JPH0541538A - 半導体発光素子及び光双安定素子 - Google Patents
半導体発光素子及び光双安定素子Info
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- JPH0541538A JPH0541538A JP19437691A JP19437691A JPH0541538A JP H0541538 A JPH0541538 A JP H0541538A JP 19437691 A JP19437691 A JP 19437691A JP 19437691 A JP19437691 A JP 19437691A JP H0541538 A JPH0541538 A JP H0541538A
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- semiconductor
- semiconductor layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザの閾値を低くすると共に、室温での負性
抵抗特性の劣化を防ぐこと。 【構成】レーザは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層２、ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＧａＡｌＡｓ層と
を交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層３、ｐ
型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層５を順
次積層した構造を有している。さらに、前記クラッド層
２と活性層３の間に、ＩｎＧａＡｓＰガイド層８が挿入
形成され、また、前記活性層３とクラッド層４の間に、
ＩｎＧａＡｓＰガイド層１１が挿入形成される。そし
て、前記ガイド層８と前記活性層３の間に、量子井戸層
となるＩｎＧａＡｓＰ層１０と、障壁層となるＩｎＡｌ
Ａｓ層９とが挿入形成される。
抵抗特性の劣化を防ぐこと。 【構成】レーザは、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰ
クラッド層２、ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＧａＡｌＡｓ層と
を交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層３、ｐ
型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層５を順
次積層した構造を有している。さらに、前記クラッド層
２と活性層３の間に、ＩｎＧａＡｓＰガイド層８が挿入
形成され、また、前記活性層３とクラッド層４の間に、
ＩｎＧａＡｓＰガイド層１１が挿入形成される。そし
て、前記ガイド層８と前記活性層３の間に、量子井戸層
となるＩｎＧａＡｓＰ層１０と、障壁層となるＩｎＡｌ
Ａｓ層９とが挿入形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、共鳴トンネル効果を利
用した半導体発光素子及び光双安定性を有する光双安定
素子に関する。
用した半導体発光素子及び光双安定性を有する光双安定
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光双安定素子をはじめとする光機
能素子は、将来の光情報処理システムに於けるキーデバ
イスとして盛んに研究が行なわれている。これまでに、
光非線形効果、量子閉じ込めシュタルク効果、あるいは
サイリスタ効果を用いた素子が報告されている。
能素子は、将来の光情報処理システムに於けるキーデバ
イスとして盛んに研究が行なわれている。これまでに、
光非線形効果、量子閉じ込めシュタルク効果、あるいは
サイリスタ効果を用いた素子が報告されている。
【０００３】また、最近、本発明者等は、共鳴トンネル
効果による負性抵抗（ＮＤＲ）を用いた新しいタイプの
双安定レーザを開発した（特願昭６２−１２８８１４
号）。この素子は、レーザの活性層に共鳴トンネル素子
を集積した構造を有している。
効果による負性抵抗（ＮＤＲ）を用いた新しいタイプの
双安定レーザを開発した（特願昭６２−１２８８１４
号）。この素子は、レーザの活性層に共鳴トンネル素子
を集積した構造を有している。
【０００４】図４の（Ｂ）は、その構造を示す図であ
る。同図に於いて、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、３は共鳴トンネル素子を兼ねたＩｎＧａ
Ａｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性
層、４はｐ型ＩｎＰクラッド層、５はｐ型ＩｎＧａＡｓ
電極層である。また、６はｎ型電極、７はｐ型電極であ
る。
る。同図に於いて、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、３は共鳴トンネル素子を兼ねたＩｎＧａ
Ａｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性
層、４はｐ型ＩｎＰクラッド層、５はｐ型ＩｎＧａＡｓ
電極層である。また、６はｎ型電極、７はｐ型電極であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような構造の双安
定レーザは、活性層に共鳴トンネル効果による負性抵抗
特性を持たせるために、ＭＱＷ活性層３のバリア層を厚
くしている。
定レーザは、活性層に共鳴トンネル効果による負性抵抗
特性を持たせるために、ＭＱＷ活性層３のバリア層を厚
くしている。
【０００６】しかしながら、この場合、バリア層厚を厚
くすることにより、レーザの閾値が高くなり、またこの
構造では、電子がホットな状態から活性層３に注入され
るため、室温での負性抵抗特性が劣化し、室温双安定動
作が得にくいという問題を有している。
くすることにより、レーザの閾値が高くなり、またこの
構造では、電子がホットな状態から活性層３に注入され
るため、室温での負性抵抗特性が劣化し、室温双安定動
作が得にくいという問題を有している。
【０００７】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、レーザの閾値を低くすると共に、室温での負性抵抗
特性の劣化を防ぐことを目的とするものである。
で、レーザの閾値を低くすると共に、室温での負性抵抗
特性の劣化を防ぐことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第１の導電型（例えばｎ型）のＩｎＰ半導体基板
上に、クラッド層となる第１の導電型を有する第１の半
導体層、活性層となる第２の半導体層、クラッド層とな
る第２の導電型（例えばｐ型）を有する第３の半導体
層、電極となる第２の導電型を有する第４の半導体層を
順次積層した構造の半導体発光素子、あるいはそのよう
な半導体発光素子にフォトトランジスタを直列に結合し
てなる光双安定素子に於いて、前記第１の半導体層と第
２の半導体層の間に挿入形成され、Ｉｎ(1-x) Ｇａx Ａ
ｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）からなる、ガイ
ド層となる第５の半導体層と、前記第２の半導体層と第
３の半導体層の間に挿入形成され、Ｉｎ(1-x) Ｇａx Ａ
ｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）からなる、ガイ
ド層となる第６の半導体層と、ガイド層となる前記第５
の半導体層と活性層となる前記第２の半導体層の間に挿
入形成され、Ｉｎ1-a Ｇａa Ａｓ1-b Ｐb （０＜ａ，ｂ
＜１）を量子井戸層とし、Ｉｎ1-w Ａｌw Ａｓ（０＜ｗ
＜１）を障壁層とする少なくとも一つ以上の量子井戸層
を有する共鳴トンネル素子とを具備することを特徴とし
ている。
めに、第１の導電型（例えばｎ型）のＩｎＰ半導体基板
上に、クラッド層となる第１の導電型を有する第１の半
導体層、活性層となる第２の半導体層、クラッド層とな
る第２の導電型（例えばｐ型）を有する第３の半導体
層、電極となる第２の導電型を有する第４の半導体層を
順次積層した構造の半導体発光素子、あるいはそのよう
な半導体発光素子にフォトトランジスタを直列に結合し
てなる光双安定素子に於いて、前記第１の半導体層と第
２の半導体層の間に挿入形成され、Ｉｎ(1-x) Ｇａx Ａ
ｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）からなる、ガイ
ド層となる第５の半導体層と、前記第２の半導体層と第
３の半導体層の間に挿入形成され、Ｉｎ(1-x) Ｇａx Ａ
ｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）からなる、ガイ
ド層となる第６の半導体層と、ガイド層となる前記第５
の半導体層と活性層となる前記第２の半導体層の間に挿
入形成され、Ｉｎ1-a Ｇａa Ａｓ1-b Ｐb （０＜ａ，ｂ
＜１）を量子井戸層とし、Ｉｎ1-w Ａｌw Ａｓ（０＜ｗ
＜１）を障壁層とする少なくとも一つ以上の量子井戸層
を有する共鳴トンネル素子とを具備することを特徴とし
ている。
【０００９】
【作用】即ち、本発明の半導体発光素子及び光双安定素
子では、第１の半導体層と第２の半導体層の間にＩｎ
(1-x) Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）
からなるガイド層となる第５の半導体層を挿入形成し、
且つ第２の半導体層と第３の半導体層の間にＩｎ(1-x)
Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）からな
るガイド層となる第６の半導体層を挿入形成すると共
に、ガイド層となる前記第５の半導体層と活性層となる
前記第２の半導体層の間にＩｎ1-a Ｇａa Ａｓ1-b Ｐb
（０＜ａ，ｂ＜１）を量子井戸層とし、Ｉｎ1-w Ａｌw
Ａｓ（０＜ｗ＜１）を障壁層とする少なくとも一つ以上
の量子井戸層を有する共鳴トンネル素子を挿入形成する
ことにより、活性層となる第２の半導体層に注入される
電子はホットな状態ではなく、共鳴トンネル効果による
負性抵抗特性が明瞭とり、また、活性層部の障壁層厚を
厚くする必要がないため、レーザの低閾値化が可能とな
る。
子では、第１の半導体層と第２の半導体層の間にＩｎ
(1-x) Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）
からなるガイド層となる第５の半導体層を挿入形成し、
且つ第２の半導体層と第３の半導体層の間にＩｎ(1-x)
Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，ｙ＜１）からな
るガイド層となる第６の半導体層を挿入形成すると共
に、ガイド層となる前記第５の半導体層と活性層となる
前記第２の半導体層の間にＩｎ1-a Ｇａa Ａｓ1-b Ｐb
（０＜ａ，ｂ＜１）を量子井戸層とし、Ｉｎ1-w Ａｌw
Ａｓ（０＜ｗ＜１）を障壁層とする少なくとも一つ以上
の量子井戸層を有する共鳴トンネル素子を挿入形成する
ことにより、活性層となる第２の半導体層に注入される
電子はホットな状態ではなく、共鳴トンネル効果による
負性抵抗特性が明瞭とり、また、活性層部の障壁層厚を
厚くする必要がないため、レーザの低閾値化が可能とな
る。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００１１】図１は、本発明の半導体発光素子の一実施
例としてのレーザの構造を示す図である。同図に於い
て、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰクラッド層、
３はＩｎＧａＡｓ層とＩｎＧａＡｌＡｓ層とを交互に積
層してなるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ多重量子井
戸（ＭＱＷ）活性層、４はｐ型ＩｎＰクラッド層、５は
ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層、６はｎ型電極、７はｐ型電極
である。また、８はＩｎＧａＡｓＰガイド層、９は共鳴
トンネル素子の障壁層となるＩｎＡｌＡｓ層、１０は共
鳴トンネル素子の量子井戸層となるＩｎＧａＡｓＰ層、
１１はＩｎＧａＡｓＰガイド層である。
例としてのレーザの構造を示す図である。同図に於い
て、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰクラッド層、
３はＩｎＧａＡｓ層とＩｎＧａＡｌＡｓ層とを交互に積
層してなるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ多重量子井
戸（ＭＱＷ）活性層、４はｐ型ＩｎＰクラッド層、５は
ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層、６はｎ型電極、７はｐ型電極
である。また、８はＩｎＧａＡｓＰガイド層、９は共鳴
トンネル素子の障壁層となるＩｎＡｌＡｓ層、１０は共
鳴トンネル素子の量子井戸層となるＩｎＧａＡｓＰ層、
１１はＩｎＧａＡｓＰガイド層である。
【００１２】ここで、障壁層９の厚さは５０オングスロ
ーム、量子井戸層１０の厚さは６０オングストロームと
している。ＭＱＷ活性層３の量子井戸幅は８０オングス
トローム、障壁幅は３０オングストロームであり、ＭＱ
Ｗ層は６周期としている。また、ｎ型，ｐ型のドーピン
グ濃度は、１×１０18ｃｍ-3である。
ーム、量子井戸層１０の厚さは６０オングストロームと
している。ＭＱＷ活性層３の量子井戸幅は８０オングス
トローム、障壁幅は３０オングストロームであり、ＭＱ
Ｗ層は６周期としている。また、ｎ型，ｐ型のドーピン
グ濃度は、１×１０18ｃｍ-3である。
【００１３】このような構造にした場合、ＩｎＧａＡｓ
Ｐガイド層８，１１を用いているため、活性層３に注入
される電子はホットな状態ではなく、共鳴トンネル効果
による負性抵抗特性が明瞭となる。また、活性層部の障
壁層厚を厚くする必要がないため、レーザの低閾値化に
有利である。
Ｐガイド層８，１１を用いているため、活性層３に注入
される電子はホットな状態ではなく、共鳴トンネル効果
による負性抵抗特性が明瞭となる。また、活性層部の障
壁層厚を厚くする必要がないため、レーザの低閾値化に
有利である。
【００１４】図２の（Ａ）は、図１の構造のレーザの室
温に於ける電流−電圧特性を示す図である。同図から、
室温に於いても、きわめて明瞭な共鳴トンネル効果によ
る負性抵抗特性が得られていることが見られる。また、
レーザの発振閾値も室温で３０ｍＡと、従来構造に比較
してきわめて小さい。
温に於ける電流−電圧特性を示す図である。同図から、
室温に於いても、きわめて明瞭な共鳴トンネル効果によ
る負性抵抗特性が得られていることが見られる。また、
レーザの発振閾値も室温で３０ｍＡと、従来構造に比較
してきわめて小さい。
【００１５】図３は、図１の構造のレーザにフォトトラ
ンジスタ１２を直列に結合した本発明の光双安定素子の
一実施例の構成を示す図である。なお、同図に於いて、
１３は外部電源である。
ンジスタ１２を直列に結合した本発明の光双安定素子の
一実施例の構成を示す図である。なお、同図に於いて、
１３は外部電源である。
【００１６】このような構成の光双安定素子に於けるフ
ォトトランジスタ１２に光を入射した場合に得られるレ
ーザ出力とフォトトランジスタ１２への光入力との間の
双安定特性は、図２の（Ｂ）に示すようになる。
ォトトランジスタ１２に光を入射した場合に得られるレ
ーザ出力とフォトトランジスタ１２への光入力との間の
双安定特性は、図２の（Ｂ）に示すようになる。
【００１７】図３の構成に於いて、双安定性が得られる
ことを、図４の（Ａ）を参照して説明する。同図に於い
て、曲線（Ａ）は、実施例のレーザの電流−電圧特性を
示し、曲線（Ｂ）は、フォトトランジスタ１２のコレク
タ電流−コレクタ・エミッタ間電圧（Ｉc −Ｖce）特性
を示している。また、同図に於いて、Ｖ0 は、フォトト
ランジスタ１２に印加した電圧（一定）であり、このＶ
0 を原点（ゼロバイアス）とし、左側を順バイアス状態
として表わしてある。
ことを、図４の（Ａ）を参照して説明する。同図に於い
て、曲線（Ａ）は、実施例のレーザの電流−電圧特性を
示し、曲線（Ｂ）は、フォトトランジスタ１２のコレク
タ電流−コレクタ・エミッタ間電圧（Ｉc −Ｖce）特性
を示している。また、同図に於いて、Ｖ0 は、フォトト
ランジスタ１２に印加した電圧（一定）であり、このＶ
0 を原点（ゼロバイアス）とし、左側を順バイアス状態
として表わしてある。
【００１８】今、光入力がＰ１で、その時のＩc −Ｖce
特性がＢ１であり、安定点がａ点（高電流状態）である
とする。光入力がＰ１からＰ２へ増加すると、Ｉc −Ｖ
ce特性はＢ２となり、安定点はｂ’点（低電流状態）へ
移行し、光入力がＰ１へ戻ると、安定点はｂ点となる。
次に、光入力をＰ１からＰ３へ減少させると、Ｉc −Ｖ
ce特性はＢ３となり、安定点はａ’点へ移行し、光入力
がＰ１へ戻ると、安定点は再びａ点に戻る。ここで、ａ
点でレーザが発信し、ｂ点で発振が停止するように設定
することで、図２の（Ｂ）に示すような双安定特性が得
られる。同図から、室温に於いてＯＮ／ＯＦＦ比１０ｄ
Ｂ以上の双安定特性が得られていることがみられる。
特性がＢ１であり、安定点がａ点（高電流状態）である
とする。光入力がＰ１からＰ２へ増加すると、Ｉc −Ｖ
ce特性はＢ２となり、安定点はｂ’点（低電流状態）へ
移行し、光入力がＰ１へ戻ると、安定点はｂ点となる。
次に、光入力をＰ１からＰ３へ減少させると、Ｉc −Ｖ
ce特性はＢ３となり、安定点はａ’点へ移行し、光入力
がＰ１へ戻ると、安定点は再びａ点に戻る。ここで、ａ
点でレーザが発信し、ｂ点で発振が停止するように設定
することで、図２の（Ｂ）に示すような双安定特性が得
られる。同図から、室温に於いてＯＮ／ＯＦＦ比１０ｄ
Ｂ以上の双安定特性が得られていることがみられる。
【００１９】なお、上記実施例では、半導体基板１の材
料としてＩｎＰを用いた場合につき説明したが、ＧａＡ
ｓ基板やＳｉ基板も利用できることは勿論である。
料としてＩｎＰを用いた場合につき説明したが、ＧａＡ
ｓ基板やＳｉ基板も利用できることは勿論である。
【００２０】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々の応用変形が可能なことは言うまでもない。
で、種々の応用変形が可能なことは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
レーザの閾値を低くすると共に、室温での負性抵抗特性
の劣化を防ぐことができる。
レーザの閾値を低くすると共に、室温での負性抵抗特性
の劣化を防ぐことができる。
【００２２】即ち、室温で双安定動作するレーザが得ら
れることから、本発明の半導体発光素子及び光双安定素
子は、将来の光情報処理システムのキーデバイスとなり
得る。
れることから、本発明の半導体発光素子及び光双安定素
子は、将来の光情報処理システムのキーデバイスとなり
得る。
【図１】本発明の半導体発光素子の一実施例としてのレ
ーザの構造を説明するための断面図である。
ーザの構造を説明するための断面図である。
【図２】（Ａ）は図１のレーザの電流−電圧特性を示す
線図であり、（Ｂ）は図３の光双安定素子の双安定特性
を示す線図である。
線図であり、（Ｂ）は図３の光双安定素子の双安定特性
を示す線図である。
【図３】本発明の光双安定素子の一実施例の構成を示す
図である。
図である。
【図４】（Ａ）は図３の光双安定素子に於ける双安定動
作を説明するための線図であり、（Ｂ）は従来のレーザ
の構成を示す断面図である。
作を説明するための線図であり、（Ｂ）は従来のレーザ
の構成を示す断面図である。
【符号の説明】 １…ｎ型ＩｎＰ基板、２…ｎ型ＩｎＰクラッド層、３…
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）活性層、４…ｐ型ＩｎＰクラッド層、５…ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓ電極層、６…ｎ型電極、７…ｐ型電極、８…Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層、９…障壁層となるＩｎＡｌＡｓ
層、１０…量子井戸層となるＩｎＧａＡｓＰ層、１１…
ＩｎＧａＡｓＰガイド層。
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）活性層、４…ｐ型ＩｎＰクラッド層、５…ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓ電極層、６…ｎ型電極、７…ｐ型電極、８…Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層、９…障壁層となるＩｎＡｌＡｓ
層、１０…量子井戸層となるＩｎＧａＡｓＰ層、１１…
ＩｎＧａＡｓＰガイド層。
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の導電型のＩｎＰ半導体基板上に、
クラッド層となる第１の導電型を有する第１の半導体
層、活性層となる第２の半導体層、クラッド層となる第
２の導電型を有する第３の半導体層、電極となる第２の
導電型を有する第４の半導体層を順次積層した構造の半
導体発光素子に於いて、 前記第１の半導体層と第２の半導体層の間に挿入形成さ
れ、Ｉｎ(1-x)Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，
ｙ＜１）からなる、ガイド層となる第５の半導体層と、 前記第２の半導体層と第３の半導体層の間に挿入形成さ
れ、Ｉｎ(1-x)Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，
ｙ＜１）からなる、ガイド層となる第６の半導体層と、 ガイド層となる前記第５の半導体層と活性層となる前記
第２の半導体層の間に挿入形成され、Ｉｎ1-a Ｇａa Ａ
ｓ1-b Ｐb （０＜ａ，ｂ＜１）を量子井戸層とし、Ｉｎ
1-w Ａｌw Ａｓ（０＜ｗ＜１）を障壁層とする少なくと
も一つ以上の量子井戸層を有する共鳴トンネル素子と、 を具備することを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 第１の導電型のＩｎＰ半導体基板上に、
クラッド層となる第１の導電型を有する第１の半導体
層、活性層となる第２の半導体層、クラッド層となる第
２の導電型を有する第３の半導体層、電極となる第２の
導電型を有する第４の半導体層を順次積層した構造の半
導体発光素子と、該半導体発光素子に直列に結合したフ
ォトトランジスタとを有する光双安定素子に於いて、 前記第１の半導体層と第２の半導体層の間に挿入形成さ
れ、Ｉｎ(1-x)Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，
ｙ＜１）からなる、ガイド層となる第５の半導体層と、 前記第２の半導体層と第３の半導体層の間に挿入形成さ
れ、Ｉｎ(1-x)Ｇａx Ａｓ(1-y) Ｐy 半導体（０＜ｘ，
ｙ＜１）からなる、ガイド層となる第６の半導体層と、 ガイド層となる前記第５の半導体層と活性層となる前記
第２の半導体層の間に挿入形成され、Ｉｎ1-a Ｇａa Ａ
ｓ1-b Ｐb （０＜ａ，ｂ＜１）を量子井戸層とし、Ｉｎ
1-w Ａｌw Ａｓ（０＜ｗ＜１）を障壁層とする少なくと
も一つ以上の量子井戸層を有する共鳴トンネル素子と、 を具備することを特徴とする光双安定素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19437691A JPH0541538A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体発光素子及び光双安定素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19437691A JPH0541538A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体発光素子及び光双安定素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541538A true JPH0541538A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16323567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19437691A Pending JPH0541538A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体発光素子及び光双安定素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100785772B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-12-18 | 한국전자통신연구원 | 에너지 밴드 구조의 변화를 이용한 반도체 레이저 다이오드 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP19437691A patent/JPH0541538A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100785772B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-12-18 | 한국전자통신연구원 | 에너지 밴드 구조의 변화를 이용한 반도체 레이저 다이오드 |
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