JPH0535403B2 - - Google Patents

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JPH0535403B2
JPH0535403B2 JP59207347A JP20734784A JPH0535403B2 JP H0535403 B2 JPH0535403 B2 JP H0535403B2 JP 59207347 A JP59207347 A JP 59207347A JP 20734784 A JP20734784 A JP 20734784A JP H0535403 B2 JPH0535403 B2 JP H0535403B2
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Japan
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thin film
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polarized light
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Toshihiko Makino
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光の偏光状態によつて光の進行方向を
分離する偏光ビームスプリツターに関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点 通常の偏光ビームスプリツターは光学的厚みが
1/4波長の高屈折率(屈折率nH)薄膜と低屈折率
(屈折率nL)の薄膜を交互にくり返して構成され
る多層膜を2個の45°プリズムの間に蒸着貼合せ
て構成されることはよく知られている。
中心波長λ1において光学的厚みがλ1/4である
高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜をそれぞれHお
よびLと表せば、プリズムの屈折率をnSとして、
上記の構成は形式的に nS|HLH……HLH|nS ……(1) と表される。また、光学的厚みがλ1/8の高屈折
率と低屈折率の薄膜をそれぞれH/2およびL/
2と表せば、 nS|H/2LH……HLH/2|nS ……(2) のような構成も用いられている。(2)は簡略化して nS|(H/2LH/2)m|nS ……(3) のように表すことができる。ここで、mは任意の
整数であり、このときの膜の総数は2m+1であ
る。
第1図に(2)の構成の偏光ビームスプリツターの
断面図を示す。第1図で1と2は45°プリズム、
3は光学的厚みがλ1/8の高屈折率物質、4は光
学的厚みがλ1/4の低屈折率物質、5は光学的厚
みがλ1/4の高屈折率物質である。
第2図に(3)の構成で、nH=2.3,nL=1.46,nS
1.52,m=15とした場合のP偏光波とS偏光波に
対する規格化波長λ/λ1対透過率の計算値を示
す。偏光ビームスプリツターではP偏光波の透過
率が高く、S偏光波の反射率が大きいことが望ま
しい。第2図のようにP偏光波の透過率にリツプ
ルがあると、偏光ビームスプリツターとして使用
できる波長範囲は制限されることになる。(2)また
は(3)で表されるような構成では本質的にP偏光波
の透過率にリツプルが生じ、膜の総数が増すにつ
れてリツプル点での透過率の低下も大きくなる。
このようなリツプルを低減する方法としては各
層の光学的膜厚をλ1/4(またはλ1/8)から試
行錯誤でわずかずつずらす方法が知られている。
この方法では膜厚をずらす割合は各層によつて異
なり規則性がなく、設計における計算時間も長く
かかるという欠点がある。また、実際に製造する
場合にも各層の膜厚が個々に異なるため膜厚制御
が難しいという欠点がある。
発明の目的 本発明はP偏光波の透過率特性のリツプルを簡
単に低減できる構成の偏光ビームスプリツターを
与えることを目的とする。
発明の構成 本発明は、中心波長λ1において光学的厚みが
λ1/8である高屈折率(屈折率nH)の薄膜と光学
的厚みがλ1/4である低屈折率(屈折率nL)の薄
膜と光学的厚みがλ1/8である高屈折率(屈折率
nH)の薄膜から成る3層薄膜を基本周期として、
これをm周期(mは任意の整数)くり返して構成
した多層薄膜(主要層と呼ぶ)の両側に中心波長
をλ2(λ2≠λ1)とした上記3層薄膜と同様な構成
を基本周期として、これを3周期くり返して構成
した多層薄膜(整合層と呼ぶ)を積層して成る多
層薄膜を2個の45°のプリズム(屈折率nS)の間
に蒸着して貼合せて構成した偏光ビームスプリツ
ターであり、上記中心波長λ2をP偏光波の透過率
の低下する第1リツプル波長における上記主要層
のP偏光波に対する等価屈折率E1と前記整合層
のP偏光波に対する等価屈折率E2とがE2=√1
nSなる関係を満たすように選んでリップルを低減
させるものである。
実施例の説明 本発明の実施例を図面を参照して説明する。第
3図において,6と7は45°プリズム、8は光学
的厚みがλ1/8の高屈折率物質、9は光学的厚み
がλ1/4の低屈折率物質、10は光学的厚みが
λ1/4の高屈折率物質、11は整合層である。
第4図に第3図の整合層11の具体的な構成を
示す。第4図において12は光学的厚みがλ2/8
の高屈折率物質、13は光学的厚みがλ2/4の低
屈折率物質、14は光学的厚みがλ2/4の高屈折
率物質である。
前述の記法を用いると本発明の構成は、 nS|(H′/2L′H′/2)3(H/2LH/2)m (H′/2L′H′/2)3|nS ……(4) と表される。ここでH′とL′は中心波長λ2(λ2
λ1)における光学的厚みがλ2/4の高屈折率nH
低屈折率nLの薄膜を表す。
次に中心波長λ2の決め方を説明する。
(H/2LH/2)構成のP偏光波に対する等
価屈折率Eと等価位相角γは以下のように与えら
れる: δ=π/2/(λ/λ1) ……(5) θ0=45° ……(6) α=√1−(S H2 2 0 ……(7) β=√1−(S L2 2 0 ……(8) ηH=nHα ……(9) ηL=nLβ ……(10) ρ=ηH/ηL ……(11) M=cosαδcosβδ−1/2(ρ+1/ρ)
sinαδsinβδ ……(12) M1=(1/ηH)〔sinαδcosβδ +1/2(ρ+1/ρ)cosαδsinβδ +1/2(ρ−1/ρ)sinβδ〕 ……(13) M2=ηH〔sinαδcosβδ +1/2(ρ+1/ρ)cosαδsinβδ −1/2(ρ−1/ρ)sinβδ〕 ……(14) として E=√2 1 ……(15) γ=cos-1M ……(16) である。
(H/2LH/2)mの第1リツプルの生ずるδ
は cosγ=−cos(3π/2m) ……(17) を満たすδで与えられる。これをδrで表す。
(H′/2L′H′/2)構成の等価屈折率E′と等価
位相角γ′はδを δ′=δ(λ2/λ1) ……(18) で置きかえればEとγとが同様な式で与えられ
る。δrでのEをE1とし、E′が E2=√1 S ……(19) となるときのδ′をδr′とすれば λ2/λ1=δr′/δr ……(20) となる。これがλ1を与えたときのλ2を与える。
次に、λ2を上記のように選んだ場合にリツプル
が低減される理由を説明する。
従来例のような主要層のみから成る偏光ビーム
スプリツターでは、上記のδrでの主要層の等価屈
折率E1とプリズムの屈折率nSの不整合からリツプ
ルが生ずる。従つて、δrにおいて等価屈折率がE2
=√1 Sで、位相角が90°の奇数倍となるような
等価的な整合層を挿入すれば主要層とプリズムの
屈折率の整合がとれることになり、この結果リツ
プルは低減される。
(H′/2L′H′/2)3の位相角は上記のようにし
てE2を決めると正確に90°の奇数倍にすることは
できないが、通常偏光ビームスプリツターに用い
られている高屈折率物質TiO2(nH=2.3)低屈折率
物質SiO2(nL=1.46)に対しては、450°近くにな
る。
第5図に、nH=2.3,nL=1.46,nS=1.52,m=
9とした場合の本発明の構成によつてリツプルを
低減した例を示す。膜の総数は第2図と同じ31
層である。この場合λ2=0.97λ1である。第2図と
第5図を比べれば、本発明の構成により大幅にリ
ツプルが低減されていることがわかる。
発明の効果 以上のように本発明は、多層膜の膜厚を個々に
調整して複雑な計算をすることなく、簡単な計算
によつてP偏光波のリツプルを低減できるという
特長をもつた偏光ビームスプリツターの構成を与
えるものである。また、本発明はプリズムに近い
膜の光学的膜厚をすべて一定の割合で1/4波長ま
たは1/8波長からずらすようにしているので、製
造時の膜厚の制御が容易であるという特長も有す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の偏光ビームスプリツターの構成
図、第2図は従来の偏光ビームスプリツターの規
格化波長対透過率特性の一例を示す線図、第3図
は本発明の一実施例による偏光ビームスプリツタ
ーの基本的構成を示す図、第4図は整合層の具体
的構成を示す図、第5図は本発明の偏光ビームス
プリツターの規格化波長対透過率特性の一例を示
す線図である。 6,7……45°プリズム、8……光学的厚みが
λ1/8の高屈折率物質、9……光学的厚みがλ1
4の低屈折率物質、10……光学的厚みがλ1/4
の高屈折率物質、11……整合層、12……光学
的厚みがλ2/8の高屈折率物質、13……光学的
厚みがλ2/4の低屈折率物質、14……光学的厚
みがλ2/4の高屈折率物質。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 屈折率nSの2個の45°プリズムの間に、中心
    波長λ1において光学的厚みがλ1/8で屈折率nH
    高屈折率薄膜、光学的厚みがλ1/4で屈折率nL
    低屈折率薄膜および光学的厚みがλ1/8で屈折率
    nHの高屈折率薄膜からなる3層薄膜を基本周期と
    して、これをm周期(mは任意の整数)くり返し
    て積層した多層薄膜からなる主要層と、その主要
    層の両側に、中心波長がλ2(λ2≠λ1)で前記主要
    層の基本周期である前記3層薄膜を3周期くり返
    して積層した多層薄膜からなる整合層とを配設
    し、前記中心周波数λ2をP偏光波の透過率の低下
    する第1リツプル波長における前記主要層のP偏
    光波に対する等価屈折率E1と前記整合層のP偏
    光波に対する等価屈折率E2とが、E2=√1 S
    る関係を満たすようにしたことを特徴とする偏光
    ビームスプリツター。
JP20734784A 1984-10-02 1984-10-02 偏光ビ−ムスプリツタ− Granted JPS6184606A (ja)

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