JPH053184A - Cleaning method of wafer - Google Patents

Cleaning method of wafer

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JPH053184A
JPH053184A JP18024091A JP18024091A JPH053184A JP H053184 A JPH053184 A JP H053184A JP 18024091 A JP18024091 A JP 18024091A JP 18024091 A JP18024091 A JP 18024091A JP H053184 A JPH053184 A JP H053184A
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JP
Japan
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wafer
semiconductor wafer
brush
cleaning
mirror surface
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Application number
JP18024091A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Inagaki
靖史 稲垣
Koji Hirano
興治 平野
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH053184A publication Critical patent/JPH053184A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent stains attached to the rear of a wafer from becoming a contamination source by a method wherein the rear of the wafer is cleaned by a brush after the front of the wafer is cleansed with fluid. CONSTITUTION:Different or the same chemical liquid is sprayed on the mirror surface (front side) 1a of a semiconductor wafer 1 from nozzles 6a, 6b, and 6c at different times or at the same time by a chemical liquid processing device. Then, pure water 5b is sprayed on the mirror surface 1a and the rear 1b of the semiconductor wafer 1 from a nozzle 6 to rinse from a rinsing device 2b. Thereafter, the rear 1b of the semiconductor wafer 1 is cleaned with a brush 9 to remove stains from it as the semiconductor wafer 1 is rotated by a brush cleaning device 7. By this setup, the mirror surface of a semiconductor wafer itself or the mirror surfaces of other semiconductor wafers can be protected against contamination.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウェハの洗浄方法、特
に半導体ウェハの鏡面を洗浄するウェハの洗浄方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning method, and more particularly to a wafer cleaning method for cleaning a mirror surface of a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に半導体ウェハの鏡面に対する薬液
洗浄は、ディップ式処理により行われていた。ディップ
式処理による薬液洗浄とは、図8に示すように、処理槽
a内の薬液bに半導体ウェハcを例えば25〜50枚ず
つディップすることにより行う洗浄である。dは半導体
ウェハcを所定枚数搬送するキャリアである。
2. Description of the Related Art Generally, chemical cleaning of a mirror surface of a semiconductor wafer is performed by a dip type process. As shown in FIG. 8, the chemical cleaning by the dip processing is cleaning performed by dipping 25 to 50 semiconductor wafers c into the chemical liquid b in the processing tank a, for example. A carrier d carries a predetermined number of semiconductor wafers c.

【0003】しかし、ディップ式処理には、半導体ウェ
ハcの裏面にダストや金属、有機物で汚染されている場
合その薬液bを媒体として半導体ウェハc自身の、更に
は他の半導体ウェハcの鏡面(表面)が汚染されてしま
うという欠点がある。特に、処理履歴が積み重なるとそ
れに伴って薬液にダストや金属、有機物が蓄積され、薬
液のクリーン度が低下して半導体ウェハcの鏡面(表
面)が汚染され易くなる。
However, in the dip processing, when the back surface of the semiconductor wafer c is contaminated with dust, metal, or organic substance, the chemical solution b is used as a medium for the mirror surface of the semiconductor wafer c itself and further for the other semiconductor wafer c. There is a drawback that the surface) is contaminated. In particular, when the processing history is accumulated, dust, metal, and organic substances are accumulated in the chemical liquid, and the cleanliness of the chemical liquid is lowered, and the mirror surface (surface) of the semiconductor wafer c is easily contaminated.

【0004】そこで、図9に示すように、半導体ウェハ
cをその鏡面を上向きにして回転させながら薬液bをそ
の回転する半導体ウェハcの鏡面にスプレー噴射すると
いうスプレー式処理の採用が試みられた。というのは、
スプレー式処理によれば、半導体ウェハcの裏面の汚れ
がその半導体ウェハcあるいは別の半導体ウェハcの鏡
面を汚染する虞れがないからである。尚、図9におい
て、eは半導体ウェハcを支持する真空チャックで、図
示しない回転機構により回転せしめられるようになって
いる。fは薬液bを噴出するノズルである。
Therefore, as shown in FIG. 9, it has been attempted to adopt a spray type process in which the semiconductor wafer c is rotated with its mirror surface facing upward and the chemical solution b is spray-sprayed onto the mirror surface of the rotating semiconductor wafer c. .. I mean,
This is because there is no possibility that the back surface of the semiconductor wafer c will be contaminated by the spray process, which may contaminate the semiconductor wafer c or the mirror surface of another semiconductor wafer c. In FIG. 9, e is a vacuum chuck for supporting the semiconductor wafer c, which can be rotated by a rotating mechanism (not shown). f is a nozzle for ejecting the chemical liquid b.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図9に示す
従来のスプレー式処理による洗浄方法にも問題があっ
た。それは、半導体ウェハcの表面である鏡面の洗浄こ
そ行われるが、裏面が全く洗浄処理されないまま半導体
ウェハcが次工程に送られ、この工程で半導体ウェハc
裏面のダスト、金属、有機物等が汚染源となるという問
題である。
However, the conventional cleaning method by the spray-type treatment shown in FIG. 9 also has a problem. Although the mirror surface, which is the front surface of the semiconductor wafer c, is cleaned, the semiconductor wafer c is sent to the next process without cleaning the back surface at all, and in this process, the semiconductor wafer c is processed.
The problem is that dust, metal, organic matter, etc. on the back side become pollution sources.

【0006】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ウェハの洗浄方法においてウェハの
裏面の汚れが汚染源にならないようにすることを目的と
する。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to prevent dirt on the back surface of a wafer from becoming a contamination source in a wafer cleaning method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明ウェハの洗浄方法
は、ウェハ表面を液により洗浄した後、ウェハの少なく
とも裏面をブラシにて洗浄することを特徴とする。
The wafer cleaning method of the present invention is characterized in that after cleaning the front surface of the wafer with a liquid, at least the back surface of the wafer is cleaned with a brush.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明ウェハの洗浄方法を図示実施例
に従って詳細に説明する。図1(A)乃至(C)は本発
明ウェハの洗浄方法の概略を示す概略説明図である。図
面において、1は半導体ウェハ、1aは半導体ウェハ1
の鏡面(表面)、1bは半導体ウェハ1の裏面、2aは
薬品処理装置で、半導体ウェハ1を真空吸引して支持す
る支持台22と、それを回転させる図示しない回転機構
と、支持台22上の半導体ウェハ1の鏡面(表面)1a
に対して洗浄用の薬液を噴出する一又は複数のノズル6
a、6b、6cからなる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The wafer cleaning method of the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. 1 (A) to 1 (C) are schematic explanatory views showing the outline of the method for cleaning a wafer of the present invention. In the drawings, 1 is a semiconductor wafer, 1a is a semiconductor wafer 1.
Mirror surface (front surface) of the semiconductor wafer 1, 1b is a back surface of the semiconductor wafer 1, and 2a is a chemical treatment apparatus. Mirror surface (front surface) 1a of semiconductor wafer 1 of
One or a plurality of nozzles 6 for ejecting cleaning chemicals to the
It consists of a, 6b, and 6c.

【0009】2bはリンス装置で、半導体ウェハ1をそ
の周縁にて保持する複数の回転フレーム3、3、…と、
それに回転力を与える回転板4と、回転フレーム3、
3、…によって保持されながら回転せしめられる半導体
ウェハ1の表裏両面に対してリンス液5bを噴出するノ
ズル6、6からなる。
Reference numeral 2b denotes a rinsing device, which has a plurality of rotating frames 3 for holding the semiconductor wafer 1 at its peripheral edge.
A rotating plate 4 that gives it a rotating force, a rotating frame 3,
The nozzles 6 and 6 eject the rinsing liquid 5b to both front and back surfaces of the semiconductor wafer 1 which is rotated while being held by the nozzles 3.

【0010】7はブラシ洗浄装置で、半導体ウェハ1を
保持しながら回転するウェハホルダ8と、半導体ウェハ
1の裏面1bを洗浄するブラシ9からなる。尚、本実施
例においては半導体ウェハ1の(鏡面)表面もブラシ9
で裏面と同時に洗浄するようになっている。
Reference numeral 7 denotes a brush cleaning device, which comprises a wafer holder 8 which rotates while holding the semiconductor wafer 1, and a brush 9 which cleans the back surface 1b of the semiconductor wafer 1. In this embodiment, the brush 9 is also used on the (mirror surface) surface of the semiconductor wafer 1.
It is designed to be cleaned at the same time as the back side.

【0011】本ウェハの洗浄方法は、先ず図1(A)に
示すように、薬液処理装置2aにより半導体ウェハ1の
鏡面(表面)1aに対して複数のノズル6a、6b、6
cから異時にあるいは同時に、異なるあるいは同じ薬液
5aを噴出して薬液洗浄を行う。
In this wafer cleaning method, first, as shown in FIG. 1A, a plurality of nozzles 6a, 6b, 6 are applied to a mirror surface (front surface) 1a of a semiconductor wafer 1 by a chemical treatment device 2a.
At different times or at the same time, different or the same chemical solution 5a is jetted from c to perform chemical solution cleaning.

【0012】次に、(B)に示すように、リンス装置2
bにより半導体ウェハ1の鏡面1a及び裏面1bにノズ
ル6、6により純水5bを噴出してリンスする。その
後、(C)に示すようにブラシ洗浄装置7により半導体
ウェハ1を回転させながらその裏面1bをブラシ9によ
り洗浄して裏面1bの汚れを除去する。
Next, as shown in FIG.
The pure water 5b is jetted and rinsed by the nozzles 6 and 6 onto the mirror surface 1a and the back surface 1b of the semiconductor wafer 1 by b. Thereafter, as shown in (C), while rotating the semiconductor wafer 1 by the brush cleaning device 7, the back surface 1b of the semiconductor wafer 1 is cleaned by the brush 9 to remove dirt on the back surface 1b.

【0013】尚、ブラシ9による半導体ウェハ1の洗浄
はその裏面1bに対してのみ行えば良いが、図1(C)
に示すように鏡面1a及び裏面1bの両面に対して行う
ようにしても良い。このように両面にブラシをあてるの
は、即ち、鏡面1aに対してもブラシ9をあてるのは、
半導体ウェハ1の裏面1bにのみブラシ9をあてるとそ
のブラシ9から受ける力によって半導体ウェハ1が反っ
たり、ウェハホルダ8から外れる可能性があるからそれ
を避けるべく半導体ウェハ1の両面に力が略均等に加わ
るようにするためである。従って、半導体ウェハ1が反
ったり、ウェハホルダ8から外れたりする虞れがない場
合にはブラシ9による洗浄は、半導体ウェハ1の裏面1
bに対してのみ行えば良い。
The cleaning of the semiconductor wafer 1 by the brush 9 may be performed only on the back surface 1b thereof, but FIG.
As shown in, it may be performed on both the mirror surface 1a and the back surface 1b. In this way, applying the brush on both sides, that is, applying the brush 9 to the mirror surface 1a is
If the brush 9 is applied only to the back surface 1b of the semiconductor wafer 1, the force received from the brush 9 may cause the semiconductor wafer 1 to warp or come off the wafer holder 8. Therefore, in order to avoid it, the force is substantially equal on both sides of the semiconductor wafer 1. Is to join the. Therefore, when there is no risk that the semiconductor wafer 1 will warp or come off from the wafer holder 8, the cleaning by the brush 9 is performed on the back surface 1 of the semiconductor wafer 1.
It should be done only for b.

【0014】このような本ウェハの洗浄方法によれば、
半導体ウェハ1の鏡面(表面)1aに対して薬液5aを
噴出することにより鏡面洗浄を先ず行い、次いで純水5
bでリンスし、その後、ブラシ9で半導体ウェハ1の裏
面1bを洗浄するので、裏面1bのダスト、金属、有機
物等による汚れを除去することができる。従って、半導
体ウェハ1がその裏面1bに汚れがついたまま次の工程
に送られ自身の鏡面1aをあるいは他の半導体ウェハ1
の鏡面1aを汚染するという虞れをなくすことができ
る。
According to such a method for cleaning a wafer,
Mirror surface cleaning is first performed by jetting the chemical liquid 5a onto the mirror surface (front surface) 1a of the semiconductor wafer 1, and then pure water 5
Since the back surface 1b of the semiconductor wafer 1 is cleaned with the brush 9 after rinsing with b, the dirt on the back surface 1b due to dust, metal, organic matter, etc. can be removed. Therefore, the semiconductor wafer 1 is sent to the next step with its back surface 1b being contaminated, and the mirror surface 1a of itself or another semiconductor wafer 1 is transferred.
It is possible to eliminate the risk of contaminating the mirror surface 1a.

【0015】図2(A)、(B)は、半導体ウェハ1を
洗浄に供しあるいは洗浄した半導体ウェハ1を収容しあ
るいは排出するローダ及びアンローダ部を示し、(A)
はロードあるいはアンロード用エレベータ、(B)はウ
ェハ搬送装置を示す。10はロード用あるいはアンロー
ド用のエレベータで、半導体ウェハ1を何枚も水平の向
きで上下に適宜離間して重ねるように収容するキャリア
11を昇降台12により支持した構造を有する。該昇降
台は例えばラックとピニオンからなる昇降機構13によ
り昇降せしめられる。
2 (A) and 2 (B) show a loader and an unloader unit for cleaning the semiconductor wafer 1 or for accommodating or discharging the cleaned semiconductor wafer 1, FIG.
Is a loading or unloading elevator, and (B) is a wafer transfer device. Reference numeral 10 denotes an elevator for loading or unloading, which has a structure in which a carrier 11 for accommodating a plurality of semiconductor wafers 1 in a horizontal direction so as to be vertically vertically separated is supported by an elevating table 12. The elevating table is moved up and down by an elevating mechanism 13 including, for example, a rack and a pinion.

【0016】次に、図2(B)に従ってウェハ搬送装置
4を説明する。図2(B)はその上部が搬送装置14の
平面図であり、下部が側面図であり、そして、上右部に
おいて二点鎖線で示すのはアーム15の後退したときの
状態の平面図である。16はアーム15先端の爪部、1
7は一端にてアーム15の基端と回動自在に連結された
回動片で、他端にて別の回動片18の一端に回動自在に
連結されている。そして、該回動片18はその他端が移
動台19に回動自在に支持されている。そして、2つの
回動片17、18による伸縮動作によってアーム15が
前進後退する。
Next, the wafer transfer device 4 will be described with reference to FIG. FIG. 2 (B) is a plan view of the transfer device 14 at the top, a side view at the bottom, and a two-dot chain line in the upper right part is a plan view of the state where the arm 15 is retracted. is there. 16 is a claw portion at the tip of the arm 15;
Reference numeral 7 denotes a rotating piece rotatably connected to the base end of the arm 15 at one end, and rotatably connected to one end of another rotating piece 18 at the other end. The other end of the rotating piece 18 is rotatably supported by the moving table 19. Then, the arm 15 moves forward and backward by the expansion and contraction operation by the two rotating pieces 17 and 18.

【0017】上記エレベータ10に収納された半導体ウ
ェハ1はウェハ搬送装置14のアーム15の前進後退動
作によりエレベータ10から取り去られ、移動台19の
動きによりリンス装置2等へ搬送され、更にアーム15
の前進動作により洗浄に供される。そして、洗浄を終え
た半導体ウェハ1は該ウェハ搬送装置によりアンロード
用のエレベータにアンロードされるのである。
The semiconductor wafer 1 accommodated in the elevator 10 is removed from the elevator 10 by the forward / backward movement of the arm 15 of the wafer transfer device 14, transferred to the rinsing device 2 etc. by the movement of the moving table 19, and further arm 15 is moved.
It is provided for cleaning by the forward movement of. Then, the cleaned semiconductor wafer 1 is unloaded into the unloading elevator by the wafer transfer device.

【0018】図3は薬液処理装置1aを示す斜視図であ
り、真空吸引により半導体ウェハ1を支持する支持台2
2と、それを回転する図示しない回転機構と、薬液5a
を噴出するノズル6a、6b、6cからなること前述の
とおりである。
FIG. 3 is a perspective view showing the chemical liquid processing apparatus 1a, which is a support base 2 for supporting the semiconductor wafer 1 by vacuum suction.
2, a rotating mechanism (not shown) for rotating the same, and a chemical solution 5a
As described above, the nozzles 6a, 6b and 6c for ejecting

【0019】図4はリンス装置をより詳細に示すための
斜視図である。20は超音波発生装置で、純水供給パイ
プ21から供給された純水をノズル6、6へ送り、ノズ
ル6、6からスプレー状にして半導体ウェハ1の両面に
吹き付けて洗浄する。尚、回転フレーム3、3、3、…
は、半導体ウェハ1の出し入れが可能なようにウェハ出
し入れ時に求心方向及び遠心方向に移動し得るようにさ
れている。
FIG. 4 is a perspective view showing the rinse device in more detail. Reference numeral 20 denotes an ultrasonic wave generator, which sends pure water supplied from a pure water supply pipe 21 to the nozzles 6, 6 and sprays both surfaces of the semiconductor wafer 1 in a spray form from the nozzles 6, 6 for cleaning. The rotating frames 3, 3, 3, ...
Are designed to be movable in the centripetal direction and the centrifugal direction when the wafer is taken in and out so that the semiconductor wafer 1 can be taken in and out.

【0020】図5(A)、(B)はブラシ洗浄装置7を
示すもので、(A)は斜視図、(B)は側面図である。
図面において、8は半導体ウェハ1を中央部にて保持す
る薄いドーナツ状のウェハホルダで、図示しない保持手
段にて回転自在に保持されており、外周面に外歯を有
し、該外歯にピニオン25が歯合せしめられちる。そし
て、該ピニオン25は図示しない回転機構により回転せ
しめられ、その回転力がウェハホルダ8に伝達される。
従って、半導体ウェハ1は回転する。
FIGS. 5A and 5B show the brush cleaning device 7, FIG. 5A being a perspective view and FIG. 5B being a side view.
In the drawing, reference numeral 8 denotes a thin donut-shaped wafer holder for holding the semiconductor wafer 1 in the central portion, which is rotatably held by a holding means (not shown), has outer teeth on its outer peripheral surface, and has pinions on the outer teeth. Twenty-five have been dented. Then, the pinion 25 is rotated by a rotation mechanism (not shown), and the rotational force is transmitted to the wafer holder 8.
Therefore, the semiconductor wafer 1 rotates.

【0021】23、23はブラシ9、9を先端にて支持
するアームであり、基端を支持片25により回動自在に
支持されて二対のアーム23、23、23、23の先端
間にて二つのブラシ9、9を保持する。各アーム23、
23、23、23の基端は支持部24により支持されて
いる。そして、アーム23、23、23、23が回動す
ることによりブラシ9、9が半導体ウェハ1の表裏両面
に触れる状態になったり、半導体ウェハ1から離れて半
導体ウェハ1のウェハホルダ8への出し入れが可能な状
態になったりする。そして、ブラシ9の先端が半導体ウ
ェハ1の面に触れた状態で該ウェハ1を回転することに
よりブラシ洗浄をする。
Reference numerals 23 and 23 denote arms that support the brushes 9 and 9 at their tips. The base ends of the arms are rotatably supported by a support piece 25, and the two pairs of arms 23, 23, 23, 23 have tips between them. Holds the two brushes 9, 9. Each arm 23,
The base ends of 23, 23, 23 are supported by the support portion 24. Then, by rotating the arms 23, 23, 23, 23, the brushes 9, 9 come into contact with both front and back surfaces of the semiconductor wafer 1, and the semiconductor wafer 1 is separated from the semiconductor wafer 1 and put in and out of the wafer holder 8. It becomes possible. Then, the brush is cleaned by rotating the wafer 1 with the tip of the brush 9 in contact with the surface of the semiconductor wafer 1.

【0022】図6はブラシ洗浄装置7の別の例7aを示
す斜視図である。本例は半導体ウェハ1の裏面のみをブ
ラシ洗浄するものである。22はウェハ支持台で、半導
体ウェハ1を真空吸着することにより支持して図示しな
い回転機構により回転せしめられる。23はブラシ9を
保持する保持機構で、一対のアーム23、23の先端間
にてブラシ9を保持する。上記アーム23、23の基端
は支持片24、24により回動自在に支持されている。
FIG. 6 is a perspective view showing another example 7a of the brush cleaning device 7. In this example, only the back surface of the semiconductor wafer 1 is brush-cleaned. Reference numeral 22 denotes a wafer support, which supports the semiconductor wafer 1 by vacuum suction and is rotated by a rotation mechanism (not shown). A holding mechanism 23 holds the brush 9, and holds the brush 9 between the tips of the pair of arms 23, 23. The base ends of the arms 23, 23 are rotatably supported by support pieces 24, 24.

【0023】そして、アーム23、23が回動すること
によりブラシ9がウェハ支持台1上の半導体ウェハ1の
鏡面1aに触れる状態になったり、半導体ウェハ1から
離れて半導体ウェハ1のブラシ洗浄装置への出し入れを
可能にする状態になったりする。尚、ブラシ洗浄すると
きは図6に示すように純水5bを吹き付けながら行うよ
うにするとよい。
When the arms 23, 23 rotate, the brush 9 comes into contact with the mirror surface 1a of the semiconductor wafer 1 on the wafer support 1, or separates from the semiconductor wafer 1 to clean the semiconductor wafer 1 with a brush. It will be in a state where it can be taken in and out. The brush cleaning may be performed while spraying pure water 5b as shown in FIG.

【0024】図7(A)乃至(K)は図1に示したウェ
ハの洗浄方法をより具体的に詳細に示す洗浄方法の説明
図である。先ず、(A)に示すようにロード用エレベー
タ10に収納されているウェハ1を、(B)に示すよう
にウェハ搬送装置14により搬送して薬液処理装置2a
へ送る。そして、図7(C)に示すように薬液処理装置
2aにより半導体ウェハ1の鏡面1aを薬液洗浄する。
FIGS. 7A to 7K are explanatory views of the cleaning method showing the cleaning method of the wafer shown in FIG. 1 in more detail. First, as shown in (A), the wafer 1 accommodated in the loading elevator 10 is transferred by the wafer transfer device 14 as shown in (B), and the chemical solution processing device 2a is transferred.
Send to. Then, as shown in FIG. 7C, the mirror surface 1a of the semiconductor wafer 1 is chemically cleaned by the chemical processing device 2a.

【0025】薬液洗浄を終えた半導体ウェハ1を図7
(D)に示すようにウェハ搬送装置14によりリンス装
置2bへ搬送する。そして、図7(E)に示すようリン
ス装置2bにおいて純水で半導体ウェハ1の両主面1
a、1bをリンスする。リンスを終えた半導体ウェハ1
は図7(F)に示すようにウェハ搬送装置14でブラシ
洗浄装置7へ搬送する。そして、該ブラシ洗浄装置7で
図7(G)で示すように半導体ウェハ1の鏡面及び裏面
をブラシ洗浄する。このブラシ洗浄によって半導体ウェ
ハ1の裏面の汚れも除去することができるのである。
The semiconductor wafer 1 after the chemical cleaning is shown in FIG.
As shown in (D), the wafer transfer device 14 transfers the wafer to the rinsing device 2b. Then, as shown in FIG. 7 (E), both main surfaces 1 of the semiconductor wafer 1 are deionized with pure water in the rinsing device 2b.
Rinse a and 1b. Semiconductor wafer 1 after rinsing
Is transferred to the brush cleaning device 7 by the wafer transfer device 14 as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 7G, the brush cleaning device 7 brush-cleans the mirror surface and the back surface of the semiconductor wafer 1. By this brush cleaning, the dirt on the back surface of the semiconductor wafer 1 can be removed.

【0026】次に、ブラシ洗浄を終えた半導体ウェハ1
を図7(H)に示すようにウェハ搬送装置14でリンス
装置2bへ搬送する。そして、図7(I)に示すように
リンス装置2bで再び純水でリンスし、再リンスを終え
た半導体ウェハ1を図7(J)で示すようにウェハ搬送
装置17により搬送して図7(K)に示すようにアンロ
ード用エレベータ10に収納する。
Next, the semiconductor wafer 1 after brush cleaning is completed.
Is transferred to the rinsing device 2b by the wafer transfer device 14 as shown in FIG. 7 (H). Then, as shown in FIG. 7 (I), the rinse device 2b again rinses with pure water, and the semiconductor wafer 1 after the re-rinsing is transferred by the wafer transfer device 17 as shown in FIG. It is stored in the unloading elevator 10 as shown in (K).

【0027】尚、薬液処理装置として図4に示すリンス
装置1bと同じ構造ものを用い、半導体ウェハ1をその
裏面1bが上を向く向きにして保持し、そして半導体ウ
ェハ1の下向きの鏡面1aに対して下側からノズル6に
より薬液5aを噴射して薬液処理するようにしても良
い。
A chemical treatment device having the same structure as the rinse device 1b shown in FIG. 4 is used to hold the semiconductor wafer 1 with its back surface 1b facing upward, and to hold the semiconductor wafer 1 on the downward mirror surface 1a. On the other hand, the chemical solution 5a may be jetted from the lower side by the nozzle 6 to perform the chemical solution treatment.

【0028】この場合は、半導体ウェハ1は裏面1bが
上を向く向きで搬送されることになる。従って、ブラシ
洗浄は、図6に示すようなブラシ洗浄装置を用いて半導
体ウェハ1の上を向いた裏面1bのみをブラシ9で洗浄
するという方法で行うようにしても良い。また、薬液処
理とリンスを同じチャンバ内で行うようにしても良い
等、本発明は種々の態様で実施することができる。
In this case, the semiconductor wafer 1 is conveyed with the back surface 1b facing upward. Therefore, the brush cleaning may be performed by a method of cleaning only the upper surface 1b of the semiconductor wafer 1 with the brush 9 using a brush cleaning device as shown in FIG. Further, the present invention can be implemented in various modes, such that the chemical solution treatment and the rinse may be performed in the same chamber.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明ウェハの洗浄方法は、ウェハ表面
を液により洗浄した後、ウェハの少なくとも裏面をブラ
シにて洗浄することを特徴とするものである。従って、
本発明ウェハの洗浄方法によれば、ウェハ表面に対する
液による洗浄後、ウェハの少なくとも裏面をブラシで洗
浄するので、裏面のダスト、金属、有機物等による汚れ
を除去することができる。従って、半導体ウェハがその
裏面に汚れがついたまま次の工程に送られ自身をあるい
は他の半導体ウェハを汚染するという虞れをなくすこと
ができる。
The wafer cleaning method of the present invention is characterized in that after cleaning the front surface of the wafer with a liquid, at least the rear surface of the wafer is cleaned with a brush. Therefore,
According to the wafer cleaning method of the present invention, after cleaning the front surface of the wafer with the liquid, at least the back surface of the wafer is cleaned with a brush, so that dirt on the back surface due to dust, metal, organic matter, etc. can be removed. Therefore, it is possible to eliminate the risk that the semiconductor wafer will be sent to the next step with its back surface contaminated and will contaminate itself or other semiconductor wafers.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)乃至(C)は本発明ウェハの洗浄方法の
一つの実施例の概略を順に示す概略説明図である。
1A to 1C are schematic explanatory views sequentially showing the outline of one embodiment of a wafer cleaning method of the present invention.

【図2】(A)、(B)は本発明ウェハの洗浄方法の実
施に用いるローダ及びアンローダ部の一例の構成図であ
り、(A)はエレベータを、(B)はウェハ搬送装置を
示す。
2A and 2B are configuration diagrams of an example of a loader and an unloader unit used for carrying out the wafer cleaning method of the present invention. FIG. 2A shows an elevator, and FIG. 2B shows a wafer transfer device. ..

【図3】本発明ウェハの洗浄方法の実施に用いる薬液処
理装置の一例を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing an example of a chemical liquid processing apparatus used for carrying out the wafer cleaning method of the present invention.

【図4】本発明ウェハの洗浄方法の実施に用いるリンス
装置の一例を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an example of a rinse device used for carrying out the wafer cleaning method of the present invention.

【図5】(A)、(B)は本発明ウェハの洗浄方法の実
施に用いるブラシ洗浄装置を示すもので、(A)は斜視
図、(B)は側面図である。
5A and 5B show a brush cleaning apparatus used for carrying out the wafer cleaning method of the present invention. FIG. 5A is a perspective view and FIG. 5B is a side view.

【図6】本発明ウェハの洗浄方法の実施に用いるブラシ
洗浄装置の別の例を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing another example of the brush cleaning apparatus used for carrying out the wafer cleaning method of the present invention.

【図7】(A)乃至(K)は図1に示したウェハの洗浄
方法を順により具体的に説明する説明図である。
7 (A) to 7 (K) are explanatory views for specifically explaining the cleaning method of the wafer shown in FIG. 1 in order.

【図8】ウェハの洗浄方法の一つの従来例を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing one conventional example of a wafer cleaning method.

【図9】ウェハの洗浄方法の別の従来例を示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing another conventional example of a wafer cleaning method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェハ 1a 表面(鏡面) 1b 裏面 5a、5b 液 9 ブラシ 1 wafer 1a front surface (mirror surface) 1b back surface 5a, 5b liquid 9 brush

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 ウェハ表面を液により洗浄した後、ウェ
ハの少なくとも裏面をブラシにて洗浄することを特徴と
するウェハの洗浄方法
Claim: What is claimed is: 1. A method of cleaning a wafer, which comprises cleaning at least a back surface of a wafer with a brush after cleaning the front surface of the wafer with a liquid.
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