JPH054082U - X線測定装置 - Google Patents

X線測定装置

Info

Publication number
JPH054082U
JPH054082U JP017993U JP1799391U JPH054082U JP H054082 U JPH054082 U JP H054082U JP 017993 U JP017993 U JP 017993U JP 1799391 U JP1799391 U JP 1799391U JP H054082 U JPH054082 U JP H054082U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
soft
detection system
transmission window
spectroscopy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP017993U
Other languages
English (en)
Inventor
武彦 中原
昌夫 越中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP017993U priority Critical patent/JPH054082U/ja
Publication of JPH054082U publication Critical patent/JPH054082U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 X線エネルギーが1KeV以下の軟X線を効
率よく測定でき、さらに、取り付けられる装置の真空を
ほとんど汚すことなくX線分光・検出系を取り付けるこ
とが可能なX線測定装置を得る。 【構成】 X線分光・検出系100と、このX線分光・
検出系100に取り外し可能に接続され、少なくとも1
00℃以上の耐熱性を有する軟X線透過窓1により仕
切られた2つの空間Ia、Ibと、この2つの空間I
a、Ibを軟X線透過窓1に差圧がかからないように
同時に真空排気する排気機構21とでX線測定装置を構
成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案はX線測定装置、特に、X線エネルギーが1KeV以下の軟X線を効率 よく測定でき、さらに、取り付けられる装置の真空をほとんど汚すことなくX線 分光・検出系を取り付けることが可能なX線測定装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡にX線分光・検出系を取り付けて 、顕微鏡観察時に同時に試料の元素分析を行なうことが可能となっている。軽元 素から放出される1KeV以下の軟X線を測定するには、通常、波長分散型の分 光素子を有するX線分光・検出系が用いられてきたが、機構が複雑であり、可動 部が多く、分析時間がかかるという問題点があった。そこで、ここ数年、軽元素 から放出される1KeV以下の軟X線も測定可能なエネルギー分散型の半導体検 出素子を有するX線分光・検出系が市販されるようになってきた。例えば、カタ ログ「HIGH PERFORMANCE DETECTOR TECHNOL OGY;LTEM DETECTORS FOR TEM(Link Anal ytical Limited)」が挙げられる。それを図8に示す。図におい て、1は半導体検出素子、2は前記検出素子1を真空に保つための容器、3は前 記検出素子1の前面で光を遮り、かつ軟X線を含むX線を透過する窓、4は検出 素子1からの出力信号を増幅する増幅器、5は検出素子1の信号を真空外に導出 し検出素子1を冷却する熱を外部より導入するロッド、6は前記検出素子1を冷 却するための液体窒素デュア、7はX線分光・検出系を取り外す際に前記検出素 子1を真空に保つためのゲートバルブ、8は前記窓3を取り付ける窓枠である。
【0003】 従来のX線分光・検出系は上記のようになっており、このX線分光・検出系を 図9に示すような超高真空装置9に取り付ける場合、半導体検出素子1がベーキ ングすることが不可能なので、まず、X線分光・検出系を取り外した状態で超高 真空装置9を排気装置10で排気を行ないながらベーキングし、ベーキング終了 後、上記X線分光・検出系を取り付けゲートバルブ7とゲートバルブ11の間の 空間を排気装置12で十分に排気した後にゲートバルブ7とゲートバルブ11を 開け、X線を励起する手段13により励起された試料14から発生するX線を測 定していた。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
従来のX線測定装置は以上のように構成され、上記のようなX線分光・検出系 では、半導体検出素子1がベーキングすることが不可能なので、X線分光・検出 系の真空中に含まれる水の分圧が高く、ゲートバルブ7とゲートバルブ11を開 けると、X線分光・検出系の真空が取り付けられた超高真空装置9の真空を汚す という問題点があった。特に、超高真空装置9では真空中に含まれる水の分圧が 上がり真空が汚れると試料製造機構15により作製される試料14の質が劣化す るという問題点があった。 また、従来のものにおいては、X線エネルギーが1KeV以下の軟X線を測定 することが難しかった。
【0005】 本考案は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、X線エネルギ ーが1KeV以下の軟X線を効率よく測定でき、さらに、取り付けられる装置の 真空をほとんど汚すことなくX線分光・検出系を取り付けることが可能なX線測 定装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本考案に係わるX線測定装置は、X線分光・検出系と、このX線分光・検出系 に取り外し可能に接続され、少なくとも100℃以上の耐熱性を有する軟X線透 過窓により仕切られた2つの空間と、この2つの空間を軟X線透過窓に差圧がか からないように同時に真空排気する真空機構とで構成されたものである。
【0007】 また、本考案の別の考案に係わるX線測定装置は、X線分光・検出系と、この X線分光・検出系に接続され、軟X線透過窓により仕切られた2つの空間と、こ の2つの空間を軟X線透過窓に差圧がかからないように同時に真空排気する真空 機構とで構成されたものである。
【0008】 また、上記各考案において軟X線透過窓が軟X線を透過し、かつ紫外から遠赤 外にわたる電磁波を透過しないようにし、かつ、X線分光・検出系が半導体検出 素子を有するようにするとよい。
【0009】
【作用】
本考案におけるX線測定装置は、軟X線透過窓により仕切られた2つの空間を 軟X線透過窓に差圧がかからないように同時に真空排気できるので、軟X線透過 窓を極力薄くすることが可能であり、それ故X線エネルギーが1KeV以下の軟 X線を効率よく測定できる。 また、X線分光・検出系は2つの空間から取り外しが可能で、かつ軟X線透過 窓は少なくとも100℃以上の耐熱性を有しており、X線分光・検出系を取り外 した際に少なくとも100℃以上のベーキングが行えるので、X線分光・検出系 を取り付ける装置の真空を超高真空にすることができ、さらに、軟X線透過窓が 2つの空間を仕切っているのでX線分光・検出系を取り付けた場合にX線分光・ 検出系側の真空が取り付けられた装置側の真空を汚さない。
【0010】 さらに、本考案の別の考案におけるX線測定装置は、軟X線透過窓により仕切 られた2つの空間を軟X線透過窓に差圧がかからないように同時に真空排気でき るので、軟X線透過窓を極力薄くすることが可能であり、それ故X線エネルギー が1KeV以下の軟X線を効率よく測定できる。
【0011】 また、各考案において、軟X線透過窓が軟X線を透過しかつ紫外から遠赤外に わたる電磁波を透過しないようにすれば、X線分光・検出系が半導体検出素子を 有する場合、紫外から遠赤外にわたる電磁波が測定に影響することがない。
【0012】
【実施例】 実施例1. 図1は本考案の一実施例を示す図であり、図2はX線分光・検出系100を表 す図で一部が断面を示している。1、2、4〜8は上記従来のX線分光・検出系 と全く同一のものであるが、軟X線透過窓3は取り付けられていない。16は軟 X線を透過し、かつ紫外から遠赤外にわたる電磁波を透過しない軟X線透過窓で あり、例えばBC、C、SiC、SiN、BN等の100℃以上の耐熱性を有す るもので構成される。17〜20はゲートバルブ、21は排気装置である。図9 と同様にして図1では超高真空装置9にゲートバルブ11を介して本考案のX線 測定装置を取り付けた状態を示している。
【0013】 上記のように構成されたX線測定装置において、超高真空装置9は超高真空に 引かれた状態で、ゲートバルブ11を介してX線測定装置を取り付ける場合を考 える。まず、X線分光・検出系100をゲートバルブ7において取り外す。次に 、ゲートバルブ17、18を閉じた状態でゲートバルブ19、20を開けて排気 装置21で軟X線透過窓16の両側のそれぞれのゲートバルブで仕切られた空間 Ia、Ibを軟X線透過窓16に差圧がかからないように同時に真空排気する。 そして、軟X線透過窓16とゲートバルブ11、20で囲まれた空間Iaを中心 的にベーキングを行ない、この空間中に存在する水成分を減らす。ベーキングが 終了した後、X線分光・検出系をゲートバルブ7を介して取り付ける。ゲートバ ルブ19、20を閉じ、ゲートバルブ18を開けゲートバルブ7、17、18で 囲まれた空間を排気装置21で十分に排気する。そして、ゲートバルブ18を閉 じ、ゲートバルブ11、19を開け、ゲートバルブ7、17を開ける。この状態 では、X線分光・検出系側の真空と超高真空装置側の真空が軟X線透過窓16に よって分離されているのでX線分光・検出系側の真空中の水成分が超高真空装置 側の真空を汚すことはない。また、上記のように差圧がかからないようにバルブ 操作することで軟X線透過窓16を1000オングストローム程度まで薄くする ことが可能であり、それ故、軟X線が効率よく測定できる。ところで、ゲートバ ルブの開閉手順はこれに限られたものではない。さらに、試料製造機構15によ り試料14を作製する場合、例えば砒化ガリウム(以下GaAs)を作製する場 合、砒素(以下As)が軟X線透過窓16に付着する場合がある。この場合、軟 X線透過窓16を加熱することで付着物質を脱離させることができる。このこと によって、蒸着物質が付着することで軟X透過窓16における軟X線の吸収が増 加するのを防いだり、付着物質の二次蛍光X線が測定の妨害することを防ぐこと ができる。すなわち、本考案のX線測定装置では、X線分光・検出系は上記の一 方のゲートバルブから取り外しが可能で、かつ軟X線透過窓16は少なくとも1 00℃以上の耐熱性を有しており、X線分光・検出系を取り外した際に少なくと も100℃以上のベーキングが行えるので、物質の種類によっては軟X線透過窓 16から付着物質を脱離させることができる。
【0014】 実施例2. 図3は本考案の別の実施例を示す図であり、図4はX線分光・検出系の断面図 を示している。1、2、4、5は上記従来のX線分光・検出系と全く同一のもの であるが、軟X線透過窓3は取り付けられていない。22は半導体検出素子1の 前面で容器2の一部を開閉する機構である。16は軟X線透過窓、17〜20は ゲートバルブ、21は排気装置、23はX線分光・検出系が取り付けられている 真空容器である。図9と同様にして、図3では超高真空装置9にゲートバルブ1 1を介して本考案のX線測定装置を取り付けた状態を示している。
【0015】 上記のように構成されたX線測定装置においては、X線分光・検出系を取り外 す際に、図2のX線分光・検出系ではゲートバルブ7で真空を保つようにしてい たものを、開閉機構22で半導体検出素子を真空に保つようにした以外は上記実 施例1とほぼ同様である。
【0016】 実施例3. 図5は本考案の別の実施例を示す図であり、16は軟X線透過窓、17〜20 はゲートバルブ、21は排気装置、23はX線分光・検出系が取り付けられてい る真空容器、24は分光素子、25は検出器である。図9と同様にして図5では 超高真空装置9にゲートバルブ11を介して本考案のX線測定装置を取り付けた 状態を示している。
【0017】 上記のように構成されたX線測定装置においては、図1及び図3におけるエネ ルギー分散型の半導体検出素子を有したX線分光・検出系を波長分散型の分光素 子を有したX線分光・検出系に換えたものである。本考案のX線測定装置では、 X線分光・検出系を取り外した状態でベーキングすることが可能なので、複雑な 機構を持ち、可動部が多い波長分散型の分光素子を有したX線分光・検出系が焼 き付いて動作しなくなるという問題点を回避できる。
【0018】 実施例4. 図6は本考案の別の実施例を示す図であり、X線分光・検出系は図2と全く同 じ軟X線透過窓3が取り付けられていないX線分光・検出系である。16は軟X 線透過窓、17〜20はゲートバルブ、21は排気装置、26は軟X線透過窓1 6に付着した物質を選択的にエッチングするガス、イオン、ラジカルのいずれか を軟X線透過窓16に差圧がかからないように導入する機構である。図9と同様 にして図6では超高真空装置9にゲートバルブ11を介して本考案のX線測定装 置を取り付けた状態を示している。
【0019】 上記のように構成されたX線測定装置においては、特に軟X線透過窓16に付 着した物質を除去する場合に、付着した物質を選択的にエッチングするガス、イ オン、ラジカルのいずれかを軟X線透過窓16に差圧がかからないように導入す ることにより付着物質を除去でき、軟X線透過窓を加熱するだけでは除去できな い付着物質を除去できるようにしている。
【0020】 実施例5. 図7は本考案の別の実施例を示す図であり、X線分光・検出系は図2と全く同 じ軟X線透過窓3が取り付けられていないX線分光・検出系である。16は軟X 線透過窓、17〜20はゲートバルブ、21は排気装置である。図7ではシンク ロトロン放射光装置27に本装置を取り付けた状態を示している。
【0021】 実施例6. なお、上記各実施例においては、X線分光・検出系は2つの空間から取り外し が可能であり、かつ軟X線透過窓は少なくとも100℃以上の耐熱性を有するも のを示したが、ベーキングをしなければこのような構成とする必要はなく、X線 分光・検出系と2つの空間は取り外しができなくてもよく、また軟X線透過窓は 耐熱性を必要としない。この場合のX線測定装置は、軟X線透過窓により仕切ら れた2つの空間を軟X線透過窓に差圧がかからないように同時に真空排気できる ので、軟X線透過窓を極力薄くすることが可能であり、それ故X線エネルギーが 1KeV以下の軟X線を効率よく測定できる効果がある。
【0022】
【考案の効果】
以上のように、本考案によればX線分光・検出系と、このX線分光・検出系に 取り外し可能に接続され、少なくとも100℃以上の耐熱性を有する軟X線透過 窓により仕切られた2つの空間と、この2つの空間を軟X線透過窓に差圧がかか らないように同時に真空排気する真空機構とでX線測定装置を構成したので、軟 X線透過窓を極力薄くすることが可能であり、それ故X線エネルギーが1KeV 以下の軟X線を効率よく測定できる効果がある。また、X線分光・検出系を取り 外した際に少なくとも100℃以上のベーキングが行え、取り付けられる装置側 の真空を汚さない効果がある。
【0023】 さらに、本考案の別の考案によれば、X線分光・検出系と、このX線分光・検 出系に接続され、軟X線透過窓により仕切られた2つの空間と、この2つの空間 を軟X線透過窓に差圧がかからないように同時に真空排気する真空機構とでX線 測定装置を構成したので、軟X線透過窓を極力薄くすることが可能であり、それ 故X線エネルギーが1KeV以下の軟X線を効率よく測定できる効果がある。
【0024】 また、上記各考案においてX線分光・検出系に半導体検出素子を有するものを 用いる場合、軟X線透過窓が軟X線を透過しかつ紫外から遠赤外にわたる電磁波 を透過しないようにすれば、紫外から遠赤外にわたる電磁波が測定に影響するこ とがない。
【提出日】平成3年7月25日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【実施例】
実施例1. 図1は本考案の一実施例を示す図であり、図2はX線分光・検出系100を表 す図で一部が断面を示している。1、2、4〜8は上記従来のX線分光・検出系 と全く同一のものであるが、軟X線透過窓3は取り付けられていない。16は軟 X線を透過し、かつ紫外から遠赤外にわたる電磁波を透過しない軟X線透過窓で あり、例えばBC、C、SiC、SiN、BN(組成比は1対1とは限らない) 等の100℃以上の耐熱性を有するもので構成される。17〜20はゲートバル ブ、21は排気装置である。図9と同様にして図1では超高真空装置9にゲート バルブ11を介して本考案のX線測定装置を取り付けた状態を示している。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】 上記のように構成されたX線測定装置において、超高真空装置9は超高真空に 引かれた状態で、ゲートバルブ11を介してX線測定装置を取り付ける場合を考 える。まず、X線分光・検出系100をゲートバルブ7において取り外す。次に 、ゲートバルブ17、18を閉じた状態でゲートバルブ19、20を開けて排気 装置21で軟X線透過窓16の両側のそれぞれのゲートバルブで仕切られた空間 Ia、Ibを軟X線透過窓16に差圧がかからないように同時に真空排気する。 そして、軟X線透過窓16とゲートバルブ11、20で囲まれた空間Iaを中心 的にベーキングを行ない、この空間中に存在する水成分を減らす。ベーキングが 終了した後、X線分光・検出系をゲートバルブ7を介して取り付ける。ゲートバ ルブ19、20を閉じ、ゲートバルブ18を開けゲートバルブ7、17、18で 囲まれた空間を排気装置21で十分に排気する。そして、ゲートバルブ18を閉 じ、ゲートバルブ11、19を開け、ゲートバルブ7、17を開ける。この状態 では、X線分光・検出系側の真空と超高真空装置側の真空が軟X線透過窓16に よって分離されているのでX線分光・検出系側の真空中の水成分が超高真空装置 側の真空を汚すことはない。また、上記のように差圧がかからないようにバルブ 操作することで軟X線透過窓16を1000オングストローム程度まで薄くする ことが可能であり、それ故、軟X線が効率よく測定できる。ところで、ゲートバ ルブの開閉手順はこれに限られたものではない。さらに、試料製造機構15によ り試料14を作製する場合、例えば砒化ガリウム(以下GaAs)を作製する場 合、砒素(以下As)が軟X線透過窓16に付着する場合がある。この場合、軟 X線透過窓16を加熱することで付着物質を脱離させることができる。このこと によって、蒸着物質が付着することで軟X透過窓16における軟X線の吸収が 増加するのを防いだり、付着物質の二次蛍光X線が測定の妨害することを防ぐこ とができる。すなわち、本考案のX線測定装置では、X線分光・検出系は上記の 一方のゲートバルブから取り外しが可能で、かつ軟X線透過窓16は少なくとも 100℃以上の耐熱性を有しており、X線分光・検出系を取り外した際に少なく とも100℃以上のベーキングが行えるので、物質の種類によっては軟X線透過 窓16から付着物質を脱離させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例1によるX線測定装置を示す構
成図である。
【図2】本考案の実施例1に係わるX線分光・検出系を
示す1部切り欠き断面図である。
【図3】本考案の実施例2によるX線測定装置を示す構
成図である。
【図4】本考案の実施例2に係わるX線分光・検出系を
示す部分構成図である。
【図5】本考案の実施例3によるX線測定装置を示す構
成図である。
【図6】本考案の実施例4によるX線測定装置を示す構
成図である。
【図7】本考案の実施例5によるX線測定装置を示す構
成図である。
【図8】従来のX線分光・検出系を示す1部切り欠き断
面図である。
【図9】従来のX線分光・検出系を超高真空装置に取り
付けた例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 半導体検出素子 7 ゲートバルブ 11 ゲートバルブ 16 軟X線透過窓 17 ゲートバルブ 18 ゲートバルブ 19 ゲートバルブ 20 ゲートバルブ 21 排気装置 100 X線分光・検出系 Ia 空間 Ib 空間

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線分光・検出系、このX線分光・検出
    系に取り外し可能に接続され、少なくとも100℃以上
    の耐熱性を有する軟X線透過窓により仕切られた2つの
    空間、及びこの2つの空間を上記軟X線透過窓に差圧が
    かからないように同時に真空排気する真空機構を備えた
    X線測定装置。
  2. 【請求項2】 X線分光・検出系、このX線分光・検出
    系に接続され、軟X線透過窓により仕切られた2つの空
    間、及びこの2つの空間を上記軟X線透過窓に差圧がか
    からないように同時に真空排気する真空機構を備えたX
    線測定装置。
  3. 【請求項3】 軟X線透過窓が軟X線を透過し、かつ紫
    外から遠赤外にわたる電磁波を透過しないようにし、か
    つ、X線分光・検出系が半導体検出素子を有することを
    特徴とする請求項1または2記載のX線測定装置。
JP017993U 1991-03-25 1991-03-25 X線測定装置 Pending JPH054082U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP017993U JPH054082U (ja) 1991-03-25 1991-03-25 X線測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP017993U JPH054082U (ja) 1991-03-25 1991-03-25 X線測定装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH054082U true JPH054082U (ja) 1993-01-22

Family

ID=11959251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP017993U Pending JPH054082U (ja) 1991-03-25 1991-03-25 X線測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH054082U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112180424A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 核工业西南物理研究院 一种软x射线准直和通量调节的真空动密封机构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112180424A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 核工业西南物理研究院 一种软x射线准直和通量调节的真空动密封机构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5317618A (en) Light transmission type vacuum separating window and soft X-ray transmitting window
US6803570B1 (en) Electron transmissive window usable with high pressure electron spectrometry
US7342235B1 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
Madden et al. Auger electron spectroscopic investigation of the transition density of states for lithium
JPH054082U (ja) X線測定装置
US3864570A (en) Low energy x-ray detector
JPH04270953A (ja) 元素分析方法および元素分析装置ならびに薄膜形成装置
JP3724424B2 (ja) 蛍光x線分析装置
US4664063A (en) Molecular beam epitaxial growth apparatus
JP3078168B2 (ja) 電磁波検出装置及び基板加工装置
JP3599259B2 (ja) X線分析装置
JPH05258701A (ja) 電子線装置
US4395091A (en) Optical coupling device for use with a plasma emission spectrometer
JP3521425B2 (ja) X線分析装置
JPH05256803A (ja) 蛍光x線分析装置
Yoshikawa et al. Visible light photoemission and negative electron affinity of single-crystalline CsCl thin films
US7663747B2 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
JP3771697B2 (ja) 螢光x線分析装置
Fischer et al. Fluorescence Yield Near Edge Spectroscopy (Fynes) for Ultra Low Z Materials: an In-Situ Probe of Reaction Rates and Local Structure
JPH06102214A (ja) 全反射蛍光x線分析装置
JP3949573B2 (ja) Icp発光分光分析装置
JPH03216581A (ja) X線計数管
JPH0522834Y2 (ja)
JPH06123716A (ja) 螢光x線分析装置のx線発生制御機構
JP2000162161A (ja) 蛍光x線分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term