JPH0543176B2 - - Google Patents
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- JPH0543176B2 JPH0543176B2 JP60010462A JP1046285A JPH0543176B2 JP H0543176 B2 JPH0543176 B2 JP H0543176B2 JP 60010462 A JP60010462 A JP 60010462A JP 1046285 A JP1046285 A JP 1046285A JP H0543176 B2 JPH0543176 B2 JP H0543176B2
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- JP
- Japan
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- etching
- jig
- wafer
- wafers
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウエハを高精度にエツチングす
る方法に関する。
る方法に関する。
半導体ウエハは、シリコンインゴツトをスライ
スした後、ラツピング工程、ベベリング工程、エ
ツチング工程及び鏡面ポリシング工程等を経て製
造され、更にウエハ中に半導体デバイスを作り込
むいわゆるウエハプロセスに投入される。近年、
デバイスの高集積化は益々推進されており、これ
に対応してウエハには高平坦度が要求されるよう
になつてきている。
スした後、ラツピング工程、ベベリング工程、エ
ツチング工程及び鏡面ポリシング工程等を経て製
造され、更にウエハ中に半導体デバイスを作り込
むいわゆるウエハプロセスに投入される。近年、
デバイスの高集積化は益々推進されており、これ
に対応してウエハには高平坦度が要求されるよう
になつてきている。
ところで、上述した工程のうち、鏡面加工の前
に行なわれるエツチング処理は、加工代を大きく
とる必要があるため、平坦度を維持することが困
難である。
に行なわれるエツチング処理は、加工代を大きく
とる必要があるため、平坦度を維持することが困
難である。
従来、半導体ウエハのエツチング工程では、エ
ツチング槽内に、多数のウエハが収容されたキヤ
リヤを浸し、ウエハをローラー方式により回転さ
せるなどしてエツチングの均一化が図られてき
た。
ツチング槽内に、多数のウエハが収容されたキヤ
リヤを浸し、ウエハをローラー方式により回転さ
せるなどしてエツチングの均一化が図られてき
た。
しかし、上述した従来の方法では設定可能な回
転数の範囲が狭く、しかもウエハの特定部位がキ
ヤリヤと接触するためにエツチングむらが発生す
る等の問題があつた。このため、エツチングの精
度をそれほど向上させることができなかつた。
転数の範囲が狭く、しかもウエハの特定部位がキ
ヤリヤと接触するためにエツチングむらが発生す
る等の問題があつた。このため、エツチングの精
度をそれほど向上させることができなかつた。
本発明は上記問題点を解消するためになされた
ものであり、エツチングむら等のない極めて高精
度なエツチングを行なえる方法を提供しようとす
るものである。
ものであり、エツチングむら等のない極めて高精
度なエツチングを行なえる方法を提供しようとす
るものである。
〔発明の概要〕
本発明の高精度エツチング方法は、多数の半導
体ウエハを、ウエハが回転軸を横切る方向に移動
自由な、ウエハの直径より大きい内径を有する円
筒状の容器に収容して、該容器をエツチング液に
浸し、該容器を回転させるとともに上下動させ
て、収容されたウエハを自転させるとともに該容
器の回転軸に対してウエハを上下動させることを
特徴とするものである。
体ウエハを、ウエハが回転軸を横切る方向に移動
自由な、ウエハの直径より大きい内径を有する円
筒状の容器に収容して、該容器をエツチング液に
浸し、該容器を回転させるとともに上下動させ
て、収容されたウエハを自転させるとともに該容
器の回転軸に対してウエハを上下動させることを
特徴とするものである。
このような方法によれば、エツチング液の攪拌
が良好に行われるとともに、ウエハが自転をしな
がら、容器の上下動につれて容器内をその回転軸
を横切る方向に上下動するので、ウエハの特定部
分のみが治具と接触しつづけるようなことがなく
なる。この結果、ウエハ表面すべてを極めて高精
度にエツチングすることができる。
が良好に行われるとともに、ウエハが自転をしな
がら、容器の上下動につれて容器内をその回転軸
を横切る方向に上下動するので、ウエハの特定部
分のみが治具と接触しつづけるようなことがなく
なる。この結果、ウエハ表面すべてを極めて高精
度にエツチングすることができる。
以下、本発明の実施例を第１図ａ及びｂを参照
して説明する。
して説明する。
第１図ａは、本発明方法に用いられるエツチン
グ治具を示すものである。エツチング治具本体１
は半円筒形状の２つの部分をヒンジを介して連結
して、ほぼ円筒形状をなすものである。この本体
１は骨格のみを有し、内部にはエツチング液が自
由に流通する。また、本体１内には半導体ウエハ
を１枚つづ隔離するためのガイド２、…が本体１
の長手方向に沿つて等間隔に多数設けられてい
る。このガイド２、…はエツチング液の流通を妨
げないような枠状のものである。更に、本体１の
両端面には、駆動部に連結される軸３，３が設け
られている。半導体ウエハ４、…はガイド２、…
間の溝内に収容される。前記エツチング治具本体
１の内径はウエハ４、…の直径よりも大きく、ウ
エハ４、…がガイド２、…間の溝内で、治具の回
転時を横切る面内で自由に移動でき、かつ自由に
回転できるようになつている。
グ治具を示すものである。エツチング治具本体１
は半円筒形状の２つの部分をヒンジを介して連結
して、ほぼ円筒形状をなすものである。この本体
１は骨格のみを有し、内部にはエツチング液が自
由に流通する。また、本体１内には半導体ウエハ
を１枚つづ隔離するためのガイド２、…が本体１
の長手方向に沿つて等間隔に多数設けられてい
る。このガイド２、…はエツチング液の流通を妨
げないような枠状のものである。更に、本体１の
両端面には、駆動部に連結される軸３，３が設け
られている。半導体ウエハ４、…はガイド２、…
間の溝内に収容される。前記エツチング治具本体
１の内径はウエハ４、…の直径よりも大きく、ウ
エハ４、…がガイド２、…間の溝内で、治具の回
転時を横切る面内で自由に移動でき、かつ自由に
回転できるようになつている。
上記エツチング治具を用いたエツチングは、第
１図ｂに示す如く半導体ウエハ４、…を収容した
後、エツチング治具ごとエツチング槽５内のエツ
チング液６に浸し、前記軸３，３を介して図示し
ない回転駆動機構及び上下動機構の動力を受け、
エツチング治具を回転及び上下動させ、その結
果、半導体ウエハ４、…を自転させるとともに、
治具の上下動によつてウエハ４を治具内周および
ガイドで囲まれた範囲内で、治具に対して上下動
させることにより行われる。
１図ｂに示す如く半導体ウエハ４、…を収容した
後、エツチング治具ごとエツチング槽５内のエツ
チング液６に浸し、前記軸３，３を介して図示し
ない回転駆動機構及び上下動機構の動力を受け、
エツチング治具を回転及び上下動させ、その結
果、半導体ウエハ４、…を自転させるとともに、
治具の上下動によつてウエハ４を治具内周および
ガイドで囲まれた範囲内で、治具に対して上下動
させることにより行われる。
しかして上記方法によれば、エツチング液６中
でエツチング治具自体を回転させるので、エツチ
ング液６の撹拌が速やかに行なわれる。また、治
具の内径がウエハの直径より十分に大きいので治
具の回転方向への動きが容易になるため、ウエハ
４、…の回転がスムーズで、かつ設定可能な回転
数の範囲が広く、容易にエツチングの適性条件を
設定することができる。更に、ウエハ４、…がガ
イド２、…に対して相対的に回転および移動する
ので、ウエハ４、…の特定部分のみがガイド２、
…と接触することがない。したがつて、ウエハ面
内及びウエハ間でエツチングが均一に進行し、極
めて高精度のエツチングを行なうことができる。
でエツチング治具自体を回転させるので、エツチ
ング液６の撹拌が速やかに行なわれる。また、治
具の内径がウエハの直径より十分に大きいので治
具の回転方向への動きが容易になるため、ウエハ
４、…の回転がスムーズで、かつ設定可能な回転
数の範囲が広く、容易にエツチングの適性条件を
設定することができる。更に、ウエハ４、…がガ
イド２、…に対して相対的に回転および移動する
ので、ウエハ４、…の特定部分のみがガイド２、
…と接触することがない。したがつて、ウエハ面
内及びウエハ間でエツチングが均一に進行し、極
めて高精度のエツチングを行なうことができる。
なお、上記実施例では半導体ウエハをそのまま
収容し得る専用のエツチング治具を用いたが、第
２図ａ及びｂに示す如く、エツチング治具本体１
１の内部にウエハキヤリヤの固定部１２，１２及
びウエハのストツパー１３を設けるとともに、本
体１１の端面に駆動部に連結される軸１４，１４
を設けたエツチング治具を用いてもよい。
収容し得る専用のエツチング治具を用いたが、第
２図ａ及びｂに示す如く、エツチング治具本体１
１の内部にウエハキヤリヤの固定部１２，１２及
びウエハのストツパー１３を設けるとともに、本
体１１の端面に駆動部に連結される軸１４，１４
を設けたエツチング治具を用いてもよい。
このようなエツチング治具を用いた場合、その
内部に多数のウエハ１５、…を収容したウエハキ
ヤリヤ１６を装填した後、上記実施例のエツチン
グ治具と同様にエツチング液中に浸し、治具自体
を回転及び上下動させ、その結果、半導体ウエハ
１５、…を自転させるとともに、治具を上下動に
よつてウエハ１５を治具内周およびガイドで囲ま
れた範囲内で、治具に対して上下動させることに
よりエツチングを行なう。
内部に多数のウエハ１５、…を収容したウエハキ
ヤリヤ１６を装填した後、上記実施例のエツチン
グ治具と同様にエツチング液中に浸し、治具自体
を回転及び上下動させ、その結果、半導体ウエハ
１５、…を自転させるとともに、治具を上下動に
よつてウエハ１５を治具内周およびガイドで囲ま
れた範囲内で、治具に対して上下動させることに
よりエツチングを行なう。
このようなエツチング治具を用いた場合でも上
記実施例と全く同様な効果を得ることができる。
記実施例と全く同様な効果を得ることができる。
以上詳述した如く本発明方法によれば、半導体
ウエハを高精度にエツチングすることができ、半
導体製品の歩留りを大きく向上できる等顕著な効
果を奏するものである。
ウエハを高精度にエツチングすることができ、半
導体製品の歩留りを大きく向上できる等顕著な効
果を奏するものである。
第１図ａは本発明の実施例において用いられる
エツチング治具の断面図、同図ｂは本発明の実施
例におけるエツチング方法を示す説明図、第２図
ａは本発明の他の実施例において用いられるエツ
チング治具の断面図、同図ｂは本発明の他の実施
例におけるエツチング方法を示す説明図である。 １，１１……エツチング治具本体、２……ガイ
ド、３，１４……軸、４，１５……半導体ウエ
ハ、５……エツチング槽、６……エツチング液、
１２……固定部、１３……ストツパー、１６……
ウエハキヤリヤ。
エツチング治具の断面図、同図ｂは本発明の実施
例におけるエツチング方法を示す説明図、第２図
ａは本発明の他の実施例において用いられるエツ
チング治具の断面図、同図ｂは本発明の他の実施
例におけるエツチング方法を示す説明図である。 １，１１……エツチング治具本体、２……ガイ
ド、３，１４……軸、４，１５……半導体ウエ
ハ、５……エツチング槽、６……エツチング液、
１２……固定部、１３……ストツパー、１６……
ウエハキヤリヤ。
Claims (1)
- １ 多数の半導体ウエハを、ウエハが回転軸を横
切る方向に移動自由な、ウエハの直径より大きい
内径を有する円筒状の容器に収容して、該容器を
エツチング液に浸し、該容器を回転させるととも
に上下動させて、収容されたウエハを自転させる
とともに該容器の回転軸に対してウエハを上下動
させることを特徴とする高精度エツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046285A JPS61170035A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 高精度エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046285A JPS61170035A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 高精度エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170035A JPS61170035A (ja) | 1986-07-31 |
| JPH0543176B2 true JPH0543176B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=11750798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1046285A Granted JPS61170035A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 高精度エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61170035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11066277B2 (en) | 2018-04-25 | 2021-07-20 | Otis Elevator Company | Gap-reducing sill assembly for an elevator car |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50188A (ja) * | 1973-04-24 | 1975-01-06 | ||
| JPS5521165A (en) * | 1978-08-01 | 1980-02-15 | Nec Corp | Wafer processing device |
| JPS58157136A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-19 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
| JPS602830B2 (ja) * | 1976-12-09 | 1985-01-24 | ソニー株式会社 | 映像信号の記録方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5678246U (ja) * | 1979-11-06 | 1981-06-25 | ||
| JPS59169042U (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 液処理装置 |
| JPS602830U (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-10 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハのエツチング槽 |
-
1985
- 1985-01-23 JP JP1046285A patent/JPS61170035A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50188A (ja) * | 1973-04-24 | 1975-01-06 | ||
| JPS602830B2 (ja) * | 1976-12-09 | 1985-01-24 | ソニー株式会社 | 映像信号の記録方法 |
| JPS5521165A (en) * | 1978-08-01 | 1980-02-15 | Nec Corp | Wafer processing device |
| JPS58157136A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-19 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11066277B2 (en) | 2018-04-25 | 2021-07-20 | Otis Elevator Company | Gap-reducing sill assembly for an elevator car |
| US11760606B2 (en) | 2018-04-25 | 2023-09-19 | Otis Elevator Company | Gap-reducing sill assembly for an elevator car |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61170035A (ja) | 1986-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |