JPH0536664A - Wafer cleaning tank - Google Patents

Wafer cleaning tank

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JPH0536664A
JPH0536664A JP3214655A JP21465591A JPH0536664A JP H0536664 A JPH0536664 A JP H0536664A JP 3214655 A JP3214655 A JP 3214655A JP 21465591 A JP21465591 A JP 21465591A JP H0536664 A JPH0536664 A JP H0536664A
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tank
wafer
cleaning
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cleaning liquid
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Hideo Kudo
秀雄 工藤
Isao Uchiyama
勇雄 内山
Takashi Tanakajima
隆司 田中島
Yoshiharu Kimura
嘉晴 木村
Morie Suzuki
盛江 鈴木
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
信越半導体株式会社
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Abstract

PURPOSE:To provide a wafer cleaning tank in which wafers can be cleaned by dipping the wafers in a cleaning liquid while the wafers are held one by one in nearly vertical attitudes. CONSTITUTION:This wafer cleaning tank E is provided with a flat tank 110 in which a cleaning liquid is contained, holder 120 which supports wafers W in nearly vertical attitudes in the tank 110, and injection nozzle from which the cleaning liquid is jetted upon the upper surface section of the wafers W supported by the holder 120. One of the wafers W is dipped in the cleaning liquid in the tank and cleaned while the wafer W is held in a nearly vertical attitude by the holder 120. While the wafer W is cleaned, the wafer W is stably maintained in the nearly vertical attitude, because the wafer W is pressed against the holder 120 in a state where the wafer W is slightly titled from the perpendicular direction by the cleaning liquid jetted upon the upper section of the wafer W from the nozzle.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハを洗浄
液中に1枚ずつ略垂直に浸漬してこれを洗浄するウエー
ハ洗浄槽に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning tank for cleaning semiconductor wafers by immersing them one by one in a cleaning liquid substantially vertically.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子製造において、半導体ウエー
ハの表面に付着した不純物は半導体素子の性能に悪影響
を及ぼす。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, impurities attached to the surface of a semiconductor wafer adversely affect the performance of semiconductor devices.

【0003】そこで、半導体ウエーハの製造工程の中に
は洗浄工程が含まれており、この洗浄工程ではウエーハ
が種々の方法によって洗浄されるが、ウエーハの洗浄方
法には大別して物理的洗浄方法と化学的洗浄方法とがあ
る。
Therefore, a semiconductor wafer manufacturing process includes a cleaning process. In this cleaning process, the wafer is cleaned by various methods. The cleaning method of the wafer is roughly classified into a physical cleaning method. There is a chemical cleaning method.

【0004】上記前者の物理的洗浄方法としては、洗浄
ブラシ等を用いてウエーハ表面に付着した不純物を直接
除去する方法、噴射ノズルから加圧流体をウエーハの一
部又は全体に向けて噴射し、これによって不純物を除去
する方法、ウエーハを液中に浸漬してこれに超音波を当
てて該ウエーハに付着した不純物を除去する方法(超音
波洗浄法)等がある。
As the former physical cleaning method, a method of directly removing impurities adhering to the surface of the wafer by using a cleaning brush or the like, a pressurized fluid is sprayed from a spray nozzle toward a part or the whole of the wafer, There are a method of removing impurities by this, a method of immersing a wafer in a liquid and applying ultrasonic waves to this to remove impurities adhering to the wafer (ultrasonic cleaning method).

【0005】又、前記後者の化学的洗浄方法としては、
種々の薬剤、酵素等によってウエーハ表面に付着した不
純物を化学的に分解除去する方法等がある。尚、物理的
洗浄方法と化学的洗浄方法が併用されることもある。
Further, as the latter chemical cleaning method,
There is a method of chemically decomposing and removing impurities adhering to the surface of the wafer by various agents, enzymes and the like. The physical cleaning method and the chemical cleaning method may be used in combination.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体の製
造分野においては、近年の半導体デバイスの高集積化の
傾向に伴って半導体ウエーハが大口径化し、複数枚のウ
エーハをキャリアに収容して洗浄する従来の方式によれ
ば、多大な労力を要する。
In the field of semiconductor manufacturing, a semiconductor wafer has a large diameter due to the recent trend of high integration of semiconductor devices, and a plurality of wafers are accommodated in a carrier for cleaning. According to the conventional method, much labor is required.

【0007】又、ウエーハをキャリアに収容して運搬す
る方式を採ると、ウエーハとキャリアとの接触等によっ
てウエーハにパーティクル等が付着してウエーハが汚染
されるという問題も生じる。
Further, if the method of accommodating the wafer in a carrier is adopted, there is a problem that particles are attached to the wafer due to contact between the wafer and the carrier to contaminate the wafer.

【0008】そこで、ウエーハを1枚ずつ略垂直に支持
してこれを複数の洗浄槽の洗浄液中に順次浸漬せしめる
ことによって、ウエーハを1枚ずつ洗浄する毎葉式のウ
エーハ自動洗浄装置が提案される。
Therefore, a leaf-type automatic wafer cleaning apparatus has been proposed in which the wafers are supported vertically one by one and the wafers are sequentially immersed in the cleaning liquid of a plurality of cleaning tanks to clean the wafers one by one. It

【0009】斯かる毎葉式のウエーハ自動洗浄装置にお
いては、各洗浄槽において1枚のウエーハを略垂直に安
定支持した状態でこれを洗浄液中に浸漬する必要があ
り、そのため各洗浄装置には特別の工夫を要する。
In such a single-wafer automatic wafer cleaning apparatus, it is necessary to immerse a single wafer in each cleaning tank in a cleaning liquid in a state where it is stably supported in a substantially vertical direction. Requires special ingenuity.

【0010】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
で、その目的とする処は、ウエーハを1枚ずつ略垂直に
安定支持した状態で洗浄液中に浸漬してこれを洗浄する
ことができるウエーハ洗浄槽を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances. The object of the present invention is to allow a wafer to be washed by dipping it in a cleaning liquid in a state of stably supporting the wafers one by one substantially vertically. To provide a cleaning tank.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハを
タンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに
支持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する
噴射ノズルを含んでウエーハ洗浄槽を構成したことをそ
の特徴とする。
To achieve the above object, the present invention provides a flat tank for containing a cleaning liquid, a holder for supporting a wafer substantially vertically in the tank, and an upper portion of the wafer supported by the holder. The wafer cleaning tank is characterized by including a spray nozzle for spraying the cleaning liquid toward the surface.

【0012】[0012]

【作用】本発明によれば、1枚のウエーハは、ホルダー
によって略垂直に安定支持された状態で、タンク内の洗
浄液中に浸漬されて洗浄される。このとき、ウエーハ
は、噴射ノズルから噴出される洗浄液をその上部に受け
てホルダーに押圧され、垂直に対して若干傾いた状態で
支持されてその姿勢が安定に保たれる。
According to the present invention, one wafer is immersed in the cleaning liquid in the tank for cleaning while being stably supported substantially vertically by the holder. At this time, the wafer receives the cleaning liquid ejected from the ejection nozzle at its upper portion, is pressed by the holder, and is supported in a state in which it is slightly inclined with respect to the vertical direction, and the posture thereof is kept stable.

【0013】[0013]

【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0014】図7、図8、図9は本発明に係るウエーハ
洗浄槽を備えるウエーハ自動洗浄装置の正面図、平面
図、側面図であり、該ウエーハ自動洗浄装置は、ローダ
部A、ウエーハ受槽B、予備洗浄槽C、ブラシ洗浄槽
D、洗浄槽E,F,G,H,I、2つの予備槽J,K、
乾燥槽L及びアンローダ部Mを有している。
FIGS. 7, 8 and 9 are a front view, a plan view and a side view of an automatic wafer cleaning apparatus equipped with a wafer cleaning tank according to the present invention. The automatic wafer cleaning apparatus comprises a loader section A and a wafer receiving tank. B, preliminary cleaning tank C, brush cleaning tank D, cleaning tanks E, F, G, H, I, two preliminary tanks J, K,
It has a drying tank L and an unloader section M.

【0015】而して、前工程である研磨工程においてそ
の表面を鏡面研磨されたウエーハWは、図8に示すよう
に、そのまま継続してローダ部Aに1枚ずつ搬入され、
純水の流れに沿ってウエーハ受槽B内に送られる。
As shown in FIG. 8, the wafers W whose surfaces have been mirror-polished in the previous polishing step are continuously loaded into the loader section A one by one, as shown in FIG.
It is sent into the wafer receiving tank B along with the flow of pure water.

【0016】ところで、ウエーハ受槽Bには不図示のウ
エーハ起立装置が設けられており、ウエーハ受槽Bに搬
入されたウエーハWは、ウエーハ起立装置によって起立
せしめられる。そして、垂直に起立せしめられたウエー
ハWは、搬送ロボット20によって垂直に支持されてウ
エーハ受槽Bから予備洗浄槽Cまで自動的に搬送され、
予備洗浄槽Cでは洗浄液中に浸漬されてその背面に付着
したワックスが除去される。そして、予備洗浄槽Cにて
ワックスを除去されたウエーハWは、搬送ロボット20
によって垂直に支持されてブラシ洗浄槽Dに送られ、こ
のブラシ洗浄槽Dにてその両面を同時にブラシ洗浄され
てパーティクル等が除去される。
By the way, the wafer receiving tank B is provided with a wafer erection device (not shown), and the wafer W carried into the wafer receiving tank B is erected by the wafer erection device. The vertically standing wafer W is vertically supported by the transfer robot 20 and automatically transferred from the wafer receiving tank B to the preliminary cleaning tank C.
In the pre-cleaning tank C, the wax that is immersed in the cleaning liquid and adhered to the back surface thereof is removed. Then, the wafer W from which the wax has been removed in the preliminary cleaning tank C is transferred to the transfer robot 20.
And is vertically supported by and is sent to the brush cleaning tank D, and both surfaces of the brush cleaning tank D are simultaneously cleaned by the brush cleaning tank D to remove particles and the like.

【0017】以上のようにブラシ洗浄されたウエーハW
は、搬送ロボット20によって垂直に支持されて本発明
に係る洗浄槽Eへ搬送されてここでリンス処理される。
Wafer W brush-cleaned as described above
Is vertically supported by the transfer robot 20 and is transferred to the cleaning tank E according to the present invention where it is rinsed.

【0018】ここで、洗浄槽Eの構成を図1乃至図6に
基づいて説明する。尚、図1は洗浄槽Eの破断正面図、
図2は同平面図、図3は同破断側面図、図4は図3のg
部拡大詳細図、図5は図1の矢視h方向の図、図6は洗
浄槽のフローシートである。
Here, the structure of the cleaning tank E will be described with reference to FIGS. 1 is a cutaway front view of the cleaning tank E,
2 is a plan view of the same, FIG. 3 is a side view of the same, and FIG.
FIG. 5 is an enlarged detailed view of the part, FIG. 5 is a view in the direction of arrow h in FIG. 1, and FIG. 6 is a flow sheet of the cleaning tank.

【0019】洗浄槽Eは偏平なタンク110を有してお
り、該タンク110の長壁面にはオーバーフロータンク
111が形成されており、該オーバーフロータンク11
1の底部にはオーバーフローパイプ112が接続されて
いる。尚、オーバーフローパイプ112は図6に示す排
水ライン132に接続されている。
The cleaning tank E has a flat tank 110, and an overflow tank 111 is formed on a long wall surface of the tank 110.
An overflow pipe 112 is connected to the bottom of the unit 1. The overflow pipe 112 is connected to the drain line 132 shown in FIG.

【0020】又、タンク110の底部にはドレインパイ
プ113が接続されており、図1及び図5に示すよう
に、タンク110の底面は長辺方向にはドレインパイプ
113に向かって下方に傾斜し、短辺方向にも一方に向
かって下方に傾斜している。従って、タンク110内の
底部に落下する汚染物質等は、先ずタンク110の底面
の短辺方向の傾斜に沿って幅方向の片方に移動し、更に
長辺方向の傾きにそってドレインパイプ113方向に流
れ、その全てがドレインパイプ113からタンク110
外へ排出されるため、タンク110の底部に汚染物質等
が溜ることがない。
A drain pipe 113 is connected to the bottom of the tank 110. As shown in FIGS. 1 and 5, the bottom surface of the tank 110 inclines downward toward the drain pipe 113 in the long side direction. Also, the short side direction is also inclined downward toward one side. Therefore, the contaminants or the like that fall to the bottom of the tank 110 first move to one side in the width direction along the inclination of the bottom surface of the tank 110 in the short side direction, and further in the drain pipe 113 direction along the inclination of the long side direction. Flow to the tank 110 from the drain pipe 113.
Since it is discharged to the outside, contaminants and the like do not collect at the bottom of the tank 110.

【0021】更に、図3において、タンク110の上部
には、長手方向に長いカバー部材114によって区画さ
れるチャンバーSが形成されており、該チャンバーSに
は図6に示す給水ライン115の給水パイプ116が接
続されている。そして、図4に詳細に示すように、前記
チャンバーSはタンク110の壁に穿設された複数の噴
射ノズル117…を介してタンク110内に連通してい
る。尚、噴射ノズル117…は、タンク110の内方に
向かって下方に傾斜して設けられている。
Further, in FIG. 3, a chamber S defined by a cover member 114 which is long in the longitudinal direction is formed in the upper part of the tank 110, and the chamber S is provided with a water supply pipe of a water supply line 115 shown in FIG. 116 is connected. Further, as shown in detail in FIG. 4, the chamber S communicates with the inside of the tank 110 via a plurality of injection nozzles 117 ... Formed in the wall of the tank 110. The injection nozzles 117 are provided so as to be inclined downward toward the inside of the tank 110.

【0022】又、タンク110の前記給水パイプ116
の下方には、同じく給水ライン115(図6参照)に接
続された給水パイプ118が接続されている。尚、図1
において、119は薬液供給パイプである。
Further, the water supply pipe 116 of the tank 110.
A water supply pipe 118, which is also connected to the water supply line 115 (see FIG. 6), is connected to the lower part of FIG. Incidentally, FIG.
In the figure, 119 is a chemical liquid supply pipe.

【0023】一方、タンク110内にはウエーハWを垂
直に対して若干傾いた状態で支持する矩形枠状のホルダ
ー120が収容されている。このホルダー120の下端
部の左右には、ウエーハWの外周部を支持すべき外周上
に凹部を有する2個のローラ121,121が回転自在
に軸支されており、該ホルダー120は、図3に示すよ
うに、その上端部に形成された鍵部120aがタンク1
10の上端縁に引っ掛けられることによって、タンク1
10内に垂直に支持されている。
On the other hand, in the tank 110, a rectangular frame-shaped holder 120 for supporting the wafer W in a state of being slightly inclined with respect to the vertical is housed. Two rollers 121, 121 having recesses on the outer circumference for supporting the outer circumference of the wafer W are rotatably supported on the left and right sides of the lower end of the holder 120. As shown in FIG. 2, the key portion 120a formed on the upper end of the tank 1 is
The tank 1 is hooked on the upper edge of the tank 1.
It is vertically supported in 10.

【0024】ところで、図6に示すように、当該洗浄槽
E全体は、純水で満たされたタンク122内に浸漬され
ており、タンク122の下部には超音波発振器123が
取り付けられている。
By the way, as shown in FIG. 6, the entire cleaning tank E is immersed in a tank 122 filled with pure water, and an ultrasonic oscillator 123 is attached to the lower portion of the tank 122.

【0025】而して、前記搬送ロボット20(図7乃至
図9参照)に支持されたウエーハWは、図1に示すよう
に、ホルダー120のローラ121,121にその外周
部が支持された状態でタンク110内の純水中に浸漬さ
れており、これは前記複数の噴射ノズル117…(図4
参照)からタンク110内に噴出される水流をその上部
に受けて図3に示すように垂直に対して若干傾いた状態
でホルダー120に受けられ、その姿勢が安定に保たれ
ている。このとき、前述のように、噴射ノズル117…
はタンク110の内方(ウエーハW)に向かって下方に
傾斜して設けられているため、ウエーハWは下向きの力
を受けてローラ121,121に押圧され、純水中での
浮動が抑えられてその姿勢が安定に保たれる。尚、純水
は噴射ノズル117…及び給水パイプ118からタンク
110内に供給され、タンク110からオーバーフロー
タンク111にオーバーフローした純水は、オーバーフ
ローパイプ112から排出ライン132(図6参照)へ
と排出される。
Thus, as shown in FIG. 1, the wafer W supported by the transfer robot 20 (see FIGS. 7 to 9) is in a state in which the outer peripheral portion is supported by the rollers 121, 121 of the holder 120. It is immersed in pure water in the tank 110 by the plurality of injection nozzles 117 ... (FIG. 4).
(See FIG. 3), the water flow jetted into the tank 110 is received by the upper portion thereof and is received by the holder 120 in a state in which it is slightly inclined with respect to the vertical direction as shown in FIG. 3, and its posture is kept stable. At this time, as described above, the injection nozzles 117 ...
Is inclined downward toward the inside of the tank 110 (wafer W), the wafer W is pressed by the rollers 121, 121 under the downward force, and the floating in pure water is suppressed. The posture is kept stable. Pure water is supplied into the tank 110 from the injection nozzles 117 ... And the water supply pipe 118, and the pure water overflowed from the tank 110 to the overflow tank 111 is discharged from the overflow pipe 112 to the discharge line 132 (see FIG. 6). It

【0026】上記状態において、洗浄槽E全体は前記超
音波発振器123による超音波振動を受け、該洗浄槽E
内ではホルダー120に略垂直に支持されたウエーハW
が純水によってリンス処理される。
In the above state, the whole cleaning tank E is subjected to ultrasonic vibration by the ultrasonic oscillator 123,
Inside, the wafer W supported by the holder 120 substantially vertically
Is rinsed with pure water.

【0027】次に、前記洗浄槽Fについて述べるが、該
洗浄槽Fの構成は洗浄槽Eのそれと同じであって、図6
に示すように、該洗浄槽Fの下方にはタンク124が設
置されている。
Next, the cleaning tank F will be described. The structure of the cleaning tank F is the same as that of the cleaning tank E.
A tank 124 is installed below the cleaning tank F as shown in FIG.

【0028】而して、タンク124内には異種の薬液が
それぞれライン125,126を経て供給され、一方の
薬液はポンプ127によって昇圧された後、ラインヒー
タ128によって所定温度(約80℃)に加熱され、フ
ィルタ129を通過して洗浄槽F内に供給される。
Then, different kinds of chemicals are supplied into the tank 124 through the lines 125 and 126, respectively, and one of the chemicals is boosted by the pump 127 and then heated to a predetermined temperature (about 80 ° C.) by the line heater 128. It is heated, passes through the filter 129, and is supplied into the cleaning tank F.

【0029】一方、前記洗浄槽Eでリンス処理されたウ
エーハWは、搬送ロボット20にハンドリングされて洗
浄槽Eから取り出された後、洗浄槽Fまで搬送され、図
1に示したと同じ状態で洗浄槽F中の薬液中に浸漬さ
れ、その表面に付着したパーティクルが除去される。
On the other hand, the wafer W rinsed in the cleaning tank E is handled by the transfer robot 20 and taken out from the cleaning tank E, then transferred to the cleaning tank F and cleaned in the same state as shown in FIG. The particles are immersed in the chemical solution in the tank F and the particles attached to the surface are removed.

【0030】尚、洗浄槽F中でパーティクルが除去され
たウエーハWは高温(約80℃)であって、これをその
まま引き上げると表面が乾燥して不具合が生ずるため、
洗浄槽F中の高温の薬液は図6に示すライン130から
タンク124内に戻され、これと同時に純水ライン11
5から洗浄槽F中に純水が供給され、この純水によって
ウエーハWが急冷される。そして、ウエーハWの冷却に
供された純水は、ライン131から排水ライン132へ
と排出される。
The wafer W from which the particles have been removed in the cleaning tank F has a high temperature (about 80 ° C.), and if the wafer W is pulled up as it is, the surface is dried and a defect occurs.
The high temperature chemical in the cleaning tank F is returned to the tank 124 from the line 130 shown in FIG.
Pure water is supplied from 5 to the cleaning tank F, and the wafer W is rapidly cooled by this pure water. Then, the pure water used for cooling the wafer W is discharged from the line 131 to the drain line 132.

【0031】ところで、前記洗浄槽G,H,Iの構成も
前記洗浄槽E,Fのそれと同じであって、洗浄槽Hにて
洗浄されたウエーハWは、搬送ロボット20によって洗
浄槽G,H,Iに順次搬送され、該ウエーハWは洗浄槽
G,Iでは純水によってリンス処理され、洗浄槽Hでは
薬液によって洗浄されてその表面に付着したイオン性不
純物が除去される。
The cleaning tanks G, H, and I have the same construction as that of the cleaning tanks E and F, and the wafer W cleaned in the cleaning tank H is cleaned by the transfer robot 20. , I in sequence, the wafer W is rinsed with pure water in the cleaning tanks G and I, and cleaned with a chemical solution in the cleaning tank H to remove ionic impurities adhering to its surface.

【0032】而して、予備洗浄槽C乃至洗浄槽Iによっ
て洗浄処理されたウエーハWは、搬送ロボット20によ
って前記乾燥槽Lに搬送されて速成乾燥された後、搬送
ロボット20によって乾燥槽Lから取り出されてアンロ
ーダ部Mにセット不図示のウエーハカセット151内に
1枚ずつ収納され、ここにウエーハWの洗浄が1枚ずつ
連続的、且つ自動的になされる。
The wafer W cleaned by the preliminary cleaning tank C to the cleaning tank I is transferred to the drying tank L by the transfer robot 20 and is quickly dried, and then is transferred from the drying tank L by the transfer robot 20. The wafers W are taken out and stored one by one in a wafer cassette 151 (not shown) in the unloader section M, and the wafers W are cleaned one by one continuously and automatically.

【0033】このように、本実施例に係る自動洗浄装置
は毎葉式であって、各ウエーハWは各洗浄槽E〜I内で
高精度、且つ安定して位置決めされることから、搬送ロ
ボット20によって1枚ずつ安定支持されて搬送され、
且つ連続的に処理される。この結果、従来用いられてい
たキャリアが不要となって所謂キャリアレスを実現する
ことができ、洗浄の自動化に容易に対応することができ
る。
As described above, the automatic cleaning apparatus according to the present embodiment is a leaf type, and each wafer W is positioned in each cleaning tank E to I with high accuracy and stability, so that the transfer robot is provided. It is stably supported one by one by 20 and transported,
And it is processed continuously. As a result, the conventionally used carrier becomes unnecessary, so-called carrierless can be realized, and automation of cleaning can be easily coped with.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハをタ
ンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに支
持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する噴
射ノズルを含んでウエーハ洗浄槽を構成したため、ウエ
ーハを1枚ずつ略垂直に安定支持した状態で洗浄液中に
浸漬してこれを洗浄することができるという効果が得ら
れる。又、各洗浄槽内においてウエーハの位置決めが高
精度に行なわれるため、キャリアレスを実現して洗浄の
自動化に容易に対応することができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a flat tank for containing the cleaning liquid, a holder for supporting the wafer substantially vertically in the tank, and an upper portion of the wafer supported by the holder are provided. Since the wafer cleaning tank was configured to include the spray nozzle that sprays the cleaning liquid toward the surface, it is possible to wash the wafer by immersing it in the cleaning liquid in a state that the wafers are stably supported substantially vertically one by one. To be Further, since the wafer is positioned in each cleaning tank with high accuracy, it is possible to realize carrierless and easily cope with automation of cleaning.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る洗浄槽の破断正面図である。FIG. 1 is a cutaway front view of a cleaning tank according to the present invention.

【図2】本発明に係る洗浄槽の破断正面図である。FIG. 2 is a cutaway front view of a cleaning tank according to the present invention.

【図3】本発明に係る洗浄槽の破断側面図である。FIG. 3 is a cutaway side view of a cleaning tank according to the present invention.

【図4】図3のg部拡大詳細図である。FIG. 4 is an enlarged detailed view of portion g of FIG.

【図5】図1の矢視h方向の図である。5 is a view in the direction of arrow h in FIG.

【図6】洗浄槽のフローシートである。FIG. 6 is a flow sheet of a cleaning tank.

【図7】ウエーハ自動洗浄装置の正面図である。FIG. 7 is a front view of an automatic wafer cleaning apparatus.

【図8】ウエーハ自動洗浄装置の平面図である。FIG. 8 is a plan view of the automatic wafer cleaning apparatus.

【図9】ウエーハ自動洗浄装置の側面図である。FIG. 9 is a side view of the automatic wafer cleaning apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 タンク 111 オーバーフロータンク 113 ドレインパイプ 117 噴射ノズル 120 ホルダー 121 ローラ E〜I 洗浄槽 110 tank 111 overflow tank 113 drain pipe 117 injection nozzle 120 holder 121 Laura E to I cleaning tank

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中島 隆司 群馬県群馬郡群馬町足門762三益半導体工 業株式会社内 (72)発明者 木村 嘉晴 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研 究所内 (72)発明者 鈴木 盛江 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研 究所内   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Takashi Tanakajima             762 Sanmon Semiconductor, Gunma-cho, Gunma-gun, Gunma Prefecture             Business (72) Inventor Yoshiharu Kimura             Odaira, Odakura, Saigo Village, Nishishirakawa-gun, Fukushima Prefecture             Address 150 Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor Shirakawa Lab.             Inside the laboratory (72) Inventor Morie Suzuki             Odaira, Odakura, Saigo Village, Nishishirakawa-gun, Fukushima Prefecture             Address 150 Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor Shirakawa Lab.             Inside the laboratory

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエーハを洗浄液中に1枚ずつ略垂直に
浸漬してこれを洗浄する洗浄槽であって、洗浄液を収容
する偏平なタンクと、ウエーハをタンク内で略垂直に支
持するホルダーと、該ホルダーに支持されたウエーハの
上部面に向けて洗浄液を噴出する噴射ノズルを含んで構
成されることを特徴とするウエーハ洗浄槽。
1. A cleaning tank for immersing wafers one by one in a cleaning liquid in a substantially vertical direction for cleaning, and a flat tank for containing the cleaning liquid, and a holder for supporting the wafer substantially vertically in the tank. A wafer cleaning tank comprising a spray nozzle for spraying a cleaning liquid toward the upper surface of the wafer supported by the holder.
【請求項2】 前記タンクには、該タンク内の洗浄液の
液位を一定に保つためのオーバーフロータンクが設けら
れていることを特徴とする請求項1記載のウエーハ洗浄
槽。
2. The wafer cleaning tank according to claim 1, wherein the tank is provided with an overflow tank for keeping the liquid level of the cleaning liquid in the tank constant.
【請求項3】 前記タンクの底部にドレインパイプが接
続されており、同タンクの底面は長辺方向には前記ドレ
インパイプに向かって下方に傾斜しており、短辺方向に
も一方に向かって下方に傾斜していることを特徴とする
請求項1又は2記載のウエーハ洗浄槽。
3. A drain pipe is connected to the bottom of the tank, the bottom surface of the tank is inclined downward in the long side direction toward the drain pipe, and in the short side direction toward one side. The wafer cleaning tank according to claim 1 or 2, wherein the wafer cleaning tank is inclined downward.
【請求項4】 前記ホルダーは、前記タンクに着脱自在
に取り付けられており、その下端部にはウエーハの外周
部を支持すべき外周上に凹部を有する2個のローラが回
転自在に軸支され、該ローラに支持されるウエーハの上
端は、前記タンクの側壁を利用して略垂直に姿勢が維持
されていることを特徴とする請求項1,2又は3記載の
ウエーハ洗浄槽。
4. The holder is detachably attached to the tank, and at its lower end, two rollers having a concave portion on the outer periphery for supporting the outer peripheral portion of the wafer are rotatably supported. 4. The wafer cleaning tank according to claim 1, wherein the upper end of the wafer supported by the rollers is maintained in a substantially vertical posture by utilizing a side wall of the tank.
【請求項5】 前記噴射ノズルは、前記タンクの内方に
向かって水平又は/及び下方に傾斜して洗浄液を噴射す
る1又はそれ以上のノズルで構成され、洗浄液中でウエ
ーハの浮動を妨げ、且つその洗浄を助けることを特徴と
する請求項1,2,3又は4記載のウエーハ洗浄槽。
5. The injection nozzle is composed of one or more nozzles which inject horizontally and / or downwardly toward the inside of the tank to inject the cleaning liquid, and prevents the wafer from floating in the cleaning liquid. The wafer cleaning tank according to claim 1, 2, 3 or 4, which assists in cleaning the wafer.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0657919A1 (en) * 1993-12-10 1995-06-14 Shin-Etsu Handotai Company Limited Device for handling wafers
EP0658923A1 (en) * 1993-12-14 1995-06-21 Shin-Etsu Handotai Company Limited Wafer cleaning tank
US6516816B1 (en) * 1999-04-08 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-dryer

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4799464B2 (en) 2007-03-29 2011-10-26 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6014244A (en) * 1983-07-06 1985-01-24 Fujitsu Ltd Washing device for mask
JPS60143634A (en) * 1983-12-29 1985-07-29 Fujitsu Ltd Wafer treatment and device thereof
JPS60257140A (en) * 1984-06-01 1985-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd High pressure jet washing method and device thereof
JPH02207526A (en) * 1989-02-07 1990-08-17 Tokyo Electron Ltd Single wafer washing method
JPH03124028A (en) * 1989-10-09 1991-05-27 Tokyo Electron Ltd Cleaning device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6014244A (en) * 1983-07-06 1985-01-24 Fujitsu Ltd Washing device for mask
JPS60143634A (en) * 1983-12-29 1985-07-29 Fujitsu Ltd Wafer treatment and device thereof
JPS60257140A (en) * 1984-06-01 1985-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd High pressure jet washing method and device thereof
JPH02207526A (en) * 1989-02-07 1990-08-17 Tokyo Electron Ltd Single wafer washing method
JPH03124028A (en) * 1989-10-09 1991-05-27 Tokyo Electron Ltd Cleaning device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0657919A1 (en) * 1993-12-10 1995-06-14 Shin-Etsu Handotai Company Limited Device for handling wafers
EP0658923A1 (en) * 1993-12-14 1995-06-21 Shin-Etsu Handotai Company Limited Wafer cleaning tank
US5503173A (en) * 1993-12-14 1996-04-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer cleaning tank
US6516816B1 (en) * 1999-04-08 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-dryer
US7226514B2 (en) 1999-04-08 2007-06-05 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-dryer

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