JP2767165B2 - Wafer cleaning tank - Google Patents

Wafer cleaning tank

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JP2767165B2
JP2767165B2 JP21465591A JP21465591A JP2767165B2 JP 2767165 B2 JP2767165 B2 JP 2767165B2 JP 21465591 A JP21465591 A JP 21465591A JP 21465591 A JP21465591 A JP 21465591A JP 2767165 B2 JP2767165 B2 JP 2767165B2
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秀雄 工藤
勇雄 内山
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嘉晴 木村
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信越半導体株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハを洗浄
液中に1枚ずつ略垂直に浸漬してこれを洗浄するウエー
ハ洗浄槽に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning tank for cleaning semiconductor wafers by immersing them one by one in a cleaning liquid substantially vertically.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子製造において、半導体ウエー
ハの表面に付着した不純物は半導体素子の性能に悪影響
を及ぼす。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, impurities adhering to the surface of a semiconductor wafer adversely affect the performance of the semiconductor device.

【0003】そこで、半導体ウエーハの製造工程の中に
は洗浄工程が含まれており、この洗浄工程ではウエーハ
が種々の方法によって洗浄されるが、ウエーハの洗浄方
法には大別して物理的洗浄方法と化学的洗浄方法とがあ
る。
[0003] Therefore, the manufacturing process of a semiconductor wafer includes a cleaning process. In this cleaning process, the wafer is cleaned by various methods. The method of cleaning a wafer is roughly classified into a physical cleaning method. There is a chemical cleaning method.

【0004】上記前者の物理的洗浄方法としては、洗浄
ブラシ等を用いてウエーハ表面に付着した不純物を直接
除去する方法、噴射ノズルから加圧流体をウエーハの一
部又は全体に向けて噴射し、これによって不純物を除去
する方法、ウエーハを液中に浸漬してこれに超音波を当
てて該ウエーハに付着した不純物を除去する方法(超音
波洗浄法)等がある。
[0004] As the former physical cleaning method, a method of directly removing impurities adhered to the wafer surface using a cleaning brush or the like, a method in which a pressurized fluid is jetted from a jet nozzle toward a part or the whole of the wafer, Thus, there are a method of removing impurities, a method of immersing a wafer in a liquid and applying ultrasonic waves to the wafer to remove impurities attached to the wafer (ultrasonic cleaning method), and the like.

【0005】又、前記後者の化学的洗浄方法としては、
種々の薬剤、酵素等によってウエーハ表面に付着した不
純物を化学的に分解除去する方法等がある。尚、物理的
洗浄方法と化学的洗浄方法が併用されることもある。
[0005] The latter chemical cleaning methods include:
There is a method of chemically decomposing and removing impurities attached to the wafer surface by various chemicals, enzymes and the like. Incidentally, a physical cleaning method and a chemical cleaning method may be used in combination.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体の製
造分野においては、近年の半導体デバイスの高集積化の
傾向に伴って半導体ウエーハが大口径化し、複数枚のウ
エーハをキャリアに収容して洗浄する従来の方式によれ
ば、多大な労力を要する。
In the field of semiconductor manufacturing, semiconductor wafers have become larger in diameter with the recent trend toward higher integration of semiconductor devices, and a plurality of wafers are accommodated in a carrier for cleaning. According to the conventional method, a great deal of labor is required.

【0007】又、ウエーハをキャリアに収容して運搬す
る方式を採ると、ウエーハとキャリアとの接触等によっ
てウエーハにパーティクル等が付着してウエーハが汚染
されるという問題も生じる。
[0007] In addition, if a method is adopted in which a wafer is accommodated in a carrier and transported, there is also a problem that particles or the like adhere to the wafer due to contact between the wafer and the carrier and the wafer is contaminated.

【0008】そこで、ウエーハを1枚ずつ略垂直に支持
してこれを複数の洗浄槽の洗浄液中に順次浸漬せしめる
ことによって、ウエーハを1枚ずつ洗浄する毎葉式のウ
エーハ自動洗浄装置が提案される。
Therefore, a wafer-by-wafer type automatic wafer cleaning apparatus for cleaning wafers one by one by supporting wafers one by one substantially vertically and sequentially immersing the wafers in a cleaning solution in a plurality of cleaning tanks has been proposed. You.

【0009】斯かる毎葉式のウエーハ自動洗浄装置にお
いては、各洗浄槽において1枚のウエーハを略垂直に安
定支持した状態でこれを洗浄液中に浸漬する必要があ
り、そのため各洗浄装置には特別の工夫を要する。
In such a wafer-by-wafer automatic cleaning apparatus, it is necessary to immerse one wafer in a cleaning liquid in a state where one wafer is stably supported substantially vertically in each cleaning tank. Requires special ingenuity.

【0010】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
で、その目的とする処は、ウエーハを1枚ずつ略垂直に
安定支持した状態で洗浄液中に浸漬してこれを洗浄する
ことができるウエーハ洗浄槽を提供することにある。
The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to immerse a wafer in a cleaning liquid in a state where the wafers are stably supported substantially vertically one by one and to wash the wafer. A cleaning tank is provided.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明に係るウエーハ洗浄槽は、ウエーハを洗浄液中に
1枚ずつ略垂直に浸漬してこれを洗浄するものであっ
て、洗浄液を収容する縦方向に設けた偏平なタンクと、
ウエーハをタンク内で略垂直に支持するホルダーと、該
ホルダーに支持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液
を噴出する噴射ノズルとを含んで構成され、前記ホルダ
ーは、前記噴出洗浄液からの押圧力を受けるウエーハの
背面に当接して、これを鉛直面に対し若干傾いた状態で
支持することをその特徴とする。
In order to achieve the above object ,
The wafer cleaning tank according to the present invention includes the steps of:
It is immersed one by one almost vertically to wash it.
Te, a flat tank provided in the longitudinal direction for accommodating the cleaning liquid,
A holder configured to support the wafer substantially vertically in the tank, and a spray nozzle configured to spray a cleaning liquid toward an upper surface of the wafer supported by the holder;
Is a wafer that receives a pressing force from the jet cleaning liquid.
Abut on the back and tilt it slightly to the vertical
The feature is to support .

【0012】[0012]

【作用】本発明によれば、1枚のウエーハは、ホルダー
によって略垂直に安定支持された状態で、タンク内の洗
浄液中に浸漬されて洗浄される。このとき、ウエーハ
は、噴射ノズルから噴出される洗浄液をその上部に受け
てホルダーに押圧され、垂直に対して若干傾いた状態で
支持されてその姿勢が安定に保たれる。
According to the present invention, one wafer is immersed in the cleaning liquid in the tank and washed while being stably supported substantially vertically by the holder. At this time, the wafer receives the cleaning liquid ejected from the injection nozzle at its upper part, is pressed by the holder, is supported in a state of being slightly inclined with respect to the vertical, and its posture is kept stable.

【0013】[0013]

【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0014】図7、図8、図9は本発明に係るウエーハ
洗浄槽を備えるウエーハ自動洗浄装置の正面図、平面
図、側面図であり、該ウエーハ自動洗浄装置は、ローダ
部A、ウエーハ受槽B、予備洗浄槽C、ブラシ洗浄槽
D、洗浄槽E,F,G,H,I、2つの予備槽J,K、
乾燥槽L及びアンローダ部Mを有している。
FIGS. 7, 8, and 9 are a front view, a plan view, and a side view of an automatic wafer cleaning apparatus having a wafer cleaning tank according to the present invention. The automatic wafer cleaning apparatus includes a loader section A and a wafer receiving tank. B, preliminary cleaning tank C, brush cleaning tank D, cleaning tanks E, F, G, H, I, two preliminary tanks J, K,
It has a drying tank L and an unloader section M.

【0015】而して、前工程である研磨工程においてそ
の表面を鏡面研磨されたウエーハWは、図8に示すよう
に、そのまま継続してローダ部Aに1枚ずつ搬入され、
純水の流れに沿ってウエーハ受槽B内に送られる。
The wafers W whose surfaces have been mirror-polished in the polishing step, which is the preceding step, are continuously loaded one by one into the loader section A as shown in FIG.
The wafer is sent into the wafer receiving tank B along the flow of pure water.

【0016】ところで、ウエーハ受槽Bには不図示のウ
エーハ起立装置が設けられており、ウエーハ受槽Bに搬
入されたウエーハWは、ウエーハ起立装置によって起立
せしめられる。そして、垂直に起立せしめられたウエー
ハWは、搬送ロボット20によって垂直に支持されてウ
エーハ受槽Bから予備洗浄槽Cまで自動的に搬送され、
予備洗浄槽Cでは洗浄液中に浸漬されてその背面に付着
したワックスが除去される。そして、予備洗浄槽Cにて
ワックスを除去されたウエーハWは、搬送ロボット20
によって垂直に支持されてブラシ洗浄槽Dに送られ、こ
のブラシ洗浄槽Dにてその両面を同時にブラシ洗浄され
てパーティクル等が除去される。
The wafer receiving tank B is provided with a wafer erecting device (not shown), and the wafer W carried into the wafer receiving tank B is erected by the wafer erecting device. Then, the vertically erected wafer W is vertically supported by the transfer robot 20 and automatically transferred from the wafer receiving tank B to the pre-cleaning tank C.
In the pre-cleaning tank C, the wax immersed in the cleaning liquid and attached to the back surface is removed. Then, the wafer W from which the wax has been removed in the pre-cleaning tank C is transferred to the transfer robot 20.
The brush cleaning tank D is vertically supported and sent to the brush cleaning tank D, where both surfaces thereof are simultaneously brush-cleaned to remove particles and the like.

【0017】以上のようにブラシ洗浄されたウエーハW
は、搬送ロボット20によって垂直に支持されて本発明
に係る洗浄槽Eへ搬送されてここでリンス処理される。
The wafer W brush-cleaned as described above.
Is vertically supported by the transfer robot 20 and transferred to the cleaning tank E according to the present invention, where it is rinsed.

【0018】ここで、洗浄槽Eの構成を図1乃至図6に
基づいて説明する。尚、図1は洗浄槽Eの破断正面図、
図2は同平面図、図3は同破断側面図、図4は図3のg
部拡大詳細図、図5は図1の矢視h方向の図、図6は洗
浄槽のフローシートである。
Here, the structure of the cleaning tank E will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cutaway front view of the cleaning tank E,
2 is a plan view of the same, FIG. 3 is a cutaway side view of the same, and FIG.
FIG. 5 is a view in the direction of arrow h in FIG. 1, and FIG. 6 is a flow sheet of the cleaning tank.

【0019】洗浄槽Eは偏平なタンク110を有してお
り、該タンク110の長壁面長壁面とは、図2の平面
図において左右方向の壁面を意味する。また、以下の説
明にいて「長辺方向」は図2において左右方向を、「短
辺方向」は図2において上下方向をそれぞれ意味す
る。)にはオーバーフロータンク111が形成されてお
り、該オーバーフロータンク111の底部にはオーバー
フローパイプ112が接続されている。尚、オーバーフ
ローパイプ112は図6に示す排水ライン132に接続
されている。
The washing tank E has a flat tank 110, and the long wall surface of the tank 110 (the long wall surface is a plane in FIG. 2).
In the figure, it means the wall surface in the left-right direction. The following theory
In FIG. 2, the “long side direction” refers to the horizontal direction in FIG.
"Side direction" means the vertical direction in FIG.
You. 2) , an overflow tank 111 is formed, and an overflow pipe 112 is connected to the bottom of the overflow tank 111. The overflow pipe 112 is connected to a drain line 132 shown in FIG.

【0020】又、タンク110の底部にはドレインパイ
プ113が接続されており、図1及び図5に示すよう
に、タンク110の底面は長辺方向にはドレインパイプ
113に向かって下方に傾斜し、短辺方向にも一方に向
かって下方に傾斜している。従って、タンク110内の
底部に落下する汚染物質等は、先ずタンク110の底面
の短辺方向の傾斜に沿って幅方向の片方に移動し、更に
長辺方向の傾きにそってドレインパイプ113方向に流
れ、その全てがドレインパイプ113からタンク110
外へ排出されるため、タンク110の底部に汚染物質等
が溜ることがない。
A drain pipe 113 is connected to the bottom of the tank 110. As shown in FIGS. 1 and 5, the bottom of the tank 110 is inclined downward toward the drain pipe 113 in the long side direction. , Are also inclined downward toward one side in the short side direction. Accordingly, contaminants and the like that fall to the bottom of the tank 110 first move to one side in the width direction along the inclination of the bottom surface of the tank 110 in the short side direction, and further move in the direction of the drain pipe 113 along the inclination in the long side direction. All of which flows from the drain pipe 113 to the tank 110
Since it is discharged to the outside, no pollutant or the like accumulates at the bottom of the tank 110.

【0021】更に、図3において、タンク110の上部
には、長手方向に長いカバー部材114によって区画さ
れるチャンバーSが形成されており、該チャンバーSに
は図6に示す給水ライン115の給水パイプ116が接
続されている。そして、図4に詳細に示すように、前記
チャンバーSはタンク110の壁に穿設された複数の噴
射ノズル117…を介してタンク110内に連通してい
る。尚、噴射ノズル117…は、タンク110の内方に
向かって下方に傾斜して設けられている。
Further, in FIG. 3, a chamber S defined by a cover member 114 which is long in the longitudinal direction is formed above the tank 110. The chamber S has a water supply pipe of a water supply line 115 shown in FIG. 116 is connected. As shown in detail in FIG. 4, the chamber S communicates with the inside of the tank 110 through a plurality of injection nozzles 117. The injection nozzles 117 are provided to be inclined downward toward the inside of the tank 110.

【0022】又、タンク110の前記給水パイプ116
の下方には、同じく給水ライン115(図6参照)に接
続された給水パイプ118が接続されている。尚、図1
において、119は薬液供給パイプである。
The water supply pipe 116 of the tank 110
Below, a water supply pipe 118 also connected to a water supply line 115 (see FIG. 6) is connected. FIG.
In the figure, 119 is a chemical supply pipe.

【0023】一方、タンク110内にはウエーハWを垂
直に対して若干傾いた状態で支持する矩形枠状のホルダ
ー120が収容されている。このホルダー120の下端
部の左右には、ウエーハWの外周部を支持すべき外周上
に凹部を有する2個のローラ121,121が回転自在
に軸支されており、該ホルダー120は、図3に示すよ
うに、その上端部に形成された鍵部120aがタンク1
10の上端縁に引っ掛けられることによって、タンク1
10内に垂直に支持されている。
On the other hand, a rectangular frame-shaped holder 120 for supporting the wafer W in a slightly inclined state with respect to the vertical is accommodated in the tank 110. On the left and right sides of the lower end of the holder 120, two rollers 121, 121 having a concave portion on the outer periphery to support the outer peripheral portion of the wafer W are rotatably journaled. As shown in FIG. 2, the key portion 120a formed on the upper end
By being hooked on the upper edge of the tank 10, the tank 1
It is supported vertically in 10.

【0024】ところで、図6に示すように、当該洗浄槽
E全体は、純水で満たされたタンク122内に浸漬され
ており、タンク122の下部には超音波発振器123が
取り付けられている。
As shown in FIG. 6, the entire cleaning tank E is immersed in a tank 122 filled with pure water, and an ultrasonic oscillator 123 is mounted below the tank 122.

【0025】而して、前記搬送ロボット20(図7乃至
図9参照)に支持されたウエーハWは、図1に示すよう
に、ホルダー120のローラ121,121にその外周
部が支持された状態でタンク110内の純水中に浸漬さ
れており、これは前記複数の噴射ノズル117…(図4
参照)からタンク110内に噴出される水流をその上部
に受けて図3に示すように垂直に対して若干傾いた状態
でホルダー120に受けられ、その姿勢が安定に保たれ
ている。このとき、前述のように、噴射ノズル117…
はタンク110の内方(ウエーハW)に向かって下方に
傾斜して設けられているため、ウエーハWは下向きの力
を受けてローラ121,121に押圧され、純水中での
浮動が抑えられてその姿勢が安定に保たれる。尚、純水
は噴射ノズル117…及び給水パイプ118からタンク
110内に供給され、タンク110からオーバーフロー
タンク111にオーバーフローした純水は、オーバーフ
ローパイプ112から排出ライン132(図6参照)へ
と排出される。
As shown in FIG. 1, the wafer W supported by the transfer robot 20 (see FIGS. 7 to 9) is in a state where the outer peripheral portion is supported by the rollers 121 of the holder 120. Are immersed in pure water in a tank 110, and the plurality of injection nozzles 117 (FIG. 4)
3) is received by the holder 120 in a state of being slightly inclined with respect to the vertical as shown in FIG. 3, and its posture is kept stable. At this time, as described above, the injection nozzles 117.
Is inclined downward toward the inside of the tank 110 (wafer W), the wafer W is pressed by the rollers 121 and 121 under a downward force, and the floating in pure water is suppressed. The posture is kept stable. The pure water is supplied into the tank 110 from the spray nozzles 117 and the water supply pipe 118, and the pure water overflowing from the tank 110 to the overflow tank 111 is discharged from the overflow pipe 112 to a discharge line 132 (see FIG. 6). You.

【0026】上記状態において、洗浄槽E全体は前記超
音波発振器123による超音波振動を受け、該洗浄槽E
内ではホルダー120に略垂直に支持されたウエーハW
が純水によってリンス処理される。
In the above state, the entire cleaning tank E is subjected to ultrasonic vibration by the ultrasonic oscillator 123,
Inside, the wafer W supported substantially vertically by the holder 120
Is rinsed with pure water.

【0027】次に、前記洗浄槽Fについて述べるが、該
洗浄槽Fの構成は洗浄槽Eのそれと同じであって、図6
に示すように、該洗浄槽Fの下方にはタンク124が設
置されている。
Next, the cleaning tank F will be described. The configuration of the cleaning tank F is the same as that of the cleaning tank E.
As shown in the figure, a tank 124 is provided below the cleaning tank F.

【0028】而して、タンク124内には異種の薬液が
それぞれライン125,126を経て供給され、一方の
薬液はポンプ127によって昇圧された後、ラインヒー
タ128によって所定温度(約80℃)に加熱され、フ
ィルタ129を通過して洗浄槽F内に供給される。
Different kinds of chemicals are supplied into the tank 124 through the lines 125 and 126, respectively, and one of the chemicals is pressurized by the pump 127 and then brought to a predetermined temperature (about 80 ° C.) by the line heater 128. It is heated and passed through the filter 129 to be supplied into the cleaning tank F.

【0029】一方、前記洗浄槽Eでリンス処理されたウ
エーハWは、搬送ロボット20にハンドリングされて洗
浄槽Eから取り出された後、洗浄槽Fまで搬送され、図
1に示したと同じ状態で洗浄槽F中の薬液中に浸漬さ
れ、その表面に付着したパーティクルが除去される。
On the other hand, the wafer W rinsed in the cleaning tank E is handled by the transfer robot 20 and taken out of the cleaning tank E, then transferred to the cleaning tank F, and cleaned in the same state as shown in FIG. The particles immersed in the chemical solution in the tank F and attached to the surface thereof are removed.

【0030】尚、洗浄槽F中でパーティクルが除去され
たウエーハWは高温(約80℃)であって、これをその
まま引き上げると表面が乾燥して不具合が生ずるため、
洗浄槽F中の高温の薬液は図6に示すライン130から
タンク124内に戻され、これと同時に純水ライン11
5から洗浄槽F中に純水が供給され、この純水によって
ウエーハWが急冷される。そして、ウエーハWの冷却に
供された純水は、ライン131から排水ライン132へ
と排出される。
Incidentally, the wafer W from which particles have been removed in the cleaning tank F is at a high temperature (about 80 ° C.).
The high-temperature chemical solution in the cleaning tank F is returned from the line 130 shown in FIG.
Pure water is supplied into the cleaning tank F from 5, and the wafer W is rapidly cooled by the pure water. Then, the pure water used for cooling the wafer W is discharged from the line 131 to the drain line 132.

【0031】ところで、前記洗浄槽G,H,Iの構成も
前記洗浄槽E,Fのそれと同じであって、洗浄槽Hにて
洗浄されたウエーハWは、搬送ロボット20によって洗
浄槽G,H,Iに順次搬送され、該ウエーハWは洗浄槽
G,Iでは純水によってリンス処理され、洗浄槽Hでは
薬液によって洗浄されてその表面に付着したイオン性不
純物が除去される。
The structure of the cleaning tanks G, H, and I is the same as that of the cleaning tanks E and F. The wafer W cleaned in the cleaning tank H is transferred by the transfer robot 20 to the cleaning tanks G and H. , I are sequentially conveyed, and the wafer W is rinsed with pure water in the cleaning tanks G and I, and washed with a chemical solution in the cleaning tank H to remove ionic impurities attached to the surface.

【0032】而して、予備洗浄槽C乃至洗浄槽Iによっ
て洗浄処理されたウエーハWは、搬送ロボット20によ
って前記乾燥槽Lに搬送されて速成乾燥された後、搬送
ロボット20によって乾燥槽Lから取り出されてアンロ
ーダ部Mにセット不図示のウエーハカセット151内に
1枚ずつ収納され、ここにウエーハWの洗浄が1枚ずつ
連続的、且つ自動的になされる。
The wafer W cleaned by the pre-cleaning tanks C to I is conveyed to the drying tank L by the transfer robot 20 and quickly dried, and then transferred from the drying tank L by the transfer robot 20. The wafers W are taken out and stored in the unloader section M one by one in a wafer cassette 151 (not shown), and the wafers W are successively and automatically cleaned one by one.

【0033】このように、本実施例に係る自動洗浄装置
は毎葉式であって、各ウエーハWは各洗浄槽E〜I内で
高精度、且つ安定して位置決めされることから、搬送ロ
ボット20によって1枚ずつ安定支持されて搬送され、
且つ連続的に処理される。この結果、従来用いられてい
たキャリアが不要となって所謂キャリアレスを実現する
ことができ、洗浄の自動化に容易に対応することができ
る。
As described above, the automatic cleaning apparatus according to the present embodiment is of a single-wafer type, and each wafer W is accurately and stably positioned in each of the cleaning tanks E to I. The sheets are stably supported and transported one by one by 20.
And it is processed continuously. As a result, a conventionally used carrier is not required, and so-called carrier-less can be realized, and it is possible to easily cope with automation of cleaning.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明のウ
エーハ洗浄槽では、洗浄液を収納する縦方向に設けた
平なタンクと、ウエーハをタンク内で略垂直に支持する
ホルダーと、該ホルダーに支持されたウエーハの上部面
に向けて洗浄液を噴出する噴射ノズルとを含んで構成さ
れ、前記ホルダーは、前記噴出洗浄液からの押圧力を受
けるウエーハの背面に当接して、これを鉛直面に対し若
干傾いた状態で支持するように構成したため、ウエーハ
を1枚ずつ略垂直に安定支持した状態で洗浄液中に浸漬
してこれを洗浄することができるという効果が得られ
る。又、上記構成の洗浄槽を複数配備し、これらの洗浄
槽でウエーハを順次洗浄するようにした洗浄装置では、
各洗浄槽内においてウエーハの位置決めが高精度に行な
われるため、キャリアレスを実現して該洗浄装置の自動
化に容易に対応することができる。
As is apparent from the above description, the present invention is not limited to this.
In the wafer cleaning tank, a flat tank provided in the vertical direction for storing the cleaning liquid, a holder for supporting the wafer substantially vertically in the tank, and an upper surface of the wafer supported by the holder. construction of and a jet nozzle for jetting a cleaning liquid
The holder receives a pressing force from the jetted cleaning liquid.
Contact the back of the wafer to be
Since the wafers are supported in a tilted state, it is possible to obtain an effect that the wafers can be washed by being immersed in a cleaning liquid while being stably supported substantially vertically one by one. In addition, a plurality of cleaning tanks having the above configuration are provided,
In a cleaning device that sequentially cleans wafers in a tank,
Since the positioning of the wafer is performed with high precision in each cleaning tank, carrier-less operation can be realized, and it is possible to easily cope with automation of the cleaning apparatus .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る洗浄槽の破断正面図である。FIG. 1 is a cutaway front view of a cleaning tank according to the present invention.

【図2】図1の平面図である。 FIG. 2 is a plan view of FIG.

【図3】図1の破断側面図である。 FIG. 3 is a cutaway side view of FIG . 1;

【図4】図3のg部拡大詳細図である。FIG. 4 is an enlarged detail view of a portion g in FIG. 3;

【図5】図1の矢視h方向の図である。FIG. 5 is a view in the direction of arrow h in FIG. 1;

【図6】洗浄槽のフローシートである。FIG. 6 is a flow sheet of a cleaning tank.

【図7】ウエーハ自動洗浄装置の正面図である。FIG. 7 is a front view of the automatic wafer cleaning apparatus.

【図8】図7の平面図である。 FIG. 8 is a plan view of FIG . 7;

【図9】図7の側面図である。 FIG. 9 is a side view of FIG . 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 タンク 111 オーバーフロータンク 113 ドレインパイプ 117 噴射ノズル 120 ホルダー 121 ローラ E〜I 洗浄槽 110 tank 111 overflow tank 113 drain pipe 117 injection nozzle 120 holder 121 roller EI cleaning tank

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 嘉晴 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社 半導体白 河研究所内 (72)発明者 鈴木 盛江 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社 半導体白 河研究所内 (56)参考文献 特開 平3−124028(JP,A) 特開 昭60−14244(JP,A) 特開 平2−207526(JP,A) 特開 昭60−143634(JP,A) 特開 昭60−257140(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304 H01L 21/68──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiharu Kimura Fukushima Prefecture Nishishirakawa-gun Nishigo-mura Odakura-shi Ohira 150 Semiconductor-Shirakawa Research Laboratories Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Odakura Ohira 150 Address Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor Shirakawa Laboratory (56) References JP-A-3-124028 (JP, A) JP-A-60-14244 (JP, A) JP-A-2-207526 (JP, A) JP-A-60-143634 (JP, A) JP-A-60-257140 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/304 H01L 21/68

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ウエーハを洗浄液中に1枚ずつ略垂直に
浸漬してこれを洗浄する洗浄槽であって、洗浄液を収容
する縦方向に設けた偏平なタンクと、ウエーハをタンク
内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに支持さ
れたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する噴射ノ
ズルとを含んで構成され、前記ホルダーは、前記噴出洗
浄液からの押圧力を受けるウエーハの背面に当接して、
これを鉛直面に対し若干傾いた状態で支持することを特
徴とするウエーハ洗浄槽。
1. A cleaning tank for immersing wafers one by one in a cleaning liquid substantially vertically one by one to wash the cleaning liquid, wherein a flat tank provided in a vertical direction for storing the cleaning liquid, and the wafer is disposed substantially vertically in the tank. And a spray nozzle for spraying a cleaning liquid toward an upper surface of a wafer supported by the holder.
Abuts against the back of the wafer that receives the pressing force from the clean solution,
A wafer cleaning tank characterized in that it is supported in a slightly inclined state with respect to a vertical plane .
【請求項2】 前記タンクには、該タンク内の洗浄液の
液位を一定に保つためのオーバーフロータンクが設けら
れていることを特徴とする請求項1記載のウエーハ洗浄
槽。
2. The wafer cleaning tank according to claim 1, wherein the tank is provided with an overflow tank for keeping the level of the cleaning liquid in the tank constant.
【請求項3】 前記タンクの底部にドレンパイプが接続
されており、同タンクの底面は長辺方向には前記ドレン
パイプに向かって下方に傾斜しており、短辺方向にも一
方に向かって下方に傾斜していることを特徴とする請求
項1又は2記載のウエーハ洗浄槽。
3. A drain pipe is connected to a bottom portion of the tank, and a bottom surface of the tank is inclined downward toward the drain pipe in a long side direction and toward one side in a short side direction. 3. The wafer cleaning tank according to claim 1, wherein the wafer cleaning tank is inclined downward.
【請求項4】 前記ホルダーは、前記タンクに着脱自在
に取り付けられており、その下端部にはウエーハの外周
部を支持すべき外周上に凹部を有する2個のローラが回
転自在に軸支され、該ローラに支持されるウエーハの上
端は、前記タンクの側壁を利用して略垂直に姿勢が維持
されていることを特徴とする請求項1,2又は3記載の
ウエーハ洗浄槽。
4. The holder is detachably attached to the tank, and has two lower rollers rotatably supported at its lower end, each of which has a recess on the outer periphery to support the outer periphery of the wafer. 4. The wafer cleaning tank according to claim 1, wherein an upper end of the wafer supported by the roller is maintained substantially vertically using a side wall of the tank.
【請求項5】 前記噴射ノズルは、前記タンクの内方に
向かって水平又は/及び下方に傾斜して洗浄液を噴射す
る1又はそれ以上のノズルで構成され、洗浄液中でウエ
ーハの浮動を妨げ、且つその洗浄を助けることを特徴と
する請求項1,2,3又は4記載のウエーハ洗浄槽。
5. The spray nozzle includes one or more nozzles that spray a cleaning liquid at an angle in a horizontal or / and downward direction toward the inside of the tank to prevent a wafer from floating in the cleaning liquid. 5. The wafer cleaning tank according to claim 1, wherein the cleaning is assisted.
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