JPH05332285A - 真空ポンプ - Google Patents

真空ポンプ

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JPH05332285A
JPH05332285A JP13843492A JP13843492A JPH05332285A JP H05332285 A JPH05332285 A JP H05332285A JP 13843492 A JP13843492 A JP 13843492A JP 13843492 A JP13843492 A JP 13843492A JP H05332285 A JPH05332285 A JP H05332285A
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JP
Japan
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trap
casing
rotor
intake port
pump element
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JP13843492A
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English (en)
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Takashi Shimizu
孝志 清水
Takao Matsumoto
隆夫 松本
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Daikin Industries Ltd
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Daikin Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空ポンプを例えば半導体製造分野である減
圧CVD装置などの真空排気系装置に使用するとき、配
管構成を簡単となし、装置全体を小型としながら、反応
生成物や水分その他凝縮液化不能なガスなどの各種不純
物を除去可能とする。 【構成】 ケーシング1の内部で、その吸気口11とポ
ンプ要素4との間の吸気通路13に、各種不純物を除去
するトラップ7を配設して、減圧CVD装置などの真空
排気装置に使用するとき、反応生成物を除去することが
できながら、配管構成を簡単にでき、装置全体を小形に
できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造分野
である減圧CVD装置などの真空排気系装置に使用する
真空ポンプに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、真空ポンプの半導体分野への適用
例として、例えばウエハー上にポリシリコンをデポジシ
ョンする減圧CVD(Chemical Vaper
De−position)装置が知られている。
【0003】しかして、以上の減圧CVD装置は、例え
ば特開昭62−192582号公報に記載されている。
この従来の装置は、図5で示したように、外周囲にヒー
タAが配設され、内部に処理室Bをもつ長円筒形状のプ
ロセスチューブCと、処理ガスや窒素ガスなどの各種ガ
スが装填された複数のガスタンクDと、前記プロセスチ
ューブCの吸気側に接続され、前記各タンクD内の各種
ガスを前記処理室Bに選択的に供給するバルブなどの供
給機構Eと、前記プロセスチューブCの排気側に接続さ
れ、前記処理室B内の真空引きを行うための真空ポンプ
Fと、これら真空ポンプFや供給機構Eなどを制御する
コントローラGなどを備えている。また、前記プロセス
チューブCの一側部には開閉可能なキャップHが設けら
れ、該キャップHの開閉操作で前記処理室B内にウエハ
ーなどの被処理物Iを出入可能としている。
【0004】そして、以上の減圧CVD装置で前記被処
理物Iにポリシリコンをデポジションするときには、こ
の被処理物Iを前記プロセスチューブCの処理室B内に
装填して、前記コントローラGからの指令に基づく前記
真空ポンプFの駆動により、前記ヒータAで高温とされ
た前記処理室B内の真空引きを行いながら、前記コント
ローラGの指令で前記供給機構Eを介して前記各タンク
D内の各種ガスを経時的に選択して前記処理室B内に送
り込み、つまり、先ず、この処理室B内に窒素ガスを送
り込んで、該窒素ガスと共に前記処理室B内における反
応生成物などの不純物を外部へと排気し、この後処理室
B内にシランガスなどの処理ガスを送り込んで、該処理
ガスで前記処理室B内の高温状態に保持された被処理物
Iの被膜処理を行うのである。
【0005】ところで、以上のような減圧CVD装置で
前記被処理物Iの被膜処理を行う場合で、前記真空ポン
プFにより前記処理室B内の真空引きを行うとき、該処
理室B内における反応生成物などの不純物が前記真空ポ
ンプF側に吸気されることから、前記不純物が前記真空
ポンプF内のポンプ要素などに侵入して、該ポンプ要素
などの破損を招くことがある。
【0006】そこで、以上の減圧CVD装置において
は、前記プロセスチューブCと真空ポンプFとを接続す
る外部配管途中にトラップJを介装させて、該トラップ
Jで前記反応生成物などの不純物を除去することによ
り、前記真空ポンプF側での破損事故を阻止するように
している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】所が、以上のように、
前記プロセスチューブCと真空ポンプFとを接続する外
部配管途中に、反応生成物などの不純物を除去すべく前
記トラップJを介装させるときには、該トラップJを収
容するための特別のケーシングや、このトラップJを配
管に接続するためのフランジなどを別途必要として、配
管構成が複雑となるばかりか、装置全体が大型化する問
題があった。
【0008】本発明は以上のような問題に鑑みてなした
もので、その目的は、例えば半導体製造分野である減圧
CVD装置などの真空排気系装置に使用するとき、反応
生成物などの不純物を除去することができながら、配管
構成を簡単となし、また、装置全体を小型化できる真空
ポンプを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、吸気口11と排気口12とをもったケ
ーシング1内に、ステータ2と、該ステータ2に対し回
転可能なロータ3とから成るポンプ要素4を内装して成
る真空ポンプにおいて、前記ケーシング1内における前
記吸気口11と前記ポンプ要素4との間の吸気通路13
にトラップ7を配設したのである。
【0010】また、前記ロータ3としては、外周面にス
クリュー溝31を設けたねじロータを用い、該ねじロー
タ32の外径をケーシング1より小径として、このロー
タ32の外回りに、該ロータ32の外周面に対向する内
周面をもったステータ21を配設し、該ステータ21の
外周面と前記ケーシング1の内周面との間に吸気通路1
3を形成し、この吸気通路13内に前記トラップ7を配
設するようにしてもよい。
【0011】さらに、前記ケーシング1の上面に前記吸
気口11を開設し、この吸気口11とポンプ要素4との
間の吸気通路13にトラップ7を配設するものにあって
は、該トラップ7に前記吸気口11と対向する遮壁72
を設け、この遮壁72を前記吸気口11とポンプ要素4
との対向面間に介装させることが好ましい。
【0012】
【作用】以上の真空ポンプを、半導体製造分野などの真
空排気系装置例えば減圧CVD装置に使用するとき、前
記真空ポンプには、前記ケーシング1内における前記吸
気口11と前記ポンプ要素4との間の吸気通路13に、
反応生成物などの不純物を除去するトラップ7が配設さ
れているため、つまり、従来のように、トラップ7を外
部配管途中に介装させたりすることなく、該トラップ7
が前記真空ポンプに内蔵されていることから、前記減圧
CVD装置などの配管構成を簡単にでき、また、装置全
体も小型にできるのである。
【0013】また、前記ロータ3として、外周面にスク
リュー溝31を設けたねじロータを用い、該ねじロータ
32の外径を前記ケーシング1より小径として、このロ
ータ32の外回りに、該ロータ32の外周面に対向する
内周面をもったステータ21を配設し、該ステータ21
の外周面と前記ケーシング1の内周面との間に吸気通路
13を形成し、この吸気通路13内に前記トラップ7を
配設するときには、前記ケーシング1の外径寸法を増大
させたりすることなく、前記トラップ7の内部組込みが
可能となる。
【0014】さらに、前記ケーシング1の上面に前記吸
気口11を開設し、この吸気口11とポンプ要素4との
間の吸気通路13にトラップ7を配設するものにおい
て、該トラップ7に前記吸気口11と対向する遮壁72
を設け、この遮壁72を前記吸気口11とポンプ要素4
との対向面間に介装させるときには、保守点検作業など
を行うようなときに脱落した取付ボルトやウエハーの破
片などの異物が前記吸気口11から前記ケーシング1内
に誘引されることがあっても、このケーシング1内にお
ける前記吸気口11との対向部位には、前記トラップ7
の遮壁72が位置されているため、該遮壁72で前記異
物のポンプ要素4側への侵入を阻止できるのであり、従
って、異物の侵入による前記ポンプ要素4の破損事故を
防止できる。
【0015】
【実施例】図1に示した第1実施例の真空ポンプは、半
導体製造分野などの真空排気系装置例えば減圧CVD装
置などに使用するものであって、その基本的な構成を概
略説明すると、上面1aと下面1bとをもち、内部を中
空としたケーシング1の上面1aに吸気口11を設け、
かつ、前記ケーシング1の下面外周側に排気口12を設
けると共に、前記ケーシング1内に、該ケーシング1に
固定されるステータ2と、該ステータ2に対し相対回転
されるロータ3とを備えたポンプ要素4を内装する一
方、前記ケーシング1の下面1bに、モ−タ5を内装し
たモ−タハウジング10を取付け、前記モータ5から延
びるロータシャフト6を前記ロータ3に連動連結させ
て、前記モータ5に伴うロータシャフト6の回転で、前
記ロータ3を前記ステータ2に対し高速回転させること
により、前記ケーシング1の吸気口11から排気口12
への真空引きを行って、前記吸気口12に接続される前
記減圧CVD装置のプロセスチューブを真空にするよう
にしている。
【0016】また、同図に示した真空ポンプは、前記ポ
ンプ要素4としてスクリュー形の高真空段ポンプ要素4
Aとジグバーン形の低真空段ポンプ要素4Bとを備え、
これら各ポンプ要素4A,4Bをそれぞれ上下に配設し
た複合型のものを示しており、前記高真空段ポンプ要素
4Aは、外周面にスクリュー溝31をもち、前記ケーシ
ング1より小径とされたねじロータ32と、該ねじロー
タ32の外回りに前記スクリュー溝32と対向状に配設
され、内周が面一状とされた円筒状のステータ21とか
ら構成され、また、前記低真空段ポンプ要素4Bは、複
数の動翼33をもつロータ34と、前記動翼34間に介
装される複数の静翼22を備えたステータ23とから構
成されている。
【0017】しかして本発明は、図1で明らかにしたよ
うに、前記ケーシング1の内方上部側で、該ケーシング
1の上面1aに形成された前記吸気口11と前記高真空
段ポンプ要素4Aとの間に、前記吸気口11からの吸気
ガスを前記高真空段ポンプ要素4A及び低真空段ポンプ
要素4Bへと吸気するための吸気通路13を形成し、こ
の吸気通路13内に、前記減圧CVD装置のプロセスチ
ューブなどで生成される反応生成物などの不純物を除去
するトラップ7を配設したのである。
【0018】前記トラップ7は、前記高真空段ポンプ要
素4Aにおけるステータ21の外周囲を取り巻く筒壁7
1と、この筒壁71の上端部に前記ケーシング1の吸気
口11と対向する遮壁72を一体形成して成る有底筒状
のトラップケース73を備え、このトラップケース73
における前記筒壁71の内周側に複数の冷却管74を配
設して構成され、前記トラップケース73を前記ケーシ
ング1の上面1a内側に、前記遮壁72が前記吸気口1
1と対向し、かつ、前記筒壁71の下端部と前記ステー
タ21との間に所定の吸気空間が形成されるように、支
持部材(図示せず)を介して宙架状に支持させる。
【0019】そして、前記冷却管74で前記トラップケ
ース73の全体を冷却することにより、前記減圧CVD
装置のプロセスチューブから前記吸気口11を経て前記
ケーシング1内に導入される未反応な処理ガスを冷却し
て、この処理ガスによってできる反応生成物などの不純
物を前記トラップケース73に吸着して除去するのであ
る。つまり、前記減圧CVD装置でウエハーなどの被処
理物にポリシリコンをデポジションするときには、この
被処理物をプロセスチューブ内に装填して、前述した真
空ポンプの駆動で前記プロセスチューブ内の真空引きを
行いながら、先ず、このプロセスチューブ内に窒素ガス
を送り込んで、該窒素ガスと共に前記プロセスチューブ
内における反応生成物などの不純物を外部側へと排気
し、この後プロセスチューブ内にシランガスなどの処理
ガスを送り込んで、該処理ガスで前記被処理物の被膜処
理を行うのであるが、斯かる被膜処理時における前段階
において、前記プロセスチューブ内の不純物を窒素ガス
と共に外部排気するときや、成膜処理時の未反応な処理
ガスを排気する時、即ち、反応生成物などの不純物を前
記真空ポンプ側に吸気するとき、この真空ポンプの吸気
口11と高真空段ポンプ要素4Aとの間に介装された前
記トラップ7の冷却管74で前記トラップケース73の
全体を冷却することにより、前記吸気口11を経て前記
ケーシング1内に導入される処理ガスを冷却して、この
処理ガスによってできる反応生成物などの不純物を前記
トラップケース73に吸着して除去し、反応生成物など
の不純物が前記真空ポンプ内の高真空段及び低真空段ポ
ンプ要素4A,4Bなどに侵入して、これらポンプ要素
4A,4Bなどを破損したりするのを防止するのであ
る。
【0020】また、前記トラップ7の冷却管74は、図
2で示したように、前記トラップケース73における筒
壁71の外周壁側に配設するようにしてもよく、又は、
図3で示したように、前記冷却管74は前記ケーシング
1の内周壁側に配設するようにしてもよい。
【0021】以上のように、前記ケーシング1内におけ
る前記吸気口11と前記高真空段ポンプ要素4Aとの間
の吸気通路13に前記トラップ7を配設し、つまり、該
トラップ7を前記真空ポンプに内蔵することにより、外
部配管途中にトラップを介装させる従来の場合に較べ、
フランジなどの部品を別途必要とすることなく、前記減
圧CVD装置などの配管構成を簡単にでき、また、装置
全体も小型にできるのである。特に、図1で示したよう
に、前記高真空段ポンプ要素4Aとして、前記ケーシン
グ1より小経とされたねじロータ32と、該ロータ32
の外回りに対向状に配設されるステータ21とから成る
スクリュー形のものを用い、同ステータ21の外周面と
前記ケーシング1の内周壁との間に形成される前記吸気
通路13に、前記トラップ7を配設することにより、前
記ねじロータ32に対向されるステータ22と前記ケー
シング1との間に、該ケーシング1を大きくしたりする
ことなく、前記トラップ7を配設することができ、つま
り、前記ケーシング1の外径寸法を大としたりすること
なく、前記トラップ7の真空ポンプ内部への組込みが可
能となるのである。
【0022】また、以上のように、前記ケーシング1の
上面に設けた前記吸気口11と前記高真空段ポンプ要素
4Aとの間に前記トラップ7を配設し、該トラップ7の
トラップケース73における筒壁71の上端部に、前記
吸気口11と対向状に前記遮壁72を設けるときには、
保守点検作業などを行うようなときに脱落した取付ボル
トやウエハーの破片などの異物が前記吸気口11から前
記ケーシング1内に誘引されることがあっても、この異
物を前記トラップケース73の遮壁72で受止めること
ができ、異物が前記ポンプ要素4A内に侵入するのを阻
止できる。尚、この場合、前記遮壁72で受止められた
異物が更に高真空段ポンプ要素4A側に誘引されること
があっても、この異物の前記ポンプ要素4Aへの侵入を
前記ステータ21で阻止することができ、異物の侵入に
よる前記各ポンプ要素4A,4Bの破損事故を防止でき
る。
【0023】以上の第1実施例では、前記ポンプ要素4
として、スクリュー形の高真空段ポンプ要素4Aとジグ
バーン形の低真空段ポンプ要素4Bとを備え、これら各
ポンプ要素4A,4Bを上下に配設した複合型の真空ポ
ンプを用い、前記高真空段スクリュー形ポンプ要素4A
と吸気口11との間に前記トラップ7を設けるようにし
たが、本発明では、ジグバーン形のポンプ要素のみを備
えた真空ポンプに適用することもできる。即ち、図4で
示したように、径大な静翼24をもつステータ25と、
前記静翼24間に介装される径大な動翼35をもったロ
ータ36とを複数段にわたって設けたジグバーン形の高
真空段ポンプ要素4Cを設けると共に、この高真空段ポ
ンプ要素4Cの下部側に、径小な複数の静翼26をもつ
ステータ27と、前記静翼26間に介装される径小な動
翼37をもち、前記高真空段ポンプ要素4Cのロータ3
6と一体形成されるロータ38とを複数段にわたって設
けたジグバーン形の低真空段ポンプ要素4Dを設ける。
【0024】そして、前記ケーシング1の上面1aに開
設された前記吸気口11と前記高真空段ポンプ要素4C
との間に形成される吸気通路13に、前述した第1実施
例と同様なトラップ7を配設するのである。以上の構成
とする場合にも、前記真空ポンプを例えば減圧CVD装
置などに使用するとき、前記トラップ7が前記ケーシン
グ1に内装されていることから、配管構成を簡単とし、
また、装置全体を小型としながら、反応生成物などの不
純物を除去することができる。しかも、前記トラップ7
のトラップケース73における筒壁71の上端部に、前
記吸気口11と対向状に前記遮壁72を設けることによ
り、保守点検作業などを行うようなときに脱落した取付
ボルトやウエハーの破片などの異物が前記吸気口11か
ら前記ケーシング1内に誘引されることがあっても、こ
の異物を前記トラップケース73の遮壁72で受止める
ことができ、異物が前記ポンプ要素4A内に直接侵入す
るのを阻止できる。尚、この第2実施例の場合、前記高
真空段ステータ25の外周側上面に、前記ロータ35よ
り大径の筒状遮断壁(図示せず)を設けることにより、
前記遮壁72で受止められた異物が更に高真空段ポンプ
要素4A側に誘引されることがあっても、この異物が前
記高真空段ポンプ要素4A内に侵入するのを前記遮断壁
で阻止することができる。
【0025】さらに、以上の実施例では、前記真空ポン
プを半導体製造分野である真空排気系装置の一例として
減圧CVD装置に適用し、該減圧CVD装置のプロセス
チューブ内における反応生成物などの不純物を前記トラ
ップ7に設けた冷却管74で冷却することにより除去す
る場合について説明したが、本発明では、前記トラップ
7のトラップケース73に活性炭などを収蔵して、この
活性炭などにより凝縮液化では除去できない例えば水素
やヘリウムなどのガス成分を除去するようにしてもよ
い。また、本発明では、前記真空排気系装置において、
例えば前記真空ポンプによって排気される排気ガス中の
水分を凝縮液化させて、排気ガスの排気速度を高めるよ
うにした所謂コールドトラップとして利用することもで
きる。尚、各図の実施例では、前記ケーシング1の上面
に吸気口11を開設したが、この吸気口11は前記ケー
シング1の上部一側壁に横向き状に開設してもよい。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、吸気口
11と排気口12とをもったケーシング1内に、ステー
タ2と、該ステータ2に対し回転可能なロータ3とから
成るポンプ要素4を内装して成る真空ポンプにおいて、
前記ケーシング1内における前記吸気口11と前記ポン
プ要素4との間の吸気通路13にトラップ7を配設した
から、つまり、該トラップ7を真空ポンプに内蔵させた
から、この真空ポンプを例えば半導体製造分野における
減圧CVD装置などの真空排気系装置に使用するとき、
外部配管途中にトラップを介装させる従来の場合に較
べ、前記真空排気系装置の配管構成を簡単にでき、装置
全体も小型にできるのである。
【0027】また、前記ロータ3として、外周面にスク
リュー溝31を設けたねじロータを用い、該ねじロータ
32の外径を前記ケーシング1より小径として、このロ
ータ32の外回りに、該ロータ32の外周面に対向する
内周面をもったステータ21を配設し、該ステータ21
の外周面と前記ケーシング1の内周面との間に吸気通路
13を形成し、この吸気通路13内に前記トラップ7を
配設することにより、前記ケーシング1の外径寸法を増
大させたりすることなく、前記トラップ7の内部組込み
が行える。
【0028】さらに、前記ケーシング1の上面に前記吸
気口11を開設し、この吸気口11とポンプ要素4との
間の吸気通路13にトラップ7を配設するものにおい
て、該トラップ7に前記吸気口11と対向する遮壁72
を設け、この遮壁72を前記吸気口11とポンプ要素4
との対向面間に介装させることにより、取付ボルトやウ
エハーの破片などの異物が前記吸気口11から前記ケー
シング1内に誘引されることがあっても、このケーシン
グ1内における前記吸気口11との対向部位に設けた前
記トラップ7の遮壁72で異物の前記ポンプ要素4側へ
の侵入を阻止できるのであり、従って、異物の侵入によ
る前記ポンプ要素4の破損事故を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空ポンプを示す縦断面図である。
【図2】トラップの取付例を示す縦断面図である。
【図3】同じくトラップの取付例を示す縦断面図であ
る。
【図4】真空ポンプの他実施例を示す縦断面図である。
【図5】従来の真空ポンプを示す縦断面図である。
【符号の説明】
1 ケーシング 11 吸気口 12 排気口 13 吸気通路 2 ステータ 21 ステータ 3 ロータ 31 スクリュー溝 32 ねじロータ 4 ポンプ要素 7 トラップ 72 遮壁

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 吸気口11と排気口12とをもったケー
    シング1内に、ステータ2と、該ステータ2に対し回転
    可能なロータ3とから成るポンプ要素4を内装して成る
    真空ポンプにおいて、前記ケーシング1内における前記
    吸気口11と前記ポンプ要素4との間の吸気通路13に
    トラップ7を配設したことを特徴とする真空ポンプ。
  2. 【請求項2】 ロータ3は、その外周面にスクリュー溝
    31を設けたねじロータから成り、該ねじロータ32の
    外径をケーシング1より小径として、このロータ32の
    外回りに、該ロータ32の外周面に対向する内周面をも
    ったステータ21を配設し、該ステータ21の外周面と
    前記ケーシング1の内周面との間に吸気通路13を形成
    し、この吸気通路13内にトラップ7を配設している請
    求項1記載の真空ポンプ。
  3. 【請求項3】 吸気口11がケーシング1の上面に開設
    されており、この吸気口11とポンプ要素4との間の吸
    気通路13に配設するトラップ7に、前記吸気口11と
    対向する遮壁72を設け、この遮壁72を前記吸気口1
    1とポンプ要素4との対向面間に介装している請求項1
    及び2記載の真空ポンプ。
JP13843492A 1992-05-29 1992-05-29 真空ポンプ Pending JPH05332285A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011058394A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Shimadzu Corp ターボ分子ポンプ
KR20160110169A (ko) 2015-03-09 2016-09-21 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 진공 펌프

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