JPH0533790B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0533790B2 JPH0533790B2 JP12658986A JP12658986A JPH0533790B2 JP H0533790 B2 JPH0533790 B2 JP H0533790B2 JP 12658986 A JP12658986 A JP 12658986A JP 12658986 A JP12658986 A JP 12658986A JP H0533790 B2 JPH0533790 B2 JP H0533790B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- photosensitizer
- cumyl
- vacuum
- oxo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 19
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 13
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NZSCUDBGUBVDLO-UHFFFAOYSA-N 3h-indene-1-carboxylic acid Chemical class C1=CC=C2C(C(=O)O)=CCC2=C1 NZSCUDBGUBVDLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical class C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical group OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- -1 phenyl-substituted sulfonic acid Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ポジレジスト材料に用いる感光剤に
関する。
関する。
（従来の技術）
従来、集積回路素子は、感光性樹脂（フオトレ
ジスト）を塗布後、マスクを通して紫外、可視光
を露光し、適当な現像液で現像して、微細パター
ンを形成し、基板のウエツトエツチングを行い、
更に、不純物ドーピング等の処置を経て、製造さ
れている。しかし近年、集積回路素子が、高集積
化されるにつれて、更に、微細パターンを形成す
ることが強く望まれる情勢となつている。
ジスト）を塗布後、マスクを通して紫外、可視光
を露光し、適当な現像液で現像して、微細パター
ンを形成し、基板のウエツトエツチングを行い、
更に、不純物ドーピング等の処置を経て、製造さ
れている。しかし近年、集積回路素子が、高集積
化されるにつれて、更に、微細パターンを形成す
ることが強く望まれる情勢となつている。
そのため、紫外、可視光の代りに波長の短い軟
Ｘ線、電子線、遠紫外線及びイオンビーム等を用
いて、高精度パターンを形成する技術が展開され
始めている。また、ウエツトエツチングは、エツ
チング溶液中に含まれる不純物による基板への不
純物の侵入やエツチング溶液のパターン下方への
侵入（サイドエツチング）等の問題点をもつた
め、プラズマ反応性スパツタリング等を用いて、
基板材料を気化侵食するドライエツチング加工に
移りつつある。
Ｘ線、電子線、遠紫外線及びイオンビーム等を用
いて、高精度パターンを形成する技術が展開され
始めている。また、ウエツトエツチングは、エツ
チング溶液中に含まれる不純物による基板への不
純物の侵入やエツチング溶液のパターン下方への
侵入（サイドエツチング）等の問題点をもつた
め、プラズマ反応性スパツタリング等を用いて、
基板材料を気化侵食するドライエツチング加工に
移りつつある。
このような情勢から、軟Ｘ線、電子線、遠紫外
線およびイオンビーム等の電離放射線用のレジス
ト材料は、1μm以下の高い転写精度を有し、耐ド
ライエツチ性が高く、更には、上記電離放射線に
対して高感度である必要がある。
線およびイオンビーム等の電離放射線用のレジス
ト材料は、1μm以下の高い転写精度を有し、耐ド
ライエツチ性が高く、更には、上記電離放射線に
対して高感度である必要がある。
現在、高解像度であり、耐ドライエツチ性が良
いという観点からアルカリ水溶液可溶性の樹脂と
照射によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変わ
るジアゾオルソナフトキノン化合物誘導体の組み
合わせによるレジストが最も広く用いられてい
る。
いという観点からアルカリ水溶液可溶性の樹脂と
照射によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変わ
るジアゾオルソナフトキノン化合物誘導体の組み
合わせによるレジストが最も広く用いられてい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、従来用いられてきたジアゾオルソキノ
ン化合物誘導体は、感度が低く、しかも、アルカ
リ水溶液に対する溶解阻止能が小さいために現像
液に得られる残存膜厚が薄くなるという問題点が
あつた。
ン化合物誘導体は、感度が低く、しかも、アルカ
リ水溶液に対する溶解阻止能が小さいために現像
液に得られる残存膜厚が薄くなるという問題点が
あつた。
本発明の目的は、上述の問題点を解決するため
になされたもので、高真空下での電離放射線照射
において用いられるポジレジストにおいて、感光
剤として、感度および現像後に得られる残存膜厚
率が従来の感光剤よりも優れている感光剤を提供
することにある。
になされたもので、高真空下での電離放射線照射
において用いられるポジレジストにおいて、感光
剤として、感度および現像後に得られる残存膜厚
率が従来の感光剤よりも優れている感光剤を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の感光剤は、１−オキソ−２−ジアゾ−
ナフトキノン−４−アリールスルフオネートであ
る４−位置換体あるいは１−オキソ−２−ジアゾ
−ナフトキノン−５−アリルスルフオネートであ
る５−位置換体であるクミルあるいはクミルフエ
ニル置換スルフオン酸エステル感光剤を用いて上
記問題点を解決しようとするものである。
ナフトキノン−４−アリールスルフオネートであ
る４−位置換体あるいは１−オキソ−２−ジアゾ
−ナフトキノン−５−アリルスルフオネートであ
る５−位置換体であるクミルあるいはクミルフエ
ニル置換スルフオン酸エステル感光剤を用いて上
記問題点を解決しようとするものである。
（作用）
一般に、電子線、Ｘ線およびイオンビーム等の
電離放射線の照射は高真空下において行われる。
感光剤のかかる高エネルギーに対する吸収は、通
常の光に対する吸収とは全く異なるばかりでな
く、照射により生成した活性種の反応は、空気中
と真空中では大きく異なる。従つて、感光剤の性
能は、従来の光露光と電子線、Ｘ線およびイオン
ビーム等の電離放射線による露光では全く異なる
ので、電子線、Ｘ線およびイオンビーム等の電離
放射線による露光に適する感光剤は、通常の光露
光による感光剤とは別の観点から選ばねばならな
い。ところが、従来は、光露光用の感光剤をその
まま電子線、Ｘ線およびイオンビーム等の電離放
射露光用の感光剤として転用してきた。
電離放射線の照射は高真空下において行われる。
感光剤のかかる高エネルギーに対する吸収は、通
常の光に対する吸収とは全く異なるばかりでな
く、照射により生成した活性種の反応は、空気中
と真空中では大きく異なる。従つて、感光剤の性
能は、従来の光露光と電子線、Ｘ線およびイオン
ビーム等の電離放射線による露光では全く異なる
ので、電子線、Ｘ線およびイオンビーム等の電離
放射線による露光に適する感光剤は、通常の光露
光による感光剤とは別の観点から選ばねばならな
い。ところが、従来は、光露光用の感光剤をその
まま電子線、Ｘ線およびイオンビーム等の電離放
射露光用の感光剤として転用してきた。
発明者は、種々のジアゾオルソナフトキノン化
合物誘導体を検討した結果、１−オキソ−２−ジ
アゾ−ナフトキノン−４−アリールスルフオネー
トである４−位置換体あるいは感光剤１−オキソ
−２−ジアゾ−ナフトキノン−４−アリールスル
フオネートである５−位置換体であるクミルある
いはクミルフエニル置換スルフオン酸エステルが
特に優れていることを見い出し本発明に至つた。
合物誘導体を検討した結果、１−オキソ−２−ジ
アゾ−ナフトキノン−４−アリールスルフオネー
トである４−位置換体あるいは感光剤１−オキソ
−２−ジアゾ−ナフトキノン−４−アリールスル
フオネートである５−位置換体であるクミルある
いはクミルフエニル置換スルフオン酸エステルが
特に優れていることを見い出し本発明に至つた。
ジアゾオルソナフトキノン化合物誘導体の反応
を検討したところ、空気中では、照射により３−
インデンカルボン酸誘導体に変化する。従つて、
現像過程での溶解度の変化は、無変化の感光剤と
３−インデンカルボン酸誘導体のアルカリ水溶液
対する溶解性の変化により得られる。一方、真空
中では、照射により感光剤は、３−インデンカル
ボン酸誘導体に変化せずに、アルカリ可溶のマト
リクス樹脂と反応して、カルボン酸エステルを形
成する。従つて、現像過程でのアルカリ水溶液に
対する溶解性の差は、マトリクス樹脂中での無変
化の感光剤と形成されたカルボン酸エステルとの
溶解性の差に依存している。
を検討したところ、空気中では、照射により３−
インデンカルボン酸誘導体に変化する。従つて、
現像過程での溶解度の変化は、無変化の感光剤と
３−インデンカルボン酸誘導体のアルカリ水溶液
対する溶解性の変化により得られる。一方、真空
中では、照射により感光剤は、３−インデンカル
ボン酸誘導体に変化せずに、アルカリ可溶のマト
リクス樹脂と反応して、カルボン酸エステルを形
成する。従つて、現像過程でのアルカリ水溶液に
対する溶解性の差は、マトリクス樹脂中での無変
化の感光剤と形成されたカルボン酸エステルとの
溶解性の差に依存している。
従つて、パターン形成に必要な溶解阻止能力
は、空気中での光露光と真空中での電子線、Ｘ線
およびイオンビーム等の電離放射線露光の場合で
は、全く異なる。本発明者は、このような観点か
ら、ジアゾオルソナフトキノン化合物の誘導体を
検討した結果、特に、１−オキソ−２−ジアゾナ
フトキノン−４−アリールスルフオネートである
４−位置換体あるいは感光剤１−オキソ−２−ジ
アゾナフトキノン−４−アリールスルフオネート
である４−位置換体であるクミルあるいはクミル
フエニル置換スルフオン酸エステルが、感度およ
び現像後の残膜率において優れていることう見い
出した。
は、空気中での光露光と真空中での電子線、Ｘ線
およびイオンビーム等の電離放射線露光の場合で
は、全く異なる。本発明者は、このような観点か
ら、ジアゾオルソナフトキノン化合物の誘導体を
検討した結果、特に、１−オキソ−２−ジアゾナ
フトキノン−４−アリールスルフオネートである
４−位置換体あるいは感光剤１−オキソ−２−ジ
アゾナフトキノン−４−アリールスルフオネート
である４−位置換体であるクミルあるいはクミル
フエニル置換スルフオン酸エステルが、感度およ
び現像後の残膜率において優れていることう見い
出した。
かかる感光剤は、アルカリ可溶であるマトリク
ス樹脂に10−40重量％混入して、有機溶剤に溶か
すことによりレジスト溶液として用いる事が出来
る。
ス樹脂に10−40重量％混入して、有機溶剤に溶か
すことによりレジスト溶液として用いる事が出来
る。
（実施例 １）
パラ−クミル−１，２−ジアゾナフトキノン−
４−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、20μC／cm2、現像後の
残膜率は90％であつた。
４−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、20μC／cm2、現像後の
残膜率は90％であつた。
（実施例 ２）
パラ−クミルフエニル−１，２−ジアゾナフト
キノン−４−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−
クレゾールノボラツク樹脂2gをジメチルフオル
ムアミド10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通
してレジスト溶液にした。このレジスト溶液を用
いて、2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分
でスピンコーテイングして80℃，30分のベーキン
グをして6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。こ
のレジスト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射
して潜像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像
する事により0.5μmのラインアンドスペースのレ
ジストパターンを得た。感度は、20μC／cm2、現
像後の残膜率は90％であつた。
キノン−４−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−
クレゾールノボラツク樹脂2gをジメチルフオル
ムアミド10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通
してレジスト溶液にした。このレジスト溶液を用
いて、2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分
でスピンコーテイングして80℃，30分のベーキン
グをして6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。こ
のレジスト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射
して潜像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像
する事により0.5μmのラインアンドスペースのレ
ジストパターンを得た。感度は、20μC／cm2、現
像後の残膜率は90％であつた。
（実施例 ３）
メタ−トリル−１，２−ジアゾナフトキノン−
４−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、38μC／cm2、現像後の
残膜率は70％であり、トリル置換体は、クミルお
よびクミルフエニル置換体に比べて、感度および
現像後の残膜率とも劣つていた。
４−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、38μC／cm2、現像後の
残膜率は70％であり、トリル置換体は、クミルお
よびクミルフエニル置換体に比べて、感度および
現像後の残膜率とも劣つていた。
（実施例 ４）
パラ−クミル−１，２−ジアゾナフトキノン−
５−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、40μC／cm2、現像後の
残膜率は85％であつた。
５−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、40μC／cm2、現像後の
残膜率は85％であつた。
（実施例 ５）
パラ−クミルフエニル−１，２−ジアゾナフト
キノン−５−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−
クレゾールノボラツク樹脂2gをジメチルフオル
ムアミド10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通
してレジスト溶液にした。このレジスト溶液を用
いて、2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分
でスピンコーテイングして80℃，30分のベーキン
グをして6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。こ
のレジスト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射
して潜像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像
する事により0.5μmのラインアンドスペースのレ
ジストパターンを得た。感度は、40μC／cm2、現
像後の残膜率は85％であつた。
キノン−５−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−
クレゾールノボラツク樹脂2gをジメチルフオル
ムアミド10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通
してレジスト溶液にした。このレジスト溶液を用
いて、2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分
でスピンコーテイングして80℃，30分のベーキン
グをして6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。こ
のレジスト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射
して潜像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像
する事により0.5μmのラインアンドスペースのレ
ジストパターンを得た。感度は、40μC／cm2、現
像後の残膜率は85％であつた。
（実施例 ６）
パラ−トリル−１，２−ジアゾナフトキノン−
５−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、48μC／cm2、現像後の
残膜率は60％であり、やはり５−位置換体におい
てもトリル置換体は、クミルおよびクミルフエニ
ル置換体に比べて、感度および現像後の残膜率と
も劣つていた。
５−スルフオン酸エステル0.6gとメタ−クレゾー
ルノボラツク樹脂2gをジメチルフオルムアミド
10gに溶かし、0.5μmのフイルターを通してレジ
スト溶液にした。このレジスト溶液を用いて、
2Φのシルコンウエーハーに3000回転／分でスピ
ンコーテイングして80℃，30分のベーキングをし
て6000Åの膜厚のレジスト薄膜を得た。このレジ
スト膜に10-6torrの真空下で電子線を照射して潜
像を形成して、0.2NのNaOHで60秒現像する事
により0.5μmのラインアンドスペースのレジスト
パターンを得た。感度は、48μC／cm2、現像後の
残膜率は60％であり、やはり５−位置換体におい
てもトリル置換体は、クミルおよびクミルフエニ
ル置換体に比べて、感度および現像後の残膜率と
も劣つていた。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明である感光剤は、
高真空下における電子線、Ｘ線およびイオンビー
ム等の電離放射線を用いる露光において、高感度
であるばかりでなく、現像後の残存膜厚率が高い
ので、従来のポジレジスト性能を高める効果があ
る。
高真空下における電子線、Ｘ線およびイオンビー
ム等の電離放射線を用いる露光において、高感度
であるばかりでなく、現像後の残存膜厚率が高い
ので、従来のポジレジスト性能を高める効果があ
る。
Claims (1)
- １ 真空中で電離放射線を照射することにより潜
像を形成し、現像過程を経る事により微細パター
ンを形成するパターン形成法に用いるレジストの
感光剤で且つ、アルカリ可溶な樹脂と溶解阻止能
を有する感光剤との混合物からなるポジレジスト
に用いる感光剤で、１−オキソ−２−ジアゾ−ナ
フトキノン−４−アリールスルフオネートである
４−位置換体あるいは１−オキソ−２−ジアゾ−
ナフトキノン−５−アリールスルフオネートであ
る５−位置換体であるクミルあるいはクミルフエ
ニル置換スルフオン酸エステル感光剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12658986A JPS62280844A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 感光剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12658986A JPS62280844A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 感光剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62280844A JPS62280844A (ja) | 1987-12-05 |
| JPH0533790B2 true JPH0533790B2 (ja) | 1993-05-20 |
Family
ID=14938918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12658986A Granted JPS62280844A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 感光剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62280844A (ja) |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12658986A patent/JPS62280844A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62280844A (ja) | 1987-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6319655B1 (en) | Modification of 193 nm sensitive photoresist materials by electron beam exposure | |
| US5322765A (en) | Dry developable photoresist compositions and method for use thereof | |
| JP2501292B2 (ja) | 酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法 | |
| JPH0456979B2 (ja) | ||
| US4400461A (en) | Process of making semiconductor devices using photosensitive bodies | |
| CA1263822A (en) | Method for producing a positive photoresist | |
| US4551416A (en) | Process for preparing semiconductors using photosensitive bodies | |
| JPH0210350A (ja) | ポジ型フォトレジスト | |
| US4666820A (en) | Photosensitive element comprising a substrate and an alkaline soluble mixture | |
| Kumada et al. | Study on the over-top-coating suppressing surface insoluble layer generation for chemical amplification resist | |
| US4822722A (en) | Process of using high contrast photoresist developer with enhanced sensitivity to form positive resist image | |
| JPH05249681A (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| JPS62212646A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH0533790B2 (ja) | ||
| JP2676981B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPH0533791B2 (ja) | ||
| JPS62280843A (ja) | 感光剤 | |
| JPS62212648A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH04347857A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0643630A (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| JPH0474434B2 (ja) | ||
| JPS62215939A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US5229256A (en) | Process for generating positive-tone photoresist image | |
| JPS63121043A (ja) | シリコ−ンレジスト材料 | |
| JPH0259752A (ja) | 感光性組成物 |