制御パルス
の送出を停止し、トリミングを終了させる。
ングする場合には、この制御回路１を図１に示すように
トリミング装置に接続し、制御装置６から図４の（Ａ）
（Ｂ）に示す第１及び第２の制御パルスをライン６ａ、
６ｂに送出する。（Ａ）に示す第１の制御パルスは、周
波数３kHz 、周期（１／３０００秒）を有して時刻ｔ1
、ｔ4 、ｔ7 で発生する。（Ｂ）に示す第２の制御パ
ルスは第１の制御パルスと同一の周期及び周波数を有し
て時刻ｔ3 、ｔ6 、ｔ9 で発生する。第２の制御パルス
の発生時点は第１の制御パルスの相互間である。第１の
制御パルスはレーザビーム投射装置４に供給されると共
にＭＭＶ１３に供給される。レーザビーム投射装置４は
第１の制御パルスに応答して厚膜抵抗Ｒ1 又はＲ2 にレ
ーザビームを投射し、溝を形成する。厚膜抵抗Ｒ1 又は
Ｒ2 の抵抗値は第１の制御パルスに応答したレーザビー
ムの投射回数に対応して高くなる。レーザビームの投射
に基づく厚膜抵抗Ｒ1 、Ｒ2 の抵抗値の変化は制御回路
１の出力電圧の変化によって判定する。制御回路１の入
力電源端子１４に図２のコンデンサ２６の代りに電源２
を接続することによって制御回路１は図２の場合と同様
に動作する。なお、図１では電圧制御信号入力端子１８
が開放されているが、ここに所定の電圧を印加してもよ
い。測定装置５は制御回路１の出力端子１６から得られ
る図３のパルス発生器３１の出力パルスを平滑した電圧
を図４の（Ｂ）に示す第２の制御パルスに基づいてサン
プリングし、この値を制御装置６に通知する。出力端子
１６の出力パルスを平滑した電圧は図４の（Ｅ）に示す
ようにレーザビームの投射毎に高くなる。制御装置６は
図４の（Ｅ）の電圧のサンプル値が所定基準値に達した
か否かを判断し、達した時に第１及び第２の制御パルス
の送出を停止し、トリミングを終了させる。
【００２５】ところで、この実施例では図１の制御回路
１に連続的に入力電圧を与えない。ＭＭＶ１３は図４の
（Ａ）の第１の制御パルスの前縁に応答して図４の
（Ｃ）に示す入力電圧制御パルスを発生する。この入力
電圧制御パルスは第１の制御パルス及びレーザビーム投
射時間幅よりも広い幅を有する。トランジスタ８及び９
はＭＭＶ１３の出力パルスにオンになり、逆にトランジ
スタ７はオフになる。これにより、図４の（Ｄ）に示す
ようにｔ1 〜ｔ2 、ｔ4〜ｔ5 、ｔ7 〜ｔ8 期間に入力
電圧が零ボルトになる。同時にコンデンサ１２の電荷が
トランジスタ９を介して放出される。この結果、レーザ
ビームで抵抗Ｒ1 又はＲ2 をトリミングしている期間に
は図３のラッチ回路３８及びこの入力側の種々の回路は
非動作状態になり、レーザビーム又は輻射線に基づいて
ラッチ回路３８又はこのラッチ入力段の回路（過熱検出
回路３５等）が誤動作し、ラッチ回路３８が誤まってラ
ッチ状態になることが阻止される。ＭＭＶ１３の出力が
低レベルに戻ると、トランジスタ８、９がオフになり、
逆にトランジスタ７がオンになる。トランジスタ７の出
力段にコンデンサ１２が接続されているので、入力電圧
は図４の（Ｄ）に示すように緩やかに立上る。このた
め、急激な立上りのために生じやすいラッチ回路３８の
誤動作を防ぐことができる。入力電圧が立上るとリセッ
トトリガ回路３８ａからリセットトリガパルスが発生
し、ラッチ回路３８がリセットされる。ラッチ回路３８
が誤まってラッチ状態であったとしても、レーザビーム
投射毎にリセットされるので、第２の制御パルスの発生
時点ｔ3 、ｔ6 、ｔ9 時点で正常な入力電圧が得られ
る。この結果、第２の制御パルスに基づく出力電圧の測
定が確実に達成される。また、パルス発生器３１の出力
制御用スイッチ３２はラッチ回路３８の誤動作に基づい
てオンになることがないので、トリミングを正確に達成
することができる。
１に連続的に入力電圧を与えない。ＭＭＶ１３は図４の
（Ａ）の第１の制御パルスの前縁に応答して図４の
（Ｃ）に示す入力電圧制御パルスを発生する。この入力
電圧制御パルスは第１の制御パルス及びレーザビーム投
射時間幅よりも広い幅を有する。トランジスタ８及び９
はＭＭＶ１３の出力パルスにオンになり、逆にトランジ
スタ７はオフになる。これにより、図４の（Ｄ）に示す
ようにｔ1 〜ｔ2 、ｔ4〜ｔ5 、ｔ7 〜ｔ8 期間に入力
電圧が零ボルトになる。同時にコンデンサ１２の電荷が
トランジスタ９を介して放出される。この結果、レーザ
ビームで抵抗Ｒ1 又はＲ2 をトリミングしている期間に
は図３のラッチ回路３８及びこの入力側の種々の回路は
非動作状態になり、レーザビーム又は輻射線に基づいて
ラッチ回路３８又はこのラッチ入力段の回路（過熱検出
回路３５等）が誤動作し、ラッチ回路３８が誤まってラ
ッチ状態になることが阻止される。ＭＭＶ１３の出力が
低レベルに戻ると、トランジスタ８、９がオフになり、
逆にトランジスタ７がオンになる。トランジスタ７の出
力段にコンデンサ１２が接続されているので、入力電圧
は図４の（Ｄ）に示すように緩やかに立上る。このた
め、急激な立上りのために生じやすいラッチ回路３８の
誤動作を防ぐことができる。入力電圧が立上るとリセッ
トトリガ回路３８ａからリセットトリガパルスが発生
し、ラッチ回路３８がリセットされる。ラッチ回路３８
が誤まってラッチ状態であったとしても、レーザビーム
投射毎にリセットされるので、第２の制御パルスの発生
時点ｔ3 、ｔ6 、ｔ9 時点で正常な入力電圧が得られ
る。この結果、第２の制御パルスに基づく出力電圧の測
定が確実に達成される。また、パルス発生器３１の出力
制御用スイッチ３２はラッチ回路３８の誤動作に基づい
てオンになることがないので、トリミングを正確に達成
することができる。
【００２６】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 制御装置６から図５の（Ａ）（Ｂ）に示すよう
に第１及び第２の制御パルスを図４の（Ａ）（Ｂ）と同
様に発生させると共に、図５の（Ｃ）に示す第３の制御
パルスを第１の制御パルスと第２の制御パルスの間に発
生させ、この第３の制御パルスを図１のＭＭＶ１３に与
え、図５の（Ｄ）に示すようにこれに同期して入力電圧
を低下させてもよい。なお、この場合にも第２の制御パ
ルスの発生前に入力電圧を回復させる。 （２） 抵抗Ｒ1 又はＲ2 のトリミングによって出力周
波数を所定値にする場合には、出力周波数を電圧に変換
し、これが基準値であるか否かを判断してもよい。 （３） 図４及び図５では第１の制御パルスと第２の制
御パルスとが同一の周期を有しているが、第２の制御パ
ルスの周期を第１の制御パルスの整数倍にしてもよい。
この場合には図５の第３の制御パルスの周期も第２の制
御パルスと同様に整数倍にすることができる。 （４） スイッチ３２をラインに直列に接続することが
できる。また、ラッチ回路３８の位相反転出力端子（負
出力端子）をスイッチ３２に接続することができる。ま
た、ラッチ回路３８をＲＳフリップフロップ以外のフリ
ップフロップで形成することができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 制御装置６から図５の（Ａ）（Ｂ）に示すよう
に第１及び第２の制御パルスを図４の（Ａ）（Ｂ）と同
様に発生させると共に、図５の（Ｃ）に示す第３の制御
パルスを第１の制御パルスと第２の制御パルスの間に発
生させ、この第３の制御パルスを図１のＭＭＶ１３に与
え、図５の（Ｄ）に示すようにこれに同期して入力電圧
を低下させてもよい。なお、この場合にも第２の制御パ
ルスの発生前に入力電圧を回復させる。 （２） 抵抗Ｒ1 又はＲ2 のトリミングによって出力周
波数を所定値にする場合には、出力周波数を電圧に変換
し、これが基準値であるか否かを判断してもよい。 （３） 図４及び図５では第１の制御パルスと第２の制
御パルスとが同一の周期を有しているが、第２の制御パ
ルスの周期を第１の制御パルスの整数倍にしてもよい。
この場合には図５の第３の制御パルスの周期も第２の制
御パルスと同様に整数倍にすることができる。 （４） スイッチ３２をラインに直列に接続することが
できる。また、ラッチ回路３８の位相反転出力端子（負
出力端子）をスイッチ３２に接続することができる。ま
た、ラッチ回路３８をＲＳフリップフロップ以外のフリ
ップフロップで形成することができる。
【００２７】
【発明の効果】上述から明らかなように各請求項の発明
によれば、レーザビーム又はこれに基づいて生じる輻射
線によって電気回路が誤動作し、トリミングが不可能に
なることを防ぐことができる。
によれば、レーザビーム又はこれに基づいて生じる輻射
線によって電気回路が誤動作し、トリミングが不可能に
なることを防ぐことができる。
【図１】本発明の実施例に係わるトリミング装置を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】図１の制御回路が使用されているスイッチング
レギュレータを示す回路図である。
レギュレータを示す回路図である。
【図３】図１の制御回路を詳しく示すブロック図であ
る。
る。
【図４】図１の各部の状態を示す波形図である。
【図５】変形例を説明するための波形図である。
１ 制御回路 ２ 電源 ３ 入力電圧制御回路 ４ レーザビーム投射装置 ５ 測定装置 ６ 制御装置
Claims (4)
- 【請求項１】 電気回路装置の出力を測定し、この測定
結果に基づいて前記電気回路装置に含まれている膜抵抗
をレーザビームでトリミングする方法において、 前記電気回路装置の入力電圧を、前記レーザビームに基
づいて前記電気回路装置が誤動作しないレベルに切り換
えて前記膜抵抗にレーザビームを投射し、その後に前記
電気回路装置の出力を測定することが可能なレベルの入
力電圧を前記電気回路装置に与えることを特徴とする膜
抵抗のレーザトリミング方法。 - 【請求項２】 出力信号の送出を制御するためのラッチ
回路及び前記出力信号に所定の関係を有する膜抵抗を含
んでいる電気回路装置から所定の出力信号を得ることが
できるように前記膜抵抗をレーザビームでトリミングす
る方法において、 前記膜抵抗にレーザビームを間欠的に投射してトリミグ
し、前記電気回路装置の出力信号を間欠的に測定してト
リミング状態を判定し、前記レーザビームの投射期間と
前記出力信号の測定期間との間で前記ラッチ回路をリセ
ット状態にすることを特徴とする膜抵抗のレーザトリミ
ング方法。 - 【請求項３】 電気回路装置に含まれている膜抵抗をレ
ーザトリミングする装置において、 測定電源と、 この測定電源と前記電気回路装置の入力端子との間に接
続された入力電圧制御回路と、 前記電気回路装置の出力端子に接続された測定装置と、 前記膜抵抗にレーザビームを投射するためのレーザビー
ム投射装置と、 前記入力電圧制御回路と前記測定装置と前記レーザビー
ム投射装置とを制御する制御装置とを備えており、且つ
制御装置は所定の周期を有する第１の制御パルスを発生
すると共に、前記所定の周期と同一又はこの整数倍の周
期を有する第２の制御パルスを前記第１の制御パルスと
異なる時間に発生するように構成されており、 前記レーザビーム投射装置は前記第１の制御パルスに応
答してレーザビームを前記膜抵抗に投射するように構成
されており、 前記測定装置は前記第２の制御パルスに応答して前記電
気回路装置の出力を測定するように構成されており、 前記入力電圧制御回路は前記第１の制御パルスに応答し
て前記測定電源から前記電気回路装置に供給する入力電
圧を前記第１の制御パルスの幅よりも長い所定時間だけ
低いレベルにするスイッチを有していることを特徴とす
る膜抵抗のレーザトリミング装置。 - 【請求項４】 出力信号の送出を制御するためのラッチ
回路及び前記出力信号に所定の関係を有する膜抵抗を含
んでいる電気回路装置の前記膜抵抗をレーザトリミング
する装置において、 測定電源と、 この測定電源と前記電気回路装置の入力端子との間に接
続された入力電圧制御回路と、 前記電気回路装置の出力端子に接続された測定装置と、 前記膜抵抗にレーザビームを投射するためのレーザビー
ム投射装置と、 前記入力電圧制御回路と前記測定装置と前記レーザビー
ム投射装置とを制御するために第１、第２及び第３の制
御パルスを間欠的に且つ互いに異なる時間に発生する制
御装置とを備えており、且つ前記レーザビーム投射装置
は前記第１の制御パルスに応答してレーザビームを前記
膜抵抗に投射するように構成されており、 前記測定装置は前記第２の制御パルスに応答して前記電
気回路装置の出力信号を測定するように構成されてお
り、 前記入力電圧制御回路は前記第２の制御パルスに基づく
前記出力信号の測定に先立って前記ラッチ回路をリセッ
ト状態にすることができる前記入力電圧の変化が前記第
３の制御パルスに応答して生じるように構成されている
ことを特徴とする膜抵抗のレーザトリミング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3232178A JP2822715B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 膜抵抗のレ−ザトリミング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3232178A JP2822715B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 膜抵抗のレ−ザトリミング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547520A true JPH0547520A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2822715B2 JP2822715B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=16935234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3232178A Expired - Fee Related JP2822715B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 膜抵抗のレ−ザトリミング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822715B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8733184B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-05-27 | Nhk Spring Co., Ltd. | Position testing apparatus |
| US8740506B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-06-03 | Nhk Spring Co., Ltd. | Positioning apparatus |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP3232178A patent/JP2822715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8733184B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-05-27 | Nhk Spring Co., Ltd. | Position testing apparatus |
| US8740506B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-06-03 | Nhk Spring Co., Ltd. | Positioning apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2822715B2 (ja) | 1998-11-11 |
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