JPH05335406A - 基板格納装置 - Google Patents

基板格納装置

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JPH05335406A
JPH05335406A JP14188292A JP14188292A JPH05335406A JP H05335406 A JPH05335406 A JP H05335406A JP 14188292 A JP14188292 A JP 14188292A JP 14188292 A JP14188292 A JP 14188292A JP H05335406 A JPH05335406 A JP H05335406A
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JP
Japan
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door
substrate
cylinder
piston
vacuum
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP14188292A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Sasaki
真 佐々木
Eiji Horikoshi
英二 堀越
Motoaki Tani
元昭 谷
Shoichi Miyahara
昭一 宮原
Takashi Ito
隆司 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板格納装置に関し、塵埃と酸化雰囲気の影
響を抑制することを目的とする。 【構成】 真空チャンバ内に装着し、チャンバ内の気圧
変動により扉(7)が開閉する装置が、基板(9)を搭
載する格納部(8)と、この格納部(8)を挟持する扉
開閉部(10)と、格納部(8)を覆う扉(7)とからな
り、この扉(7)が扉開閉部(10)の内にある自動開閉
機構により格納部(8)の上をスライドするよう構成さ
れていることを特徴として基板格納装置(6)を構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は真空チャンバ内で処理基
板を格納する基板格納装置に関する。半導体集積回路や
薄膜集積回路などの製造には薄膜形成技術と写真蝕刻技
術(フォトリソグラフィ)が多用されている。
【0002】こゝで、薄膜形成技術には真空蒸着やスパ
ッタなど高真空を利用して物理的に薄膜を形成する方法
と、気相成長など化学反応により被処理基板上に薄膜を
形成する方法とがあるが、本発明は前者に関するもので
ある。
【0003】こゝで、LSI やVLSIなどの半導体集積回路
に例をとると、パターン形成されている配線の最小幅と
してサブミクロン(Sub-micron)が使用されていることか
ら、塵埃の影響は重大であり、空調設備と防塵設備の整
った無塵室で製造が行なわれているが、作業者がいる以
上、塵埃を無くすることは不可能である。
【0004】本発明は基板を汚染された空気に触れずに
製造工程を進めるための基板格納装置に関するものであ
る。
【0005】
【従来の技術】半導体集積回路の製造に例をとると、単
結晶インゴットより約500 μm の厚さにスライスした半
導体基板(ウエハ) は研磨,脱脂,洗浄などの処理を行
なって清浄化した後、処理工程に従ってロット単位ある
いは連続的に処理されるが、真空装置内で行なう、導体
層形成または絶縁層形成などの処理はウエハホルダに配
列してある複数の基板を注意深くチャンバ内に位置決め
し、真空排気して後、真空蒸着やスパッタなどの処理を
行い、処理が終わった後はチャンバ内に大気を導入して
大気圧とした後、基板をウエハホルダに戻し、次の処理
工程に移行させている。
【0006】こゝで、半導体基板を一つの装置から次の
装置に移すにはなるべく自動化が図られているものゝ、
この各段階で大気に接するために塵埃による汚染と大気
中に存在する酸素( O2)による酸化と、湿度による影響
が避けられない。
【0007】そこで、作業室の防塵と湿度管理や作業者
の清潔さの保持などが製造歩留り向上のための重点項目
になっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路を始め
とする半導体素子の製造に当たって、防塵,防湿は必須
事項であるが、これを達するためには半導体基板をそれ
ぞれの工程にかける際に、人手を要することなく処理す
ると共に、処理の終わった半導体基板は酸化や湿気など
の影響を受けない窒素(N2) 雰囲気中などに保管できれ
ば理想的である。
【0009】そこで、真空蒸着やスパッタなどの真空処
理において、半導体基板を真空処理を行なう場合にのみ
扉が開き、大気中では扉が閉じて中を無塵状態に保つこ
とが可能な基板格納装置を実用化することが課題であ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題は真空チャン
バ内に装着し、チャンバ内の気圧変動により扉が開閉す
る装置が、基板を搭載する格納部と、この格納部を挟持
する扉開閉部と、格納部を覆う扉とからなり、この扉が
扉開閉部内にある自動開閉機構により格納部の上をスラ
イドするよう構成し、また、扉開閉部内にある自動開閉
機構が、水平方向にスライドするピストンを設けたシリ
ンダーと、垂直方向にスライドするピストンを設けたシ
リンダーが、それぞれガイドレールを備えたスライダを
備えて直交配置されており、ピストンの駆動によりシリ
ンダーがガイドレールに沿ってスライドしつゝ扉を駆動
することを特徴として基板格納装置を構成することによ
り解決することができる。
【0011】
【作用】図1は本発明の原理図である。すなわち、図1
は内部にピストン1を備えたシリンダ2の断面図であっ
て、シリンダー2の中はピストンリング3により気密封
止されており、また、シリンダー2の先端にはバルブ4
がある。
【0012】すなわち、まず、バルブ4を開け、ピスト
ン1を引いて少量の空気5を吸引した状態でバルブ4を
閉じておく。(以上図1A) 次に、このシリンダー2を真空チャンバ内に設置して減
圧すると、空気5の膨張によりピストン1がシリンダー
2の中をスライドして飛び出し、また、真空チャンバの
真空を破るとピストンリング3は内側方向にスライドし
て元に戻り、シリンダ2内の内外圧が等しくなる。(以
上図1B) すなわち、本発明はシリンダー2のピストンリング3に
より区画されている空気5の量と真空度によりピストン
1の移動量が決まることから、真空処理を行なう真空度
により空気5の保持量を決め、真空処理する真空度で同
図(A)に示すピストン1が同図(B)のようにスライ
ドさせるものであり、本発明はこのピストン1の先端に
扉をつけることにより自動開閉機構を構成するものであ
る。
【0013】次に、図2は本発明に係る基板格納装置6
の斜視図であって、同図(A)は扉7を閉じた状態、ま
た、同図(B)は扉7を開け、格納部8に基板9を載置
した状態を示しており、この場合、図1に示した自動開
閉機構は格納部8を挟んで設けられている扉開閉部10の
中に備えられている。
【0014】
【実施例】図3は本発明に係る自動開閉機構の実施例を
示す断面図である。すなわち、真空チャンバ内の蒸着源
に対向した位置に基板格納装置を設置し、少なくとも蒸
着を行なう真空度で扉7が全開するようにする。
【0015】こゝで、扉7は摩擦を無くするために水平
方向のみでなく、垂直方向に浮上しながら水平方向にス
ライドすにようにした。そのためには、扉7に接続して
水平方向と垂直方向にスライドするピストンをもつ二個
のシリンダーを備える。
【0016】すなわち、扉7を水平方向にスライドさせ
るためにシリンダー12の中のピストン13の先端と扉7の
端部を固定するのは勿論、シリンダー12の下側にガイド
レール14をもつスライダー15を設け、固定軸16を中心と
してシリンダー12が上下に移動可能に構成した。
【0017】また、扉7を垂直方向にスライドさせるた
めにシリンダー17の中のピストン18の先端と扉7の下端
を固定するのは勿論、シリンダー17の片側にガイドレー
ル19をもつスライダー20を設け、固定軸16を中心として
シリンダーが左右に移動可能に構成した。(以上同図
A) そして、この機構を真空チャンバ内において減圧する
と、二つのシリンダ12,17の中にあるピストンリング3
が平衡を保つために移動するが、この際、固定軸16によ
りシリンダー12は固定されているためにピストン13のみ
がスライドし、一方、シリンダー17は水平方向に移動し
ながら、ピストン18が上方にスライドして扉7が浮き上
がる。
【0018】この状態で、真空蒸着などの真空処理が行
なわれ、処理が終わって真空度を低めるか或いは真空を
破ると、ピストン13,18 は再びシリンダー12,17 内にス
ライドして扉7が閉じる。(以上同図B)このような方
法をとることにより摩擦を伴うことなく扉7の開閉を行
なうことができる。
【0019】なお、更にスムーズに扉7の開閉を行なう
には図4に示すように、扉7に固定軸22,23 を設け、こ
の固定軸22,23 をガイドレール24,25 を備えた案内板26
に沿ってスライドするようにすればよい。(同図A→
B)
【0020】
【発明の効果】本発明に係る自動開閉機構を備えた基板
格納装置を用いることにより塵埃による汚染を抑制する
ことができる。
【0021】また、基板および真空処理により形成した
薄膜の酸化を抑制するにはチャンバ内の真空を破る際に
空気に代わってN2などの不活性ガスを用いれば格納部の
雰囲気を非酸化性とすることができ、O2や湿気を遮断す
ることができる。
【0022】また、真空処理の際に基板加熱が必要とす
る場合は基板格納装置を構成する格納部の中にヒータを
内蔵させて形成し、蒸着源に対向してセットする機構部
にコネクタを設けて回路接続すれば、外部操作により基
板加熱を行なうことが可能になる。
【0023】以上のように本発明の実施により塵埃と酸
化性雰囲気の影響を極力抑制して薄膜の形成を行なうこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】本発明に係る基板格納装置の斜視図である。
【図3】自動開閉機構の実施例の断面図である。
【図4】基板スライド機構の正面図である。
【符号の説明】
1,13, 18 ピストン 2,12, 17 スライダー 3 ピストンリング 5 空気 6 基板格納装置 7 扉 8 格納部 10 扉開閉部 14, 19, 24, 25 ガイドレール 15, 20 スライダー 16, 22, 23 固定軸 26 案内板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮原 昭一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 伊藤 隆司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空チャンバ内に装着し、該チャンバ内
    の気圧変動により扉(7)が開閉する装置が、基板
    (9)を搭載する格納部(8)と、該格納部(8)を挟
    持する扉開閉部(10)と、前記格納部(8)を覆う扉
    (7)とからなり、該扉(7)が扉開閉部(10)の内に
    ある自動開閉機構により格納部(8)の上をスライドす
    るよう構成されていることを特徴とする基板格納装置
    (6)。
  2. 【請求項2】 扉開閉部(10)の内にある自動開閉機構
    が、水平方向にスライドするピストン(13)を設けたシリ
    ンダー(12)と、垂直方向にスライドするピストン(18)を
    設けたシリンダー(17)が、それぞれガイドレール(14),
    (19)を備えたスライダ(15),(20)を備えて直交配置され
    ており、前記ピストン(13),(18)の駆動により前記シリ
    ンダー(17)がガイドレール(14),(19)に沿ってスライド
    しつゝ扉(7)を駆動することを特徴とする請求項1記
    載の基板格納装置(6)。
JP14188292A 1992-06-03 1992-06-03 基板格納装置 Withdrawn JPH05335406A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100682738B1 (ko) * 2005-07-01 2007-02-15 주식회사 아이피에스 반도체 처리 장치
KR100740453B1 (ko) * 2005-10-17 2007-07-18 주식회사 에이디피엔지니어링 진공처리장치
JP2008159565A (ja) * 2006-08-04 2008-07-10 E I Du Pont De Nemours & Co 基板キャリアエンクロージャ
KR100853573B1 (ko) * 2005-08-31 2008-08-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
JP2009267356A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Advanced Display Process Engineering Co Ltd 基板処理装置及び基板処理装置内部の工程空間を開閉する方法
JP2018043884A (ja) * 2011-02-24 2018-03-22 株式会社ニコン 基板処理装置

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Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990803