JPH0533826B2 - - Google Patents
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- JPH0533826B2 JPH0533826B2 JP63005459A JP545988A JPH0533826B2 JP H0533826 B2 JPH0533826 B2 JP H0533826B2 JP 63005459 A JP63005459 A JP 63005459A JP 545988 A JP545988 A JP 545988A JP H0533826 B2 JPH0533826 B2 JP H0533826B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を収納するための半導体パ
ツケージに使用するセラミツク基板の改良に関す
るもので、より詳細には該基板或いは半導体パツ
ケージの移送に際して、基板同士の衝突による端
部のカケを防止したセラミツク基板に関する。 （従来の技術及びその問題点） 従来、半導体パツケージに用いられるセラミツ
ク基板は、セラミツク基板同士が衝突した際にカ
ケ等が発生するのを防止するために種々の対策が
講じられている。 例えば実開昭58−49444号公報には、第５図に
示すように、セラミツク基板の短辺側端面の中央
位置にＡ寸法２〜８mmの平面部を設け、その平面
部の両側線より両側端に向かつてそれぞれＢ寸法
より小さいＣ寸法0.1〜0.5mmのテーパ面と、この
テーパ面と長辺側端面との稜線位置にＤ寸法0.3
1.5mmの円弧Ｒを設けたものが開示されている。 しかし乍ら、この従来のセラミツク基板では、
クリアランスの大きい容器に複数個詰めて搬送し
たり、或いは、クリアランスの大きい搬送路内を
移動させる場合、セラミツク基板が揺動して、円
弧Ｒ部分が他のセラミツク基板に衝突し、この円
弧Ｒ部分にカケを生じる場合を縷々生じる。また
短辺側端面の略中央部に設けられた平面部には、
通常半導体素子を収納した際にリード端子の取出
位置を明確にするためのノツチ（切欠）Ｎが設け
られており、このノツチ部Ｎ周辺には成形上微少
な波うちができることから、セラミツク基板同志
が衝突した場合には、このノツチ部Ｎ周辺に衝突
の応力が集中してカケを生じてしまうという問題
を誘発する。 また、特開昭59−119748号公報には、第６図に
示すように、半導体パツケージに用いられるセラ
ミツク基板の短辺側面に略同一波高を有する複数
個の波形状部Ｙを形成することが開示されてい
る。 しかし乍ら、このセラミツク基板は、波状凸部
Ｙと凹状部Ｚが中心線Ｘに対して略同一の振巾
（波高）で形成されていることに関連して次の欠
点を生ずる。即ち、半導体パツケージや、半導体
装置の生産ラインでは、セラミツク基板やこれを
用いたパツケージの方向判別や位置規制を基板短
辺部の中央部で行つており、前述した振巾を大き
くすることは方向判別や位置規制の許容限界を越
えることから、波形状部Ｙの波高を小さくせざる
を得ない。このため、前述した揺動を生じ易いセ
ラミツク基板の搬送に際して、コーナーＲ部の衝
突が生じて、カケを発生する場合がやはり生じる
のである。 （発明の目的） 従つて、本発明の目的は、セラミツク基板の搬
送に際して、セラミツク基板相互が揺動した状態
で衝突した場合にも、コーナー部やノツチ部での
衝突が解消され、その結果としてコーナー部やノ
ツチ部におけるカケが防止される形状を有するセ
ラミツク基板を提供するにある。 （発明の構成） 本発明によれば、半導体パツケージに用いる略
長方形のセラミツク基板であつて、該基板の短辺
側の少なくとも一方の短部は外方に突出する曲率
半径Rsの分割された２辺の円弧状凸部と、該円
弧状凸部の略中央部内方に凹むように設けられた
曲率半径RBの円弧状凹部と、前記２辺の円弧状
凸部の各端部と基板の長辺部とを接続する曲率半
径Rcのコーナー部と、前記２辺の円弧状凸部の
中央側端部の各々と円弧状凹部の各端部とを接続
する曲率半径Rtの曲率接続部とから成り、前記
曲率接続部に位置する一対の最突出部はセラミツ
ク基板の巾の約２分の１の巾を有するように位置
し、各部の曲率半径は次の寸法 Rs＝20〜110mm RB＝60〜350mm Rc＝0.1mm以上 Rt＝７〜20mm を有することを特徴とするセラミツク基板が提供
される。 （実施例） 以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。 第１図は、本発明に係る半導体パツケージ用セ
ラミツク基板の一実施例を示す平面図であり、１
はアルミナ等からなるセラミツク粉末をプレス成
形して焼結一体化することによつて得たセラミツ
ク基板である。 前記セラミツク基板１の短辺側端面には、外方
に突出する円弧状の凸部２が設けられている。こ
の円弧状の凸部２の略中央部には内方に窪む円弧
状の凹部３が設けられており、この凹部３の略中
央部にはノツチ判別部としてノツチ４を設けるこ
とができる。 現在、市場に流れている半導体パツケージ用セ
ラミツク基板の基板寸法は略定格化されており、
基板を平面視して長辺側が、20〜55mm、短辺側が
６〜15mmである。 本発明のセラミツク基板の短辺側の詳細な形状
及び寸法を示す第２図において、少なくとも一方
の短辺側端部は、外方に突出する曲率半径Rsの
分割された２辺の円弧状凸部２ａ，２ｂ、円弧状
凸部２ａ，２ｂの略中央部内方に凹むように設け
られた曲率半径RBの円弧状凹部３、２辺の円弧
状凸部２ａ，２ｂの各端部と基板の長辺部５ａ，
５ｂとを接続する曲率半径Rcのコーナー部Ra，
Rb、及び２辺の円弧状凸部２ａ，２ｂの中央側
端部の各々と円弧部凹部３の各端部とを接続する
曲率半径Rtの曲率接続部６ａ，６ｂとからなつ
ている。 本発明においては、曲率接続部６ａ，６ｂに外
方への最突出部７ａ，７ｂを位置させるが、この
最突出部７ａ，７ｂはセラミツク基板同志が実質
上最も高い頻度で衝突する部位であり、この部位
での衝突がノツチ４やコーナ部Ra，Rbに最も少
ない影響を与えるように、ノツチ４とコーナー部
Ra，Rbから最も離れた位置に位置するように、
最突出部７ａと７ｂとの幅がセラミツク基板１の
巾Ｗに対して約Ｗ／２となるように設けられてい
る。当然のことながら、Ra，Rbと最突出部７
ａ，７ｂとの巾は約ｗ／４である。 本発明においては、各部分の曲率半径Rs，RB，
Rc、及びRtを次のように定める。 前記円弧状の凸部２と、側面５ａ，５ｂとの交
差部するコーナー部Ra，Rbは、曲面上に形成さ
れる。このコーナー部Ra，Rbの曲率半径Rcは、
衝突時の応力集中の度合を低くしてコーナーRa，
Rb部でのカケを防止するために0.1mm以上、好適
には、0.2〜1.5mm程度設けることが望ましい。 また、前記円弧状の凸部２と凹部３との接続部
６ａ，６ｂも曲面状に形成されている。この接続
部６ａ，６ｂは、既に述べた通り、実質上最もセ
ラミツク基板同志が衝突する部位であり、種々実
験した結果、曲率半径Rtを７〜20mm程度設ける
ことが望ましいことが判つている。 前記円弧状の凸部２ａ，２ｂの曲率半径Rsは、
20mm≦Rs≦110mmとされる。すなわち、搬送工程
におけるセラミツク基板の傾き角度θは、第３図
に示すように、 Ｌ：長辺寸法 Ｗ：短辺寸法 Wc：搬送路巾寸法 Rc：パツケージコーナーＲの曲率半径 θ：傾き角 としたとき、式 で求められる。現在市場で使用されている搬送容
器に半導体パツケージを収納した場合、搬送用容
器内での傾き角θは、０＜θ＜6.0°である。した
がつて、円弧状の凸部２ａ，２ｂは、第２図に示
したように、 θs：凸部２ａ，２ｂと曲率接続部６ａ，６ｂとが
接する位置と曲率半径Rsの中心とを結ぶ
線が、曲率半径Rsの中心を通る長手方向
の線となす角度、 θc：凸部２ａ，２ｂとコーナー部Ra，Rbとが接
続する位置と曲率半径Rsの中心とを結ぶ
線が曲率半径Rsの中心を通る長手方向の
線となす角度、 としたとき、傾き角θが式 θ≦θs ……(2) か、または θs＜θ＜θc ……(3) を満足するようにRs値を選定すれば、ノツチ部
４やコーナー部Ra，Rbでセラミツク基板同志の
衝突が回避され、円弧状凸部２ａ，２ｂで互いに
衝突するようになり、耐チツピング性を高められ
る。 ここで、θsは式 θs＝sin-1｛Ｗ／（Rs−Rt）×４｝ ……(4) 及びθcは式 θc＝sin-1Ｗ／２−Rc／（Rs−Rc） …(5) で与えられる。 結局、これらの(1)乃至(5)から、 を満足するようにRs値を定めればよく、その計
算結果としてRs＝20〜110mmが求められる。 前記円弧状の凹部３は、ノツチ部４に直接応力
が印加されることを回避するとともに、既存の生
産ラインに設置された自動方向判別機や自動位置
制御機をも利用でき、且つ金型の加工性等を考慮
して凹部３の深さＸがＷ寸法の0.1〜0.4％の範囲
内となるように設定される。従つて凹部３の曲率
半径RBは、 RB＝w2＋16x2／32x−Rt ……(7) より60mm≦RB≦350mmとなる。また、このように
Rsは20〜110mm、RBは60〜350mmが好ましい範囲
となるが、これらの曲率半径は主にセラミツク基
板の巾（短辺寸法）Ｗとの相対的な関係で決定さ
れるものである。そして、前記したようにセラミ
ツク基板の巾Ｗが６〜15mmであることから、上記
曲率半径Rs，RBは、便宜的にセラミツク基板の
巾Ｗとの比が下記の範囲内となるように設定すれ
ばよい。 Rs／Ｗ＝20／６〜110／15≒3.3〜7.3 RB／Ｗ＝60／６〜350／15≒10〜23.3 尚、本発明は上述の実施例に限定されるもので
はなく、例えばノツチのある側とない側のどちら
か一方にのみ凸部と凹部を設けたり、凹凸部の厚
方向に微小な丸味を持たせる等本発明の要旨を逸
脱しない範囲であれば種の変更は可能である。 （実験例） アルミナ質セラミツクから成る端面に曲率半径
Rsの円弧状凸部と曲率半径RBの円弧状凹部を形
成したセラミツク基板を準備し、半導体装置の信
頼性低下につながるカケの発生を調べた。 実験条件としては、アルミナ質セラミツクから
成るセラミツク基板を４個づつ長さ60cm、幅基板
幅＋2.5mm、厚み基板厚み＋0.5mmの中空プラスチ
ツク体中に収納し、次に該プラスチツク体を23往
復／分の速度180度回転させセラミツク基板同志
を衝突させる。そしてその後、各セラミツク基板
の外観を調べ半導体装置としての信頼性の低下や
外観上の欠点と判断される限度を仮に0.6mm×0.6
mm×0.4mmと定め、この限度以上のカケの発生を
調べた。その結果を第４図ａ，ｂ，ｃに示す。第
４図中、黒色部は本発明品、白色部は従来品であ
り、それぞれの寸法は下表の通りである。
ツケージに使用するセラミツク基板の改良に関す
るもので、より詳細には該基板或いは半導体パツ
ケージの移送に際して、基板同士の衝突による端
部のカケを防止したセラミツク基板に関する。 （従来の技術及びその問題点） 従来、半導体パツケージに用いられるセラミツ
ク基板は、セラミツク基板同士が衝突した際にカ
ケ等が発生するのを防止するために種々の対策が
講じられている。 例えば実開昭58−49444号公報には、第５図に
示すように、セラミツク基板の短辺側端面の中央
位置にＡ寸法２〜８mmの平面部を設け、その平面
部の両側線より両側端に向かつてそれぞれＢ寸法
より小さいＣ寸法0.1〜0.5mmのテーパ面と、この
テーパ面と長辺側端面との稜線位置にＤ寸法0.3
1.5mmの円弧Ｒを設けたものが開示されている。 しかし乍ら、この従来のセラミツク基板では、
クリアランスの大きい容器に複数個詰めて搬送し
たり、或いは、クリアランスの大きい搬送路内を
移動させる場合、セラミツク基板が揺動して、円
弧Ｒ部分が他のセラミツク基板に衝突し、この円
弧Ｒ部分にカケを生じる場合を縷々生じる。また
短辺側端面の略中央部に設けられた平面部には、
通常半導体素子を収納した際にリード端子の取出
位置を明確にするためのノツチ（切欠）Ｎが設け
られており、このノツチ部Ｎ周辺には成形上微少
な波うちができることから、セラミツク基板同志
が衝突した場合には、このノツチ部Ｎ周辺に衝突
の応力が集中してカケを生じてしまうという問題
を誘発する。 また、特開昭59−119748号公報には、第６図に
示すように、半導体パツケージに用いられるセラ
ミツク基板の短辺側面に略同一波高を有する複数
個の波形状部Ｙを形成することが開示されてい
る。 しかし乍ら、このセラミツク基板は、波状凸部
Ｙと凹状部Ｚが中心線Ｘに対して略同一の振巾
（波高）で形成されていることに関連して次の欠
点を生ずる。即ち、半導体パツケージや、半導体
装置の生産ラインでは、セラミツク基板やこれを
用いたパツケージの方向判別や位置規制を基板短
辺部の中央部で行つており、前述した振巾を大き
くすることは方向判別や位置規制の許容限界を越
えることから、波形状部Ｙの波高を小さくせざる
を得ない。このため、前述した揺動を生じ易いセ
ラミツク基板の搬送に際して、コーナーＲ部の衝
突が生じて、カケを発生する場合がやはり生じる
のである。 （発明の目的） 従つて、本発明の目的は、セラミツク基板の搬
送に際して、セラミツク基板相互が揺動した状態
で衝突した場合にも、コーナー部やノツチ部での
衝突が解消され、その結果としてコーナー部やノ
ツチ部におけるカケが防止される形状を有するセ
ラミツク基板を提供するにある。 （発明の構成） 本発明によれば、半導体パツケージに用いる略
長方形のセラミツク基板であつて、該基板の短辺
側の少なくとも一方の短部は外方に突出する曲率
半径Rsの分割された２辺の円弧状凸部と、該円
弧状凸部の略中央部内方に凹むように設けられた
曲率半径RBの円弧状凹部と、前記２辺の円弧状
凸部の各端部と基板の長辺部とを接続する曲率半
径Rcのコーナー部と、前記２辺の円弧状凸部の
中央側端部の各々と円弧状凹部の各端部とを接続
する曲率半径Rtの曲率接続部とから成り、前記
曲率接続部に位置する一対の最突出部はセラミツ
ク基板の巾の約２分の１の巾を有するように位置
し、各部の曲率半径は次の寸法 Rs＝20〜110mm RB＝60〜350mm Rc＝0.1mm以上 Rt＝７〜20mm を有することを特徴とするセラミツク基板が提供
される。 （実施例） 以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。 第１図は、本発明に係る半導体パツケージ用セ
ラミツク基板の一実施例を示す平面図であり、１
はアルミナ等からなるセラミツク粉末をプレス成
形して焼結一体化することによつて得たセラミツ
ク基板である。 前記セラミツク基板１の短辺側端面には、外方
に突出する円弧状の凸部２が設けられている。こ
の円弧状の凸部２の略中央部には内方に窪む円弧
状の凹部３が設けられており、この凹部３の略中
央部にはノツチ判別部としてノツチ４を設けるこ
とができる。 現在、市場に流れている半導体パツケージ用セ
ラミツク基板の基板寸法は略定格化されており、
基板を平面視して長辺側が、20〜55mm、短辺側が
６〜15mmである。 本発明のセラミツク基板の短辺側の詳細な形状
及び寸法を示す第２図において、少なくとも一方
の短辺側端部は、外方に突出する曲率半径Rsの
分割された２辺の円弧状凸部２ａ，２ｂ、円弧状
凸部２ａ，２ｂの略中央部内方に凹むように設け
られた曲率半径RBの円弧状凹部３、２辺の円弧
状凸部２ａ，２ｂの各端部と基板の長辺部５ａ，
５ｂとを接続する曲率半径Rcのコーナー部Ra，
Rb、及び２辺の円弧状凸部２ａ，２ｂの中央側
端部の各々と円弧部凹部３の各端部とを接続する
曲率半径Rtの曲率接続部６ａ，６ｂとからなつ
ている。 本発明においては、曲率接続部６ａ，６ｂに外
方への最突出部７ａ，７ｂを位置させるが、この
最突出部７ａ，７ｂはセラミツク基板同志が実質
上最も高い頻度で衝突する部位であり、この部位
での衝突がノツチ４やコーナ部Ra，Rbに最も少
ない影響を与えるように、ノツチ４とコーナー部
Ra，Rbから最も離れた位置に位置するように、
最突出部７ａと７ｂとの幅がセラミツク基板１の
巾Ｗに対して約Ｗ／２となるように設けられてい
る。当然のことながら、Ra，Rbと最突出部７
ａ，７ｂとの巾は約ｗ／４である。 本発明においては、各部分の曲率半径Rs，RB，
Rc、及びRtを次のように定める。 前記円弧状の凸部２と、側面５ａ，５ｂとの交
差部するコーナー部Ra，Rbは、曲面上に形成さ
れる。このコーナー部Ra，Rbの曲率半径Rcは、
衝突時の応力集中の度合を低くしてコーナーRa，
Rb部でのカケを防止するために0.1mm以上、好適
には、0.2〜1.5mm程度設けることが望ましい。 また、前記円弧状の凸部２と凹部３との接続部
６ａ，６ｂも曲面状に形成されている。この接続
部６ａ，６ｂは、既に述べた通り、実質上最もセ
ラミツク基板同志が衝突する部位であり、種々実
験した結果、曲率半径Rtを７〜20mm程度設ける
ことが望ましいことが判つている。 前記円弧状の凸部２ａ，２ｂの曲率半径Rsは、
20mm≦Rs≦110mmとされる。すなわち、搬送工程
におけるセラミツク基板の傾き角度θは、第３図
に示すように、 Ｌ：長辺寸法 Ｗ：短辺寸法 Wc：搬送路巾寸法 Rc：パツケージコーナーＲの曲率半径 θ：傾き角 としたとき、式 で求められる。現在市場で使用されている搬送容
器に半導体パツケージを収納した場合、搬送用容
器内での傾き角θは、０＜θ＜6.0°である。した
がつて、円弧状の凸部２ａ，２ｂは、第２図に示
したように、 θs：凸部２ａ，２ｂと曲率接続部６ａ，６ｂとが
接する位置と曲率半径Rsの中心とを結ぶ
線が、曲率半径Rsの中心を通る長手方向
の線となす角度、 θc：凸部２ａ，２ｂとコーナー部Ra，Rbとが接
続する位置と曲率半径Rsの中心とを結ぶ
線が曲率半径Rsの中心を通る長手方向の
線となす角度、 としたとき、傾き角θが式 θ≦θs ……(2) か、または θs＜θ＜θc ……(3) を満足するようにRs値を選定すれば、ノツチ部
４やコーナー部Ra，Rbでセラミツク基板同志の
衝突が回避され、円弧状凸部２ａ，２ｂで互いに
衝突するようになり、耐チツピング性を高められ
る。 ここで、θsは式 θs＝sin-1｛Ｗ／（Rs−Rt）×４｝ ……(4) 及びθcは式 θc＝sin-1Ｗ／２−Rc／（Rs−Rc） …(5) で与えられる。 結局、これらの(1)乃至(5)から、 を満足するようにRs値を定めればよく、その計
算結果としてRs＝20〜110mmが求められる。 前記円弧状の凹部３は、ノツチ部４に直接応力
が印加されることを回避するとともに、既存の生
産ラインに設置された自動方向判別機や自動位置
制御機をも利用でき、且つ金型の加工性等を考慮
して凹部３の深さＸがＷ寸法の0.1〜0.4％の範囲
内となるように設定される。従つて凹部３の曲率
半径RBは、 RB＝w2＋16x2／32x−Rt ……(7) より60mm≦RB≦350mmとなる。また、このように
Rsは20〜110mm、RBは60〜350mmが好ましい範囲
となるが、これらの曲率半径は主にセラミツク基
板の巾（短辺寸法）Ｗとの相対的な関係で決定さ
れるものである。そして、前記したようにセラミ
ツク基板の巾Ｗが６〜15mmであることから、上記
曲率半径Rs，RBは、便宜的にセラミツク基板の
巾Ｗとの比が下記の範囲内となるように設定すれ
ばよい。 Rs／Ｗ＝20／６〜110／15≒3.3〜7.3 RB／Ｗ＝60／６〜350／15≒10〜23.3 尚、本発明は上述の実施例に限定されるもので
はなく、例えばノツチのある側とない側のどちら
か一方にのみ凸部と凹部を設けたり、凹凸部の厚
方向に微小な丸味を持たせる等本発明の要旨を逸
脱しない範囲であれば種の変更は可能である。 （実験例） アルミナ質セラミツクから成る端面に曲率半径
Rsの円弧状凸部と曲率半径RBの円弧状凹部を形
成したセラミツク基板を準備し、半導体装置の信
頼性低下につながるカケの発生を調べた。 実験条件としては、アルミナ質セラミツクから
成るセラミツク基板を４個づつ長さ60cm、幅基板
幅＋2.5mm、厚み基板厚み＋0.5mmの中空プラスチ
ツク体中に収納し、次に該プラスチツク体を23往
復／分の速度180度回転させセラミツク基板同志
を衝突させる。そしてその後、各セラミツク基板
の外観を調べ半導体装置としての信頼性の低下や
外観上の欠点と判断される限度を仮に0.6mm×0.6
mm×0.4mmと定め、この限度以上のカケの発生を
調べた。その結果を第４図ａ，ｂ，ｃに示す。第
４図中、黒色部は本発明品、白色部は従来品であ
り、それぞれの寸法は下表の通りである。
【表】
（発明の効果）
上記実験結果からも判るように、本発明によれ
ばセラミツク基板の端面に曲率半径20〜110mmの
円弧状凸部を設け、この略中央部内方に窪む曲率
半径60〜350mmの円弧状の凹部を設けたことから、
従来品に比してセラミツク基板同志の衝突による
カケ等の発生率は大幅に低減し、特にノツチ部や
コーナー部にカケ等が発生することは殆どなく、
半導体装置の信頼性の向上の著しく貢献できる。
ばセラミツク基板の端面に曲率半径20〜110mmの
円弧状凸部を設け、この略中央部内方に窪む曲率
半径60〜350mmの円弧状の凹部を設けたことから、
従来品に比してセラミツク基板同志の衝突による
カケ等の発生率は大幅に低減し、特にノツチ部や
コーナー部にカケ等が発生することは殆どなく、
半導体装置の信頼性の向上の著しく貢献できる。
第１図は本発明による半導体パツケージ用セラ
ミツク基板の一例を示す斜視図であり、第２図は
本発明によるセラミツク基板の各寸法関係を説明
するための拡大上面図であり、第３図は搬送容器
内でのセラミツク基板の傾き度を説明するための
説明図であり、第４図ａ、第４図ｂ及び第４図ｃ
は、それぞれ実施例におけるテストサイクルとカ
ケ発生率との関係を示すグラフであり、第５図及
び第６図はそれぞれ従来の半導体パツケージ用セ
ラミツク基板の形状の代表例を示す部分上面図で
ある。
ミツク基板の一例を示す斜視図であり、第２図は
本発明によるセラミツク基板の各寸法関係を説明
するための拡大上面図であり、第３図は搬送容器
内でのセラミツク基板の傾き度を説明するための
説明図であり、第４図ａ、第４図ｂ及び第４図ｃ
は、それぞれ実施例におけるテストサイクルとカ
ケ発生率との関係を示すグラフであり、第５図及
び第６図はそれぞれ従来の半導体パツケージ用セ
ラミツク基板の形状の代表例を示す部分上面図で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体パツケージに用いる略長方形のセラミ
ツク基板であつて、該基板の短辺側の少なくとも
一方の端部は、外方に突出する曲率半径Rsの分
割された２辺の円弧状凸部と、該円弧状凸部の略
中央部内方に凹むように設けられた曲率半径RB
の円弧状凹部と、前記２辺の円弧状凸部の各端部
と基板の長辺部とを接続する曲率半径Rcのコー
ナー部と、前記２辺の円弧状凸部の中央側端部の
各々と円弧状凹部の各端部とを接続する曲率半径
Rtの曲率接続部とから成り、前記曲率半径RBの
円弧状凹部の略中央部をノツチ判別部とし、前記
曲率接続部に位置する一対の最突出部はセラミツ
ク基板の巾Ｗの約２分の１の巾を有するように位
置し、各部の曲率半径は次の寸法 Rs＝20〜110mm RB＝60〜350mm Rc＝0.1mm以上 Rt＝７〜20mm とし、かつセラミツク基板の巾Ｗに対する比を Rs／Ｗ＝20／６〜110／15 RB／Ｗ＝60／６〜350／15 とすることによつて、搬送時に互いの基板が上
記曲率半径Rsの円弧状凸部で衝突するようにな
したことを特徴とする半導体パツケージ用セラミ
ツク基板。 ２ 曲率半径Rcが0.2乃至1.5mmの範囲内にある特
許請求の範囲第１項に記載の半導体パツケージ用
セラミツク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP545988A JPS63245945A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 半導体パッケージ用セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP545988A JPS63245945A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 半導体パッケージ用セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63245945A JPS63245945A (ja) | 1988-10-13 |
| JPH0533826B2 true JPH0533826B2 (ja) | 1993-05-20 |
Family
ID=11611808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP545988A Granted JPS63245945A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 半導体パッケージ用セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63245945A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123786A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Kyocera Kinseki Corp | シート基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750062A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-24 | Toshiba Corp | Magnetic disk controller |
| JPS59119748A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | Kyocera Corp | 半導体パツケ−ジ用セラミツク基板 |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP545988A patent/JPS63245945A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750062A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-24 | Toshiba Corp | Magnetic disk controller |
| JPS59119748A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | Kyocera Corp | 半導体パツケ−ジ用セラミツク基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63245945A (ja) | 1988-10-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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