JPH0536805A - 磁気抵抗センサ用試験装置 - Google Patents
磁気抵抗センサ用試験装置Info
- Publication number
- JPH0536805A JPH0536805A JP19033091A JP19033091A JPH0536805A JP H0536805 A JPH0536805 A JP H0536805A JP 19033091 A JP19033091 A JP 19033091A JP 19033091 A JP19033091 A JP 19033091A JP H0536805 A JPH0536805 A JP H0536805A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- sensor
- helmholtz coil
- permanent magnet
- magnetoresistive sensor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗センサの試験方法で、永久磁石によ
る保磁力の劣化や回転ムラまた磁石と磁気抵抗素子との
距離の変動による磁界強度の変動による特性試験の信頼
性の欠陥を改善する。 【構成】 ＭＲセンサ１に試験条件印加磁界源のヘルム
ホルツコイル２を備え、パターンジネレータ６より正弦
波電圧を印加して、波形測定器７で試験を行なう。 【効果】 印加磁界源をヘルムホルツコイルすることに
より、永久磁石による保磁力の劣化や回転ムラ等の変動
による特性試験の信頼性の欠陥を改善できる効果を有す
る。
る保磁力の劣化や回転ムラまた磁石と磁気抵抗素子との
距離の変動による磁界強度の変動による特性試験の信頼
性の欠陥を改善する。 【構成】 ＭＲセンサ１に試験条件印加磁界源のヘルム
ホルツコイル２を備え、パターンジネレータ６より正弦
波電圧を印加して、波形測定器７で試験を行なう。 【効果】 印加磁界源をヘルムホルツコイルすることに
より、永久磁石による保磁力の劣化や回転ムラ等の変動
による特性試験の信頼性の欠陥を改善できる効果を有す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗センサの試験方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば図２に示すように、磁気抵
抗センサ（ＭＲセンサ）の電気的特性試験においては、
２極に着磁された永久磁石２２を回転させることによ
り、ＭＲセンサ２１内に設けられた磁気抵抗素子２３に
正弦波磁界を印加して、差動増巾部２５で、磁気抵抗素
子２３のブリッジ中点電圧２４を波形整形された出力波
形として出力することにより、ＭＲセンサの特性を試験
している。
抗センサ（ＭＲセンサ）の電気的特性試験においては、
２極に着磁された永久磁石２２を回転させることによ
り、ＭＲセンサ２１内に設けられた磁気抵抗素子２３に
正弦波磁界を印加して、差動増巾部２５で、磁気抵抗素
子２３のブリッジ中点電圧２４を波形整形された出力波
形として出力することにより、ＭＲセンサの特性を試験
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
永久磁石を回転させて正弦波磁界を印加する方法では、
永久磁石の保磁力の劣化や回転ムラ、また磁石と磁気抵
抗素子との距離変動による磁界強度の変動が発生するこ
とにより、ＭＲセンサの特性試験としては信頼性が乏し
くなる。
永久磁石を回転させて正弦波磁界を印加する方法では、
永久磁石の保磁力の劣化や回転ムラ、また磁石と磁気抵
抗素子との距離変動による磁界強度の変動が発生するこ
とにより、ＭＲセンサの特性試験としては信頼性が乏し
くなる。
【０００４】また、個別の磁界強度や多分極の着磁磁石
で特性の試験を行なう場合、永久磁石の取り付け設定に
手間がかかる問題点があった。
で特性の試験を行なう場合、永久磁石の取り付け設定に
手間がかかる問題点があった。
【０００５】そこで、本発明の技術的課題は、上記欠点
に鑑み、永久磁石による保磁力の劣化や回転ムラまた磁
石と磁気抵抗素子との距離変動による磁界強度の変動に
よる特性試験の信頼性の欠陥を改善する磁気抵抗センサ
用試験装置を提供することである。
に鑑み、永久磁石による保磁力の劣化や回転ムラまた磁
石と磁気抵抗素子との距離変動による磁界強度の変動に
よる特性試験の信頼性の欠陥を改善する磁気抵抗センサ
用試験装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気抵
抗センサの特性を測定するために、試験条件印加磁界源
のヘルムホルツコイルを備えたことを特徴とする磁気抵
抗センサ用試験装置が得られる。
抗センサの特性を測定するために、試験条件印加磁界源
のヘルムホルツコイルを備えたことを特徴とする磁気抵
抗センサ用試験装置が得られる。
【０００７】又、本発明によれば、前記磁気抵抗センサ
用試験装置において、前記ヘルムホルツコイルに正弦波
磁界を発生させる電源部を設けたことを特徴とする磁気
抵抗センサ用試験装置が得られる。
用試験装置において、前記ヘルムホルツコイルに正弦波
磁界を発生させる電源部を設けたことを特徴とする磁気
抵抗センサ用試験装置が得られる。
【０００８】更に、本発明によれば、前記磁気抵抗セン
サ用試験装置において、前記電源部は、正弦波の周波数
および磁界強度を設定可能であることを特徴とする磁気
抵抗センサ用試験装置が得られる。
サ用試験装置において、前記電源部は、正弦波の周波数
および磁界強度を設定可能であることを特徴とする磁気
抵抗センサ用試験装置が得られる。
【０００９】すなわち、本発明の磁気抵抗センサ用試験
装置は、磁気抵抗センサであるＭＲセンサに、試験条件
印加磁界源となるヘルムホルツを設け、このヘルムホル
ツコイルに正弦波電圧を与えることにより発生する正弦
波磁界でＭＲセンサの特性を試験することを特徴とする
磁気抵抗センサ用試験装置である。
装置は、磁気抵抗センサであるＭＲセンサに、試験条件
印加磁界源となるヘルムホルツを設け、このヘルムホル
ツコイルに正弦波電圧を与えることにより発生する正弦
波磁界でＭＲセンサの特性を試験することを特徴とする
磁気抵抗センサ用試験装置である。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１１】図１に示すように、本実施例では、試験を
するＭＲセンサ１に対して、試験条件印加磁界源のヘル
ムホルツコイル２が設けられている。このヘルムホルツ
コイル２には、正弦波、周波数、磁界強度を設定するた
めのパターンジェネレータ電源６が接続されている。
するＭＲセンサ１に対して、試験条件印加磁界源のヘル
ムホルツコイル２が設けられている。このヘルムホルツ
コイル２には、正弦波、周波数、磁界強度を設定するた
めのパターンジェネレータ電源６が接続されている。
【００１２】ＭＲセンサの出力端子には、波形測定器７
が接続される。ヘルムホルツコイル２に接続されたパタ
ーンジネレータ電源６に、試験条件の周波数および磁界
強度を決定する電圧を設定し、通電することによって、
その正弦波磁界により、ＭＲセンサ１の磁気抵抗素子３
が、ブリッジ中点電圧４を発生し、差動増巾部５で波形
整形された出力波形を波形測定器７でＭＲセンサの特性
の試験を行なう。
が接続される。ヘルムホルツコイル２に接続されたパタ
ーンジネレータ電源６に、試験条件の周波数および磁界
強度を決定する電圧を設定し、通電することによって、
その正弦波磁界により、ＭＲセンサ１の磁気抵抗素子３
が、ブリッジ中点電圧４を発生し、差動増巾部５で波形
整形された出力波形を波形測定器７でＭＲセンサの特性
の試験を行なう。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
印加磁界源をヘルムホルツコイルにより発生させて、ヘ
ルムホルツコイルに正弦波電圧を与えることにより発生
する正弦波磁界でＭＲセンサの特性を試験する方法によ
り、永久磁石による保磁力の劣化や回転ムラまた磁石と
磁気抵抗素子との距離の変動による磁界強度の変動によ
る特性試験の信頼性の欠陥を改善できる効果を有する。
またパターンジネレータ電源による試験条件が変更でき
るのでＭＲセンサの特性条件に対して汎用性のある試験
が可能となった。
印加磁界源をヘルムホルツコイルにより発生させて、ヘ
ルムホルツコイルに正弦波電圧を与えることにより発生
する正弦波磁界でＭＲセンサの特性を試験する方法によ
り、永久磁石による保磁力の劣化や回転ムラまた磁石と
磁気抵抗素子との距離の変動による磁界強度の変動によ
る特性試験の信頼性の欠陥を改善できる効果を有する。
またパターンジネレータ電源による試験条件が変更でき
るのでＭＲセンサの特性条件に対して汎用性のある試験
が可能となった。
【図１】本発明の磁気抵抗センサの試験方法の一実施例
を示す構成図
を示す構成図
【図２】従来の磁気センサの磁気抵抗センサの試験方法
の一例を示す構成図
の一例を示す構成図
１，２１ 磁気抵抗センサ（ＭＲセンサ）
２ ヘルムホルツコイル
２２ 永久磁石
３，２３ 磁気抵抗素子
４，２４ ブリッジ中点電圧
５，２５ 差動増巾部
６ パターンジネレータ電源
７ 波形測定器
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗センサの特性を測定するため
に、試験条件印加磁界源のヘルムホルツコイルを備えた
ことを特徴とする磁気抵抗センサ用試験装置。 - 【請求項２】 第１請求項記載の磁気抵抗センサ用試験
装置において、前記ヘルムホルツコイルに正弦波磁界を
発生させる電源部を設けたことを特徴とする磁気抵抗セ
ンサ用試験装置。 - 【請求項３】 第１請求項記載の磁気抵抗センサ用試
験装置において、前記電源部は、正弦波の周波数および
磁界強度を設定可能であることを特徴とする磁気抵抗セ
ンサの試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19033091A JPH0536805A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 磁気抵抗センサ用試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19033091A JPH0536805A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 磁気抵抗センサ用試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536805A true JPH0536805A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16256399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19033091A Pending JPH0536805A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 磁気抵抗センサ用試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536805A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005047413A1 (de) * | 2005-02-23 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistives Sensorelement und Konzept zum Herstellen und Testen desselben |
| US7345470B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-03-18 | Yamaha Corporation | Probe card and method for testing magnetic sensor |
| CN100420953C (zh) * | 2001-12-20 | 2008-09-24 | Nxp股份有限公司 | 磁阻传感器 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP19033091A patent/JPH0536805A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100420953C (zh) * | 2001-12-20 | 2008-09-24 | Nxp股份有限公司 | 磁阻传感器 |
| US7345470B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-03-18 | Yamaha Corporation | Probe card and method for testing magnetic sensor |
| DE102005047413B4 (de) * | 2005-02-21 | 2012-01-05 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistives Sensorelement und Verfaheren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest |
| DE102005047413A1 (de) * | 2005-02-23 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistives Sensorelement und Konzept zum Herstellen und Testen desselben |
| US7323870B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-01-29 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive sensor element and method of assembling magnetic field sensor elements with on-wafer functional test |
| DE102005047413B8 (de) * | 2005-02-23 | 2012-05-10 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeldsensorelement und Verfahren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990908 |