JPH05333088A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
- Publication number
- JPH05333088A JPH05333088A JP13544892A JP13544892A JPH05333088A JP H05333088 A JPH05333088 A JP H05333088A JP 13544892 A JP13544892 A JP 13544892A JP 13544892 A JP13544892 A JP 13544892A JP H05333088 A JPH05333088 A JP H05333088A
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- JP
- Japan
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- circuit
- measuring
- bias
- semiconductor
- timing
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高周波に於ける高出力電力トラン
ジスタの動作インピーダンス及びこの時の飽和度を簡単
に且つ短時間に測定できる半導体測定装置を提供する。 【構成】 バイアス回路６に流れる電流を測定する電流
測定回路１０と、測定した電流からデータを計算する信
号処理回路１１とを備え、さらにパルス状のバイアス電
圧２７を発生するバイアス発生回路２と、バイアスを印
加するタイミング及びインピーダンスを測定するタイミ
ングを発生するタイミング発生回路８と、トランジスタ
４の入出力のインピーダンスを測定するネットワークア
ナライザ７とを備えている。
ジスタの動作インピーダンス及びこの時の飽和度を簡単
に且つ短時間に測定できる半導体測定装置を提供する。 【構成】 バイアス回路６に流れる電流を測定する電流
測定回路１０と、測定した電流からデータを計算する信
号処理回路１１とを備え、さらにパルス状のバイアス電
圧２７を発生するバイアス発生回路２と、バイアスを印
加するタイミング及びインピーダンスを測定するタイミ
ングを発生するタイミング発生回路８と、トランジスタ
４の入出力のインピーダンスを測定するネットワークア
ナライザ７とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体測定装置に関
し、特に高周波における高出力電力半導体の動作インピ
ーダンスを測定する半導体測定装置に関するものであ
る。
し、特に高周波における高出力電力半導体の動作インピ
ーダンスを測定する半導体測定装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の高出力電力半導体の動作インピー
ダンス測定回路は、図２に示すように高周波信号源１３
と、この高周波信号源１３に接続される方向性結合器１
４と、この方向性結合器１４から取り出された高周波信
号電力を測定する電力測定器１９と、上記方向性結合器
１４に接続される入力整合を取るための入力整合回路１
５と、この入力整合回路１５に接続される被測定半導体
であるトランジスタ４と、このトランジスタ４の出力端
子に接続される出力整合をとる出力整合回路１７と、こ
の出力整合回路１７に接続される出力電力を取り出す方
向性結合器１４と、この方向性結合器１４から取り出さ
れた出力電力を測定するための電力測定器１９と、上記
方向性結合器１４に接続される終端器１８とから構成さ
れている。さらに上記入力整合回路１５及び出力整合回
路１７のインピーダンスを測定する為のネットワークア
ナライザ２１とを用いている。
ダンス測定回路は、図２に示すように高周波信号源１３
と、この高周波信号源１３に接続される方向性結合器１
４と、この方向性結合器１４から取り出された高周波信
号電力を測定する電力測定器１９と、上記方向性結合器
１４に接続される入力整合を取るための入力整合回路１
５と、この入力整合回路１５に接続される被測定半導体
であるトランジスタ４と、このトランジスタ４の出力端
子に接続される出力整合をとる出力整合回路１７と、こ
の出力整合回路１７に接続される出力電力を取り出す方
向性結合器１４と、この方向性結合器１４から取り出さ
れた出力電力を測定するための電力測定器１９と、上記
方向性結合器１４に接続される終端器１８とから構成さ
れている。さらに上記入力整合回路１５及び出力整合回
路１７のインピーダンスを測定する為のネットワークア
ナライザ２１とを用いている。
【０００３】以上の様な構成におけるその測定方法につ
いて簡単に説明する。高周波信号源１３はトランジスタ
４を動作させるために必要な電力の高周波信号を発生さ
せる。入力整合回路１５によりトランジスタ４の入力イ
ンピーダンスＺinに整合するように上記高周波信号は調
整されてトランジスタ４に入力される。
いて簡単に説明する。高周波信号源１３はトランジスタ
４を動作させるために必要な電力の高周波信号を発生さ
せる。入力整合回路１５によりトランジスタ４の入力イ
ンピーダンスＺinに整合するように上記高周波信号は調
整されてトランジスタ４に入力される。
【０００４】トランジスタ４に入力された上記高周波信
号は、トランジスタ４により増幅され、トランジスタ４
の出力インピーダンスＺOUT に整合するように調整され
た出力整合回路１７を通過し、終端器１８にて終端され
る。この時、入力及び出力の高周波信号はそれぞれの電
力測定器１９により電力が測定される。
号は、トランジスタ４により増幅され、トランジスタ４
の出力インピーダンスＺOUT に整合するように調整され
た出力整合回路１７を通過し、終端器１８にて終端され
る。この時、入力及び出力の高周波信号はそれぞれの電
力測定器１９により電力が測定される。
【０００５】トランジスタ４の動作インピーダンスは、
入力整合回路１５及び出力整合回路１７それぞれのイン
ピーダンスをトランジスタ４を接続する側から、上記ネ
ットワークアナライザ２１によって測定することによ
り、複素共役のインピーダンスＺ* in ，Ｚ* OUT（＊）を
得る。
入力整合回路１５及び出力整合回路１７それぞれのイン
ピーダンスをトランジスタ４を接続する側から、上記ネ
ットワークアナライザ２１によって測定することによ
り、複素共役のインピーダンスＺ* in ，Ｚ* OUT（＊）を
得る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の様な従来の半導
体測定装置による測定方法では、トランジスタ４を高出
力電力で動作させるため、その高出力電力に適合する様
に入力整合回路１５及び出力整合回路１７を複雑に調整
する必要がある。また調整後の測定の後、トランジスタ
４の動作インピーダンスを求めるには、入力整合回路１
５及び出力整合回路１７を一旦トランジスタ４の側定系
より取り外して、終端器１８及びネットワークアナライ
ザ２１から成る別の測定系にて測定するという複雑な手
順を必要とすること等からトランジスタ４の動作インピ
ーダンス測定には多大の時間を要するという問題点があ
った。
体測定装置による測定方法では、トランジスタ４を高出
力電力で動作させるため、その高出力電力に適合する様
に入力整合回路１５及び出力整合回路１７を複雑に調整
する必要がある。また調整後の測定の後、トランジスタ
４の動作インピーダンスを求めるには、入力整合回路１
５及び出力整合回路１７を一旦トランジスタ４の側定系
より取り外して、終端器１８及びネットワークアナライ
ザ２１から成る別の測定系にて測定するという複雑な手
順を必要とすること等からトランジスタ４の動作インピ
ーダンス測定には多大の時間を要するという問題点があ
った。
【０００７】また測定した動作インピーダンスにおける
トランジスタ４の出力電力は、入力整合回路１５及び出
力整合回路１７の調整に帰因するため、トランジスタ４
の電力を十分引き出しているのかが把握しにくいという
問題点があった。
トランジスタ４の出力電力は、入力整合回路１５及び出
力整合回路１７の調整に帰因するため、トランジスタ４
の電力を十分引き出しているのかが把握しにくいという
問題点があった。
【０００８】そこで本発明の目的は、このような従来の
問題点を除去して、測定に係る接続切替の手間を省略し
た簡単に且つ迅速に測定できる半導体測定装置を提供す
ることにある。
問題点を除去して、測定に係る接続切替の手間を省略し
た簡単に且つ迅速に測定できる半導体測定装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の解決手段は、高周波信号を入力して半導体の
入力及び出力インピーダンスを測定する半導体測定装置
において、前記半導体に印加するバイアス電圧の発生タ
イミング及び前記半導体のインピーダンスを測定するタ
イミングを発生させるタイミング発生回路と、パルス状
のバイアス電圧を前記タイミングに従って発生して前記
半導体の入力端子に出力するバイアス発生回路と、前記
半導体の出力端子に定電圧を印加するバイアス回路と、
前記タイミングに従って発生させた高周波信号を前記半
導体の入力端子に出力して、反射する高周波信号によっ
て前記半導体の入出力インピーダンスを測定するネット
ワークアナライザとを備えることを特徴とする。
の本発明の解決手段は、高周波信号を入力して半導体の
入力及び出力インピーダンスを測定する半導体測定装置
において、前記半導体に印加するバイアス電圧の発生タ
イミング及び前記半導体のインピーダンスを測定するタ
イミングを発生させるタイミング発生回路と、パルス状
のバイアス電圧を前記タイミングに従って発生して前記
半導体の入力端子に出力するバイアス発生回路と、前記
半導体の出力端子に定電圧を印加するバイアス回路と、
前記タイミングに従って発生させた高周波信号を前記半
導体の入力端子に出力して、反射する高周波信号によっ
て前記半導体の入出力インピーダンスを測定するネット
ワークアナライザとを備えることを特徴とする。
【００１０】また上記解決手段に加えて半導体の動作歪
を測定する為、上記解決手段記載の半導体測定装置に、
前記バイアス回路のバイアス電流を測定する電流測定回
路と、この電流測定回路の測定値と前記高周波信号との
信号処理を行って前記半導体の歪を求める信号処理回路
とを備えることを特徴とする。
を測定する為、上記解決手段記載の半導体測定装置に、
前記バイアス回路のバイアス電流を測定する電流測定回
路と、この電流測定回路の測定値と前記高周波信号との
信号処理を行って前記半導体の歪を求める信号処理回路
とを備えることを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記解決手段による本発明の半導体測定装置は
図１に示すような構成であって、タイミング発生回路８
はバイアス発生回路２、電流測定回路１０及びネットワ
ークアナライザ７にタイミング信号２９を出力する様に
接続し、信号処理回路１１はバイアス発生回路２と電流
測定回路１０とに接続し、ネットワークアナライザ７は
バイアス回路３を介してトランジスタ４のエミッタ端子
及び、バイアス回路６を介してトランジスタ４のコレク
タ端子に接続してある。タイミング発生回路８は上記バ
イアス発生回路２、電流測定回路１０及びネットワーク
アナライザ７に測定用の測定タイミング２９を出力す
る。この測定タイミング２９に従って、バイアス発生回
路２はバイアス電圧２７を生成してトランジスタ４のエ
ミッタ端子にバイアス回路３を介して印加する。またネ
ットワークアナライザ７は同じく測定タイミング２９に
従って入力高周波信号波形２６を発生させてトランジス
タ４のエミッタ端子にバイアス回路３を介して出力す
る。この入力高周波信号波形２６はトランジスタ４のエ
ミッタ端子で反射してネットワークアナライザ７に帰
る。そしてこの反射した信号をネットワークアナライザ
７で測定することで、回路的になんら接続切替すること
なくトランジスタ４の入出力インピーダンスを測定す
る。
図１に示すような構成であって、タイミング発生回路８
はバイアス発生回路２、電流測定回路１０及びネットワ
ークアナライザ７にタイミング信号２９を出力する様に
接続し、信号処理回路１１はバイアス発生回路２と電流
測定回路１０とに接続し、ネットワークアナライザ７は
バイアス回路３を介してトランジスタ４のエミッタ端子
及び、バイアス回路６を介してトランジスタ４のコレク
タ端子に接続してある。タイミング発生回路８は上記バ
イアス発生回路２、電流測定回路１０及びネットワーク
アナライザ７に測定用の測定タイミング２９を出力す
る。この測定タイミング２９に従って、バイアス発生回
路２はバイアス電圧２７を生成してトランジスタ４のエ
ミッタ端子にバイアス回路３を介して印加する。またネ
ットワークアナライザ７は同じく測定タイミング２９に
従って入力高周波信号波形２６を発生させてトランジス
タ４のエミッタ端子にバイアス回路３を介して出力す
る。この入力高周波信号波形２６はトランジスタ４のエ
ミッタ端子で反射してネットワークアナライザ７に帰
る。そしてこの反射した信号をネットワークアナライザ
７で測定することで、回路的になんら接続切替すること
なくトランジスタ４の入出力インピーダンスを測定す
る。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照しつつ以下に
説明する。図１は本発明の一実施例である半導体測定装
置のブロック図であり、従来例と同一物には同一符号を
付す。
説明する。図１は本発明の一実施例である半導体測定装
置のブロック図であり、従来例と同一物には同一符号を
付す。
【００１３】この図１において、ＤＣ電源１はバイアス
発生回路２に接続され、このバイアス発生回路２に電力
を供給している。バイアス発生回路２は信号処理回路１
１とバイアス回路３と、各回路を同期して動作させる為
のタイミング信号２９を発生するタイミング発生回路８
とに接続されている。上記バイアス回路３はコンデンサ
９を介してネットワークアナライザ７及びトランジスタ
４のエミッタＥ端子とに接続されている。トランジスタ
４のベースＢ端子はグランドに接地されており、コレク
タＣ端子はバイアス回路６に接続されている。このバイ
アス回路６はコンデンサ９を介してネットワークアナラ
イザ７及び、電流測定回路１０とに接続されている。電
流測定回路１０は上記信号処理回路１１とタイミング発
生回路８とに接続され、この電流測定回路１０に電力を
供給する為のＤＣ電源５が接続されている。またタイミ
ング発生回路８はネットワークアナライザ７とも接続さ
れている。
発生回路２に接続され、このバイアス発生回路２に電力
を供給している。バイアス発生回路２は信号処理回路１
１とバイアス回路３と、各回路を同期して動作させる為
のタイミング信号２９を発生するタイミング発生回路８
とに接続されている。上記バイアス回路３はコンデンサ
９を介してネットワークアナライザ７及びトランジスタ
４のエミッタＥ端子とに接続されている。トランジスタ
４のベースＢ端子はグランドに接地されており、コレク
タＣ端子はバイアス回路６に接続されている。このバイ
アス回路６はコンデンサ９を介してネットワークアナラ
イザ７及び、電流測定回路１０とに接続されている。電
流測定回路１０は上記信号処理回路１１とタイミング発
生回路８とに接続され、この電流測定回路１０に電力を
供給する為のＤＣ電源５が接続されている。またタイミ
ング発生回路８はネットワークアナライザ７とも接続さ
れている。
【００１４】以上の構成において、以下動作を説明す
る。ＤＣ電源１から供給される電力によって、バイアス
発生回路２はトランジスタ４のエミッタに供給するバイ
アス電圧を発生する。バイアス発生回路２はタイミング
発生回路８にて作られたタイミング信号２９（図４に示
す）に従い、図４に示す様なパルス状のバイアス電圧２
７を発生する。このバイアス電圧２７はバイアス回路３
によってトランジスタ４のエミッタＥ端子に印加され
る。また、バイアス回路６はＤＣ電源５から供給された
電力によって、トランジスタ４のコレクタＣ端子に一定
の電圧を印加する。このとき電流測定回路１０は、図４
に示すタイミング信号２９に同期してトランジスタ４の
コレクタ電流２８を測定する。測定した電流２８は信号
処理回路１１に出力され、周波数成分を抽出する演算が
行われる。
る。ＤＣ電源１から供給される電力によって、バイアス
発生回路２はトランジスタ４のエミッタに供給するバイ
アス電圧を発生する。バイアス発生回路２はタイミング
発生回路８にて作られたタイミング信号２９（図４に示
す）に従い、図４に示す様なパルス状のバイアス電圧２
７を発生する。このバイアス電圧２７はバイアス回路３
によってトランジスタ４のエミッタＥ端子に印加され
る。また、バイアス回路６はＤＣ電源５から供給された
電力によって、トランジスタ４のコレクタＣ端子に一定
の電圧を印加する。このとき電流測定回路１０は、図４
に示すタイミング信号２９に同期してトランジスタ４の
コレクタ電流２８を測定する。測定した電流２８は信号
処理回路１１に出力され、周波数成分を抽出する演算が
行われる。
【００１５】ネットワークアナライザ７はタイミング発
生回路８より、図４のタイミング信号２９を受けてトラ
ンジスタ４に印加するバイアス電圧２７と同期を取っ
て、トランジスタ４のインピーダンスを測定する。トラ
ンジスタ４のインピーダンスを測定するには、高周波信
号をトランジスタ４のエミッタＥ端子及びコレクタＣ端
子に出力して、反射する高周波信号成分によりインピー
ダンスを測定するものである。バイアス回路３，６とネ
ットワークアナライザ７との間の二つのコンデンサ９は
トランジスタ４に印加されるＤＣ電圧をカットするため
のものである。
生回路８より、図４のタイミング信号２９を受けてトラ
ンジスタ４に印加するバイアス電圧２７と同期を取っ
て、トランジスタ４のインピーダンスを測定する。トラ
ンジスタ４のインピーダンスを測定するには、高周波信
号をトランジスタ４のエミッタＥ端子及びコレクタＣ端
子に出力して、反射する高周波信号成分によりインピー
ダンスを測定するものである。バイアス回路３，６とネ
ットワークアナライザ７との間の二つのコンデンサ９は
トランジスタ４に印加されるＤＣ電圧をカットするため
のものである。
【００１６】図３はベース接地トランジスタの動作を説
明する為の回路例である。トランジスタ４のエミッタ
は、チョークコイル２５を介して接地されると共に、コ
レクタにはチョークコイル２５を介してコレクタ電圧Ｖ
CCが印加される。入力端子２３に高周波信号２２が入力
されると、この高周波信号２２によりエミッタにバイア
ス電圧が印加され、トランジスタ４に動作電流ＩC が流
れる。
明する為の回路例である。トランジスタ４のエミッタ
は、チョークコイル２５を介して接地されると共に、コ
レクタにはチョークコイル２５を介してコレクタ電圧Ｖ
CCが印加される。入力端子２３に高周波信号２２が入力
されると、この高周波信号２２によりエミッタにバイア
ス電圧が印加され、トランジスタ４に動作電流ＩC が流
れる。
【００１７】本発明では、トランジスタの動作状態での
インピーダンスを測定するため、図４に示す入力高周波
信号２６の任意点における電圧（Ｖ1,Ｖ2 …）を、イン
ピーダンス及びコレクタ電流測定のタイミングであるタ
イミング信号２９と同期を取ってネットワークアナライ
ザ７で発生させている。この方法により高出力の高周波
信号がトランジスタ４に入力された時の瞬時でのインピ
ーダンスが測定でき、トランジスタ４の動作インピーダ
ンスは、これらの測定インピーダンスの実行値として近
似的に算出できる。また測定されたインピーダンスと同
期してコレクタ電流が測定できるので、この電流データ
をフ−リェ変換の演算によって周波数成分に変換し、さ
らに入力される高周波信号２６と比較できるように信号
処理を行うことにより、入力される高周波信号２６に対
してどの程度歪を生じているかを近似的に測定すること
もできる。この歪は出力電力として考えると、どの程度
の飽和レベルであるかを示すことになる。
インピーダンスを測定するため、図４に示す入力高周波
信号２６の任意点における電圧（Ｖ1,Ｖ2 …）を、イン
ピーダンス及びコレクタ電流測定のタイミングであるタ
イミング信号２９と同期を取ってネットワークアナライ
ザ７で発生させている。この方法により高出力の高周波
信号がトランジスタ４に入力された時の瞬時でのインピ
ーダンスが測定でき、トランジスタ４の動作インピーダ
ンスは、これらの測定インピーダンスの実行値として近
似的に算出できる。また測定されたインピーダンスと同
期してコレクタ電流が測定できるので、この電流データ
をフ−リェ変換の演算によって周波数成分に変換し、さ
らに入力される高周波信号２６と比較できるように信号
処理を行うことにより、入力される高周波信号２６に対
してどの程度歪を生じているかを近似的に測定すること
もできる。この歪は出力電力として考えると、どの程度
の飽和レベルであるかを示すことになる。
【００１８】また、上記の信号処理回路１１、ネットワ
ークアナライザ７及びタイミング発生回路８等を外部記
憶装置を備えた情報処理装置と接続してより総合的でし
かも省力化した測定を行うこともできる。さらに、トラ
ンジスタ４としてはバイポーラ、モノポーラ何れのトラ
ンジスタであっても良い。
ークアナライザ７及びタイミング発生回路８等を外部記
憶装置を備えた情報処理装置と接続してより総合的でし
かも省力化した測定を行うこともできる。さらに、トラ
ンジスタ４としてはバイポーラ、モノポーラ何れのトラ
ンジスタであっても良い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、バイアス
回路に流れる電流を測定する電流を測定する電流測定回
路と、測定した電流データを計算する信号処理回路とを
備えており、さらにパルス状のバイアス電圧を発生する
バイアス発生回路と、前記バイアス電圧を印加するタイ
ミング及びインピーダンスを測定するタイミング信号を
発生させるタイミング発生回路と、入出力のインピーダ
ンスを測定するネットワークアナライザとを備えたこと
により、従来の様な高出力電力での整合回路の複雑な調
整と、測定系の接続変更をするといった複雑な手順を取
る必要がなく、簡単に且つ迅速に半導体の動作インピー
ダンスを測定できる。加えて、トランジスタ出力電力の
飽和度も測定できる効果を有する。
回路に流れる電流を測定する電流を測定する電流測定回
路と、測定した電流データを計算する信号処理回路とを
備えており、さらにパルス状のバイアス電圧を発生する
バイアス発生回路と、前記バイアス電圧を印加するタイ
ミング及びインピーダンスを測定するタイミング信号を
発生させるタイミング発生回路と、入出力のインピーダ
ンスを測定するネットワークアナライザとを備えたこと
により、従来の様な高出力電力での整合回路の複雑な調
整と、測定系の接続変更をするといった複雑な手順を取
る必要がなく、簡単に且つ迅速に半導体の動作インピー
ダンスを測定できる。加えて、トランジスタ出力電力の
飽和度も測定できる効果を有する。
【図１】本発明の一実施例に関するものであり、そのブ
ロック構成図である。
ロック構成図である。
【図２】従来の半導体の動作インピーダンス測定装置の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３】トランジスタの動作を示す回路例である。
【図４】バイアス発生回路及び電流測定回路のタイミン
グ説明図である。
グ説明図である。
１，５，２０ ＤＣ電源 ２ バイアス発生回路 ３，６ バイアス回路 ４ トランジスタ ７，２１ ネットワークアナライザ ８ タイミング発生回路 ９ コンデンサ １０ 電流測定回路 １１ 信号処理回路 １３ 高周波信号源 １４ 方向性結合器 １５ 入力整合回路 １７ 出力整合回路 １８ 終端器 １９ 電力測定器 ２３ 入力端子 ２４ 出力端子 ２５ チョークコイル ２６ 入力高周波信号波形 ２７ エミッタバイアス電圧波形 ２８ コレクタバイアス電流波形 ２９ 測定タイミング信号
Claims (2)
- 【請求項１】高周波信号を入力して半導体の入力及び出
力インピーダンスを測定する半導体測定装置において、 前記半導体に印加するバイアス電圧の発生タイミング及
び前記半導体のインピーダンスを測定するタイミングを
発生させるタイミング発生回路と、 パルス状のバイアス電圧を前記タイミングに従って発生
して前記半導体の入力端子に出力するバイアス発生回路
と、 前記半導体の出力端子に定電圧を印加するバイアス回路
と、 前記タイミングに従って発生させた高周波信号を前記半
導体の入力端子に出力して、反射する高周波信号によっ
て前記半導体の入出力インピーダンスを測定するネット
ワークアナライザとを備えることを特徴とする半導体測
定装置。 - 【請求項２】前記バイアス回路のバイアス電流を測定す
る電流測定回路と、 この電流測定回路の測定値と前記高周波信号との信号処
理を行って前記半導体の歪を求める信号処理回路とを備
えることを特徴とする請求項１記載の半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13544892A JPH05333088A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13544892A JPH05333088A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333088A true JPH05333088A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15151955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13544892A Pending JPH05333088A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05333088A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653982U (ja) * | 1992-07-24 | 1994-07-22 | 株式会社アドバンテスト | ネットワークアナライザ |
| JP2009210393A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Nec Corp | ロードプル測定治具 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13544892A patent/JPH05333088A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653982U (ja) * | 1992-07-24 | 1994-07-22 | 株式会社アドバンテスト | ネットワークアナライザ |
| JP2009210393A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Nec Corp | ロードプル測定治具 |
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