JPH0546934A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPH0546934A JPH0546934A JP22652491A JP22652491A JPH0546934A JP H0546934 A JPH0546934 A JP H0546934A JP 22652491 A JP22652491 A JP 22652491A JP 22652491 A JP22652491 A JP 22652491A JP H0546934 A JPH0546934 A JP H0546934A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- magnetic head
- pole
- etching rate
- face
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁界分布及び再生波形を鋭化し、高密度記録対
応を図ると共に、オーバライト特性を向上させることが
でき、しかも製造の容易な磁気ヘッドを提供する。 【構成】ポールＰ１、Ｐ２の少なくとも一方は、エッチ
ング速度の異なる複数種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で
構成する。エッチング速度の速い金属膜Ｐ02はエッチン
グ速度の遅い金属膜Ｐ01よりも変換ギャップＧから離れ
た位置に積層する。ポール端面を構成する第１の端面Ｐ
11はエッチング速度の遅い金属膜Ｐ01で構成し、第２の
端面はエッチング速度の速い金属膜Ｐ02で構成し、第１
の端面から後退させる。
応を図ると共に、オーバライト特性を向上させることが
でき、しかも製造の容易な磁気ヘッドを提供する。 【構成】ポールＰ１、Ｐ２の少なくとも一方は、エッチ
ング速度の異なる複数種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で
構成する。エッチング速度の速い金属膜Ｐ02はエッチン
グ速度の遅い金属膜Ｐ01よりも変換ギャップＧから離れ
た位置に積層する。ポール端面を構成する第１の端面Ｐ
11はエッチング速度の遅い金属膜Ｐ01で構成し、第２の
端面はエッチング速度の速い金属膜Ｐ02で構成し、第１
の端面から後退させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドに関し、変
換ギャップを間に挟んで向き合う一対のポールの少なく
とも一方、特に媒体流出端側に位置するポールは、エッ
チング速度の異なる複数種の金属膜の積層体で構成し、
エッチング速度の速い金属膜はエッチング速度の遅い金
属膜よりも変換ギャップから離れた位置に積層して設
け、ポール端面を、エッチング速度の遅い金属膜で構成
された第１の端面と、エッチング速度の速い金属膜で構
成され第１の端面から後退している第２の端面とで構成
することにより、磁界分布及び再生波形を鋭化し、高密
度記録対応を図ると共に、オーバライト特性を向上させ
ることができ、しかも製造の容易な磁気ヘッドを提供で
きるようにしたものである。
換ギャップを間に挟んで向き合う一対のポールの少なく
とも一方、特に媒体流出端側に位置するポールは、エッ
チング速度の異なる複数種の金属膜の積層体で構成し、
エッチング速度の速い金属膜はエッチング速度の遅い金
属膜よりも変換ギャップから離れた位置に積層して設
け、ポール端面を、エッチング速度の遅い金属膜で構成
された第１の端面と、エッチング速度の速い金属膜で構
成され第１の端面から後退している第２の端面とで構成
することにより、磁界分布及び再生波形を鋭化し、高密
度記録対応を図ると共に、オーバライト特性を向上させ
ることができ、しかも製造の容易な磁気ヘッドを提供で
きるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ヘッドは、周知のように、変換ギャ
ップを間に挟んで向き合う一対のポールを有する構造と
なっている。図５は従来の磁気ヘッドの基本的な構造と
書き込み時の磁界分布を示す図である。Ｐ1 、Ｐ２はポ
ール、Ｇは変換ギャップ、ａは媒体走行方向、Ｍは磁気
ディスク等の磁気記録媒体を示している。Ｌ２は書き込
み時の磁界分布、Ｍ０は磁化反転部、ｍ１、ｍ２は磁化
方向、ｎは磁化反転領域をそれぞれ示している。磁化反
転領域ｎは、主として、媒体流出側のポール、即ち、媒
体走行方向ａで見て後方に位置するポール（図示の場合
ポールＰ1 ）側の磁界によって決まる。
ップを間に挟んで向き合う一対のポールを有する構造と
なっている。図５は従来の磁気ヘッドの基本的な構造と
書き込み時の磁界分布を示す図である。Ｐ1 、Ｐ２はポ
ール、Ｇは変換ギャップ、ａは媒体走行方向、Ｍは磁気
ディスク等の磁気記録媒体を示している。Ｌ２は書き込
み時の磁界分布、Ｍ０は磁化反転部、ｍ１、ｍ２は磁化
方向、ｎは磁化反転領域をそれぞれ示している。磁化反
転領域ｎは、主として、媒体流出側のポール、即ち、媒
体走行方向ａで見て後方に位置するポール（図示の場合
ポールＰ1 ）側の磁界によって決まる。
【０００３】図６は上記磁気ヘッドとその再生波形Ｌ１
を示す図である。再生波形Ｌ１は図５に示したポール構
造及び磁界分布を有する磁気ヘッドを使用して磁気記録
媒体に記録した信号を、同じ磁気ヘッドで再生した場合
の波形であり、横軸に時間軸をとり、縦軸に瞬時値ｅと
最大値Ｅｍとの比（ｅ／Ｅｍ）を百分率で表示してあ
る。Ｌ11、Ｌ12はアンダーシュートを示し、ＰＷ50は
（ｅ／Ｅｍ）が５０％になるパルス幅を示している。Ｐ
Ｗ50値は再生波形Ｌ１の鋭化の程度を示し、ＰＷ50値が
小さければ再生波形Ｌ１は鋭くなり、大きくなれば鈍化
する。
を示す図である。再生波形Ｌ１は図５に示したポール構
造及び磁界分布を有する磁気ヘッドを使用して磁気記録
媒体に記録した信号を、同じ磁気ヘッドで再生した場合
の波形であり、横軸に時間軸をとり、縦軸に瞬時値ｅと
最大値Ｅｍとの比（ｅ／Ｅｍ）を百分率で表示してあ
る。Ｌ11、Ｌ12はアンダーシュートを示し、ＰＷ50は
（ｅ／Ｅｍ）が５０％になるパルス幅を示している。Ｐ
Ｗ50値は再生波形Ｌ１の鋭化の程度を示し、ＰＷ50値が
小さければ再生波形Ｌ１は鋭くなり、大きくなれば鈍化
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の磁気ヘッドには次のような問題がある。 （Ａ）高密度記録に対応するためには、再生波形Ｌ１を
鋭化し、隣接パルスの相互干渉を防止する必要がある。
再生波形Ｌ１の鋭化の程度は、前述したようにＰＷ50値
によって評価する。磁気ヘッドの磁界分布Ｌ２は、主と
して、ポールＰ1、Ｐ２の長さ及びギャップ長によって
定まる。従来の磁気ヘッドでは、ポールＰ1 、Ｐ２の端
面の長さＴＡ、ＴＢ及びギャップ長ＧＬによって定まる
以上には、磁界分布Ｌ２を鋭化することができない。ま
た、再生波形Ｌ１は、磁界分布Ｌ２の他に、磁気記録媒
体の磁性層に不可避的に生じる保磁力Ｈｃの差（保磁力
分布）によっても鈍化する。このため、再生波形Ｌ２を
より一層鋭化することが困難で、高密度記録を達成する
上の一つの大きな障害になっていた。 （Ｂ）図６に示すように、再生波形はポールＰ１ 、Ｐ
２の端縁に対応する位置で疑似パルスに起因するアンダ
ーシュートＬ１１、Ｌ１２を生じる。アンダーシュート
Ｌ１１、Ｌ１２は、ポール厚みが有限な薄膜磁気ヘッド
において、特徴的に現われる。アンダーシュートＬ１
１、Ｌ１２の存在は、高密度記録の場合、ピークシフト
を大きくするため、読み出しのエラーマージンもしくは
位相マージンに限界を生じ、高密度記録の大きな障害と
なる。 （Ｃ）ポールＰ1 、Ｐ２の長さＴＡ、ＴＢを小さくすれ
ば、アンダーシュート効果により、再生波形を鋭化でき
る。しかしながら、ポールＰ1 、Ｐ２の長さＴＡ、ＴＢ
を小さくすると、発生磁界強度が小さくなるため、書き
込み能力が低下し、オーバライト特性が劣化する。
た従来の磁気ヘッドには次のような問題がある。 （Ａ）高密度記録に対応するためには、再生波形Ｌ１を
鋭化し、隣接パルスの相互干渉を防止する必要がある。
再生波形Ｌ１の鋭化の程度は、前述したようにＰＷ50値
によって評価する。磁気ヘッドの磁界分布Ｌ２は、主と
して、ポールＰ1、Ｐ２の長さ及びギャップ長によって
定まる。従来の磁気ヘッドでは、ポールＰ1 、Ｐ２の端
面の長さＴＡ、ＴＢ及びギャップ長ＧＬによって定まる
以上には、磁界分布Ｌ２を鋭化することができない。ま
た、再生波形Ｌ１は、磁界分布Ｌ２の他に、磁気記録媒
体の磁性層に不可避的に生じる保磁力Ｈｃの差（保磁力
分布）によっても鈍化する。このため、再生波形Ｌ２を
より一層鋭化することが困難で、高密度記録を達成する
上の一つの大きな障害になっていた。 （Ｂ）図６に示すように、再生波形はポールＰ１ 、Ｐ
２の端縁に対応する位置で疑似パルスに起因するアンダ
ーシュートＬ１１、Ｌ１２を生じる。アンダーシュート
Ｌ１１、Ｌ１２は、ポール厚みが有限な薄膜磁気ヘッド
において、特徴的に現われる。アンダーシュートＬ１
１、Ｌ１２の存在は、高密度記録の場合、ピークシフト
を大きくするため、読み出しのエラーマージンもしくは
位相マージンに限界を生じ、高密度記録の大きな障害と
なる。 （Ｃ）ポールＰ1 、Ｐ２の長さＴＡ、ＴＢを小さくすれ
ば、アンダーシュート効果により、再生波形を鋭化でき
る。しかしながら、ポールＰ1 、Ｐ２の長さＴＡ、ＴＢ
を小さくすると、発生磁界強度が小さくなるため、書き
込み能力が低下し、オーバライト特性が劣化する。
【０００５】そこで、本発明の課題は、上述する従来の
問題点を解決し、書き込み能力を実質的に犠牲にするこ
となしに磁界分布及び再生波形を鋭化して、高密度記録
対応を図ると共に、製造の容易な磁気ヘッドを提供する
ことである。
問題点を解決し、書き込み能力を実質的に犠牲にするこ
となしに磁界分布及び再生波形を鋭化して、高密度記録
対応を図ると共に、製造の容易な磁気ヘッドを提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、変換ギャップを間に挟んで向き合う一対
のポールを有する磁気ヘッドであって、前記ポールの少
なくとも一方は、エッチング速度の異なる複数種の金属
膜の積層体で構成され、エッチング速度の速い金属膜が
エッチング速度の遅い金属膜よりも前記変換ギャップか
ら離れた位置に積層され、ポール端面が第１の端面と第
２の端面とを含み、前記第１の端面がエッチング速度の
遅い金属膜で構成され、前記第２の端面がエッチング速
度の速い金属膜で構成され前記第１の端面から後退して
いることを特徴とする。
め、本発明は、変換ギャップを間に挟んで向き合う一対
のポールを有する磁気ヘッドであって、前記ポールの少
なくとも一方は、エッチング速度の異なる複数種の金属
膜の積層体で構成され、エッチング速度の速い金属膜が
エッチング速度の遅い金属膜よりも前記変換ギャップか
ら離れた位置に積層され、ポール端面が第１の端面と第
２の端面とを含み、前記第１の端面がエッチング速度の
遅い金属膜で構成され、前記第２の端面がエッチング速
度の速い金属膜で構成され前記第１の端面から後退して
いることを特徴とする。
【０００７】
【作用】変換ギャップを間に挟んで向き合う一対のポー
ルの少なくとも一方は、ポール端面が第１の端面と第２
の端面とを含み、変換ギャップから離れている第２の端
面が第１の端面から後退しているから、磁気変換に寄与
するポール端面の先端長さが、実質的に第１の端面の先
端長さによって定まる値まで縮小する。このため、磁界
分布及び再生波形が鋭化される。従って、高密度記録再
生が可能になる。特に、媒体流出端側のポールの端面
を、第１の端面及び第２の端面によって構成した場合、
媒体上の磁化分布が決定される媒体流出端側における磁
界強度の傾斜が急峻になる。また、再生波形も鋭化さ
れ、ＰＷ５０値が小さくなり、高密度記録が可能にな
る。
ルの少なくとも一方は、ポール端面が第１の端面と第２
の端面とを含み、変換ギャップから離れている第２の端
面が第１の端面から後退しているから、磁気変換に寄与
するポール端面の先端長さが、実質的に第１の端面の先
端長さによって定まる値まで縮小する。このため、磁界
分布及び再生波形が鋭化される。従って、高密度記録再
生が可能になる。特に、媒体流出端側のポールの端面
を、第１の端面及び第２の端面によって構成した場合、
媒体上の磁化分布が決定される媒体流出端側における磁
界強度の傾斜が急峻になる。また、再生波形も鋭化さ
れ、ＰＷ５０値が小さくなり、高密度記録が可能にな
る。
【０００８】ポール端面としての全体の先端長さは、第
１の端面の先端長さと第２の端面の先端長さとの和に保
たれるから、書き込み能力を確保できる。このため、オ
ーバライト特性を犠牲にすることがない。
１の端面の先端長さと第２の端面の先端長さとの和に保
たれるから、書き込み能力を確保できる。このため、オ
ーバライト特性を犠牲にすることがない。
【０００９】ポールの少なくとも一方は、エッチング速
度の異なる複数種の金属膜の積層体で構成され、エッチ
ング速度の速い金属膜がエッチング速度の遅い金属膜よ
りも変換ギャップから離れた位置に積層され、第１の端
面がエッチング速度の遅い金属膜で構成され、第２の端
面がエッチング速度の速い金属膜で構成されているか
ら、第２の端面が第１の端面から後退しているポール構
造を、ドライエッチングまたはケミカルエッチング等の
エッチング工程によって容易に実現できる。
度の異なる複数種の金属膜の積層体で構成され、エッチ
ング速度の速い金属膜がエッチング速度の遅い金属膜よ
りも変換ギャップから離れた位置に積層され、第１の端
面がエッチング速度の遅い金属膜で構成され、第２の端
面がエッチング速度の速い金属膜で構成されているか
ら、第２の端面が第１の端面から後退しているポール構
造を、ドライエッチングまたはケミカルエッチング等の
エッチング工程によって容易に実現できる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係る磁気ヘッドのポール部分
の構造とその磁界分布を示す図である。変換ギャップＧ
を間に挟んで向き合う一対のポールＰ１、Ｐ２を有して
いる。一対のポールＰ１、Ｐ２のうち、少なくとも媒体
流出端側のポールＰ１は、エッチング速度の異なる複数
種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で構成されている。金属
膜Ｐ01はエッチング速度が遅く、金属膜Ｐ02は金属膜Ｐ
01よりもエッチング速度が速い。金属膜Ｐ01、Ｐ02は共
に軟磁性膜で、金属膜Ｐ01の方が金属膜Ｐ02よりも飽和
磁束密度Ｂｓが大きく透磁率μが高いことが望ましい。
具体例として、金属膜Ｐ01はCo-Nb-Zr系等で代表される
Co系アモルファス材料で構成し、金属膜Ｐ02はNiFe（パ
ーマロイ）で構成する。Co系アモルファス材料で構成さ
れた金属膜Ｐ01は、ミリングエッチング速度が約２００
（オングストローム／分）、ケミカルエッチング速度が
約４５０（オングストローム／秒）である。これに対し
て、NiFeで構成された金属膜Ｐ02は、ミリングエッチン
グ速度が約２３０（オングストローム／分）、ケミカル
エッチング速度が約１１５０（オングストローム／秒）
である。
の構造とその磁界分布を示す図である。変換ギャップＧ
を間に挟んで向き合う一対のポールＰ１、Ｐ２を有して
いる。一対のポールＰ１、Ｐ２のうち、少なくとも媒体
流出端側のポールＰ１は、エッチング速度の異なる複数
種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で構成されている。金属
膜Ｐ01はエッチング速度が遅く、金属膜Ｐ02は金属膜Ｐ
01よりもエッチング速度が速い。金属膜Ｐ01、Ｐ02は共
に軟磁性膜で、金属膜Ｐ01の方が金属膜Ｐ02よりも飽和
磁束密度Ｂｓが大きく透磁率μが高いことが望ましい。
具体例として、金属膜Ｐ01はCo-Nb-Zr系等で代表される
Co系アモルファス材料で構成し、金属膜Ｐ02はNiFe（パ
ーマロイ）で構成する。Co系アモルファス材料で構成さ
れた金属膜Ｐ01は、ミリングエッチング速度が約２００
（オングストローム／分）、ケミカルエッチング速度が
約４５０（オングストローム／秒）である。これに対し
て、NiFeで構成された金属膜Ｐ02は、ミリングエッチン
グ速度が約２３０（オングストローム／分）、ケミカル
エッチング速度が約１１５０（オングストローム／秒）
である。
【００１１】エッチング速度の速い金属膜Ｐ02は、エッ
チング速度の遅い金属膜Ｐ01よりも変換ギャップＧから
離れた位置に積層されている。ポールＰ1 は、媒体対向
面側に現われるポール端面が第１の端面Ｐ11と第２の端
面Ｐ12とを含み、第１の端面Ｐ11がエッチング速度の遅
い金属膜Ｐ01で構成され、第２の端面Ｐ12がエッチング
速度の速い金属膜で構成され第１の端面Ｐ11から後退量
ｄ１をもって段差状に後退している。後退量ｄ１は、第
２の端面Ｐ12が磁界分布に関しては実質的に無視でき、
磁気飽和に関しては第１の端面Ｐ11と一体として考慮で
きるような値に選定する。
チング速度の遅い金属膜Ｐ01よりも変換ギャップＧから
離れた位置に積層されている。ポールＰ1 は、媒体対向
面側に現われるポール端面が第１の端面Ｐ11と第２の端
面Ｐ12とを含み、第１の端面Ｐ11がエッチング速度の遅
い金属膜Ｐ01で構成され、第２の端面Ｐ12がエッチング
速度の速い金属膜で構成され第１の端面Ｐ11から後退量
ｄ１をもって段差状に後退している。後退量ｄ１は、第
２の端面Ｐ12が磁界分布に関しては実質的に無視でき、
磁気飽和に関しては第１の端面Ｐ11と一体として考慮で
きるような値に選定する。
【００１２】上述のように、変換ギャップＧを間に挟ん
で向き合う一対のポールＰ１、Ｐ２のうち、少なくとも
媒体流出側のポールＰ１は、媒体対向面側のポール端面
が、第１の端面Ｐ11と第２の端面Ｐ12とで構成されてお
り、変換ギャップＧから離れている第２の端面Ｐ12が第
１の端面Ｐ11から後退しているから、磁界分布に関して
支配的なポール端面Ｐ11の先端長さが、実質的に第１の
端面Ｐ11の先端長さＴ11によって定まる値まで縮小す
る。このため、磁界分布Ｌ２が図１に示すように鋭化さ
れ、媒体上の磁化分布Ｌ２が決定される媒体流出端側に
おける磁界強度の傾斜が急峻になる。また、再生波形Ｌ
１も第２図に示すように鋭化され、ＰＷ５０値が小さく
なり、高密度記録が可能になる。
で向き合う一対のポールＰ１、Ｐ２のうち、少なくとも
媒体流出側のポールＰ１は、媒体対向面側のポール端面
が、第１の端面Ｐ11と第２の端面Ｐ12とで構成されてお
り、変換ギャップＧから離れている第２の端面Ｐ12が第
１の端面Ｐ11から後退しているから、磁界分布に関して
支配的なポール端面Ｐ11の先端長さが、実質的に第１の
端面Ｐ11の先端長さＴ11によって定まる値まで縮小す
る。このため、磁界分布Ｌ２が図１に示すように鋭化さ
れ、媒体上の磁化分布Ｌ２が決定される媒体流出端側に
おける磁界強度の傾斜が急峻になる。また、再生波形Ｌ
１も第２図に示すように鋭化され、ＰＷ５０値が小さく
なり、高密度記録が可能になる。
【００１３】ポール端面の全体の先端長さは、第１の端
面Ｐ11の先端長さＴ11と第２の端面Ｐ12の先端長さＴ12
との和（Ｔ11＋Ｔ12）に保たれるから、書き込み能力を
犠牲にすることがない。
面Ｐ11の先端長さＴ11と第２の端面Ｐ12の先端長さＴ12
との和（Ｔ11＋Ｔ12）に保たれるから、書き込み能力を
犠牲にすることがない。
【００１４】更に、ポールＰ１は、エッチング速度の異
なる複数種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で構成され、エ
ッチング速度の速い金属膜Ｐ02がエッチング速度の遅い
金属膜Ｐ01よりも変換ギャップＧから離れた位置に積層
され、第１の端面Ｐ11がエッチング速度の遅い金属膜Ｐ
01で構成され、第２の端面Ｐ12がエッチング速度の速い
金属膜Ｐ02で構成されているから、第２の端面Ｐ12が第
１の端面Ｐ11から後退している図１のポール構造を、ミ
リングエッチング等のドライエッチングまたはケミカル
エッチング等の工程によって容易に実現できる。
なる複数種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で構成され、エ
ッチング速度の速い金属膜Ｐ02がエッチング速度の遅い
金属膜Ｐ01よりも変換ギャップＧから離れた位置に積層
され、第１の端面Ｐ11がエッチング速度の遅い金属膜Ｐ
01で構成され、第２の端面Ｐ12がエッチング速度の速い
金属膜Ｐ02で構成されているから、第２の端面Ｐ12が第
１の端面Ｐ11から後退している図１のポール構造を、ミ
リングエッチング等のドライエッチングまたはケミカル
エッチング等の工程によって容易に実現できる。
【００１５】第３図は本発明に係る磁気ヘッドの別の実
施例を示す図である。この実施例では、ポールＰ２も、
エッチング速度の異なる複数種の金属膜Ｐ03、Ｐ04の積
層体で構成されている。金属膜Ｐ03はエッチング速度が
遅く、金属膜Ｐ04は金属膜Ｐ03よりもエッチング速度が
速い。金属膜Ｐ03、Ｐ04は共に軟磁性膜で、金属膜Ｐ03
の方が金属膜Ｐ04よりも飽和磁束密度Ｂｓが大きく透磁
率μが高いことが望ましい。具体例として、ポールＰ１
と同様に、金属膜Ｐ03はCo-Nb-Zr系等で代表されるCo系
アモルファス材料で構成し、金属膜Ｐ04はNiFe（パーマ
ロイ）で構成する。
施例を示す図である。この実施例では、ポールＰ２も、
エッチング速度の異なる複数種の金属膜Ｐ03、Ｐ04の積
層体で構成されている。金属膜Ｐ03はエッチング速度が
遅く、金属膜Ｐ04は金属膜Ｐ03よりもエッチング速度が
速い。金属膜Ｐ03、Ｐ04は共に軟磁性膜で、金属膜Ｐ03
の方が金属膜Ｐ04よりも飽和磁束密度Ｂｓが大きく透磁
率μが高いことが望ましい。具体例として、ポールＰ１
と同様に、金属膜Ｐ03はCo-Nb-Zr系等で代表されるCo系
アモルファス材料で構成し、金属膜Ｐ04はNiFe（パーマ
ロイ）で構成する。
【００１６】エッチング速度の速い金属膜Ｐ04は、エッ
チング速度の遅い金属膜Ｐ03よりも変換ギャップＧから
離れた位置に積層されている。ポールＰ２は、媒体対向
面側に現われるポール端面が第１の端面Ｐ21と第２の端
面Ｐ22とを含み、第１の端面Ｐ21がエッチング速度の遅
い金属膜Ｐ03で構成され、第２の端面Ｐ22がエッチング
速度の速い金属膜で構成され第１の端面Ｐ21から後退量
ｄ２を持って段差状に後退している。後退量ｄ２、第１
の端面Ｐ21の先端長さＴ21及び第２の端面Ｐ22の先端長
さＴ22等の各寸法は、図１の実施例で述べたような基準
で定める。第２図の実施例の場合は、ポールＰ１、Ｐ２
の両者において、磁界分布Ｌ２及び再生波形Ｌ１が鋭化
される。
チング速度の遅い金属膜Ｐ03よりも変換ギャップＧから
離れた位置に積層されている。ポールＰ２は、媒体対向
面側に現われるポール端面が第１の端面Ｐ21と第２の端
面Ｐ22とを含み、第１の端面Ｐ21がエッチング速度の遅
い金属膜Ｐ03で構成され、第２の端面Ｐ22がエッチング
速度の速い金属膜で構成され第１の端面Ｐ21から後退量
ｄ２を持って段差状に後退している。後退量ｄ２、第１
の端面Ｐ21の先端長さＴ21及び第２の端面Ｐ22の先端長
さＴ22等の各寸法は、図１の実施例で述べたような基準
で定める。第２図の実施例の場合は、ポールＰ１、Ｐ２
の両者において、磁界分布Ｌ２及び再生波形Ｌ１が鋭化
される。
【００１７】図４は本発明に係る薄膜磁気ヘッドのトラ
ンスジューサ部分の断面図である。１はセラミックで構
成された基体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等でなる
変換ギャップ膜、４は上部磁性膜、５はコイル膜、６は
ノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された絶縁膜、
７はアルミナ等の保護膜である。
ンスジューサ部分の断面図である。１はセラミックで構
成された基体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等でなる
変換ギャップ膜、４は上部磁性膜、５はコイル膜、６は
ノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された絶縁膜、
７はアルミナ等の保護膜である。
【００１８】基体１はAl2O3-TiC等で構成された本体部
１０１の表面にAl2O3等でなる絶縁膜１０２を設け、こ
の絶縁膜１０２の上に磁気回路を形成してある。下部磁
性膜２及び上部磁性膜４の先端部はアルミナ等でなる変
換ギャップ膜３を隔てて対向するポールＰ２、Ｐ１とな
っており、このポールＰ２、Ｐ１において読み書きを行
なう。ポールＰ１及びポールＰ２は、変換ギャップ膜３
による変換ギャップＧを介して対向している。上部磁性
膜４はポールＰ１とは反対側の後方領域において、結合
部４１によって下部磁性膜２のヨーク部２１と結合され
ている。コイル膜５は結合部４１を渦巻状に回るように
形成されている。
１０１の表面にAl2O3等でなる絶縁膜１０２を設け、こ
の絶縁膜１０２の上に磁気回路を形成してある。下部磁
性膜２及び上部磁性膜４の先端部はアルミナ等でなる変
換ギャップ膜３を隔てて対向するポールＰ２、Ｐ１とな
っており、このポールＰ２、Ｐ１において読み書きを行
なう。ポールＰ１及びポールＰ２は、変換ギャップ膜３
による変換ギャップＧを介して対向している。上部磁性
膜４はポールＰ１とは反対側の後方領域において、結合
部４１によって下部磁性膜２のヨーク部２１と結合され
ている。コイル膜５は結合部４１を渦巻状に回るように
形成されている。
【００１９】ポールＰ１は、エッチング速度の異なる複
数種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で構成されている。金
属膜Ｐ01はエッチング速度が遅く、金属膜Ｐ02は金属膜
Ｐ01よりもエッチング速度が速い金属材料によって構成
されている。具体例として、前述したように、金属膜Ｐ
01はCo系アモルファス材料で構成し、金属膜Ｐ02はNiFe
で構成する。
数種の金属膜Ｐ01、Ｐ02の積層体で構成されている。金
属膜Ｐ01はエッチング速度が遅く、金属膜Ｐ02は金属膜
Ｐ01よりもエッチング速度が速い金属材料によって構成
されている。具体例として、前述したように、金属膜Ｐ
01はCo系アモルファス材料で構成し、金属膜Ｐ02はNiFe
で構成する。
【００２０】エッチング速度の速い金属膜Ｐ02は、エッ
チング速度の遅い金属膜Ｐ01よりも変換ギャップ膜３か
ら離れた位置に積層されている。ポールＰ1 は、媒体対
向面側に現われるポール端面が第１の端面Ｐ11と第２の
端面Ｐ12とを含み、第１の端面Ｐ11がエッチング速度の
遅い金属膜Ｐ01で構成され、第２の端面Ｐ12がエッチン
グ速度の速い金属膜で構成され第１の端面Ｐ11から後退
量ｄ１を持って段差状に後退している。
チング速度の遅い金属膜Ｐ01よりも変換ギャップ膜３か
ら離れた位置に積層されている。ポールＰ1 は、媒体対
向面側に現われるポール端面が第１の端面Ｐ11と第２の
端面Ｐ12とを含み、第１の端面Ｐ11がエッチング速度の
遅い金属膜Ｐ01で構成され、第２の端面Ｐ12がエッチン
グ速度の速い金属膜で構成され第１の端面Ｐ11から後退
量ｄ１を持って段差状に後退している。
【００２１】ポールＰ２も、エッチング速度の異なる複
数種の金属膜Ｐ03、Ｐ04の積層体で構成されている。金
属膜Ｐ03はエッチング速度が遅く、金属膜Ｐ04は金属膜
Ｐ03よりもエッチング速度が速い。エッチング速度の速
い金属膜Ｐ04は、エッチング速度の遅い金属膜Ｐ03より
も変換ギャップ膜３から離れた位置に積層されている。
ポールＰ２は媒体対向面側に現われるポール端面が第１
の端面Ｐ21と第２の端面Ｐ22とを含み、第１の端面Ｐ21
がエッチング速度の遅い金属膜Ｐ03で構成され、第２の
端面Ｐ22がエッチング速度の速い金属膜で構成され第１
の端面Ｐ21から後退量ｄ２を持って段差状に後退してい
る。
数種の金属膜Ｐ03、Ｐ04の積層体で構成されている。金
属膜Ｐ03はエッチング速度が遅く、金属膜Ｐ04は金属膜
Ｐ03よりもエッチング速度が速い。エッチング速度の速
い金属膜Ｐ04は、エッチング速度の遅い金属膜Ｐ03より
も変換ギャップ膜３から離れた位置に積層されている。
ポールＰ２は媒体対向面側に現われるポール端面が第１
の端面Ｐ21と第２の端面Ｐ22とを含み、第１の端面Ｐ21
がエッチング速度の遅い金属膜Ｐ03で構成され、第２の
端面Ｐ22がエッチング速度の速い金属膜で構成され第１
の端面Ｐ21から後退量ｄ２を持って段差状に後退してい
る。
【００２２】後退量ｄ１、ｄ２、第１の端面Ｐ21の先端
長さＴ11、Ｔ21及び第２の端面Ｐ12、Ｐ22の先端長さＴ
12、Ｔ22等の各寸法は、図１〜図３の実施例で述べたよ
うな基準で定めるが、薄膜磁気ヘッドでは、後退量ｄ
１、ｄ２が０．０１〜１μm の範囲、先端長さＴ11、Ｔ
21が０．５μm 以下の範囲が最もバランスがよい。
長さＴ11、Ｔ21及び第２の端面Ｐ12、Ｐ22の先端長さＴ
12、Ｔ22等の各寸法は、図１〜図３の実施例で述べたよ
うな基準で定めるが、薄膜磁気ヘッドでは、後退量ｄ
１、ｄ２が０．０１〜１μm の範囲、先端長さＴ11、Ｔ
21が０．５μm 以下の範囲が最もバランスがよい。
【００２３】上述の薄膜磁気ヘッドは、トランスジュー
サ部分を積層形成した後、最終工程において、ポールの
現われている空気ベアリング面に、ミリングエッチング
またはケミカルエッチング等のエッチング工程を施すこ
とによって製造できる。
サ部分を積層形成した後、最終工程において、ポールの
現われている空気ベアリング面に、ミリングエッチング
またはケミカルエッチング等のエッチング工程を施すこ
とによって製造できる。
【００２４】図４では薄膜磁気ヘッドを例にとって説明
したが、他の磁気ヘッド、例えばモノリシック型磁気ヘ
ッドやコンポジット型磁気ヘッド等にも本発明は同様に
適用できる。
したが、他の磁気ヘッド、例えばモノリシック型磁気ヘ
ッドやコンポジット型磁気ヘッド等にも本発明は同様に
適用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）変換ギャップを間に挟んで向き合う一対のポール
の少なくとも一方は、ポール端面が第１の端面と第２の
端面とを含み、変換ギャップから離れている第２の端面
が第１の端面から後退しているから、ポール磁界分布及
び再生波形を鋭化し、高密度記録に適した磁気ヘッドを
提供できる。 （ｂ）ポール磁界分布及び再生波形の鋭化と共に、書き
込み能力を確保し、オーバライト特性の優れた高密度記
録用磁気ヘッドを提供できる。 （ｃ）ポールの少なくとも一方は、エッチング速度の異
なる複数種の金属膜の積層体で構成され、エッチング速
度の速い金属膜がエッチング速度の遅い金属膜よりも変
換ギャップから離れた位置に積層され、第１の端面がエ
ッチング速度の遅い金属膜で構成され、第２の端面がエ
ッチング速度の速い金属膜で構成されているから、第２
の端面が第１の端面から後退しているポール構造を、ド
ライエッチングまたはケミカルエッチング等のエッチン
グ工程によって容易に実現し得る製造の容易な磁気ヘッ
ドを提供できる。
のような効果が得られる。 （ａ）変換ギャップを間に挟んで向き合う一対のポール
の少なくとも一方は、ポール端面が第１の端面と第２の
端面とを含み、変換ギャップから離れている第２の端面
が第１の端面から後退しているから、ポール磁界分布及
び再生波形を鋭化し、高密度記録に適した磁気ヘッドを
提供できる。 （ｂ）ポール磁界分布及び再生波形の鋭化と共に、書き
込み能力を確保し、オーバライト特性の優れた高密度記
録用磁気ヘッドを提供できる。 （ｃ）ポールの少なくとも一方は、エッチング速度の異
なる複数種の金属膜の積層体で構成され、エッチング速
度の速い金属膜がエッチング速度の遅い金属膜よりも変
換ギャップから離れた位置に積層され、第１の端面がエ
ッチング速度の遅い金属膜で構成され、第２の端面がエ
ッチング速度の速い金属膜で構成されているから、第２
の端面が第１の端面から後退しているポール構造を、ド
ライエッチングまたはケミカルエッチング等のエッチン
グ工程によって容易に実現し得る製造の容易な磁気ヘッ
ドを提供できる。
【図１】本発明に係る磁気ヘッドのポール部分の構造と
その磁界分布を示す図である。
その磁界分布を示す図である。
【図２】本発明に係る磁気ヘッドのポール部分の構造と
再生波形とを示す図である。
再生波形とを示す図である。
【図３】本発明に係る磁気ヘッドのポール部分の別の構
造とその再生波形を示す図である。
造とその再生波形を示す図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのトランスジュー
サ部分の断面図である。
サ部分の断面図である。
【図５】従来の磁気ヘッドの基本的な構造と書き込み時
の磁界分布を示す図である。
の磁界分布を示す図である。
【図６】従来の磁気ヘッドとその再生波形を示す図であ
る。
る。
Ｐ１、Ｐ２・・・・・・・・・ポール Ｐ01、 Ｐ02、Ｐ03、 Ｐ04・・・金属膜 Ｐ11、Ｐ21・・・・・・・・・第１の端面 Ｐ12、Ｐ22・・・・・・・・・第２の端面 Ｇ・・・・・・・・・・・・・変換ギャップ
Claims (5)
- 【請求項１】 変換ギャップを間に挟んで向き合う一対
のポールを有する磁気ヘッドであって、 前記ポールの少なくとも一方は、エッチング速度の異な
る複数種の金属膜の積層体で構成され、エッチング速度
の速い金属膜がエッチング速度の遅い金属膜よりも前記
変換ギャップから離れた位置に積層され、ポール端面が
第１の端面と第２の端面とを有し、前記第１の端面が前
記エッチング速度の遅い金属膜で構成され、前記第２の
端面が前記エッチング速度の速い金属膜で構成され前記
第１の端面から後退していることを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記ポールの一方は、媒体流出端側のポ
ールであることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 前記ポール、前記変換ギャップ及びこれ
らと共に磁気回路を構成するコイルが薄膜であることを
特徴とする請求項１、２、３または４に記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 スライダを含み、前記ポール端面は前記
スライダの空気ベアリング面に現われている請求項１、
２または３に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 変換ギャップを間に挟んで向き合う一対
のポールを有する磁気ヘッドを製造する方法であって、 前記ポールの少なくとも一方は、エッチング速度の異な
る複数種の金属膜の積層体で構成し、エッチング速度の
速い金属膜はエッチング速度の遅い金属膜よりも前記変
換ギャップから離れた位置に積層して設け、 ポール端面にエッチング処理を施すことにより、エッチ
ング速度の速い金属膜の端面を、エッチング速度の遅い
金属膜の端面から後退させることを特徴とする磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22652491A JPH0546934A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22652491A JPH0546934A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546934A true JPH0546934A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16846481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22652491A Withdrawn JPH0546934A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633453B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Shallow recessed T-head with reduced side-writing and method for making the same |
| US7068467B2 (en) | 1998-07-23 | 2006-06-27 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus including the same |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP22652491A patent/JPH0546934A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068467B2 (en) | 1998-07-23 | 2006-06-27 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus including the same |
| US7382576B2 (en) | 1998-07-23 | 2008-06-03 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus including the same |
| US6633453B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Shallow recessed T-head with reduced side-writing and method for making the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |