JPH05345613A - 立方晶系ペロブスカイト結晶構造体及び該結晶構造の製造方法 - Google Patents

立方晶系ペロブスカイト結晶構造体及び該結晶構造の製造方法

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JPH05345613A
JPH05345613A JP3229811A JP22981191A JPH05345613A JP H05345613 A JPH05345613 A JP H05345613A JP 3229811 A JP3229811 A JP 3229811A JP 22981191 A JP22981191 A JP 22981191A JP H05345613 A JPH05345613 A JP H05345613A
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perovskite crystal
rare earth
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John A Agostinelli
アルフォンス アゴスチーネリ ジョン
Samuel Chen
チェン サミエル
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 超伝導性重畳格子及びジョゼフソン接合デバ
イスのための弱いリンクを形成するために使用できる結
晶構造体を提供する。 【構成】 本発明の立方晶系ペロブスカイト結晶構造体
は、式： Ｒ０．３３＋ｚＡ０．６７Ｃ１−ｙＯ３−ｘ の単位セル（式中、Ｒ、Ａ及びＣは、それぞれ、超伝導
性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を形成
し得る、希土類原子、アルカリ土類原子及び銅原子を表
し、ｘは０．６７〜１であり、ｙは０．２以下であり、
そして、ｚは０．１以下である）を満足する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な結晶構造体、そ
の製造方法及びこの結晶構造から構成された物品、特
に、重畳格子（ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ）及びジョ
ゼフソン接合デバイスのような超伝導物品に関する。
【０００２】
【従来の技術】高温（Ｔ０＞３０°Ｋ）超伝導物質の具
体的な種類は、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結
晶構造を示す希土類（Ｒ）アルカリ土類（Ａ）銅（Ｃ）
酸化物である。以下、これを高Ｔ０Ｒ１Ａ２Ｃ３結晶構
造と言う。
【０００３】超伝導Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイ
ト結晶構造の単位セルは、一般に図１に示される形を示
すことが認められている。図１に於いて、Ｒは希土類原
子を表し、Ａはアルカリ土類原子を表し、Ｃは銅原子を
表し、標識の無い実線円は酸素原子を表し、そして、標
識の無い破線円はその幾つかは空いている酸素原子サイ
トを表している。酸素原子と銅原子を結合している破線
は、図式的に、一般に単位セルを通じて伝導路を与える
と信じられている酸素−銅結合を表している。実線は単
位セルの境界を示している。全部で８個の希土類原子が
示されているが、これらの原子のそれぞれは、８個の隣
接する単位セル（その内の１個のみが示されている）に
より共有されており、それで単位セル当たり１個の希土
類原子のみが存在する。同様に、全部で８個のアルカリ
土類原子が示されているが、これらの原子のそれぞれ
は、４個の隣接する単位セル（その内の１個のみが示さ
れている）により共有されており、それで単位セル当た
り２個のアルカリ土類原子のみが存在する。３個の銅原
子のみが示されているが、各原子は完全に単位セル内に
存在し、それで単位セル当たり３個の銅原子が存在す
る。１４個の酸素原子サイトが示されており、２個は単
位セル内に完全に含まれ、そして１２個はそれぞれ１個
の隣接する単位セル（図示せず）により共有されてい
る。全部の可能な酸素サイトが占有された場合には、単
位セル当たり全部で８個の酸素原子が存在するであろ
う。超伝導性単位セルには６．４個と７個との間の酸素
原子が含まれる。Ｏ９−ｘ′、Ｏ８−ｘ′、
Ｏ７−ｘ′、Ｏ６＋ｘ等のような種々の表示を、端数の
酸素含有を示すために使用する。
【０００４】Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶
構造体に関連して、酸素は常に存在しており、それで当
該技術分野に於ける通常の使用と一致させて、簡略にす
る利点で酸素を表示から除いている。Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方
晶系ペロブスカイト結晶相の単位セルは、３個の互いに
垂直な軸を示し、その短軸であるａ軸及びｂ軸は殆ど同
じ長さである。希土類原子はａ及びｂ軸により定義され
る単位セル底面内に存在する。単位セルの長軸であるｃ
軸は、底面に垂直に配向している。基体上に被覆された
超伝導層に於いて、ｃ軸は典型的に基板に垂直に配向し
ている。
【０００５】ＰＡ−１ Ｍｉｒ ｅｔ ａｌの米国特許
第４，８８０，７７０号には、薄い（厚さ＜５μｍ）超
伝導Ｒ１Ａ２Ｃ３層及び金属−配位子前駆体化合物をス
ピンコーティングし、次いで熱分解することによるその
製造方法が開示されている。
【０００６】ＰＡ−２ Ｓｔｒｏｍの米国特許第４，９
０８，３４６号には、薄い（厚さ＜５μｍ）超伝導Ｒ１
Ａ２Ｃ３層及び溶解した金属−配位子前駆体化合物を噴
霧蒸発させ、次いで熱分解するその製造方法が開示され
ている。
【０００７】ＰＡ−３ Ｄｉｊｋｋａｍｐ ｅｔ ａｌ
の「高Ｔｃバルク物質からパルスレーザ蒸発を使用する
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物超伝導体薄フィルムの製造」
（“Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
Ｏｘｉｄｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍｓ Ｕｓｉｎｇ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ
Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ Ｆｒｏｍ Ｈｉｇｈ Ｔｃ
Ｂｕｌｋ Ｍａｔｅｒｉａｌ”）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５１（８），１９８７年８月２４日、６
１９〜６２１頁には、バルク物質のパルスエキシマレー
ザ蒸発及びストロンチウムチタネート又はアルミナの加
熱した基体上への沈着による超伝導Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ
８−ｘ薄フィルムの製造が報告されている。記載されて
いる方法は、一般にレーザ融蝕又は溶発沈着（ｌａｓｅ
ｒ ａｂｌａｔｉｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と言わ
れている。
【０００８】ＰＡ−４ Ｗｕ ｅｔ ａｌの「パルスレ
ーザ沈着により成長したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ／Ｙｙ−Ｐ
ｒ１−ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏの重畳格子」（“Ｓｕｐｅｒ
ｌａｔｔｉｃｅｓ ｏｆ Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ／Ｙｙ−
Ｐｒ１−ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−ＯＧｒｏｗｎ ｂｙ Ｐｕｌ
ｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”）、Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６（４），１９９０年１
月２２日、４００〜４０２頁には、ＹｙＰｒ１−ｙ−Ｂ
ａ２ＣｕＯ７−ｘの半導体性層により分離されたＹ１Ｂ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘの超伝導性層からなる重畳格子の形
成が報告されている。ＰＡ−３に記載されたレーザ融蝕
方法は、レーザにより続いて処理された二つの異なった
バルクターゲット物質を与えるように修正された。
【０００９】ＰＡ−５ Ｒｏｇｅｒｓ ｅｔ ａｌの
「レーザ沈着により成長したヘテロエピタキシャルＹＢ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ−ＰｒＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ−Ｙ
Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘジョゼフソンデバイスの形成」
（“Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｅｐ
ｉｔａｘｉａｌ ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ−ＰｒＹＢａ
２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ−ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ Ｊｏｓｅ
ｐｈｓｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｇｒｏｗｎ ｂｙ Ｌａ
ｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５５（１９），１９８９年１１月２日、
２０３２〜２０３４頁には、ＰＡ−３及びＰＡ−４のも
のと同様のレーザ融蝕沈着技術によるジョゼフソン接合
デバイスの製造が報告されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｒ１
Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造と同じ元素を
含有する物質を提供することである。他の目的は、この
物質の製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｒ１Ａ２Ｃ３
斜方晶系ペロブスカイト結晶層の形成のためのレーザ融
蝕沈着方法（例えば、上記引用したＰＡ−３、ＰＡ−４
又はＰＡ−５より開示された方法の何れか一つ）で使用
される基体（又は基板）のための加熱台の温度を変える
ことによって、新規な立方晶系ペロブスカイト結晶構造
が形成できることを見出してなされた。
【００１２】少なくとも同じように重要な第二の発見
は、一度生成した新規な立方晶系ペロブスカイト結晶構
造層は、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造
を形成させようとして十分な温度に加熱した場合には、
安定に留まっていることである。このことは、立方晶系
ペロブスカイト結晶構造層がＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロ
ブスカイト結晶構造層を沈着するための基体として機能
し、次いでこれが重畳格子及びジョゼフソン接合デバイ
スの形成を許容する。
【００１３】一つの面で、本発明は、式： Ｒ０．３３＋ｚＡ０．６７Ｃ１−ｙＯ３−ｘ の単位セル（式中、Ｒ、Ａ及びＣは、それぞれ、超伝導
性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を形成
し得る、希土類原子、アルカリ土類原子及び銅原子を表
し、ｘは０．６７〜１であり、ｙは０．２以下であり、
ｚは０．１以下であり、そして、Ｒは、少なくとも１種
のスカンジウム、イットリウム並びにセリウム、プラセ
オジム、プロメチウム及びテルビウム以外のランタノイ
ド希土類元素を含む）を満足する立方晶系ペロブスカイ
ト結晶構造を指向する。
【００１４】他の面で、本発明は、本発明による立方晶
系ペロブスカイト結晶構造からなる、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方
晶系ペロブスカイト結晶構造相及び層のエピタキシャル
沈着を支持し得る基体からなる物品に指向する。
【００１５】追加の面で、本発明は、低伝導度の弱いリ
ンクにより伝導性に結合されている少なくとも第一の及
び第二の超伝導層からなり、該弱いリンクが本発明によ
る立方晶系ペロブスカイト結晶構造からなることを特徴
とする、ジョゼフソン接合デバイスを指向している。
【００１６】更に他の面で、本発明は、層の結晶単位セ
ルｃ軸に垂直に配向し、本発明による立方晶系ペロブス
カイト結晶構造を示す隣接する一対の層の間に介在して
いる層の主面を有する、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブス
カイト結晶構造を示す複数の超伝導層から本質的にな
る、重畳格子を指向している。
【００１７】更に別の面で、本発明は、（ａ）超伝導性
Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造の希土
類、アルカリ土類及び銅の化学量論量を示す、希土類ア
ルカリ土類銅酸化物の主体をレーザで処理して、希土類
アルカリ土類銅酸化物の一部を融蝕し、そして、（ｂ）
加熱台の上に置いた基体上に、融蝕した希土類、アルカ
リ土類及び銅を酸素と共に凝縮させることからなる、レ
ーザ融蝕沈着による希土類アルカリ土類銅酸化物結晶構
造の形成方法を指向している。この方法は、加熱台の温
度を、結晶を形成させるために十分であるが、超伝導性
Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造の形成の
ために必要な最少温度よりも低い範囲内に維持して、立
方晶系ペロブスカイト結晶構造を、式： Ｒ０．３３＋ｚＡ０．６７Ｃ１−ｙＯ３−ｘ の単位セル（式中、Ｒ、Ａ及びＣは、それぞれ、超伝導
性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を形成
し得る、希土類原子、アルカリ土類原子及び銅原子を表
し、ｘは０．６７〜１であり、ｙは０．２以下であり、
ｚは０．１以下であり、そして、Ｒは、少なくとも１種
のスカンジウム、イットリウム並びにセリウム、プラセ
オジム、プロメチウム及びテルビウム以外のランタノイ
ド希土類元素を含む）を満足するように作ることを特徴
とする。
【００１８】立方晶系ペロブスカイト結晶構造の単位セ
ルを図２に示す。立方体であるので、単位セルは区別す
ることができない互いに垂直なａ−、ｂ−及びｃ−軸を
示している。標識１が付けられた第一の金属原子サイト
は、立方体単位セルの中心に存在している。標識２が付
けられた８個の第二の金属原子サイトは、単位セルの角
に存在している。第二の金属原子サイトでそれぞれの原
子は、８個の隣接単位セル（そのうち１個のみを示して
いる）により共有されており、それで、第二の金属原子
サイトは、単位セル当たり１個の金属原子にのみ集合的
に寄与している。標識のない円は単位セルの６個の面の
それぞれ内の面中心位置を占有し、それぞれ隣接単位セ
ル（図示せず）で共有されている６個の酸素原子サイト
を表している。全ての可能な酸素原子サイト位置が占有
されたとき、単位セル当たり全部で３個の酸素原子が存
在する。
【００１９】本発明の立方晶系ペロブスカイト結晶構造
は、式： Ｒ０．３３＋ｚＡ０．６７Ｃ１−ｙＯ３−ｘ の単位セル（式中、Ｒ、Ａ及びＣは、それぞれ、超伝導
性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を形成
し得る、希土類原子、アルカリ土類原子及び銅原子を表
し、ｘは０．６７〜１であり、ｙは０．２以下であり、
ｚは０．１以下である）を満足する。
【００２０】立方晶系ペロブスカイトの単位セル構造を
超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造
の単位セルの構造と比較したとき、ある種の類似性と差
異とが明らかである。最も重要な類似性の一つは、立方
晶系ペロブスカイトの単位セルが、同じ元素から形成さ
れたＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイトの単位セルの
短軸寸法と同様である寸法を示すことである。両単位セ
ル面配置及び寸法の類似性は、何れかの結晶構造の他の
ものの上へのエピタキシャル沈着を容易にする。
【００２１】立方晶系ペロブスカイトの単位セル構造
は、対応するＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶
構造に見出される同じ比率で酸素を含有し得る。本発明
の好ましい態様に於いて、ｘは０．６７〜０．８５の範
囲内である。
【００２２】斜方晶系ペロブスカイトの単位セル構造体
の希土類：アルカリ土類：銅の１：２：３原子比は、立
方晶系ペロブスカイトの単位セルの構造中に存在し得
る。しかしながら、好ましい立方晶系ペロブスカイト結
晶構造に於いて、僅かの銅欠損がある。即ち、ｙは好ま
しくは０．０５〜０．１８の範囲内である。また、僅か
に過剰の希土類が好ましい結晶構造中に存在する。好ま
しい立方晶系ペロブスカイト結晶構造体に於いて、ｚは
０〜０．０８の範囲である。立方晶系ペロブスカイトの
単位セルの構造中に利用できる中心及び角の金属原子サ
イトのみがあり、希土類原子のアルカリ土類原子に対す
る比率は大体１：２であるので、斜方晶系ペロブスカイ
トの単位セルの構造に見出される希土類及びアルカリ土
類原子の整列した配置の型の可能性はない。Ｒ１Ａ２Ｃ
３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造に比較して、立方晶
系ペロブスカイト結晶構造が形成される比較的低い温度
は、それらの単位セルの構造に於ける差異を説明してい
る。Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体を
形成させる際に使用されるより高い温度は、これらの結
晶構造の単位セル中に見出される金属原子の更に整列し
た関係の形成を容易にするために十分な追加のエネルギ
ーを与える。本発明は、超伝導性を示すために立方晶系
ペロブスカイトの結晶構造を必要とせず、存在する場合
には、超伝導性は、重畳格子及びジョゼフソン接合応用
のために高Ｔ０ Ｒ１Ａ２Ｃ３のものよりも下で十分有
利に生じるので、希土類、アルカリ土類及び銅原子の
１：２：３化学量論量からの変動は、本発明の要求を満
足する立方晶系ペロブスカイトの結晶構造の利用に不満
足でもなく制限もしない。
【００２３】超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカ
イト結晶構造体を形成できることが知られている希土
類、アルカリ土類及び銅原子のどのような組合せも、本
発明の立方晶系ペロブスカイト結晶構造に含めることが
意図される。用語「希土類」は３族、周期４、５及び６
の元素を示すのに使用する。単独で又は組み合わせて使
用される、スカンジウム、イットリウム並びにセリウ
ム、プラセオジム、プロメチウム及びテルビウム以外の
ランタノイド類（即ち、ランタノイド、ネオジム、サマ
リウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウ
ム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウ
ム及びルテチウム）が、超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系
ペロブスカイト結晶構造を作るために知られている。イ
ットリウム及び上記特定したランタノイド類が、特に好
ましい希土類を構成する。アルカリ土類元素はストロン
チウム及びカルシウムからなる群から選択される追加の
アルカリ土類を伴う、原子基準で少なくとも５０％のバ
リウムであり、最も好ましくは、存在するときストロン
チウムである追加のアルカリ土類元素を伴う、原子基準
で少なくとも８０％のバリウムである。
【００２４】特に好ましい立方晶系ペロブスカイト結晶
構造体は、式： Ｙ０．３３＋ｚＢａ０．６７Ｃ１−ｙＯ３−ｘ の単位セル（式中、ｘは０．６７〜０．８５を表し、ｙ
は０．０５〜０．１８を表し、そして、ｚは０．０８以
下を表す）を満足する。この式で代表される単位セル
は、高Ｔ０ Ｒ１Ａ２Ｃ３結晶構造と非常に調和する。
【００２５】本発明の新規な立方晶系ペロブスカイト結
晶構造体は、レーザ融蝕沈着法により、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜
方晶系ペロブスカイト結晶構造体を形成するのに使用す
る条件を変えることにより製造できる。例えば、新規な
立方晶系ペロブスカイト結晶構造は、前記引用した文献
ＰＡ−３、ＰＡ−４及びＰＡ−５に開示されたレーザ融
蝕沈着方法で使用される温度を変えることによって製造
できる。レーザ融蝕沈着方法に於いて、超伝導性Ｒ１Ａ
２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造の希土類、アル
カリ土類及び銅化学量論量を有する全ての希土類アルカ
リ土類銅酸化物を、原料物質として使用できる。原料物
質は結晶であっても無定形であっても良い。原料物質
を、基体が載せられている加熱台に隣接している排気し
たチャンバー内に置く。基体を加熱台と熱的に伝導する
ように接触させて載せる。受け入れられ最も再現性のあ
る方法（本発明で採用される）は、加熱台の温度をモニ
ターし調節することである。原料物質に向けた一連のレ
ーザパルスにより、バルク原料から基体への物質の移動
が起きる。融蝕の間、希土類、アルカリ土類及び銅の元
素及びイオンを含むプラズマが生じる。これらの元素は
酸素と相互作用して基体上に凝縮し、希土類アルカリ土
類銅酸化物を再形成する。その簡単さに加えて、この方
法は、高真空条件を使用できるが、高真空条件が必要で
はないと言う利点を有する。例えば、１０−４〜３００
ｍＴｏｒｒの範囲の環境圧力が報告されている。
【００２６】加熱台の温度を、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペ
ロブスカイト結晶構造体を作るために必要な温度よりも
低く（しかし典型的に約１２０℃以内）維持することに
より、立方晶系ペロブスカイト結晶構造体の被覆物が沈
着で形成されることを見出した。立方晶系ペロブスカイ
ト結晶構造の形成のための好ましい温度範囲は、約５３
０〜６４０℃の範囲内である。イットリウムバリウム銅
酸化物の立方晶系ペロブスカイト結晶構造体への沈着の
ための最適温度範囲は５４０〜６３０℃である。
【００２７】上記のように、立方晶系ペロブスカイト結
晶構造体の生成についての一つの可能な説明は、図２に
関連して記載したような原子の順序を支持するために十
分な熱エネルギーが存在するが、図１に示すような希土
類及びアルカリ土類元素の相対的順序を起こさせるため
に更に転移させるには不十分な熱エネルギーが存在する
ことである。例えば、加熱台を５２５℃又はそれ未満に
維持した場合には、イットリウムバリウム銅酸化物の無
定形沈着物が観察される。他方、加熱台を６５０℃又は
それ以上の温度に維持した場合には、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３
斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体が形成される。
【００２８】立方晶系ペロブスカイト結晶構造体を受け
取るのに使用される基体は、対応するＲ１Ａ２Ｃ３斜方
晶系ペロブスカイト結晶構造体のための基体として機能
し得ることが知られているどのような形もとることがで
きる。更に、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶
構造（典型的にそれ自体基体上の層である）は、立方晶
系ペロブスカイト結晶構造のための基体として具体的に
考慮される。かくして、上記引用した文献ＰＡ−１、Ｐ
Ａ−２、ＰＡ−３、ＰＡ−４及びＰＡ−５で、Ｒ１Ａ２
Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造の形成を許容する
ことが開示された全ての基体を使用することができる。
非常に調和する基体は、それ自体がプロブスカイト又は
ペロブスカイト状結晶構造を示す物質である。チタン酸
ストロンチウムは、基体として使用することが特に好ま
しいペロブスカイト結晶構造の例である。アルミン酸ラ
ンタン（ＬａＡｌＯ３）、ランタンガリウムオキシド
（ＬａＧａＯ３）及びタンタル酸カリウムは、有用なペ
ロブスカイトの他の例である。ペロブスカイトではない
その他の好ましい基体には、特に単結晶形態になってい
るマグネシア及びアルミナが含まれる。
【００２９】複合体基体が特に意図される。複合体基体
は典型的に、希土類アルカリ土類銅酸化物を形成するこ
ととのその調和性以外の理由から選択される少なくとも
１種の物質及び結晶性希土類アルカリ土類銅酸化物層の
ための調和性沈着表面を与える機能を果たす１個又はそ
れ以上のバリヤー層とから構成される。
【００３０】バリヤー層を形成するための最も簡単なア
プローチは、下側の基体部分による次の沈着層への有害
な影響をも最少にできる沈着表面が作られるまで、希土
類アルカリ土類銅酸化物の連続する層を単純に形成する
ことである。本発明の実施に於いて、幾つかの例でＲ１
Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体を形成する
ことと非常に調和性であることが知られているマグネシ
アのような支持体のときでも、単位セルの寸法の２〜３
倍である厚さを有する層が、所望の立方晶系ペロブスカ
イト結晶構造体が観察される前に、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶
系ペロブスカイト結晶構造体として先ず形成されること
が観察された。それで、本発明の一つの好ましい態様に
於いて、複合体基体には、厚さが少なくとも約５０Åで
あるＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体の
層が含まれる。Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結
晶構造体の基体層が最少の欠陥を含有するようにするた
めに、この層は少なくとも約５００Åの、最適には少な
くとも０．１μｍの厚さを有することが好ましい。Ｒ１
Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造の基体層の最
大厚さは、所望ならば基体全部をＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系
ペロブスカイト結晶構造体で形成することができるの
で、完全に選択の問題である。Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペ
ロブスカイト結晶構造層がレーザ融蝕沈着により形成さ
れる場合には、厚さは１μｍ未満であることが好まし
い。ＰＡ−２の厚いフィルム形成方法のような他の技術
がＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト厚手（＞５μ
ｍ）フィルムを形成するのに使用できる。
【００３１】珪素が基体物質である場合には、組合せで
ジルコニウム、珪素及び酸素からなる特に好ましいバリ
ヤー層系は、Ｈｕｎｇ ｅｔ ａｌの米国特許第４，９
０８，３４８号により開示されているものである。（ア
メリカ化学会（ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）により採用されているよう
な）元素の周期表の８〜１１族及び周期５及び６の金属
は、希土類アルカリ土類銅酸化物の沈着のための沈着表
面を形成するためによく適合しており、また、高温で結
晶性希土類アルカリ土類銅酸化物層（単数又は複数）の
形成が完結した後、支持された希土類アルカリ土類銅酸
化物層（単数又は複数）が可撓性の有機フィルム支持体
のような他の支持体へ移転されるようにする、剥離層と
して作用する能力を有する。更に詳しくはＭｉｒ ｅｔ
ａｌの米国特許第４，９８８，６７４号により提供さ
れる。有用な希土類アルカリ土類銅酸化物層は、高密度
（理論密度の少なくとも９０％）ハフニアバリヤー層を
使用する場合には、クロムと鉄及びニッケルの一つ又は
両者とのオーステナイト合金である支持体上に形成でき
る。ジルコニアをハフニアに置き換えることができる
が、ハフニア、マグネシア、チタン酸ストロンチウム、
アルミン酸ランタン、ランタンガリウムオキシド及びタ
ンタル酸カリウムのような補助バリヤー物質で、ジルコ
ニアバリヤー層の亀裂を充填する。
【００３２】一旦、立方晶系ペロブスカイト結晶構造体
が基体上に形成されると、これはＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系
ペロブスカイト結晶構造体に転換することなく形成でき
る最大温度を十分超える温度に耐えることができる。立
方晶系ペロブスカイトイットリウムバリウム銅は、空気
中９５０℃で焼き鈍しすることにより斜方晶系ペロブス
カイト結晶構造体に転換された。
【００３３】転換がレーザ融蝕沈着によりＲ１Ａ２Ｃ３
斜方晶系ペロブスカイトを形成するために必要な６５０
℃の加熱台温度より３００℃高い温度で起きたことに注
目されたい。即ち、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイ
ト結晶構造体を立方晶系ペロブスカイト結晶構造体表面
上に、後者の劣化なしに形成するために、広範囲の温度
を使用することができる。Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方系ペロブス
カイト結晶構造体の立方晶系ペロブスカイト結晶構造体
表面上への沈着は、９００℃以下又はそれ以上の加熱台
温度で行われる。沈着は、最低の好都合な加熱台温度、
好ましくは６５０〜８５０℃、最適には７００〜７５０
℃で好ましい。
【００３４】ポテンシャルバイアス及び連続酸素プラズ
マのそれぞれが、斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体を
上記の温度よりも十分低い（例えば、約１００℃低い）
温度でのレーザ融蝕沈着により得られるようにすること
が、当該技術分野で知られている。これらのレーザ融蝕
条件の同じ修正は、本発明の立方晶系ペロブスカイト結
晶構造体を形成するために必要な温度を同様に下げるた
めに意図される。
【００３５】その形成温度を超え、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶
系ペロブスカイト結晶構造体、特に高温超伝導性を示す
ものを提供するための操作温度範囲内での、立方晶系ペ
ロブスカイト結晶構造の観察された安定性の結果、他の
方法では可能ではなかった種々の用途を生む。
【００３６】本発明による新規な立方晶系ペロブスカイ
ト結晶構造体が使用できる用途の一つは、高Ｔ０ Ｒ１
Ａ２Ｃ３結晶構造の沈着のための基体バリヤー層として
である。この用途に向いた単純な物品を図３に示す。図
３に於いて３０１は、本発明による新規な立方晶系ペロ
ブスカイト結晶構造体の沈着物を支持することができる
上記開示された全ての単純又は複合基体を表し、３０３
は立方晶系ペロブスカイト結晶構造の薄い（＜５μｍ）
フィルムを表す。この薄いフィルムは好ましくは、少な
くとも５０Å、好ましくは少なくとも５００Å、そして
最適には少なくとも約０．１μｍの最少厚さを示す。立
方晶系ペロブスカイト結晶構造層３０３は、高Ｔ０ Ｒ
１Ａ２Ｃ３結晶構造を形成するのに必要な温度よりも低
い温度で形成されるので、基体上に高Ｔ０Ｒ１Ａ２Ｃ３
結晶構造を直接沈着させようとした場合よりも、有害な
基体成分が層３０３内へ泳動する機会が少なくなる。高
Ｔ０ Ｒ１Ａ２Ｃ３結晶構造層を層３０３の上に形成す
る際に続いてより高い温度にした場合に、後者は拡散バ
リヤーとして作用する。
【００３７】本発明の他の態様を図４に示す。図４に於
いて基体４０１はその上に沈着されたＲ１Ａ２Ｃ３斜方
晶系ペロブスカイト結晶構造層４０３と共に示され、順
に層４０３は本発明の要求を満足する新規な立方晶系ペ
ロブスカイト結晶構造層４０５を支持している。この配
置は図３の配置に置換できる。この例で層４０３及び４
０５は共にバリヤー層として機能する。この配置は、基
体４０１が立方晶系ペロブスカイト結晶構造をその表面
上に直接形成させることができる必要がないという別の
利点を有している。
【００３８】基体４０１及びＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロ
ブスカイト結晶構造層４０３が、層４０３を高Ｔ０超伝
導体であるようにするために十分調和性である場合に
は、図４の配置は下記の本発明のデバイスのための最初
の構築ブロックを表す。
【００３９】図３及び図４の構造を考慮して、Ｒ１Ａ２
Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造層と立方晶系ペロ
ブスカイト結晶構造との類似性が、他のエピタキシャル
沈着のための基体として何れかを機能させることに注目
することが重要である。
【００４０】本発明の要求を満足する立方晶系ペロブス
カイト結晶構造体を含有する好ましい構造は、ジョゼフ
ソン接合デバイスである。ジョゼフソン接合デバイス５
００を図５に示す。図示するように、デバイスは、上記
の種々の形態の何れをもとり得る基体５０１からなる。
Ｒ１Ａ２Ｃ３結晶構造を含む第一高温超伝導層５０３は
基体の上に配置されている。外部電気結線を図解的に示
すリード５０５は、第一超伝導層に接続して示されてい
る。弱いリンク、即ち、それを通して流れを運ぶ比較的
小さい伝導性物質の層を形成する層５０７が、第一超伝
導層の上にある。本発明のジョゼフソン接合デバイス
は、この弱いリンクが上記の種類の立方晶系ペロブスカ
イト結晶構造層であることに特徴を有する。Ｒ１Ａ２Ｃ
３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を含有する第二高温
超伝導層５０９が、弱いリンクの上にある。第二リード
５１１は、第二超伝導層への外部電気結線を与える。
【００４１】ジョゼフソン接合デバイスは約５００Å以
下の厚さを有する弱いリンクと共に報告されていたが、
１００Å未満の層厚さで弱いリンクを構成することが一
般的に好ましい。隣接する超伝導層の厚さはデバイスの
操作のためには限定的ではなく、どのような便利な厚さ
であってもよく、典型的には約５００Å〜１０μｍの範
囲である。
【００４２】ジョゼフソン接合デバイスは極めて高周波
のスイッチとして作用する能力をもつ。ジョゼフソン接
合デバイスは、一般的に感受性の磁界検出のための、か
つその速いスイッチング効用に加えて、非線形の電子部
品としての使用のための、超伝導量子干渉計（ＳＱＵＩ
Ｄ）を構成するのに有用である。
【００４３】１４族元素（例えば、珪素及びゲルマニウ
ム）のエピタキシャル半導体重畳格子構造及び１３及び
１５族の化合物（例えば、砒化ガリウム、砒化ガリウム
アルミニウム）は、レーザから検出器への範囲の有用な
構造のホストへ導いた。重畳格子が高温超伝導結晶構造
で利用できた場合には、重畳格子能力も有用なデバイス
を構築するために使用できると考えられた。
【００４４】本発明は重畳格子、特に超伝導層を、最適
には高温超伝導層を含有する重畳格子を可能にする。こ
のことは、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構
造体の沈着を中断して、選択された間隔で１個又はそれ
以上の立方晶系ペロブスカイト結晶構造を挿入すること
によって可能である。
【００４５】本発明の要求を満足する重畳格子構造体の
有用な応用を図６に示す。基体６０１は上記の種々の形
態の何れをとることもできる。基体の上には、簡単にす
るために、層６１１及び６１３として示される立方晶系
ペロブスカイト結晶構造層により、隣接する各一対が分
離されている、３個の層６０５、６０７及び６０９とし
て示される複数個のＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイ
ト結晶構造層からなる重畳格子６０３が配置されてい
る。特に好ましい態様に於いて、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系
ペロブスカイト結晶構造層はそれぞれ高温超伝導性を示
す。
【００４６】立方晶系ペロブスカイト結晶構造層が層５
０７と同様であり、図解的に６１５及び６１７で示され
る電気結線が最も端のＲ１Ａ２Ｃ３ペロブスカイト結晶
構造層に接続されているとき、重畳格子は一連の集積さ
れたジョゼフソン接合デバイスからなるデバイス６００
の形態をとり得る。層６０５、６１１及び６０７が一つ
のジョゼフソン接合機能単位を形成し、他方、層６０
７、６１３及び６０９が第二のジョゼフソン接合機能単
位を形成する。デバイス６００は、単一機能単位スイッ
チに比較して増加したレベルの信頼性を提供する直列ス
イッチとして使用される。
【００４７】特に意図される重畳格子には周期性重畳格
子が含まれる。用語「周期性重畳格子」は、同一で繰り
返された連続、例えば、斜方晶系ペロブスカイト層と立
方晶系ペロブスカイト層とが重畳格子の単位を形成し、
これが１回又はそれ以上、典型的には多数回同一で繰り
返されることを意味する。対称的な周期性重畳格子が特
に意図される。対称的周期性重畳格子は、同一で繰り返
された単位の層が同じ厚さであるもの、例えば、同一で
繰り返された単位が同じ厚さの立方晶系ペロブスカイト
結晶構造層と斜方晶系ペロブスカイト結晶構造層とから
なる周期性重畳格子である。
【００４８】
【実施例】本発明の構成及び特性表示は下記の具体的な
実施例を参照することによって更に完全に理解できる。
頭文字語「ＸＲＤ」及び「ＴＥＭ」は、それぞれＸ線回
折及び透過型電子顕微鏡を示す。
【００４９】実施例１：ＭｇＯ上の立方晶系ペロブスカ
イト結晶構造体の薄いフィルム 標記フィルムを、レーザ融蝕沈着により単結晶マグネシ
ア（ＭｇＯ）基体の｛１００｝結晶面上に沈着した。
【００５０】ターゲット物質はバルク多結晶ＹＢａ２Ｃ
ｕ３Ｏ７−ｘ高温超伝導物質の２．５４ｃｍ直径の円板
であった。ターゲットを回転台の上に置き、真空チャン
バー内に入れた。沈着の間ターゲットの回転速度は６ｒ
ｐｍであった。
【００５１】単結晶ＭｇＯ基体は２．５×１．３ｃｍで
あり、ターゲットから５ｃｍ離れた抵抗加熱台の上に配
置した。ＭｇＯ基体を、スプリングクリップ及び効率的
な熱移動を容易にするための加熱台と基体との間のシル
バー塗料熱移動層を使用して加熱台上に装着した。塗料
ベヒクルを熱分解するためと有機残渣のついた基体表面
を清浄にするために、沈着の前に、基体を台の上で予備
加熱した。この工程の間、基体ヒーターブロックを７０
０℃に昇温し、この温度で５分間維持した。
【００５２】次いでチャンバーを５×１０−４Ｔｏｒｒ
の圧力に排気し、次いで、ターゲットから２０ｃｍ離れ
たところで測定して２００ｍＴｏｒｒの圧力になるまで
酸素を送気して再充填した。ガスを基体表面の方へ向け
る管を通して酸素を導入した。酸素流速を２０ｓｃｃｍ
に制御した。
【００５３】Ｌａｍｂａ Ｐｈｙｓｉｋ ２１０ｉＴＭ
（ＫｒＦ）エキシマレーザからの２４８ｎｍレーザビー
ムを、高反射性ミラー、５００ｍｍ高純度融解石英レン
ズ及び同様の石英物質の真空チャンバー窓を経由してタ
ーゲットに向けた。レーザは、反復速度２Ｈｚ、パルス
幅約２０ｎｓ及びパルスエネルギー４００ｍＪで操作し
た。ターゲット上のビームスポットサイズは、２Ｊ／ｃ
ｍ２近くで影響を与え、約２．５×８ｍｍであった。
【００５４】ターゲットと基体との間に介在させたシャ
ッターを、基体上に物質が沈着することなしにターゲッ
トにレーザが当たるようにするために閉じた。レーザを
シャッターを開ける直前に１５０パルスで発光させて、
最高の可能な純度の物質がターゲットから利用できるこ
とを確実にする。
【００５５】シャッターを開いて、基体の上にフィルム
を成長させるために合計で３０００レーザパルスを使用
した。沈着の間、加熱基体台を５６０℃に維持した。３
０００レーザパルス後、チャンバー内の酸素圧力を約１
７０Ｔｏｒｒに上げた。試料をこの環境に１５分間維持
し、その後、基体台の加熱を中断した。試料を室温にま
で冷却し、次いで取り出した。
【００５６】沈着したフィルムは、光った黒色の外観を
有していた。室温４点プローブ抵抗測定で、シート抵抗
は約１００オーム／□であった。フィルム厚さはプロフ
ィロメトリー（ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｒｙ）により約３
０００オングストロームであった。ＸＲＤは、フィルム
が｛１００｝結晶学的表面を表す高度に整列した立方体
結晶構造であることを示していた。この試料及び同様に
好ましい試料のＸＲＤ及びＴＥＭはまた、最初の僅かの
単位セル格子平面が、立方晶系ペロブスカイト結晶構造
の形成が始まる前に、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカ
イト結晶構造を示したことを示す、非常に薄い界面のＲ
１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を示した。
【００５７】実施例２：ＳｒＴｉＯ３上の立方晶系ペロ
ブスカイト結晶構造体の薄いフィルム 単結晶ＳｒＴｉＯ３基体をＭｇＯ基体の代わりに置き換
えた他は、実施例１に記載したと同様にして薄いフィル
ムを製造した。沈着は｛１００｝結晶面上に行った。
【００５８】製造された立方晶系ペロブスカイト結晶構
造体の薄いフィルムは、実施例１で観察されたものと同
様であったが、実施例１とは異なって、斜方晶系ペロブ
スカイト結晶構造体がＸＲＤ分析により検出されなかっ
た。イオンチャネリング測定は、整列した最少後方散乱
得率７１％を有する、著しい結晶完成度を示した。
【００５９】実施例３：ＭｇＯ上の斜方晶系又は立方晶
系ペロブスカイト結晶構造体の薄いフィルムを得る際の
温度の影響 他に記載したこと以外は、使用した方法は実施例１の方
法と同様であった。加熱基体台温度は沈着の間７００℃
に維持した。フィルムを成長させるために全部で１５０
０レーザパルスを使用した。操作の終わりに酸素の導入
を、７００℃に維持した加熱基体台温度で行った。次い
で加熱した台を９０分後に２００℃に達する制御した速
度で冷却した。この時点で、基体台への熱の供給を中断
し、基体を冷却させた。
【００６０】薄いフィルムは、光った黒色の外観を有し
ていた。ＸＲＤは、フィルムが基体表面に垂直な単位セ
ルｃ軸を有する高度に配向したＹ１Ｂａ２Ｃｕ３斜方晶
系ペロブスカイト結晶構造体であることを示していた。
【００６１】立方晶系ペロブスカイト結晶構造体を生じ
る実施例１の方法と、斜方晶系ペロブスカイト結晶構造
体を生じる上記の方法との間の著しい差異は、実施例１
に於いては加熱台（従って基体）の温度を沈着の間５６
０℃に維持し、他方、上記の方法に於いては加熱台の温
度を沈着の間７００℃に維持したことであった。
【００６２】別の研究の間に、沈着の間の加熱台温度と
観察された薄いフィルム結晶構造との間の下記の関係が
観察された。
【００６３】
【００６４】５２５〜５５０℃の範囲内の温度で、無定
形と立方晶系ペロブスカイト相との混合物が観察され
た。６２５〜６５０℃の範囲内の温度で、立方晶系と斜
方晶系ペロブスカイト相との混合物が示された。
【００６５】実施例４：立方晶系ペロブスカイトの薄い
フィルムの熱安定性 実施例１のフィルムと同様の立方晶系ペロブスカイトの
薄いフィルムを７００℃に加熱し、次いでＴＥＭ分析に
より試験した。斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体への
転化の証拠は認められなかった。
【００６６】８００℃への加熱を行い、ＸＲＤ分析を使
用した他は、上記の方法と類似の方法を繰り返したとこ
ろ、立方晶系ペロブスカイト結晶構造体が斜方晶系ペロ
ブスカイト結晶構造体へ転化した証拠は認められなかっ
た。
【００６７】実施例５：ジョゼフソン結合構造用の層配
置 この実施例は、ジョゼフソン結合構造の形成に必要な種
類の三層連続体の形成を示す。他に示した以外は実施例
１の方法を行った。沈着の間の酸素圧力は２００ｍＴｏ
ｒｒであり、レーザパルスエネルギーは３５０ｍＪであ
った。第一層を、７００℃の加熱台及び８００レーザパ
ルスを使用し、約８００Åの第一層厚さを与えるように
形成した。この層は、実施例３に記載したものと同様の
斜方晶系ペロブスカイトＹ１Ｂａ２Ｃｕ３単位セル結晶
構造を示した。第二層は、約２００Åの厚さを有する立
方晶系ペロブスカイト結晶構造であった。第二層は実施
例１で製造した薄いフィルムと同様であった。第三層は
同様の結果を有する第一層と同様に形成した。
【００６８】得られた３層薄フィルムのＸＲＤ分析は、
斜方晶系と立方晶系ペロブスカイト相の両方の存在を示
唆した。３．４５ＭｅＶのＨｅイオンを使用するイオン
チャネリング測定は、フィルムを通して高い結晶完成度
を示した。表面で７３％の、及び基体との界面の近くで
４５％の最少後方散乱得率が見出され、これは基体界面
に近いほど結晶完成度が高く、フィルムを通して層のエ
ピタキシャル関係を示している。
【００６９】実施例６：重畳格子構造 この実施例は重畳格子構造の形成を示す。他に示した以
外は、実施例１の方法を行った。多層構造は、斜方晶系
ペロブスカイト結晶構造体と立方晶系ペロブスカイト結
晶構造体との交互層で構築した。斜方晶系ペロブスカイ
ト結晶構造体は７００℃の加熱基体台温度を使用して形
成され、立方晶系ペロブスカイト結晶構造体は５６０℃
の加熱基体台温度を使用して形成した。沈着連続は、３
００レーザパルスにより形成される斜方晶系ペロブスカ
イト層で始まった。次いで基体温度を下げ、第二立方晶
系ペロブスカイト結晶構造層を１５０レーザパルスによ
り形成した。次いで加熱台温度を７００℃に上昇させ
て、１５０レーザパルスを使用して第三斜方晶系ペロブ
スカイト結晶構造層を形成した。温度を５６０℃と７０
０℃との間で変え、２５、５０又は１００レーザパルス
を使用することによって、更に１０層を形成した。最終
的に、最後の立方晶系ペロブスカイト結晶構造体は８０
０レーザパルスを使用して形成した。各パルスはほぼ１
Åの層厚さを作ることが分かった。ＸＲＤ分析は、多層
フィルム中に斜方晶系と立方晶系ペロブスカイト結晶構
造体との両方の存在を示した。イオンチャネリング研究
は、エピタキシャル関係が構造全体を通して維持されて
いたことを示した。同様に好ましい重畳格子に於いて、
ＴＥＭ分析は斜方晶系ペロブスカイト層と立方晶系ペロ
ブスカイト層との間の断裂した境界を示した。
【００７０】
【発明の効果】本発明は、新規な結晶構造体を提供す
る、当該技術分野の状態での進歩を表す。更に特に、本
発明は、高温超伝導性を示すことが知られているものの
ような、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造
体中に含有される同じ元素を含有し得る新規な結晶構造
体を提供する。この新規な結晶構造体は、重畳格子及び
ジョゼフソン接合デバイスの弱いリンクを形成する際の
有用性を有する。
【００７１】本発明の具体的な利点は、新規な結晶構造
体がＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体と
非常に調和性であることである。この新規な結晶構造体
の単位セル軸は、対応するＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブ
スカイト結晶構造体の単位セル短軸とよく一致してい
る。このことは、新規な結晶構造のＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶
系ペロブスカイト結晶構造体上へのエピタキシャル沈着
と、Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体の
エピタキシャル沈着のための基体としての新規な結晶構
造の使用との両方を容易にする。
【００７２】本発明の新規な結晶構造体は、高温超伝導
性を示すＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造
体と組み合わせて使用したとき顕著な利点を提供する。
この新規な結晶構造体は高Ｔ０ Ｒ１Ａ２Ｃ３結晶構造
体に見出されるものと同様の比率で同じ元素を使用する
ことができるので、高温処理の間に隣接するＲ１Ａ２Ｃ
３結晶構造体の伝導性を低下させる危険が避けられる。
比較により、半導体性プラセオジムＲ１Ａ２Ｃ３斜方晶
系ペロブスカイト結晶構造体を高Ｔ０ Ｒ１Ａ２Ｃ３結
晶構造体と組み合わせて使用したとき、隣接する超伝導
性結晶構造体の伝導度特性を低下させる、高温処理工程
の間に隣接する超伝導体中へのプラセオジムの泳動の顕
著な危険がある。
【００７３】本発明は、高Ｔ０ Ｒ１Ａ２Ｃ３結晶構造
と組み合わせて使用されるプラセオジム含有層に追加の
利点を与える。本発明の実施に於いて、沈着のために単
一原料物質を使用して、超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系
ペロブスカイト結晶構造体を含有する重畳格子及びジョ
ゼフソン接合デバイスを形成することが可能である。特
に、超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶
構造層及び本発明の新規な結晶構造体を含有する層の両
方を製造するための原料として、超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３
斜方晶系ペロブスカイト結晶構造体の希土類、アルカリ
土類及び銅の化学量論量を有する、希土類アルカリ土類
銅酸化物の全てを使用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造
体の単位セルの模式図である。
【図２】立方晶系ペロブスカイト結晶構造体の単位セル
の模式図である。
【図３】本発明による物品の模式図である。
【図４】本発明による物品の模式図である。
【図５】本発明による物品の模式図である。
【図６】本発明による物品の模式図である。
【符号の説明】
Ｒ…希土類 Ａ…アルカリ土類 Ｃ…銅 １…第一金属原子 ２…第二金属原子 ３０１…基体 ３０３…立方晶系ペロブスカイト層 ４０１…基体 ４０３…斜方晶系ペロブスカイト層 ４０５…立方晶系ペロブスカイト層 ５００…ジョゼフソン接合デバイス ５０１…基体 ５０３…斜方晶系ペロブスカイト層 ５０５…リード ５０７…立方晶系ペロブスカイト層 ５０９…斜方晶系ペロブスカイト層 ５１１…リード ６００…デバイス ６０１…基体 ６０３…重畳格子 ６０５…斜方晶系ペロブスカイト層 ６１１…立方晶系ペロブスカイト層 ６０７…斜方晶系ペロブスカイト層 ６１３…立方晶系ペロブスカイト層 ６０９…斜方晶系ペロブスカイト層 ６１５…リード ６１７…リード

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 式： Ｒ０．３３＋ｚＡ０．６７Ｃ１−ｙ Ｏ３−ｘ の単位セル（式中、Ｒ、Ａ及びＣは、それぞれ、超伝導
    性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を形成
    し得る、希土類原子、アルカリ土類原子及び銅原子を表
    し、 ｘは０．６７〜１であり、ｙは０．２以下であり、ｚは
    ０．１以下であり、そして、Ｒは、スカンジウム、イッ
    トリウム並びにセリウム、プラセオジム、プロメチウム
    及びテルビウム以外のランタノイド希土類元素の少なく
    とも一種を含む）を満足する立方晶系ペロブスカイト結
    晶構造体。
  2. 【請求項２】 超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブス
    カイト結晶構造の希土類、アルカリ土類及び銅の化学量
    論量を示す、希土類アルカリ土類銅酸化物の物体をレー
    ザで処理して、希土類アルカリ土類銅酸化物の一部を融
    蝕し、そして、 加熱台の上に置いた基板上に、融蝕した希土類、アルカ
    リ土類及び銅を酸素と共に凝縮させることを含んでなる
    レーザー融蝕付着による希土類アルカリ土類銅結晶構造
    体の形成方法において、 加熱台の温度を、結晶を形成させるために十分である
    が、超伝導性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶
    構造の形成のために必要な最少温度よりも低い範囲に維
    持して、立方晶系ペロブスカイト結晶構造を含む層を、
    式： Ｒ０．３３＋ｚＡ０．６７Ｃ１−ｙ Ｏ３−ｘ の単位セル（式中、Ｒ、Ａ及びＣは、それぞれ、超伝導
    性Ｒ１Ａ２Ｃ３斜方晶系ペロブスカイト結晶構造を形成
    し得る、希土類原子、アルカリ土類原子及び銅原子を表
    し、 ｘは０．６７〜１であり、ｙは０．２以下であり、ｚは
    ０．１以下であり、そして、Ｒは、スカンジウム、イッ
    トリウム並びにセリウム、プラセオジム、プロメチウム
    及びテルビウム以外のランタノイド希土類元素の少なく
    とも１種を含む）を満足するように製造することを特徴
    とする方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014069481A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 古河電気工業株式会社 酸化物超電導薄膜

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5306699A (en) * 1988-08-31 1994-04-26 Superconductor Technologies, Inc. Reactor vessel for manufacture of superconducting films
FR2662856B1 (fr) * 1990-06-01 1997-01-24 Thomson Csf Dispositifs haute frequence accordables.
US5128316A (en) * 1990-06-04 1992-07-07 Eastman Kodak Company Articles containing a cubic perovskite crystal structure
US5627139A (en) * 1990-09-24 1997-05-06 The Regents Of The University Of California High-temperature superconducting josephson devices having a barrier layer of a doped, cubic crystalline, conductive oxide material
EP0494580B1 (en) * 1991-01-07 2002-04-03 International Business Machines Corporation Superconducting field-effect transistor with inverted MISFET structure and method for making the same
US6072207A (en) * 1991-02-25 2000-06-06 Symetrix Corporation Process for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same
DE4124048C2 (de) * 1991-07-19 1995-02-02 Mueller Paul Supraleitfähiges Bauelement mit einem Josephsonkontakt in einem monokristallinen Hochtemperatursupraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
US5270298A (en) * 1992-03-05 1993-12-14 Bell Communications Research, Inc. Cubic metal oxide thin film epitaxially grown on silicon
US5528052A (en) * 1992-07-20 1996-06-18 International Business Machines Corporation Superconductive-channel electric field-effect drive
WO1994007270A1 (en) * 1992-09-14 1994-03-31 Conductus, Inc. Improved barrier layers for oxide superconductor devices and circuits
US6310373B1 (en) * 1992-10-23 2001-10-30 Symetrix Corporation Metal insulator semiconductor structure with polarization-compatible buffer layer
US6133050A (en) * 1992-10-23 2000-10-17 Symetrix Corporation UV radiation process for making electronic devices having low-leakage-current and low-polarization fatigue
US6664115B2 (en) 1992-10-23 2003-12-16 Symetrix Corporation Metal insulator structure with polarization-compatible buffer layer
JP3255469B2 (ja) * 1992-11-30 2002-02-12 三菱電機株式会社 レーザ薄膜形成装置
US5453325A (en) * 1993-12-09 1995-09-26 Eastman Kodak Company Nonlinear optical waveguide multilayer structure
DE4434904A1 (de) * 1994-09-29 1996-06-05 Max Planck Gesellschaft Thermoelektrische Strahlungsdetektoren auf der Basis perovskitartiger dotierter Schichten und Übergitter
DE19516920A1 (de) * 1995-05-09 1996-11-14 Daimler Benz Ag Material und Verfahren zur Adsorprtion und Desorption von Stickoxiden in Abgasen
US6337991B1 (en) * 1996-11-05 2002-01-08 Corning Applied Technologies Corp. Large temperature coefficient of resistance material
US6120857A (en) * 1998-05-18 2000-09-19 The Regents Of The University Of California Low work function surface layers produced by laser ablation using short-wavelength photons
US6562678B1 (en) * 2000-03-07 2003-05-13 Symetrix Corporation Chemical vapor deposition process for fabricating layered superlattice materials
JP4666575B2 (ja) * 2004-11-08 2011-04-06 東京エレクトロン株式会社 セラミック溶射部材の製造方法、該方法を実行するためのプログラム、記憶媒体、及びセラミック溶射部材
US8974855B2 (en) * 2005-08-05 2015-03-10 The United States Department Of Energy Manganite perovskite ceramics, their precursors and methods for forming
KR101021459B1 (ko) * 2005-08-22 2011-03-15 도카로 가부시키가이샤 내손상성 등이 우수한 용사 피막 피복 부재 및 그 제조방법
US20090130436A1 (en) * 2005-08-22 2009-05-21 Yoshio Harada Spray coating member having excellent heat emmision property and so on and method for producing the same
JP4571561B2 (ja) * 2005-09-08 2010-10-27 トーカロ株式会社 耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法
US7648782B2 (en) * 2006-03-20 2010-01-19 Tokyo Electron Limited Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus
US7850864B2 (en) * 2006-03-20 2010-12-14 Tokyo Electron Limited Plasma treating apparatus and plasma treating method
JP4643478B2 (ja) * 2006-03-20 2011-03-02 トーカロ株式会社 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法
KR101340995B1 (ko) * 2006-12-28 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자용 박막 트랜지스터
JP6394396B2 (ja) * 2013-10-15 2018-09-26 住友大阪セメント株式会社 耐食性部材、静電チャック装置
CN109107572B (zh) * 2016-09-28 2021-04-20 天津大学 激光烧蚀制备钙钛矿催化剂的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983575A (en) * 1987-03-25 1991-01-08 Hitachi, Ltd. Superconducting thin films made of stacked composite oxide layers
US4880770A (en) * 1987-05-04 1989-11-14 Eastman Kodak Company Metalorganic deposition process for preparing superconducting oxide films
US4908346A (en) * 1987-07-01 1990-03-13 Eastman Kodak Company Crystalline rare earth alkaline earth copper oxide thick film circuit element with superconducting onset transition temperature in excess of 77%
JPH01121784A (ja) * 1987-11-06 1989-05-15 Nippon Steel Corp 多層膜超電導体放射線検出素子
DE3816192A1 (de) * 1988-05-11 1989-11-23 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer schicht aus einem metalloxidischen supraleitermaterial mittels laser-verdampfens
US4962086A (en) * 1988-06-08 1990-10-09 International Business Machines Corporation High Tc superconductor - gallate crystal structures
US5077266A (en) * 1988-09-14 1991-12-31 Hitachi, Ltd. Method of forming weak-link josephson junction, and superconducting device employing the junction
JPH0824200B2 (ja) * 1988-11-18 1996-03-06 日本電信電話株式会社 トンネル接合素子
US5087605A (en) * 1989-06-01 1992-02-11 Bell Communications Research, Inc. Layered lattice-matched superconducting device and method of making
US5128316A (en) * 1990-06-04 1992-07-07 Eastman Kodak Company Articles containing a cubic perovskite crystal structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014069481A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 古河電気工業株式会社 酸化物超電導薄膜
US9812233B2 (en) 2012-11-02 2017-11-07 Furukawa Electric Co., Ltd. Superconducting oxide thin film

Also Published As

Publication number Publication date
CA2043710A1 (en) 1991-12-05
DE69115129D1 (de) 1996-01-18
US5128316A (en) 1992-07-07
DE69115129T2 (de) 1996-08-08
US5241191A (en) 1993-08-31
EP0461050B1 (en) 1995-12-06
EP0461050A1 (en) 1991-12-11

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