JPH0540020A - 実装済プリント基板の検査装置 - Google Patents
実装済プリント基板の検査装置Info
- Publication number
- JPH0540020A JPH0540020A JP19642091A JP19642091A JPH0540020A JP H0540020 A JPH0540020 A JP H0540020A JP 19642091 A JP19642091 A JP 19642091A JP 19642091 A JP19642091 A JP 19642091A JP H0540020 A JPH0540020 A JP H0540020A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 検査すべき実装済プリント基板に照射した微
小ビーム光の反射光を用いて、実装済プリント基板の良
否を判定する検査装置に関し、多重反射や乱反射による
測定誤差を少なくし、さらに、はんだ面の状態による影
響を小さくして、測定精度を向上させることを目的とす
る。 【構成】 光源１および光学系２により実装済プリント
基板３にスポット照射された微小ビーム光の反射光を穴
あきミラーで偏向した後、レンズ系５で集光する。レン
ズ系５を通過した反射光は、しぼり６によりビームスポ
ット位置以外からの反射光がカットされ、光電変換素子
７に照射される。光電変換素子７の出力を、あらかじめ
調べておいた適切なはんだ形状での光電変換素子の出力
値と比較して、実装済プリント基板３の良否を判断す
る。
小ビーム光の反射光を用いて、実装済プリント基板の良
否を判定する検査装置に関し、多重反射や乱反射による
測定誤差を少なくし、さらに、はんだ面の状態による影
響を小さくして、測定精度を向上させることを目的とす
る。 【構成】 光源１および光学系２により実装済プリント
基板３にスポット照射された微小ビーム光の反射光を穴
あきミラーで偏向した後、レンズ系５で集光する。レン
ズ系５を通過した反射光は、しぼり６によりビームスポ
ット位置以外からの反射光がカットされ、光電変換素子
７に照射される。光電変換素子７の出力を、あらかじめ
調べておいた適切なはんだ形状での光電変換素子の出力
値と比較して、実装済プリント基板３の良否を判断す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、実装済プリント基板の
検査装置に関するものであり、特に微小ビーム光を用い
て実装された部品のはんだ不良、はんだブリッジなどを
検査するものである。
検査装置に関するものであり、特に微小ビーム光を用い
て実装された部品のはんだ不良、はんだブリッジなどを
検査するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、実装済プリント基板の検査装置に
は微小ビーム光を利用した非接触方式が用いられてい
る。以下に従来の技術について説明する。図３は従来の
実装済プリント基板の検査装置である。図３において、
１は微小ビーム光を発生するための光源であり、２は実
装済プリント基板３上に前記微小ビーム光を集光し照射
するための光学系である。９は実装済プリント基板３か
らの反射光のうち、垂直方向以外の反射光をカットする
しぼりである。４はしぼり９を通過後の反射光を偏向す
るための穴あきミラーである。７は穴あきミラー４によ
って偏向された反射光の光量を測定するための光電変換
素子である。
は微小ビーム光を利用した非接触方式が用いられてい
る。以下に従来の技術について説明する。図３は従来の
実装済プリント基板の検査装置である。図３において、
１は微小ビーム光を発生するための光源であり、２は実
装済プリント基板３上に前記微小ビーム光を集光し照射
するための光学系である。９は実装済プリント基板３か
らの反射光のうち、垂直方向以外の反射光をカットする
しぼりである。４はしぼり９を通過後の反射光を偏向す
るための穴あきミラーである。７は穴あきミラー４によ
って偏向された反射光の光量を測定するための光電変換
素子である。
【０００３】以上のように構成された実装済プリント基
板の検査装置においては、反射光を受光することにより
得られた光電変換素子７の出力を、あらかじめ調べてお
いた適切なはんだ形状での光電変換素子７の出力と比較
し、はんだ不良などを検出するのである。
板の検査装置においては、反射光を受光することにより
得られた光電変換素子７の出力を、あらかじめ調べてお
いた適切なはんだ形状での光電変換素子７の出力と比較
し、はんだ不良などを検出するのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、プリント基板状のビームスポット位置から
垂直方向への反射光のみを正しく測定できない場合が生
じる。これは、実装済プリント基板３と穴あきミラー４
の間に、しぼり９を入れて垂直方向以外の反射光をカッ
トしたように見えても、垂直方向への反射光が通過する
のと同時に、前記ビームスポット位置以外からの反射光
も通過しているからである。
の構成では、プリント基板状のビームスポット位置から
垂直方向への反射光のみを正しく測定できない場合が生
じる。これは、実装済プリント基板３と穴あきミラー４
の間に、しぼり９を入れて垂直方向以外の反射光をカッ
トしたように見えても、垂直方向への反射光が通過する
のと同時に、前記ビームスポット位置以外からの反射光
も通過しているからである。
【０００５】つまり、図４に示すように、実際は、しぼ
り９を通過する反射光のうちＡからＢまでの範囲からの
反射光を光電変換素子７で受光することになり、例えば
破線で示すように、実装済プリント基板３上の他の部品
に反射するような多重反射や乱反射による光量も測定し
てしまう場合が生じ、正しく測定できなくなってしま
う。
り９を通過する反射光のうちＡからＢまでの範囲からの
反射光を光電変換素子７で受光することになり、例えば
破線で示すように、実装済プリント基板３上の他の部品
に反射するような多重反射や乱反射による光量も測定し
てしまう場合が生じ、正しく測定できなくなってしま
う。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するため
のもので、実装済プリント基板を精度よく検査する検査
装置を提供することを目的とする。
のもので、実装済プリント基板を精度よく検査する検査
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の実装済プリント基板の検査装置は、微小ビ
ーム光を発生する光源と、検査すべき実装済プリント基
板上に前記微小ビーム光を集光し照射する光学系と、前
記実装済プリント基板により反射された前記微小ビーム
光の反射光を偏向する手段と、偏向された前記反射光を
集光するレンズ系と、前記レンズ系により集光される前
記反射光のうち、前記実装済プリント基板から垂直方向
に反射された反射光が結像する位置に配置され、結像し
た反射光を受光しその受光量に応じた電気的出力に変換
する光電変換手段と、前記光電変換手段の直前に配置さ
れ、前記光電変換手段によって受光される前記反射光の
光量を調節するしぼりとから構成している。
に、本発明の実装済プリント基板の検査装置は、微小ビ
ーム光を発生する光源と、検査すべき実装済プリント基
板上に前記微小ビーム光を集光し照射する光学系と、前
記実装済プリント基板により反射された前記微小ビーム
光の反射光を偏向する手段と、偏向された前記反射光を
集光するレンズ系と、前記レンズ系により集光される前
記反射光のうち、前記実装済プリント基板から垂直方向
に反射された反射光が結像する位置に配置され、結像し
た反射光を受光しその受光量に応じた電気的出力に変換
する光電変換手段と、前記光電変換手段の直前に配置さ
れ、前記光電変換手段によって受光される前記反射光の
光量を調節するしぼりとから構成している。
【０００８】
【作用】この構成によれば、被検査物のビームスポット
位置からの垂直方向の反射光のみ、つまり、乱反射や多
重反射などを除いた光を光電変換素子で受光できるので
測定精度が向上する。
位置からの垂直方向の反射光のみ、つまり、乱反射や多
重反射などを除いた光を光電変換素子で受光できるので
測定精度が向上する。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の第一の実施例について図面を
参照しながら説明する。図１は本発明の第一の実施例に
おける実装済プリント基板の検査装置の構成図である。
図１において、１は微小ビーム光を発生する光源、２は
検査すべき実装済プリント基板３に前記微小ビーム光を
スピット照射するための光学系、４は前記光学系２から
の光束を通過させるとともに、実装済プリント基板３か
らの反射光を偏向するための穴あきミラー、５は穴あき
ミラー４により偏向された反射光を集光するためのレン
ズ系、６はレンズ系５を通過後の反射光のうち実装済プ
リント基板３のビームスポット位置以外からの反射光を
カットするためのしぼり、７はしぼり６を通過後の反射
光を受光し、その受光量に応じた電気的出力をする光電
変換素子である。
参照しながら説明する。図１は本発明の第一の実施例に
おける実装済プリント基板の検査装置の構成図である。
図１において、１は微小ビーム光を発生する光源、２は
検査すべき実装済プリント基板３に前記微小ビーム光を
スピット照射するための光学系、４は前記光学系２から
の光束を通過させるとともに、実装済プリント基板３か
らの反射光を偏向するための穴あきミラー、５は穴あき
ミラー４により偏向された反射光を集光するためのレン
ズ系、６はレンズ系５を通過後の反射光のうち実装済プ
リント基板３のビームスポット位置以外からの反射光を
カットするためのしぼり、７はしぼり６を通過後の反射
光を受光し、その受光量に応じた電気的出力をする光電
変換素子である。
【００１０】上記のように構成した実装済プリント基板
の検査装置の動作について説明する。まず、光学系２に
より実装済プリント基板３にスポット照射された光源１
からの微小ビーム光の反射光は、穴あきミラー４により
レンズ系５の方向に偏向された後レンズ系５により集光
される。このレンズ系５により集光される反射光には、
他の実装部品等による乱反射や多重反射の光も混在して
いる。このため、ビームスポット照射位置から垂直方向
に反射された光だけを検出するために、レンズ系５によ
り集光される垂直方向への反射光が結像する位置に光電
変換素子７を配置し、レンズ系５により集光された乱反
射や多重反射の光が光電変換素子７に照射されないよう
にしぼり６により遮っているのである。そして、この光
電変換素子７の出力と、あらかじめ調べておいた適切な
はんだ形状での光電変換素子の出力とを比較し、実装済
プリント基板の良否を判断する。
の検査装置の動作について説明する。まず、光学系２に
より実装済プリント基板３にスポット照射された光源１
からの微小ビーム光の反射光は、穴あきミラー４により
レンズ系５の方向に偏向された後レンズ系５により集光
される。このレンズ系５により集光される反射光には、
他の実装部品等による乱反射や多重反射の光も混在して
いる。このため、ビームスポット照射位置から垂直方向
に反射された光だけを検出するために、レンズ系５によ
り集光される垂直方向への反射光が結像する位置に光電
変換素子７を配置し、レンズ系５により集光された乱反
射や多重反射の光が光電変換素子７に照射されないよう
にしぼり６により遮っているのである。そして、この光
電変換素子７の出力と、あらかじめ調べておいた適切な
はんだ形状での光電変換素子の出力とを比較し、実装済
プリント基板の良否を判断する。
【００１１】以上のように本実施例によれば、光電変換
素子７の直前にレンズ系５としぼり６を設けることによ
り、実装済プリント基板３のビームスポット位置以外か
らの反射光をしぼり６でカットするため、精度よくはん
だ付け状態の良否を判断でき、実装済プリント基板を検
査できる。
素子７の直前にレンズ系５としぼり６を設けることによ
り、実装済プリント基板３のビームスポット位置以外か
らの反射光をしぼり６でカットするため、精度よくはん
だ付け状態の良否を判断でき、実装済プリント基板を検
査できる。
【００１２】（実施例２）以下本発明の第二の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図２は本発明の第
二の実施例の説明図である。図２において、１は光源、
２は光学系、３は実装済プリント基板、４は穴あきミラ
ー、５はレンズ系で、以上は第一の実施例と同様なもの
である。図１の構成と異なるのは、レンズ系５の後方に
ビームスプリッタ８を配置し、反射光を第一の光路Ａお
よび第二の光路Ｂの２方向に分光していることである。
そして、各光路Ａ，Ｂに互いに内径の異なるしぼり６
ａ，６ｂと、その後方にそれぞれ光電変換素子７を配置
した点である。
ついて図面を参照しながら説明する。図２は本発明の第
二の実施例の説明図である。図２において、１は光源、
２は光学系、３は実装済プリント基板、４は穴あきミラ
ー、５はレンズ系で、以上は第一の実施例と同様なもの
である。図１の構成と異なるのは、レンズ系５の後方に
ビームスプリッタ８を配置し、反射光を第一の光路Ａお
よび第二の光路Ｂの２方向に分光していることである。
そして、各光路Ａ，Ｂに互いに内径の異なるしぼり６
ａ，６ｂと、その後方にそれぞれ光電変換素子７を配置
した点である。
【００１３】上記のように構成された実装済プリント基
板の検査装置について、その動作を説明する。まず、光
源１及び光学系２により実装済プリント基板３にスポッ
ト照射された微小ビーム光の反射光は、穴あきミラー４
によりレンズ系５の方向に偏向される。そして、レンズ
系５により集光された後、ビームスブリッタ８で第一の
光路Ａおよび第二の光路Ｂの２方向に分光される。その
後、第一の光路Ａ上および第二の光路Ｂ上に配置された
しぼり６ａ，６ｂを通過し各光電変換素子７に照射され
る。
板の検査装置について、その動作を説明する。まず、光
源１及び光学系２により実装済プリント基板３にスポッ
ト照射された微小ビーム光の反射光は、穴あきミラー４
によりレンズ系５の方向に偏向される。そして、レンズ
系５により集光された後、ビームスブリッタ８で第一の
光路Ａおよび第二の光路Ｂの２方向に分光される。その
後、第一の光路Ａ上および第二の光路Ｂ上に配置された
しぼり６ａ，６ｂを通過し各光電変換素子７に照射され
る。
【００１４】これらの各光電変換素子７は第一の実施例
と同様に、実装済プリント基板３のビームスポット照射
位置から垂直方向に反射された反射光が結像する位置に
配置しており、しぼり６ａ，６ｂも同様に、実装済プリ
ント基板３上のビームスポット照射位置から垂直方向に
反射された光にのみが光電変換素子７に照射されるよ
う、乱反射や多重反射による光をカットしている。
と同様に、実装済プリント基板３のビームスポット照射
位置から垂直方向に反射された反射光が結像する位置に
配置しており、しぼり６ａ，６ｂも同様に、実装済プリ
ント基板３上のビームスポット照射位置から垂直方向に
反射された光にのみが光電変換素子７に照射されるよ
う、乱反射や多重反射による光をカットしている。
【００１５】ところで、第一の光路Ａには内径の小さい
しぼり６ａを、第二の光路Ｂには内径の大きいしぼり６
ｂを配置している。内径の異なるしぼりを配置すること
により（表１）に示すように、
しぼり６ａを、第二の光路Ｂには内径の大きいしぼり６
ｂを配置している。内径の異なるしぼりを配置すること
により（表１）に示すように、
【００１６】
【表１】
【００１７】内径の小さいしぼり６ａでは、より狭いビ
ームスポットからの反射光を捕らえるため高精度，高分
解能が可能であるが、はんだの種類やはんだ面の状態に
より反射率が低いと光量不足となり測定不能になる。内
径の大きいしぼり６ｂでは、より広い範囲の反射光を捕
らえるため低精度，低分解能となるが、はんだの種類や
はんだ面の状態により反射率が低くても光量不足とはな
らず測定が可能である。すなわち、はんだの種類やはん
だ面の状態、および測定精度によってしぼりの大きさを
変えることで、微小ビーム光のしぼりを変えることなく
適切な精度でプリント基板の検査が可能となる。
ームスポットからの反射光を捕らえるため高精度，高分
解能が可能であるが、はんだの種類やはんだ面の状態に
より反射率が低いと光量不足となり測定不能になる。内
径の大きいしぼり６ｂでは、より広い範囲の反射光を捕
らえるため低精度，低分解能となるが、はんだの種類や
はんだ面の状態により反射率が低くても光量不足とはな
らず測定が可能である。すなわち、はんだの種類やはん
だ面の状態、および測定精度によってしぼりの大きさを
変えることで、微小ビーム光のしぼりを変えることなく
適切な精度でプリント基板の検査が可能となる。
【００１８】なお、第二の実施例ではレンズ系５の後に
ビームスプリッタ８を配置したが、レンズ系５の前に配
置し、各光路のしぼり６ａ，６ｂの前にレンズ系５を配
置しても差し支えない。さらに、第２の実施例ではビー
ムスプリッタ８により反射光を２方向に分光したが、さ
らに複数のビームスプリッタ８を配置し複数の光路に分
光して、各光路に内径の異なるしぼりを配置して、多種
類の精度で同時に計測することも可能であること言うま
でもない。
ビームスプリッタ８を配置したが、レンズ系５の前に配
置し、各光路のしぼり６ａ，６ｂの前にレンズ系５を配
置しても差し支えない。さらに、第２の実施例ではビー
ムスプリッタ８により反射光を２方向に分光したが、さ
らに複数のビームスプリッタ８を配置し複数の光路に分
光して、各光路に内径の異なるしぼりを配置して、多種
類の精度で同時に計測することも可能であること言うま
でもない。
【００１９】さらに、第一および第二の実施例で穴あき
ミラー４の代わりにハーフミラーを用いてもよい。
ミラー４の代わりにハーフミラーを用いてもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明は、光電変換素子の
直前にレンズ系としぼりを配置するため、多重反射や乱
反射によるビームスポット位置以外からの反射光の影響
を受けなくなり、さらに、しぼりの大きさを変えること
で、はんだ面の状態に影響されず、精度よく実装済プリ
ント基板の検査を行うことができる検査装置を実現する
ことができる。
直前にレンズ系としぼりを配置するため、多重反射や乱
反射によるビームスポット位置以外からの反射光の影響
を受けなくなり、さらに、しぼりの大きさを変えること
で、はんだ面の状態に影響されず、精度よく実装済プリ
ント基板の検査を行うことができる検査装置を実現する
ことができる。
【図１】第一の実施例における実装済プリント基板検査
装置の構成図
装置の構成図
【図２】第二の実施例における実装済プリント基板検査
装置の構成図
装置の構成図
【図３】従来の実装済プリント基板検査装置の構成図
【図４】同装置の問題点を示す説明図
１ 光源 ２ 光学系 ３ 実装済プリント基板 ４ 穴あきミラー ５ レンズ系 ６ しぼり ７ 光電変換素子 ８ ビームスプリッタ
フロントページの続き (72)発明者 奧田 英二 香川県高松市寿町２丁目２番10号 松下寿 電子工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】微小ビーム光を発生する光源と、検査すべ
き実装済プリント基板上に前記微小ビーム光を集光し照
射する光学系と、前記実装済プリント基板により反射さ
れた前記微小ビーム光の反射光を偏向する手段と、偏向
された前記反射光を集光するレンズ系と、前記レンズ系
により集光される前記反射光のうち、前記実装済プリン
ト基板から垂直方向に反射された反射光が結像する位置
に配置され、結像した反射光を受光しその受光量に応じ
た電気的出力に変換する光電変換手段と、前記光電変換
手段の直前に配置され、前記光電変換手段によって受光
される前記反射光の光量を調節するしぼりとからなるこ
とを特徴とする実装済プリント基板の検査装置。 - 【請求項２】偏向手段により偏向された実装済プリント
基板から反射光を異なる光路に分光する分光手段と、前
記分光手段によって分光されたそれぞれの反射光が結像
する位置に配置された光電変換手段と、前記光電変換手
段が受光する光量を調節する互いに内径の大きさが異な
るしぼりとを有することを特徴とする請求項１に記載の
実装済プリント基板の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19642091A JPH0540020A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 実装済プリント基板の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19642091A JPH0540020A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 実装済プリント基板の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540020A true JPH0540020A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16357562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19642091A Pending JPH0540020A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 実装済プリント基板の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0540020A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012122950A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Chiba Univ | Ｌｅｄライダー装置 |
| KR101378113B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-03-27 | 서울시립대학교 산학협력단 | 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치 |
| JP2019523414A (ja) * | 2016-07-26 | 2019-08-22 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック | 全視野干渉撮像システム及び方法 |
-
1991
- 1991-08-06 JP JP19642091A patent/JPH0540020A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012122950A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Chiba Univ | Ｌｅｄライダー装置 |
| KR101378113B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-03-27 | 서울시립대학교 산학협력단 | 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치 |
| JP2019523414A (ja) * | 2016-07-26 | 2019-08-22 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック | 全視野干渉撮像システム及び方法 |
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