KR101378113B1 - 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치 - Google Patents

테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101378113B1
KR101378113B1 KR1020120112882A KR20120112882A KR101378113B1 KR 101378113 B1 KR101378113 B1 KR 101378113B1 KR 1020120112882 A KR1020120112882 A KR 1020120112882A KR 20120112882 A KR20120112882 A KR 20120112882A KR 101378113 B1 KR101378113 B1 KR 101378113B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser beam
reflecting
reflector
terahertz electromagnetic
electromagnetic wave
Prior art date
Application number
KR1020120112882A
Other languages
English (en)
Inventor
손주혁
이동규
Original Assignee
서울시립대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울시립대학교 산학협력단 filed Critical 서울시립대학교 산학협력단
Priority to KR1020120112882A priority Critical patent/KR101378113B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101378113B1 publication Critical patent/KR101378113B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/42—Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/59—Transmissivity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

본 발명은 테라헤르츠 전자기파를 이용한 분광 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 제2 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하여 상기 제2 레이저 빔을 통과시키는 쓰루홀을 포함하는 제2 반사부와 상기 제2 반사부와 대향하도록 설치되어 발생부가 방사한 테라헤르츠 전자기파를 상기 제2 반사부로 반사시키는 제1 반사부를 이용하여 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파 및 상기 제2 레이저 빔을 기초로 이미징을 위한 전기적 신호를 생성할 수 있다.

Description

테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치{APPARATUS FOR ANALYZING COMPONENT USING TERAHERZ ELECTROMAGNETIC WAVE}
본 발명은 테라헤르츠 전자기파를 이용한 분광 시스템에 관한 것으로, 특히 제2 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하여 상기 제2 레이저 빔을 통과시키는 쓰루홀을 포함하는 제2 반사부와 상기 제2 반사부와 대향하도록 설치되어 발생부가 방사한 테라헤르츠 전자기파를 상기 제2 반사부로 반사시키는 제1 반사부를 이용하여 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파 및 상기 제2 레이저 빔을 기초로 이미징을 위한 전기적 신호를 생성하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치에 관한 것이다.
테라헤르츠 전자기파를 이용하여 대상체의 성분을 분석하는 방법이 최근에 각광을 받고 있다.
대상체의 성분을 분석하기 위해서는, 대상체에 테라헤르츠 전자기파를 방사하고, 대상체로부터 반사 또는 투과되는 테라헤르츠 전자기파와 레이저 빔을 기초로 생성한 전기적 신호를 기준 신호와 비교하여 대상체의 성분을 분석할 수 있다.
도 1은 일반적인 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 광원(10)으로부터 생성된 레이저 빔은 광 스플리터(20)에 의해 분리되어 각각 발생부(30) 및 검출부(70)로 입사된다.
발생부(30)는 광 스플리터(20)에 의해 분리된 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사하고, 발생부(30)에 의해 방사된 테라헤르츠 전자기파는 대상체(90)를 투과하여 검출부(70)로 입사된다.
검출부(70)는 대상체(90)를 투과한 테라헤르츠 전자기파와 광 스플리터(20)에 의해 분리된 레이저 빔을 기초로 전기적 신호를 생성하여 제어부(80)로 전송하고, 제어부(80)는 상기 전기적 신호와 기준 신호를 비교하여 대상체의 성분을 분석한다. 테라헤르츠 전자기파가 대상체(90)에 의해 투과되거나 반사되면, 그 파형에 변화가 발생한다. 파형의 변화는 대상체(90)의 성분에 따라 고유하므로 파형의 변화를 비교하여 성분을 분석할 수 있다.
도 1에 도시된 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 이용하여 연속적으로 복수개의 대상체를 분석할 수 있는 성분 분석 장치가 제안되었다.
도 2a는 종래 기술에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 블럭도이며, 도 2b는 도 2a에 도시된 종래 기술에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a를 참조하면, 광원(10)으로부터 생성된 레이저 빔은 광 스플리터(20)에 의해 분리되어 각각 발생부(30) 및 펠리클(pellicle)(60)으로 입사된다. 컨베이어(85)는 제1 반사부(40)와 제2 반사부(50) 사이에서 대상체(90)를 이동시킨다.
발생부(30)는 광 스플리터(20)에 의해 분리된 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사하고, 제1 반사부(40)는 발생부(30)로부터 방사된 테라헤르츠 전자기파를 대상체(90)로 반사시킨다.
제2 반사부(50)는 대상체(90)를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 펠리클(60)을 통해 검출부(70)로 반사시키고, 광 스플리터(20)로부터 입사된 레이저 빔은 펠리클(60)을 통해 검출부(70)로 입사된다.
검출부(70)는 대상체(90)를 투과한 테라헤르츠 전자기파와 펠리클(60)을 통해 입사된 레이저 빔을 기초로 전기적 신호를 생성하여 제어부(80)로 전송하고, 제어부(80)는 상기 전기적 신호와 기준 신호를 비교하여 대상체(90)의 성분을 분석한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 펠리클(60)은 제2 반사부(50)와 검출부(70) 사이에 위치하여 광 스플리터(20)에 의해 분리된 레이저 빔을 검출부(70)로 반사한다. 그러나, 펠리클(60)은 대상체(90)의 이동을 위해 컨베이어(85)가 빠르게 이동하는 경우 발생되는 진동으로 인하여 신호대 잡음비를 감소시키는 원인이 되며, 따라서, 대상체(90)의 성분을 정확하게 분석할 수 없다는 단점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 제2 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하여 상기 제2 레이저 빔을 통과시키는 쓰루홀을 포함하는 제2 반사부 및 상기 제2 반사부와 대향하도록 설치되어 발생부가 방사한 테라헤르츠 전자기파를 상기 제2 반사부로 반사시키는 제1 반사부를 이용하여 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파 및 상기 제2 레이저 빔을 기초로 이미징을 위한 전기적 신호를 생성하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 이미징 생성 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 성분 분석 장치는 제1 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사하는 발생부; 상기 발생부가 방사한 상기 테라헤르츠 전자기파를 상방의 대상체로 반사시키는 제1 반사부; 상기 제1 반사부의 상부에 설치되어 하방의 상기 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 반사시키는 제2 반사부; 및 제2 레이저 빔 및 상기 제2 반사부에 의해 반사된 테라헤르츠 전자기파를 기초로 이미징을 위한 전기적 신호를 생성하는 검출부를 포함하되, 상기 제2 반사부는, 하방의 상기 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 상기 검출부 방향으로 반사시키는 반사면; 및 상기 제2 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하여, 상기 제2 레이저 빔을 통과시키는 쓰루홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 쓰루홀은 상기 제2 레이저 빔이 입사되는 입사면에서부터 상기 반사면까지 연장되며, 상기 쓰루홀의 길이 방향은 상기 제2 레이저 빔의 진행 방향에 일치할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 반사부의 반사면은 상기 반사면에 대향하도록 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 성분 분석 장치는 상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 사이에 설치되며, 상기 대상체가 상기 제1 반사부의 반사면과 상기 반사면의 사이에 위치하도록 상기 대상체를 일정 방향으로 이동시키는 컨베이어를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 성분 분석 장치는 상기 제1 반사부와 대향하도록 설치되어 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 제1 반사부로 반사시키는 제3 반사부를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제3 반사부의 반사면에 대향하도록 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 성분 분석 장치는 상기 제2 반사부와 대향하도록 설치되어 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 제2 반사부로 반사시키는 제4 반사부를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 반사면은 상기 제4 반사부의 반사면에 대향하도록 설치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제4 반사부의 반사면에 대향하도록 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 성분 분석 장치는 레이저 빔을 생성하는 광원; 및 상기 광원으로부터 생성된 상기 레이저 빔을 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔으로 분리하여 상기 발생부 및 상기 제2 반사부로 입사시키는 광 스플리터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 성분 분석 장치는 상기 검출부가 생성한 전기적 신호 및 기준 신호를 비교하여 상기 대상체의 성분을 분석하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치에 따르면, 종래 기술에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치에서 사용된 막을 사용하지 않더라도 제2 반사부에 구비된 쓰루홀을 통해 제2 레이저 빔을 검출부로 입사시키므로 막에 의해 발생되는 진동에 따른 신호대 잡음비를 보상할 수 있다는 장점이 있다.
뿐만 아니라, 제1 반사부의 상부에 상기 제1 반사부와 대향하도록 제2 반사부가 설치되므로 상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 사이에 위치하는 대상체의 위치 변경이 용이하여 실시간으로 이미징을 생성할 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 일반적인 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 도면.
도 2a는 종래 기술에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 블럭도.
도 2b는 도 2a에 도시된 종래 기술에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 블럭도.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 블럭도.
도 6은 도 5에 도시된 본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 사시도.
이하에서는, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 블럭도이며, 도 3에서 테라헤르츠 전자기파의 진행 경로는 굵은 실선으로 표시하고, 레이저 빔의 진행 경로는 점선으로 표시하였다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치는 발생부(300), 제1 반사부(400-1), 제2 반사부(400-2) 및 검출부(600)를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치는 광원(100), 광 스플리터(200), 컨베이어(500) 및 제어부(700)를 더 포함할 수 있다.
광원(100)은 레이저 빔을 생성한다. 상기 레이저 빔은 펨토초 레이저 빔인 것이 바람직하다.
광 스플리터(200)는 광원(100)이 생성한 레이저 빔을 제1 레이저 빔 및 제2 레이저 빔으로 분리한다. 광 스플리터(200)에 의해 분리된 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔은 각각 발생부(300) 및 제2 반사부(400-2)로 입사된다.
발생부(300)는 상기 제1 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사한다. 구체적으로는, 발생부(300)는 광 스플리터(200)에 의해 분리된 상기 제1 레이저 빔이 입사되는 비선형 결정(310)을 포함할 수 있다. 비선형 결정(310)에 상기 제1 레이저 빔이 입사되면, 비선형 결정(310)에 상기 제1 레이저 빔에 의한 광정류 효과가 나타나고, 광정류 효과에 의해 시간 의존적인 전기장이 형성된다. 상기 시간 의존적인 전기장으로 인해 비선형 결정(310)의 내부에 있는 전자들이 가속도 운동을 하며 테라헤르츠 전자기파를 발생시킨다.
제1 반사부(400-1)는 발생부(300)가 방사한 상기 테라헤르츠 전자기파를 상방의 대상체(1000)로 반사시킨다.
제2 반사부(400-2)는 하방의 대상체(1000)를 투과한 테라헤르츠 전자기파 및 광 스플리터(200)에 의해 분리된 상기 제2 레이저 빔을 검출부(600)로 반사시킨다.
검출부(600)는 제2 반사부(400-2)로부터 입사된 제2 레이저 빔 및 테라헤르츠 전자기파를 기초로 이미징을 위한 전기적 신호를 생성한다. 구체적으로는, 검출부(600)는 제2 반사부(400-2)를 통해 입사된 제2 레이저 빔 및 테라헤르츠 전자기파가 입사되는 비선형 결정(610)을 포함할 수 있다.
비선형 결정(610)에 제2 레이저 빔 및 상기 테라헤르츠 전자기파가 입사되면, 비선형 결정(610)으로 입사되는 테라헤르츠 전자기파의 변화에 따라 비선형 결정(610)의 굴절율이 변화하게 되는데, 이러한 변화를 상기 제2 레이저 빔의 편광 상태를 기초로 측정하면 입사되는 테라헤르츠 전자기파의 변화에 대응하는 상기 전기적 신호를 생성할 수 있다.
제어부(700)는 검출부(600)가 생성한 상기 전기적 신호를 기준 신호와 비교하여 대상체(1000)의 성분을 분석한다. 예를 들어, 기준 신호는 소정의 성분을 가지는 기준 대상체에 테라헤르츠 전자기파를 조사하여 얻어진 전기적 신호이다. 이를 검출부(600)가 생성한 상기 전기적 신호와 비교하면, 대상체(1000)의 성분이 기준 대상체의 성분과 동일한지 여부를 확인할 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치의 핵심적인 구성 요소를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 컨베이어(500)는 제1 반사부(400-1) 및 제2 반사부(400-2) 사이에 설치되며, 대상체(1000)가 제1 반사부(400-1)의 반사면과 제2 반사부(400-2)의 반사면(410) 사이에 위치하도록 대상체(1000)를 일정 방향으로 이동시킨다.
광원(100)이 생성한 레이저 빔으로부터 분리된 제1 레이저 빔은 발생부(300)로 입사되고, 제2 레이저 빔은 제2 반사부(400-2)로 입사된다.
발생부(300)가 상기 제1 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사하면, 제1 반사부(400-1)의 반사면은 방사된 테라헤르츠 전자기파를 상방의 대상체(1000)로 반사시킨다. 제1 반사부(400-1)는 그 반사면이 제2 반사부(400-2)의 반사면(410)에 대향하도록 설치되는 것이 바람직하다.
대상체(1000)를 투과한 상기 테라헤르츠 전자기파는 제1 반사부(400-1)의 반사면에 대향하도록 설치된 제2 반사부(400-2)의 반사면(410)으로 입사된다.
제2 반사부(400-2)의 반사면(410)은 대상체(1000)를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 검출부(600) 방향으로 반사시킨다.
광 스플리터(200)에 의해 분리된 제2 레이저 빔은 제2 반사부(400-2)에 구비된 쓰루홀(430)을 통해 검출부(600)로 입사된다. 바람직하게는, 쓰루홀(430)은 상기 제2 레이저 빔이 입사되는 입사면에서부터 반사면(410)까지 연장되며, 쓰루홀(430)의 길이 방향은 상기 제2 레이저 빔의 진행 방향과 일치한다.
검출부(600)는 입사된 제2 레이저 빔 및 테라헤르츠 전자기파를 기초로 전기적 신호를 생성한다.
도 5는 본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 도시한 블럭도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치는 발생부(300)와 제1 반사부(400-1) 사이에 제3 반사부(400-3)가 추가되고, 대상체(1000)와 제2 반사부(400-2) 사이에 제4 반사부(400-4)가 더 추가되었을 뿐, 다른 구성 요소는 동일하다. 도 5에 도시된 본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치를 개략적으로 도시하면 도 6과 같다.
이하에서는, 도 6을 참조하여 본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치에 포함된 제1 반사부(400-1) 내지 제4 반사부(400-4)에 대해서만 상세하게 설명한다.
도 6을 참조하면, 발생부(300)가 상기 제1 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사하면, 제3 반사부(400-3)의 반사면은 방사된 테라헤르츠 전자기파를 제1 반사부(400-1)의 반사면으로 반사시킨다. 제3 반사부(400-3)의 반사면은 제1 반사부(400-1)의 반사면에 대향하도록 설치되는 것이 바람직하다.
제1 반사부(400-1)의 반사면은 제3 반사부(400-3)에 의해 반사된 테라헤르츠 전자기파를 상방의 대상체(1000)로 반사시키고, 대상체(1000)를 투과한 상기 테라헤르츠 전자기파는 제1 반사부(400-1)의 반사면에 대향하도록 설치된 제4 반사부(400-4)의 반사면으로 입사된다.
제4 반사부(400-4)의 반사면이 대상체(1000)를 투과한 상기 테라헤르츠 전자기파를 제2 반사부(400-2)의 반사면(410)으로 반사시키면, 제2 반사부(400-2)의 반사면(410)은 제4 반사부(400-4)에 의해 반사된 테라헤르츠 전자기파를 검출부(600) 방향으로 반사시킨다.
광 스플리터(200)에 의해 분리된 제2 레이저 빔은 제2 반사부(400-2)의 쓰루홀(430)을 통해 검출부(600)로 입사된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치는 광 스플리터(200)에 의해 분리된 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔을 각각 발생부(300) 및 제2 반사부(400-2)로 유도하기 위한 하나 이상의 유도부(900)를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 하나 이상의 유도부는 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔이 각각 발생부(300) 및 제2 반사부(400-2)로 입사될 수 있도록 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하며, 입사되는 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔을 반사시켜 발생부(300) 및 제2 반사부(400-2)로 유도한다.
본 발명의 변형예에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치에 따르면, 제3 반사부(400-3) 및 제4 반사부(400-4)를 추가하여 테라헤르츠 전자기파의 진행 방향을 변경되더라도, 제2 반사부(400-2)의 쓰루홀(430)을 통해 제2 레이저 빔이 검출부(600)로 입사되고, 제2 반사부(400-2)의 반사면(410)을 통해 대상체(1000)를 투과한 테라헤르츠 전자기파가 검출부(600)로 입사되는 구성에는 변함이 없다는 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치는 제2 반사부(400-2)의 쓰루홀(430)을 통해 제2 레이저 빔이 검출부(600)로 입사되고, 제2 반사부(400-2)의 반사면(410)을 통해 대상체(1000)를 투과한 테라헤르츠 전자기파가 검출부(600)로 입사되기만 한다면, 하나 이상의 반사부를 추가하는 경우라도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것은 자명하다고 할 것이다.
100 : 광원 200 : 광 스플리터
300 : 발생부 400-1 : 제1 반사부
400-2 : 제2 반사부 400-3 : 제3 반사부
400-4 : 제4 반사부 500 : 컨베이어
600 : 검출부 700 : 제어부

Claims (11)

  1. 제1 레이저 빔에 의해 여기되어 테라헤르츠 전자기파를 방사하는 발생부;
    상기 발생부가 방사한 상기 테라헤르츠 전자기파를 상방의 대상체로 반사시키는 제1 반사부;
    상기 제1 반사부의 상부에 설치되어 하방의 상기 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 반사시키는 제2 반사부; 및
    제2 레이저 빔 및 상기 제2 반사부에 의해 반사된 테라헤르츠 전자기파를 기초로 이미징을 위한 전기적 신호를 생성하는 검출부
    를 포함하되,
    상기 제2 반사부는,
    하방의 상기 대상체를 투과한 테라헤르츠 전자기파를 상기 검출부 방향으로 반사시키는 반사면; 및
    상기 제2 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하여, 상기 제2 레이저 빔을 통과시키는 쓰루홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 쓰루홀은 상기 제2 레이저 빔이 입사되는 입사면에서부터 상기 반사면까지 연장되며, 상기 쓰루홀의 길이 방향은 상기 제2 레이저 빔의 진행 방향에 일치하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제2 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 사이에 설치되며, 상기 대상체가 상기 제1 반사부의 반사면과 상기 제2 반사부의 반사면의 사이에 위치하도록 상기 대상체를 일정 방향으로 이동시키는 컨베이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반사부와 대향하도록 설치되어 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 제1 반사부로 반사시키는 제3 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제3 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 반사부와 대향하도록 설치되어 상기 테라헤르츠 전자기파를 상기 제2 반사부로 반사시키는 제4 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 반사부의 반사면은 상기 제4 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 반사부의 반사면은 상기 제4 반사부의 반사면에 대향하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    레이저 빔을 생성하는 광원; 및
    상기 광원으로부터 생성된 상기 레이저 빔을 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔으로 분리하여 상기 발생부 및 상기 제2 반사부로 입사시키는 광 스플리터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 검출부가 생성한 전기적 신호 및 기준 신호를 비교하여 상기 대상체의 성분을 분석하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성분 분석 장치.
KR1020120112882A 2012-10-11 2012-10-11 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치 KR101378113B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120112882A KR101378113B1 (ko) 2012-10-11 2012-10-11 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120112882A KR101378113B1 (ko) 2012-10-11 2012-10-11 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101378113B1 true KR101378113B1 (ko) 2014-03-27

Family

ID=50649530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120112882A KR101378113B1 (ko) 2012-10-11 2012-10-11 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101378113B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101593399B1 (ko) 2014-10-24 2016-02-12 서울시립대학교 산학협력단 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0540020A (ja) * 1991-08-06 1993-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実装済プリント基板の検査装置
KR20110130183A (ko) * 2010-05-27 2011-12-05 한국식품연구원 테라헤르츠 분광·영상 측정용 분체시료 전용 홀더
KR20110138587A (ko) * 2010-06-21 2011-12-28 한국전자통신연구원 테라­헤르츠 대역 신호를 이용한 샘플 분석 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0540020A (ja) * 1991-08-06 1993-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実装済プリント基板の検査装置
KR20110130183A (ko) * 2010-05-27 2011-12-05 한국식품연구원 테라헤르츠 분광·영상 측정용 분체시료 전용 홀더
KR20110138587A (ko) * 2010-06-21 2011-12-28 한국전자통신연구원 테라­헤르츠 대역 신호를 이용한 샘플 분석 장치 및 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
오승재 등. 테라헤르츠 전자기파 펄스의 변조를 이용한 이미징의 해상도 연구. 한국광학회지, 제15권, 제1호, 2004.02. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101593399B1 (ko) 2014-10-24 2016-02-12 서울시립대학교 산학협력단 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2468400C2 (ru) Устройство возмущения многомодового оптического волокна
US10018725B2 (en) LIDAR imaging system
US8659759B2 (en) Laser based cavity enhanced optical absorption gas analyzer
US20040105095A1 (en) Arrangement for the optical detection of a moving target flow for a pulsed energy beam pumped radiation
KR850000669A (ko) 거리측정 시스템
US9310294B2 (en) Use of one or more retro-reflectors in a gas analyzer system
JP6380662B2 (ja) フーリエ変換型分光光度計
KR920704092A (ko) 물체의 광 측정을 위한 방법 및 장치
US9714924B2 (en) Ultrasonic inspection device and method of ultrasonic inspection
TWI263035B (en) Optical movement sensing module and its optical movement sensor
US20190195691A1 (en) Optical device
JP2012185012A (ja) 画像形成装置
US8446587B2 (en) Flash photolysis system
JP2006308426A (ja) テラヘルツ測定装置
KR101378113B1 (ko) 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치
JP6538191B2 (ja) 計測装置、計測方法及びコンピュータプログラム
US8724111B2 (en) Flash photolysis system
KR20110111948A (ko) 입자 측정장치
KR100797354B1 (ko) 산업용 레이저 속도 측정장치
JP5600374B2 (ja) テラヘルツ分光装置
KR20100134351A (ko) 격자판을 이용한 빔의 폭 측정 장치 및 그 방법
KR101389428B1 (ko) 엘디브이 시스템을 이용한 핵융합장치의 진동 측정 시스템
KR101593399B1 (ko) 테라헤르츠 전자기파를 이용한 성분 분석 장치
KR100799445B1 (ko) 산업용 레이저 속도 측정방법
JP2014228346A (ja) テラヘルツ波計測装置及び光路長調整装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170316

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180124

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190201

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200203

Year of fee payment: 7