JPH06123716A - 螢光ｘ線分析装置のｘ線発生制御機構 - Google Patents
螢光ｘ線分析装置のｘ線発生制御機構Info
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- JPH06123716A JPH06123716A JP29928892A JP29928892A JPH06123716A JP H06123716 A JPH06123716 A JP H06123716A JP 29928892 A JP29928892 A JP 29928892A JP 29928892 A JP29928892 A JP 29928892A JP H06123716 A JPH06123716 A JP H06123716A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
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- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 無駄な一次Ｘ線を発生させないように、Ｘ線
管のオンオフを制御する。 【構成】 測定開始スイッチ２からのオン信号により作
動し、試料室５を気密状態に形成するシールドカバー４
が閉じ、かつＸ線の漏洩を防止するためのシャッター７
が開いているときにのみ、Ｘ線管13に高圧電源を印加す
るための制御出力を送出する高圧印加制御回路９を設け
ている。
管のオンオフを制御する。 【構成】 測定開始スイッチ２からのオン信号により作
動し、試料室５を気密状態に形成するシールドカバー４
が閉じ、かつＸ線の漏洩を防止するためのシャッター７
が開いているときにのみ、Ｘ線管13に高圧電源を印加す
るための制御出力を送出する高圧印加制御回路９を設け
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は試料に対して一次Ｘ線を
照射するためのＸ線管をオンオフ制御するための螢光Ｘ
線分析装置のＸ線発生制御機構に関する。
照射するためのＸ線管をオンオフ制御するための螢光Ｘ
線分析装置のＸ線発生制御機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の螢光Ｘ線分析装置では、試料台上
の試料に対して一次Ｘ線を照射するためのＸ線管のオン
オフ制御は、通常、Ｘ線の漏洩を防止するためのシャッ
ターの開閉動作とともに、試料室を気密状態に形成する
シールドカバーの開閉動作と連係しておこなわれ、その
シールドカバーが閉じられているときにはシャッターが
開き、かつＸ線管に高圧電源が印加されるようになって
いた。
の試料に対して一次Ｘ線を照射するためのＸ線管のオン
オフ制御は、通常、Ｘ線の漏洩を防止するためのシャッ
ターの開閉動作とともに、試料室を気密状態に形成する
シールドカバーの開閉動作と連係しておこなわれ、その
シールドカバーが閉じられているときにはシャッターが
開き、かつＸ線管に高圧電源が印加されるようになって
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来で
は、Ｘ線管のオンオフ制御を、シールドカバーの開閉動
作と連係させていたことから、シールドカバーが閉じて
いるときには、常にＸ線が発生していた。
は、Ｘ線管のオンオフ制御を、シールドカバーの開閉動
作と連係させていたことから、シールドカバーが閉じて
いるときには、常にＸ線が発生していた。
【０００４】そのため、Ｘ線管が無駄なＸ線を発生させ
ることがあり、Ｘ線管の保護も充分になされず、また検
出器（比例計数管）に余分な螢光Ｘ線が吸収されること
もあり、検出器の劣化が促進されることもあった。
ることがあり、Ｘ線管の保護も充分になされず、また検
出器（比例計数管）に余分な螢光Ｘ線が吸収されること
もあり、検出器の劣化が促進されることもあった。
【０００５】本発明はこのような実情に鑑みてなされ、
無駄な一次Ｘ線を発生させないように、Ｘ線管のオンオ
フを制御することを目的としている。
無駄な一次Ｘ線を発生させないように、Ｘ線管のオンオ
フを制御することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
達成するための手段を以下のように構成している。すな
わち、第１の発明では、試料室を気密状態に形成するシ
ールドカバーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止するための
シャッターが開いているときにのみ、Ｘ線管に高圧電源
を印加するための制御出力を送出する高圧印加制御回路
を、測定開始スイッチからのオン信号により起動するよ
うに設定したことを特徴としている。
達成するための手段を以下のように構成している。すな
わち、第１の発明では、試料室を気密状態に形成するシ
ールドカバーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止するための
シャッターが開いているときにのみ、Ｘ線管に高圧電源
を印加するための制御出力を送出する高圧印加制御回路
を、測定開始スイッチからのオン信号により起動するよ
うに設定したことを特徴としている。
【０００７】第２の発明では、試料室を気密状態に形成
するシールドカバーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止する
ためのシャッターが開き、しかも前記試料室内の真空度
が所定値以上になったときにのみ、Ｘ線管に高圧電源を
印加する制御出力を送出するための高圧印加制御回路
を、測定開始スイッチからのオン信号により起動するよ
うに設定したことを特徴としている。
するシールドカバーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止する
ためのシャッターが開き、しかも前記試料室内の真空度
が所定値以上になったときにのみ、Ｘ線管に高圧電源を
印加する制御出力を送出するための高圧印加制御回路
を、測定開始スイッチからのオン信号により起動するよ
うに設定したことを特徴としている。
【０００８】
【作用】第１の発明では、測定開始スイッチがオン操作
され、シールドカバーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止す
るためのシャッターが開いているときにのみ、Ｘ線管に
高圧電源が印加されることから、たとえシールドカバー
が閉じられていても、測定開始スイッチがオンされてい
なければ一次Ｘ線は照射されることはなく、無駄な一次
Ｘ線の発生が防止される。
され、シールドカバーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止す
るためのシャッターが開いているときにのみ、Ｘ線管に
高圧電源が印加されることから、たとえシールドカバー
が閉じられていても、測定開始スイッチがオンされてい
なければ一次Ｘ線は照射されることはなく、無駄な一次
Ｘ線の発生が防止される。
【０００９】第２の発明では、さらに試料室内の真空度
が所定値以上（例えば１torr以下）になっていなけれ
ば、一次Ｘ線は照射されない。従って、真空引きの過程
では、たとえシールドカバーが閉じられてシャッターが
開いていても一次Ｘ線は発生せず、より効果的に無駄な
一次Ｘ線の発生を防止することができる。
が所定値以上（例えば１torr以下）になっていなけれ
ば、一次Ｘ線は照射されない。従って、真空引きの過程
では、たとえシールドカバーが閉じられてシャッターが
開いていても一次Ｘ線は発生せず、より効果的に無駄な
一次Ｘ線の発生を防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、螢光Ｘ線分析装置１（図４，図５
参照）のＸ線発生制御機構のブロック構成図で、螢光Ｘ
線分析装置１に別途接続されたコンピュータ30に設けら
れている測定開始スイッチ２、試料室５内を気密状態に
形成するシールドカバー４の閉状態を検知するシールド
カバー閉センサ６、およびＸ線の漏洩を防止するための
シャッター７の開状態を検知するシャッター開センサ８
が、高圧印加制御回路９の入力側に接続される一方、そ
の出力側には、試料台10上の試料に対して一次Ｘ線Ｘを
照射するためのＸ線管13に高圧電源を印加する高圧発生
回路12が接続されている。なお、図４中、符号10ａは試
料台10に開設された窓である。
に説明する。図１は、螢光Ｘ線分析装置１（図４，図５
参照）のＸ線発生制御機構のブロック構成図で、螢光Ｘ
線分析装置１に別途接続されたコンピュータ30に設けら
れている測定開始スイッチ２、試料室５内を気密状態に
形成するシールドカバー４の閉状態を検知するシールド
カバー閉センサ６、およびＸ線の漏洩を防止するための
シャッター７の開状態を検知するシャッター開センサ８
が、高圧印加制御回路９の入力側に接続される一方、そ
の出力側には、試料台10上の試料に対して一次Ｘ線Ｘを
照射するためのＸ線管13に高圧電源を印加する高圧発生
回路12が接続されている。なお、図４中、符号10ａは試
料台10に開設された窓である。
【００１１】その高圧印加制御回路９は、測定開始スイ
ッチ２からのオン信号により起動し、シールドカバー４
が閉じており、かつシャッター７が開いているときにの
み、高圧発生回路12を作動させてＸ線管13に高圧電源を
印加するように構成されている。
ッチ２からのオン信号により起動し、シールドカバー４
が閉じており、かつシャッター７が開いているときにの
み、高圧発生回路12を作動させてＸ線管13に高圧電源を
印加するように構成されている。
【００１２】上述のシャッター７は、図４に示すよう
に、断面Ｖ型をなし、リンク機構15ａを介したロータリ
ソレノイド15によって、試料台10の下方に形成されたＶ
溝に沿って矢印の方向に摺動し、二点鎖線で示す閉状態
では、その一側部7aでＸ線管13から試料に向けて照射さ
れる一次Ｘ線Ｘを、また、その他側部7bで試料から検出
器14に向けて放射される螢光Ｘ線ＦＸをそれぞれ遮断
し、その遮断を解除する実線で示された開状態がシャッ
ター開センサ８によって検出されるようになっている。
に、断面Ｖ型をなし、リンク機構15ａを介したロータリ
ソレノイド15によって、試料台10の下方に形成されたＶ
溝に沿って矢印の方向に摺動し、二点鎖線で示す閉状態
では、その一側部7aでＸ線管13から試料に向けて照射さ
れる一次Ｘ線Ｘを、また、その他側部7bで試料から検出
器14に向けて放射される螢光Ｘ線ＦＸをそれぞれ遮断
し、その遮断を解除する実線で示された開状態がシャッ
ター開センサ８によって検出されるようになっている。
【００１３】一方、シールドカバー４は、その下部がＯ
リングを介して試料台10のまわりに密接し、試料室５を
気密状態に形成するとともに、その閉状態が、装置本体
３の台板16に設けられたシールドカバー閉センサ６によ
って検出される。そして、その試料室５にはポンプ18と
接続されたホース19が接続され、シールドカバー４の閉
状態下で試料室５の内部が真空状態に調圧され、その真
空度が真空計20（図５参照）によって検出されるように
なっている。
リングを介して試料台10のまわりに密接し、試料室５を
気密状態に形成するとともに、その閉状態が、装置本体
３の台板16に設けられたシールドカバー閉センサ６によ
って検出される。そして、その試料室５にはポンプ18と
接続されたホース19が接続され、シールドカバー４の閉
状態下で試料室５の内部が真空状態に調圧され、その真
空度が真空計20（図５参照）によって検出されるように
なっている。
【００１４】そのシールドカバー４の前部には、ロック
手段22を構成する被掛止部材23が固定され、シールドカ
バー４を閉じたときには、装置本体３の前部に設けられ
た掛止部材24によってその被掛止部材23がロック掛止さ
れるようになっている。詳しくは、その掛止部材24はス
プリング25によってロック方向（左方向）に付勢され、
シールドカバー４の開放下では、ストッパー26に当接し
てロック解除の位置に設定されており、シールドカバー
４を閉じると、被掛止部材23によってそのストッパー26
が押し下げられて掛止部材24がスプリング25の付勢でロ
ック方向に移動し、被掛止部材23が掛止されシールドカ
バー４がロックされ、試料室５内が気密状態とされる。
なお、ロックを解除するにはその掛止部材24に取り付け
られたレバー27を右方向に移動させればよく、そのレバ
ー27の動作がリミットスイッチ29で検知されると、ロー
タリソレノイド15が作動してシャッター７が閉位置に移
動され、しかる後に、シールドカバー４に対するロック
が解除されて試料室５が開放される。図４中、符号28は
掛止部材24のロック解除位置を検知するためのリミット
スイッチである。
手段22を構成する被掛止部材23が固定され、シールドカ
バー４を閉じたときには、装置本体３の前部に設けられ
た掛止部材24によってその被掛止部材23がロック掛止さ
れるようになっている。詳しくは、その掛止部材24はス
プリング25によってロック方向（左方向）に付勢され、
シールドカバー４の開放下では、ストッパー26に当接し
てロック解除の位置に設定されており、シールドカバー
４を閉じると、被掛止部材23によってそのストッパー26
が押し下げられて掛止部材24がスプリング25の付勢でロ
ック方向に移動し、被掛止部材23が掛止されシールドカ
バー４がロックされ、試料室５内が気密状態とされる。
なお、ロックを解除するにはその掛止部材24に取り付け
られたレバー27を右方向に移動させればよく、そのレバ
ー27の動作がリミットスイッチ29で検知されると、ロー
タリソレノイド15が作動してシャッター７が閉位置に移
動され、しかる後に、シールドカバー４に対するロック
が解除されて試料室５が開放される。図４中、符号28は
掛止部材24のロック解除位置を検知するためのリミット
スイッチである。
【００１５】このような構成によるＸ線管13のオンオフ
制御の基本的なフローを、図２，３および図４，図５に
基づいて説明すると、まずシールドカバー４を開いて
（Ｓ１）、試料台10の上に試料を配置した（Ｓ２）後、
シールドカバー４を閉じる（Ｓ３）。次いで、測定開始
スイッチ２をオン操作すると（Ｓ４）、高圧印加制御回
路９が起動する（Ｓ５）。
制御の基本的なフローを、図２，３および図４，図５に
基づいて説明すると、まずシールドカバー４を開いて
（Ｓ１）、試料台10の上に試料を配置した（Ｓ２）後、
シールドカバー４を閉じる（Ｓ３）。次いで、測定開始
スイッチ２をオン操作すると（Ｓ４）、高圧印加制御回
路９が起動する（Ｓ５）。
【００１６】そして、シールドカバー４の閉状態が確認
されて（Ｓ６）後、シャッター７の開状態が確認される
と（Ｓ７）、高圧発生回路12から高圧電源がＸ線管13に
印加され（Ｓ８）、一次Ｘ線Ｘが試料に対して照射され
る。
されて（Ｓ６）後、シャッター７の開状態が確認される
と（Ｓ７）、高圧発生回路12から高圧電源がＸ線管13に
印加され（Ｓ８）、一次Ｘ線Ｘが試料に対して照射され
る。
【００１７】従って、シールドカバー４が閉じられてい
ても、測定開始スイッチ２がオン操作されていなけれ
ば、また、シャッター７が開かれていなければ、一次Ｘ
線Ｘは発生せず、無駄な一次Ｘ線Ｘの発生が防止される
とともに、検出器14に余分な螢光Ｘ線ＦＸが入射される
ことがなく、Ｘ線管13と検出器14の劣化を抑制すること
ができる。
ても、測定開始スイッチ２がオン操作されていなけれ
ば、また、シャッター７が開かれていなければ、一次Ｘ
線Ｘは発生せず、無駄な一次Ｘ線Ｘの発生が防止される
とともに、検出器14に余分な螢光Ｘ線ＦＸが入射される
ことがなく、Ｘ線管13と検出器14の劣化を抑制すること
ができる。
【００１８】図６および図７は異なる実施例を示し、高
圧印加制御回路９の入力側に、シールドカバー閉センサ
６とシャッター開センサ８に加えて真空計20をも接続
し、試料室５内の真空度が所定値以上、つまり真空計20
の指示値が１torr以下になることをも高圧印加制御回路
９を起動させるための要件としたものである。
圧印加制御回路９の入力側に、シールドカバー閉センサ
６とシャッター開センサ８に加えて真空計20をも接続
し、試料室５内の真空度が所定値以上、つまり真空計20
の指示値が１torr以下になることをも高圧印加制御回路
９を起動させるための要件としたものである。
【００１９】このような構成にすると、試料室５内の真
空引きをおこなうときに、たとえシールドカバー４が閉
じられて、シャッター７が開いていても、試料室５内が
１torr以下にならない間は一次Ｘ線Ｘは発生せず、真空
引きの過程での無駄な一次Ｘ線Ｘの発生が防止される。
従って、Ｘ線管13および検出器14の消耗劣化をより一層
効果的に抑制することができる。
空引きをおこなうときに、たとえシールドカバー４が閉
じられて、シャッター７が開いていても、試料室５内が
１torr以下にならない間は一次Ｘ線Ｘは発生せず、真空
引きの過程での無駄な一次Ｘ線Ｘの発生が防止される。
従って、Ｘ線管13および検出器14の消耗劣化をより一層
効果的に抑制することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明によれ
ば、測定開始スイッチからのオン信号があり、シールド
カバーが閉じ、かつシャッターが開いているときにの
み、Ｘ線を発生させるようにしたので、たとえシールド
カバーが閉じられていても、測定開始スイッチがオンさ
れていなければ一次Ｘ線は照射されることはなく、無駄
な一次Ｘ線の発生が防止され、Ｘ線管や検出器の消耗劣
化を効果的に抑制することができる。
ば、測定開始スイッチからのオン信号があり、シールド
カバーが閉じ、かつシャッターが開いているときにの
み、Ｘ線を発生させるようにしたので、たとえシールド
カバーが閉じられていても、測定開始スイッチがオンさ
れていなければ一次Ｘ線は照射されることはなく、無駄
な一次Ｘ線の発生が防止され、Ｘ線管や検出器の消耗劣
化を効果的に抑制することができる。
【００２１】また、第２の発明によれば、試料室内の真
空度が所定値以上（例えば１torr以下）になることを
も、高圧印加制御回路を起動させるための要件としたの
で、真空引きの過程では、たとえシールドカバーが閉じ
られてシャッターが開いていても一次Ｘ線を発生させな
いようにすることができ、より効果的に無駄な一次Ｘ線
の発生を防止することができる。
空度が所定値以上（例えば１torr以下）になることを
も、高圧印加制御回路を起動させるための要件としたの
で、真空引きの過程では、たとえシールドカバーが閉じ
られてシャッターが開いていても一次Ｘ線を発生させな
いようにすることができ、より効果的に無駄な一次Ｘ線
の発生を防止することができる。
【図１】第１の発明の一実施例の全体構成を示すブロッ
ク構成図である。
ク構成図である。
【図２】同基本的な制御フローの前半部である。
【図３】同基本的な制御フローの後半部である。
【図４】同螢光Ｘ線分析装置のシャッター構造の斜視図
である。
である。
【図５】同螢光Ｘ線分析装置の全体斜視図である。
【図６】第２の発明の一実施例の全体構成を示すブロッ
ク構成図である。
ク構成図である。
【図７】同基本的な制御フローの後半部である。
２…測定開始スイッチ、４…シールドカバー、５…試料
室、７…シャッター、９…高圧印加制御回路、13…Ｘ線
管。
室、７…シャッター、９…高圧印加制御回路、13…Ｘ線
管。
Claims (2)
- 【請求項１】 試料室を気密状態に形成するシールドカ
バーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止するためのシャッタ
ーが開いているときにのみ、Ｘ線管に高圧電源を印加す
るための制御出力を送出する高圧印加制御回路が、測定
開始スイッチからのオン信号により起動するように設定
されていることを特徴とする螢光Ｘ線分析装置のＸ線発
生制御機構。 - 【請求項２】 試料室を気密状態に形成するシールドカ
バーが閉じ、かつＸ線の漏洩を防止するためのシャッタ
ーが開き、しかも前記試料室内の真空度が所定値以上に
なったときにのみ、Ｘ線管に高圧電源を印加する制御出
力を送出するための高圧印加制御回路が、測定開始スイ
ッチからのオン信号により起動するように設定されてい
ることを特徴とする螢光Ｘ線分析装置のＸ線発生制御機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4299288A JP2762269B2 (ja) | 1992-10-11 | 1992-10-11 | 螢光ｘ線分析装置のｘ線発生制御機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4299288A JP2762269B2 (ja) | 1992-10-11 | 1992-10-11 | 螢光ｘ線分析装置のｘ線発生制御機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06123716A true JPH06123716A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2762269B2 JP2762269B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=17870596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4299288A Expired - Lifetime JP2762269B2 (ja) | 1992-10-11 | 1992-10-11 | 螢光ｘ線分析装置のｘ線発生制御機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762269B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286662A (ja) * | 2000-04-06 | 2002-10-03 | Seiko Instruments Inc | 可搬型蛍光ｘ線分析計 |
| WO2005106439A1 (ja) | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
| JP2010266471A (ja) * | 2010-09-02 | 2010-11-25 | Shimadzu Corp | Ｘ線分析装置 |
| JP2015203648A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53160989U (ja) * | 1977-05-25 | 1978-12-16 | ||
| JPS5980706U (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 螢光ｘ線膜厚計用安全装置 |
| JPH0255158U (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-20 | ||
| JPH0485599U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 |
-
1992
- 1992-10-11 JP JP4299288A patent/JP2762269B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53160989U (ja) * | 1977-05-25 | 1978-12-16 | ||
| JPS5980706U (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 螢光ｘ線膜厚計用安全装置 |
| JPH0255158U (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-20 | ||
| JPH0485599U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286662A (ja) * | 2000-04-06 | 2002-10-03 | Seiko Instruments Inc | 可搬型蛍光ｘ線分析計 |
| WO2005106439A1 (ja) | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
| JPWO2005106439A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2007-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
| EP1744151A4 (en) * | 2004-04-28 | 2008-12-17 | Panasonic Corp | FLUORESCENCE X-RAY ANALYSIS METHOD AND DEVICE |
| US7515685B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-04-07 | Panasonic Corporation | Fluorescent X-ray analysis method and device |
| JP4575369B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-11-04 | パナソニック株式会社 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
| JP2010266471A (ja) * | 2010-09-02 | 2010-11-25 | Shimadzu Corp | Ｘ線分析装置 |
| JP2015203648A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2762269B2 (ja) | 1998-06-04 |
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