JPH05326587A - Method and device for sealing resin-sealed-type semiconductor device - Google Patents

Method and device for sealing resin-sealed-type semiconductor device

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JPH05326587A
JPH05326587A JP12742892A JP12742892A JPH05326587A JP H05326587 A JPH05326587 A JP H05326587A JP 12742892 A JP12742892 A JP 12742892A JP 12742892 A JP12742892 A JP 12742892A JP H05326587 A JPH05326587 A JP H05326587A
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Japan
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resin
die pad
die
semiconductor chip
molding
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Japanese (ja)
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Toshihiro Murayama
敏宏 村山
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Original Assignee
Sony Corp
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the deformation of a die pad or the occurrence of voids by letting fused rein flow into a mold, while fixing a die pad inside a mold so that the die-pad may not shift by the fused resin by the fused resin flowing in the mold, thereby sealing a semiconductor chip with resin. CONSTITUTION:When a lead frame, where a semiconductor chip 8 is mounted and fixed on a die pad 2, is placed in the specified position of a bottom force 30A and is fastened with top and bottom forces 20A and 30A, being welded with the top force 20A, opposed die pad fixing pins 25 and 32 press the flat part of each suspension lead 6. When sealing resin is injected from an injection port 31 in this condition, even if a difference occurs in the passages above and below the semiconductor chip 8, wherein resin is flowing, the voids or the deformation of the die pads or the suspension lead 6 can be avoided at sealing with resin since each suspension lead 6 suspending the die pad 2 is fixed. Moreover, the die pad 2 never twists.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置、特に超薄型化する樹脂封止型半導体装置に用いて好
適な樹脂封止方法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin encapsulation type semiconductor device, and more particularly to a resin encapsulation method suitable for use in a resin-encapsulation type semiconductor device which is extremely thin and an apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来技術の樹脂封止装置の主要構成要素
である成形金型及びこの成形金型を用いた樹脂封止方法
を、図3乃至図7を用いて説明する。図3はこの発明を
説明するための、一般的なQFP型半導体装置に使用さ
れている現用のリードフレームを示す平面図であり、図
4は成形金型で半導体チップを樹脂封止する従来技術の
樹脂封止方法を説明するための図で、同図Aは一部下金
型の成形面を示す平面図、同図Bは同図AのBーB線上
における、そして内部に半導体チップを搭載したリード
フレームを納めた状態の上下成形金型の一部断面図であ
り、図5は従来技術のトランスファーモールド方法で樹
脂封止を行った場合に生ずる現象を説明するための断面
図であり、図6は従来技術の、樹脂注入口を上下両金型
に設けた、そして内部に半導体チップを搭載したリード
フレームを納めた状態の成形金型の一部断面図であり、
そして図7は従来技術の他の樹脂封止方法を説明するた
めの図で、同図Aは一部下金型の成形面を示す平面図、
同図Bは同図AのBーB線上における、そして内部に半
導体チップを搭載したリードフレームを納めた状態の上
下成形金型の一部断面図である。
2. Description of the Related Art A molding die which is a main component of a conventional resin encapsulation apparatus and a resin encapsulation method using this molding die will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a plan view showing a current lead frame used in a general QFP type semiconductor device for explaining the present invention, and FIG. 4 is a prior art in which a semiconductor die is resin-sealed with a molding die. 2A is a plan view showing a molding surface of a lower mold part, FIG. B is a semiconductor chip mounted on and inside the line BB in FIG. And FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the upper and lower molding dies with the lead frame accommodated therein, and FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the phenomenon that occurs when resin sealing is performed by the transfer molding method of the prior art, FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a conventional molding die in which a resin injection port is provided in both upper and lower molds and a lead frame having a semiconductor chip mounted therein is housed.
7 is a view for explaining another conventional resin sealing method, and FIG. 7A is a plan view partially showing the molding surface of the lower die.
FIG. B is a partial cross-sectional view of the upper and lower molding dies on the line BB of FIG. A and in a state in which a lead frame having a semiconductor chip mounted therein is housed.

【0003】先ず、図3に一般的なQFP型半導体装置
に使用されている現用のリードフレーム1を一単位だけ
で示した。このリードフレーム1は四辺形のダイパッド
2と、このダイパッド2の各辺に沿って、所定のピッチ
で配列された複数のインナーリード3と、これらのイン
ナーリード3に対応して配列され、タイバー4で接続さ
れたアウターリード5と、前記ダイパッド2の各コーナ
ーをステー7に接続する吊りリード6などから構成され
ている。そして各吊りリード6は折り曲げ部6aの部分
で下方に折り曲げられているので、前記ダイパッド2は
ディプレスされた状態になっている。
First, FIG. 3 shows an active lead frame 1 used in a general QFP type semiconductor device in only one unit. The lead frame 1 is a quadrilateral die pad 2, a plurality of inner leads 3 arranged at a predetermined pitch along each side of the die pad 2, and the inner leads 3 arranged correspondingly to the tie bars 4. The outer leads 5 are connected to each other, and the suspension leads 6 that connect the corners of the die pad 2 to the stays 7 are formed. Since each suspension lead 6 is bent downward at the bent portion 6a, the die pad 2 is in a depressed state.

【0004】このように構成されたリードフレーム1
の、前記ダイパッド2に半導体チップ8を銀ペーストな
どを用いて接着、固定し、この半導体チップ8(図4)
の各電極と前記各インナーリード3の内端部とをワイヤ
ボンドした後、このような半導体チップ8をトランスフ
ァーモールド法で樹脂封止される。
The lead frame 1 configured as described above
The semiconductor chip 8 is adhered and fixed to the die pad 2 using silver paste or the like, and the semiconductor chip 8 (FIG. 4)
After each electrode and the inner end of each inner lead 3 are wire-bonded, such a semiconductor chip 8 is resin-sealed by a transfer molding method.

【0005】この樹脂封止を行うための成形金型は、図
4Bに示したように、上金型20と下金型30とから構
成されている。その上金型20の成形面20aには、1
番目のリードを示すピン21や成形された樹脂封止装置
を金型から離すためのイジェクターピン22などの突起
物が形成されている。符号31は下金型30に設けられ
た封止樹脂の注入口31を指す。
As shown in FIG. 4B, the molding die for resin sealing is composed of an upper die 20 and a lower die 30. In addition, the molding surface 20a of the mold 20 has 1
Projections such as a pin 21 indicating the second lead and an ejector pin 22 for separating the molded resin sealing device from the mold are formed. Reference numeral 31 indicates a sealing resin injection port 31 provided in the lower mold 30.

【0006】このような構成の封止金型の下金型30の
所定の位置に、前記半導体チップ8を搭載したリードフ
レーム1を載置し、注入口31から溶融した封止樹脂を
注入し、半導体チップ8などを樹脂封止することができ
る。
The lead frame 1 having the semiconductor chip 8 mounted thereon is placed at a predetermined position on the lower die 30 of the sealing die having such a structure, and the molten sealing resin is injected from the injection port 31. The semiconductor chip 8 and the like can be resin-sealed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】最近、薄型化した樹脂
封止型半導体装置の要求が高まってきている。このよう
な薄型化の樹脂封止型半導体装置を得るため、半導体チ
ップを樹脂封止する場合に遭遇する問題点としては、次
のような点をあげられる。
Recently, there has been an increasing demand for thinner resin-encapsulated semiconductor devices. Problems encountered when resin-sealing a semiconductor chip in order to obtain such a thin resin-encapsulated semiconductor device are as follows.

【0008】即ち、半導体チップの上下を流動する封止
樹脂について考察すると、図4Bにおいて、深さTaと
深さTbとを等しく設計しても、上金型20と下金型3
0との空間の差、半導体チップ8の厚さ、半導体チップ
8とダイパッド2とを固定する接着剤の厚さ、リードフ
レーム1のディプレス量などのばらつきにより、下金型
30の注入口31から供給された封止樹脂が流れる半導
体チップ8の上下の通路に差が生じ、例えば、僅かであ
るが、下側通路の深さTaが上側通路の深さTbよりも
深くなると、半導体チップ8の上方を流れる封止樹脂の
流動が妨げられ、その速度が半導体チップ8の上方を流
れる封止樹脂の速度より遅くなる。その結果、ダイパッ
ド2を上下に移動させたり、下方の封止樹脂が上方に回
り込んで、成形金型内のガスを閉じ込み、ボイドを発生
させるようになる。
That is, considering the sealing resin that flows above and below the semiconductor chip, even if the depth Ta and the depth Tb are designed to be the same in FIG. 4B, the upper die 20 and the lower die 3 are designed.
The injection port 31 of the lower mold 30 is affected by variations in the space from 0, the thickness of the semiconductor chip 8, the thickness of the adhesive that fixes the semiconductor chip 8 and the die pad 2, the depressing amount of the lead frame 1, and the like. There is a difference between the upper and lower passages of the semiconductor chip 8 through which the sealing resin supplied from the semiconductor chip 8 flows. For example, when the depth Ta of the lower passage becomes deeper than the depth Tb of the upper passage, the semiconductor chip 8 is slightly different. Of the encapsulating resin flowing above the semiconductor chip 8 is hindered, and the speed of the encapsulating resin flowing above the semiconductor chip 8 is slower than that of the encapsulating resin flowing above the semiconductor chip 8. As a result, the die pad 2 is moved up and down, and the lower sealing resin wraps around upward, confining the gas in the molding die and generating voids.

【0009】そして、上金型20の成形面20aに存在
する前記突起物の存在などにより、この現象が更に進む
と、図5Bに示したように、半導体チップ8の下方を流
れる封止樹脂がダイパッド2を押し上げ、変形させてし
まう。
When this phenomenon further progresses due to the presence of the protrusions present on the molding surface 20a of the upper die 20, as shown in FIG. 5B, the sealing resin flowing below the semiconductor chip 8 is removed. It pushes up the die pad 2 and deforms it.

【0010】また、図6に示したように、上金型20に
も注入口23を設け、注入口を対称形にしても、前記各
種厚さなどのばらつきがあれば、半導体チップ8の上下
を流れる封止樹脂に速度差が生じ、前記したと同様の不
具合が生じる。
Further, as shown in FIG. 6, even if the upper die 20 is provided with an injection port 23 and the injection port is made symmetrical, if there are variations in the above-mentioned various thicknesses, the semiconductor chip 8 is vertically moved. There is a difference in speed between the sealing resins flowing through, and the same problems as described above occur.

【0011】このような不具合を防ぐために、図7に示
したように、半導体チップ8の上及びダイパッド2の下
にそれぞれ当接する固定ピン24及び固定ピン32をそ
れぞれ上金型20及び下金型30に設けて、これらの固
定ピン24、32でそれぞれ半導体チップ8及びダイパ
ッド2を抑えるように構成できるが、固定ピン24で半
導体チップ8の表面を損傷し易く、信頼性に悪影響を与
える恐れがある。この発明はこのような不都合をなくす
ことを課題とするものである。
In order to prevent such a problem, as shown in FIG. 7, a fixing pin 24 and a fixing pin 32 which come into contact with the upper part of the semiconductor chip 8 and the lower part of the die pad 2, respectively, are provided in the upper mold 20 and the lower mold, respectively. Although the semiconductor chip 8 and the die pad 2 can be held by the fixing pins 24 and 32, the surface of the semiconductor chip 8 is easily damaged by the fixing pins 24, which may adversely affect the reliability. is there. An object of the present invention is to eliminate such inconvenience.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】そのためこの発明は、ト
ランスファーモールド法で樹脂封止するに際し、ダイパ
ッドが成形金型内に流入する溶融樹脂により移動しない
ように、前記成形金型内で前記ダイパッドを固定しなが
ら、溶融樹脂を成形金型内に流し込み、前記半導体チッ
プを樹脂封止する。
Therefore, according to the present invention, when the resin is sealed by the transfer molding method, the die pad is moved in the molding die so that the die pad does not move due to the molten resin flowing into the molding die. While being fixed, a molten resin is poured into a molding die to seal the semiconductor chip with a resin.

【0013】また、前記ダイパッドの固定はそのダイパ
ッドの対角線上で固定することが望ましく、更にまた、
ダイパッドの固定は吊りリードを押圧することによって
固定するように成形金型を構成した。
Further, it is desirable that the die pad is fixed on a diagonal line of the die pad.
The die was fixed so that the die pad was fixed by pressing the suspension lead.

【0014】[0014]

【作用】従って、半導体チップの上下の通路を流れる封
止樹脂に速度差が生じても、ダイパッドが変動したり、
変形するようなことがない。
Therefore, even if the speed difference occurs in the sealing resin flowing in the upper and lower passages of the semiconductor chip, the die pad may change,
There is no deformation.

【0015】[0015]

【実施例】以下、この発明のQFP型の樹脂封止型半導
体装置の樹脂封止方法及びその装置を図1及び図2を用
いて説明する。図1はこの発明の樹脂封止装置の第1の
実施例で、同図Aはその要部を示す概略平面図であり、
同図Bは同図AのB−B線上における断面図である。な
お、図1では、従来技術の樹脂封止装置と同一の構成部
分には同一の符号を付した。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A resin encapsulation method for a QFP type resin encapsulation type semiconductor device of the present invention and an apparatus thereof will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a first embodiment of a resin sealing device of the present invention, and FIG. 1A is a schematic plan view showing a main part thereof.
FIG. 3B is a sectional view taken along the line BB of FIG. In FIG. 1, the same components as those of the conventional resin sealing device are designated by the same reference numerals.

【0016】図1に示したこの発明の樹脂封止装置にお
いては、図3に示したリードフレーム1の一構成要素で
ある各吊りリード6の折り曲げ部6aの直上の平坦部6
bを図1Bに示したように、上下から挟むことができる
ように、上金型20Aの成形面20aに、その成形面2
0aから垂直に内方に突出した4本のダイパッド固定ピ
ン25を植立し、一方の下金型30Aの成形面30aに
も、前記各ダイパッド固定ピン25に対向して、その成
形面30aから垂直に内方に突出した4本のダイパッド
固定ピン32を植立した。それらダイパッド固定ピン2
5及び32の内、少なくとも1本は樹脂注入口31に近
い位置に植立するように構成する。
In the resin sealing device of the present invention shown in FIG. 1, the flat portion 6 immediately above the bent portion 6a of each suspension lead 6 which is one component of the lead frame 1 shown in FIG.
As shown in FIG. 1B, the molding surface 2a is formed on the molding surface 20a of the upper mold 20A so that it can be sandwiched from above and below.
0a vertically inwardly project four die pad fixing pins 25, and one molding die surface 30a of the lower die 30A faces each of the die pad fixing pins 25 from the molding surface 30a. Four die pad fixing pins 32 vertically projecting inward were set up. Those die pad fixing pins 2
At least one of 5 and 32 is configured to be planted at a position close to the resin injection port 31.

【0017】樹脂注入口31は、従来技術の成形金型と
同様に、下金型30Aの成形部の1コーナーに形成され
ており、この注入口31から溶融樹脂を注入する。
The resin injection port 31 is formed at one corner of the molding portion of the lower mold 30A, and the molten resin is injected from this injection port 31, like the conventional molding die.

【0018】前記ダイパッド固定ピン25及び32は各
吊りリード6に対して設ける必要はないが、少なくとも
樹脂注入口31に近い所とその対角線上の注入口31か
ら最も遠いコーナーに設けることが望ましい。
The die pad fixing pins 25 and 32 need not be provided for each suspension lead 6, but are preferably provided at least at a position near the resin injection port 31 and a corner farthest from the injection port 31 on the diagonal line.

【0019】このような構成の樹脂封止装置である成形
金型の下金型30A上の所定位置に、ダイパッド2に半
導体チップ8を搭載、固定したリードフレーム1を載置
し、上金型20Aでこのリードフレーム1を圧着して、
上下金型で締めつけると、図1Bに示したように、前記
相対するダイパッド固定ピン25及び32が各吊りリー
ド6の前記平坦部6bを押圧する状態になる。
The semiconductor chip 8 is mounted on the die pad 2 and the fixed lead frame 1 is placed at a predetermined position on the lower die 30A of the molding die which is the resin sealing device having the above-mentioned structure, and the upper die is placed. Crimp this lead frame 1 with 20A,
When tightened by the upper and lower molds, the opposing die pad fixing pins 25 and 32 press the flat portion 6b of each suspension lead 6 as shown in FIG. 1B.

【0020】このような状態で、注入口31からダイパ
ッド2の対角線上に向けて封止樹脂を注入すると、上金
型20Aと下金型30Aとの空間の差、半導体チップ8
の厚さ、半導体チップ8とダイパッド2とを固定する接
着剤の厚さ、リードフレーム1のディプレス量などのば
らつきにより、下金型30Aの注入口31から供給され
た封止樹脂が流れる半導体チップ8の上下の流路に差が
生じても、ダイパッド2を吊っている各吊りリード6を
固定しているため、樹脂封止時にボイドやダイパッド、
吊りリード6の変形を避けることができる。
In this state, when the sealing resin is injected from the injection port 31 toward the diagonal line of the die pad 2, the difference in space between the upper mold 20A and the lower mold 30A, the semiconductor chip 8
Of the adhesive for fixing the semiconductor chip 8 and the die pad 2, the amount of depressing of the lead frame 1 and the like, the sealing resin supplied from the injection port 31 of the lower mold 30A flows through the semiconductor. Even if there is a difference in the upper and lower flow paths of the chip 8, since the suspension leads 6 that suspend the die pad 2 are fixed, voids or die pads during resin sealing,
The deformation of the suspension lead 6 can be avoided.

【0021】この実施例におけるダイパッド固定ピン2
5及び32はダイパッド2に近い吊りリード6の平坦部
6bを押圧し、しかもダイパッド2の対角線上でダイパ
ッド2を押圧するので、そのダイパッド2は捩れること
もない。
Die pad fixing pin 2 in this embodiment
Since 5 and 32 press the flat portion 6b of the suspension lead 6 close to the die pad 2, and further press the die pad 2 on the diagonal of the die pad 2, the die pad 2 is not twisted.

【0022】また、図2に示したこの発明の樹脂封止装
置の第2の実施例においては、図3に示したリードフレ
ーム1のダイパッド2の各コーナーを、図2Bに示した
ように、上下から挟むことができるように、上金型20
Bの成形面20aに、その成形面20aから垂直に内方
に突出した4本のダイパッド固定ピン25を植立し、一
方の下金型30Bの成形面30aにも、前記各ダイパッ
ド固定ピン25に対向して、その成形面30aから垂直
に内方に突出した4本のダイパッド固定ピン32を植立
した。
Further, in the second embodiment of the resin sealing device of the present invention shown in FIG. 2, each corner of the die pad 2 of the lead frame 1 shown in FIG. 3 is, as shown in FIG. 2B, Upper mold 20 so that it can be sandwiched from above and below
On the molding surface 20a of B, four die pad fixing pins 25 projecting vertically inward from the molding surface 20a are planted, and on the molding surface 30a of one lower die 30B, the die pad fixing pins 25 are also formed. , Four die pad fixing pins 32 vertically projecting inward from the molding surface 30a were planted.

【0023】この構成は各ダイパッド固定ピン25及び
32が直接ダイパッド2を押圧するので、図1に示した
第1の実施例よりもダイパッド2の移動や変形を防ぐ効
果が大きいが、半導体チップ8の寸法によっては、これ
らのピンが押圧できる面積がダイパッド2に少なくな
り、場合によっては押圧する場所がなくなるので、押圧
できないという欠点がある。
In this structure, since the die pad fixing pins 25 and 32 directly press the die pad 2, the effect of preventing the movement and deformation of the die pad 2 is greater than that of the first embodiment shown in FIG. Depending on the dimension, the die pad 2 has a reduced area that can be pressed by these pins, and in some cases there is no place to press, so there is the disadvantage that pressing cannot be done.

【0024】従って、各吊りリード6の折り曲げ部6a
とダイパッド2の各コーナーとの間に吊りリード6の平
坦部6c(図3)を可能な限り形成し、これらの平坦部
6cを押圧できるダイパッド固定ピン25及び32を形
成することが最も望ましい。
Therefore, the bent portion 6a of each suspension lead 6
It is most desirable to form the flat portions 6c (FIG. 3) of the suspension leads 6 as much as possible between the corners of the die pad 2 and the die pads 2, and to form the die pad fixing pins 25 and 32 that can press these flat portions 6c.

【0025】前記実施例ではQFP型半導体装置を採り
挙げて説明したが、この発明は四方向にアウターリード
が導出された半導体装置のみに限定されるものではな
く、一方向或いは二方向にアウターリードが導出された
樹脂封止型半導体装置にも適用できることは容易に理解
されよう。
Although the QFP type semiconductor device has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to the semiconductor device in which the outer leads are led out in four directions, and the outer leads are unidirectionally or bidirectionally provided. It will be easily understood that the present invention can also be applied to the resin-sealed semiconductor device from which

【0026】[0026]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明の樹脂成形装置によれば、上下金型にそれぞれダイパ
ッド固定ピンを設け、これらのダイパッド固定ピンでダ
イパッドを固定しながら半導体チップの樹脂封止を行う
ようにしたので、成形金型内において、構成部品などの
ばらつきによる半導体チップの上下の樹脂通路の深さの
差で封止樹脂の流速に差が生じても、その樹脂によりダ
イパッドを移動したり、変形するようなことがなく、樹
脂封止型半導体装置の品質を良好に維持でき、歩留りも
向上することができるなど数々の優れた効果が得られ
る。
As is apparent from the above description, according to the resin molding apparatus of the present invention, the die pad fixing pins are provided on the upper and lower molds respectively, and the resin of the semiconductor chip is fixed while fixing the die pad with these die pad fixing pins. Since the sealing is performed, even if there is a difference in the flow rate of the sealing resin in the molding die due to the difference in the depth of the resin passages above and below the semiconductor chip due to variations in the components, etc. It does not move or is deformed, the quality of the resin-encapsulated semiconductor device can be favorably maintained, and the yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の樹脂封止装置の第1の実施例で、同
図Aはその要部を示す概略平面図であり、同図Bは同図
AのB−B線上における、そして内部に半導体チップを
搭載したリードフレームを納めた状態の一部断面図であ
る。
FIG. 1 is a first embodiment of a resin sealing device of the present invention, FIG. 1A is a schematic plan view showing the main part thereof, and FIG. 1B is on the line BB of FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a state in which a lead frame having a semiconductor chip mounted therein is housed therein.

【図2】この発明の樹脂封止装置の第2の実施例で、同
図Aはその要部を示す概略平面図であり、同図Bは同図
AのB−B線上における、そして内部に半導体チップを
搭載したリードフレームを納めた状態の一部断面図であ
る。
FIG. 2 is a second embodiment of the resin sealing device of the present invention, FIG. 2A is a schematic plan view showing the main part thereof, and FIG. 2B is on the line BB of FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a state in which a lead frame having a semiconductor chip mounted therein is housed therein.

【図3】この発明を説明するための、一般的なQFP型
半導体装置に使用されている現用のリードフレームを示
す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a current lead frame used in a general QFP type semiconductor device for explaining the present invention.

【図4】成形金型で半導体チップを樹脂封止する従来技
術の樹脂封止方法を説明するための図で、同図Aは一部
下金型の成形面を示す平面図、同図Bは同図AのBーB
線上における、そして内部に半導体チップを搭載したリ
ードフレームを納めた状態の樹脂封止装置の一部断面図
である。
4A and 4B are views for explaining a conventional resin sealing method of resin-sealing a semiconductor chip with a molding die. FIG. 4A is a plan view showing a molding surface of a lower die, and FIG. BB of the same figure A
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the resin sealing device on a line and in a state where a lead frame having a semiconductor chip mounted therein is housed therein.

【図5】従来技術のトランスファーモールド方法で樹脂
封止を行った場合に生ずる現象を説明するための断面図
である。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a phenomenon that occurs when resin sealing is performed by a transfer molding method of a conventional technique.

【図6】従来技術の、樹脂注入口を上下両金型に設け
た、そして内部に半導体チップを搭載したリードフレー
ムを納めた状態の樹脂封止装置の一部断面図である。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a conventional resin sealing device in which a resin injection port is provided in both upper and lower molds and a lead frame in which a semiconductor chip is mounted is housed.

【図7】従来技術の他の樹脂封止方法を説明するための
図で、同図Aは一部下金型の成形面を示す平面図、同図
Bは同図AのBーB線上における、そして内部に半導体
チップを搭載したリードフレームを納めた状態の樹脂封
止装置の一部断面図である。
7A and 7B are views for explaining another resin sealing method of the prior art, where FIG. 7A is a plan view showing a molding surface of a lower mold part, and FIG. 7B is a view on line BB in FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the resin encapsulating device in a state in which a lead frame having a semiconductor chip mounted therein is housed therein.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 2 ダイパッド 3 インナーリード 6 吊りリード 6a 折り曲げ部 6b 平坦部 6c 平坦部 8 半導体チップ 20 上金型 20a 成形面 20A 上金型 20B 上金型 23 樹脂注入口 25 ダイパッド固定ピン 30 下金型 30a 成形面 30A 下金型 30B 下金型 31 樹脂注入口 32 ダイパッド固定ピン 1 lead frame 2 die pad 3 inner lead 6 suspension lead 6a bent portion 6b flat portion 6c flat portion 8 semiconductor chip 20 upper die 20a molding surface 20A upper die 20B upper die 23 resin injection port 25 die pad fixing pin 30 lower die 30a Molding surface 30A Lower mold 30B Lower mold 31 Resin injection port 32 Die pad fixing pin

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ダイパッド、インナーリード、アウターリ
ードなどから構成されたリードフレームの、前記ダイパ
ッドに半導体チップを固定し、この半導体チップの各電
極を前記インナーリードの内端部に電気的に接続した
後、このような半導体チップを成形金型を用い、トラン
スファーモールド法で樹脂封止するに際し、前記ダイパ
ッドが成形金型内に流入する溶融樹脂により移動しない
ように、前記成形金型内で前記ダイパッドを固定しなが
ら、溶融樹脂を前記成形金型内に流し込み、前記半導体
チップを樹脂封止することを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の樹脂封止方法。
1. A semiconductor chip is fixed to the die pad of a lead frame composed of a die pad, an inner lead, an outer lead, etc., and each electrode of the semiconductor chip is electrically connected to an inner end portion of the inner lead. After that, when such a semiconductor chip is molded by a transfer molding method using a molding die, the die pad is not moved by the molten resin flowing into the molding die so that the die pad does not move in the molding die. A method for resin encapsulation of a resin-encapsulated semiconductor device, which comprises pouring a molten resin into the molding die while encapsulating the semiconductor chip to encapsulate the semiconductor chip with a resin.
【請求項2】前記ダイパッドは四辺形からなり、このよ
うなダイパッドを前記成形金型内で固定する場合は、前
記四辺形の各角部を押さえることを特徴とする請求項1
に記載の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法。
2. The die pad is a quadrilateral, and when fixing such a die pad in the molding die, each corner of the quadrilateral is pressed down.
7. A method for resin-sealing a resin-sealed semiconductor device according to item 4.
【請求項3】ダイパッド、インナーリード、アウターリ
ードなどから構成されたリードフレームの、前記ダイパ
ッドに半導体チップを固定し、この半導体チップの各電
極を前記インナーリードの内端部に電気的に接続した
後、このような半導体チップをトランスファーモールド
法で樹脂封止する上金型と下金型とからなる樹脂封止型
半導体装置の樹脂封止装置の、前記上下金型の成形面
に、前記ダイパッドが前記両金型内に流入する溶融樹脂
により移動しないように、前記ダイパッドを固定する手
段を形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止装置。
3. A semiconductor chip is fixed to the die pad of a lead frame composed of a die pad, an inner lead, an outer lead, etc., and each electrode of the semiconductor chip is electrically connected to an inner end portion of the inner lead. After that, the die pad is formed on the molding surfaces of the upper and lower molds of the resin molding device of the resin molding type semiconductor device including the upper mold and the lower mold for resin-molding such a semiconductor chip by the transfer molding method. A resin encapsulation device for a resin encapsulation type semiconductor device, wherein means for fixing the die pad is formed so as not to be moved by the molten resin flowing into the two dies.
JP12742892A 1992-05-20 1992-05-20 Method and device for sealing resin-sealed-type semiconductor device Pending JPH05326587A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7049166B2 (en) * 2000-08-17 2006-05-23 Authentec, Inc. Methods and apparatus for making integrated circuit package including opening exposing portion of the IC
CN102756457A (en) * 2011-04-27 2012-10-31 无锡华润安盛科技有限公司 Die for pre-plastic package of sensor chip
WO2023243343A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 ローム株式会社 Semiconductor device

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