JPH05325134A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05325134A JPH05325134A JP13687992A JP13687992A JPH05325134A JP H05325134 A JPH05325134 A JP H05325134A JP 13687992 A JP13687992 A JP 13687992A JP 13687992 A JP13687992 A JP 13687992A JP H05325134 A JPH05325134 A JP H05325134A
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- magnetic layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 最適な磁気特性を保持させた状態で、ウイグ
ルノイズの発生および磁性層の剥離を防止し品質の安定
した薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 基体６上に紫外光、可視光、赤外光の少なく
とも一つの光が透過する絶縁層７を形成し、前記絶縁層
７の上に磁性層８を成膜してなる薄膜磁気ヘッド１３に
おいて、前記基体６と絶縁層７との間に金属膜１４が形
成されていることを特徴とする。
ルノイズの発生および磁性層の剥離を防止し品質の安定
した薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 基体６上に紫外光、可視光、赤外光の少なく
とも一つの光が透過する絶縁層７を形成し、前記絶縁層
７の上に磁性層８を成膜してなる薄膜磁気ヘッド１３に
おいて、前記基体６と絶縁層７との間に金属膜１４が形
成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
記録媒体に対して相対移動しながら情報の記録・再生・
消去等を行う薄膜磁気ヘッドに関する。
記録媒体に対して相対移動しながら情報の記録・再生・
消去等を行う薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、従来の薄膜磁気ヘッド１は、図
４に示すように、セラミックス製の平面形状がほぼ矩形
のスライダ２のトレーリング側端部に、薄膜ヘッド素子
３をそのギャップ４をＡＢＳ面５に開口させるようにし
て設けて形成されている。
４に示すように、セラミックス製の平面形状がほぼ矩形
のスライダ２のトレーリング側端部に、薄膜ヘッド素子
３をそのギャップ４をＡＢＳ面５に開口させるようにし
て設けて形成されている。
【０００３】この薄膜ヘッド素子３は、図５に示すよう
に、ＡｌＴｉＣ系のセラミックス製の基体６の上に、ス
パッタリング法等の薄膜形成法により、絶縁層７、下部
磁性層８、巻線９、上部磁性層１０、保護層１１を順に
積層して形成される。下部磁性層８および上部磁性層１
０を形成する素材はともにパーマロイであり、巻線９の
素材は銅であり、この巻線９が配設されている両磁性層
８，１０の対向部分には樹脂等の絶縁部材１１が充填さ
れている。両磁性層８，１０は一部が連結されていると
ともに、先端部がギャプ４を介して対向しており、巻線
９は前記両磁性層８，１０の連結部を周回するようにし
て形成されている。また、絶縁層７および保護層１１は
Ａｌ2 Ｏ3 等によって形成されている。
に、ＡｌＴｉＣ系のセラミックス製の基体６の上に、ス
パッタリング法等の薄膜形成法により、絶縁層７、下部
磁性層８、巻線９、上部磁性層１０、保護層１１を順に
積層して形成される。下部磁性層８および上部磁性層１
０を形成する素材はともにパーマロイであり、巻線９の
素材は銅であり、この巻線９が配設されている両磁性層
８，１０の対向部分には樹脂等の絶縁部材１１が充填さ
れている。両磁性層８，１０は一部が連結されていると
ともに、先端部がギャプ４を介して対向しており、巻線
９は前記両磁性層８，１０の連結部を周回するようにし
て形成されている。また、絶縁層７および保護層１１は
Ａｌ2 Ｏ3 等によって形成されている。
【０００４】また、前記基体６の素材としては、前述し
たＡｌＴｉＣ系等のセラミックス素材の他に、ガラス、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、各種フェライト、各種セラミッ
クス等の多岐にわたる素材が用いられている。そして、
特に、ＡｌＴｉＣ系等のセラミックス素材を基体６とし
て、この基体６の上に下部磁性層８を成膜する場合に
は、前述したように、基体６の上に直接的に下部磁性層
８を成膜するのでなく、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁
層７を下地膜として基体６の上に設け、この絶縁層７の
上にスパッタリング法等の薄膜形成法によりパーマロイ
等の下部磁性層８を成膜させることが一般的に行われて
いる。
たＡｌＴｉＣ系等のセラミックス素材の他に、ガラス、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、各種フェライト、各種セラミッ
クス等の多岐にわたる素材が用いられている。そして、
特に、ＡｌＴｉＣ系等のセラミックス素材を基体６とし
て、この基体６の上に下部磁性層８を成膜する場合に
は、前述したように、基体６の上に直接的に下部磁性層
８を成膜するのでなく、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁
層７を下地膜として基体６の上に設け、この絶縁層７の
上にスパッタリング法等の薄膜形成法によりパーマロイ
等の下部磁性層８を成膜させることが一般的に行われて
いる。
【０００５】また、従来の薄膜磁気ヘッド１の下部磁性
層８の薄膜形成時には、基体６を約３００℃程度に加温
して行う。これは、薄膜磁気ヘッド１としての磁気特性
を最適化させるためである。
層８の薄膜形成時には、基体６を約３００℃程度に加温
して行う。これは、薄膜磁気ヘッド１としての磁気特性
を最適化させるためである。
【０００６】また、薄膜ヘッド素子３は生産性の向上と
経済的負担の低減とが考慮されて、個別に製されるので
なく、例えば３インチのウエハ状の大きな基体６に、多
数の薄膜ヘッド素子３を同時に形成し、適宜な切断装置
により切り出されている。
経済的負担の低減とが考慮されて、個別に製されるので
なく、例えば３インチのウエハ状の大きな基体６に、多
数の薄膜ヘッド素子３を同時に形成し、適宜な切断装置
により切り出されている。
【０００７】このように形成されている薄膜磁気ヘッド
１においては、記録時には、巻線９に通電することによ
り、前記ギャップ４部分に磁束を発生させて磁気記録媒
体に対して情報の記録を行ない、再生時には、磁気記録
媒体の磁束を巻線９に鎖交させることにより情報の再生
を行なう。
１においては、記録時には、巻線９に通電することによ
り、前記ギャップ４部分に磁束を発生させて磁気記録媒
体に対して情報の記録を行ない、再生時には、磁気記録
媒体の磁束を巻線９に鎖交させることにより情報の再生
を行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たセラミックス素材を基体６として用いた従来の薄膜磁
気ヘッド１においては、スパッタリング法による薄膜形
成時に基体６を約３００℃に加温することにより、薄膜
ヘッド素子２の下部磁性層８に、例えば５００ＭＰａ程
度の大きい応力が生じ、下部磁性層８の剥離および薄膜
ヘッド素子２の変形が発生し、品質が安定しないという
問題点があった。
たセラミックス素材を基体６として用いた従来の薄膜磁
気ヘッド１においては、スパッタリング法による薄膜形
成時に基体６を約３００℃に加温することにより、薄膜
ヘッド素子２の下部磁性層８に、例えば５００ＭＰａ程
度の大きい応力が生じ、下部磁性層８の剥離および薄膜
ヘッド素子２の変形が発生し、品質が安定しないという
問題点があった。
【０００９】また、薄膜ヘッド素子２に働く応力は薄膜
ヘッド素子２の異方性軸方向のばらつきを増加させると
ともに、磁化させたときに逆磁歪効果によって異方性軸
方向のばらつきがより増加し、薄膜磁気ヘッド１とした
場合の出力特性を低下させ、さらにウイグルノイズが発
生して安定した品質が得られないという問題点があっ
た。
ヘッド素子２の異方性軸方向のばらつきを増加させると
ともに、磁化させたときに逆磁歪効果によって異方性軸
方向のばらつきがより増加し、薄膜磁気ヘッド１とした
場合の出力特性を低下させ、さらにウイグルノイズが発
生して安定した品質が得られないという問題点があっ
た。
【００１０】また、絶縁層７として透明なＡｌ2 Ｏ3 等
を用いると、その絶縁層７を通して基体６の熱エネルギ
が輻射によって放出されてしまい、基体６の昇温速度が
小さくなり、薄膜形成に長時間を要するとともに、生産
効率が低下するという問題点があった。
を用いると、その絶縁層７を通して基体６の熱エネルギ
が輻射によって放出されてしまい、基体６の昇温速度が
小さくなり、薄膜形成に長時間を要するとともに、生産
効率が低下するという問題点があった。
【００１１】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、前述した従来のものにおける問題点を克服し、
最適な磁気特性を保持させた状態で、ウイグルノイズの
発生および磁性層の剥離を防止し品質の安定した薄膜磁
気ヘッドを提供することを目的とする。
であり、前述した従来のものにおける問題点を克服し、
最適な磁気特性を保持させた状態で、ウイグルノイズの
発生および磁性層の剥離を防止し品質の安定した薄膜磁
気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため本発明の薄膜磁気ヘッドは、基体上に紫外光、可視
光、赤外光の少なくとも一つの光が透過する絶縁層を形
成し、前記絶縁層の上に磁性層を成膜してなる薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記基体と絶縁層との間に金属膜が形
成されていることを特徴としている。
ため本発明の薄膜磁気ヘッドは、基体上に紫外光、可視
光、赤外光の少なくとも一つの光が透過する絶縁層を形
成し、前記絶縁層の上に磁性層を成膜してなる薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記基体と絶縁層との間に金属膜が形
成されていることを特徴としている。
【００１３】
【作用】前述した構成からなる本発明の薄膜磁気ヘッド
によれば、基体と絶縁層との間に形成した金属膜に熱エ
ネルギの蓄熱と熱の輻射の防止とをさせることができる
ので、スパッタリング法による下部磁性層の薄膜形成時
に基体に付与する温度を低温とした状態で最適の磁気特
性をえることができ、薄膜磁気ヘッドの応力を減少さ
せ、下部磁性層の剥離、ウイグルノイズの発生等の不都
合を確実に除去することができる。
によれば、基体と絶縁層との間に形成した金属膜に熱エ
ネルギの蓄熱と熱の輻射の防止とをさせることができる
ので、スパッタリング法による下部磁性層の薄膜形成時
に基体に付与する温度を低温とした状態で最適の磁気特
性をえることができ、薄膜磁気ヘッドの応力を減少さ
せ、下部磁性層の剥離、ウイグルノイズの発生等の不都
合を確実に除去することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図３につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例
の要部を示し、前述した従来例と同一部分には同一符号
を付してある。
の要部を示し、前述した従来例と同一部分には同一符号
を付してある。
【００１６】本実施例の薄膜磁気ヘッド１３において
は、基体６の絶縁層７側の表面に銅素材からなる金属膜
１４を介在させて形成されており、その他の構成は従来
と同一である。
は、基体６の絶縁層７側の表面に銅素材からなる金属膜
１４を介在させて形成されており、その他の構成は従来
と同一である。
【００１７】更に説明すると、ＡｌＴｉＣ系のセラミッ
クス素材からなるウエハ状の基体６の少なくとも一方の
表面に、鍍金、電着あるいはスパッタリング等の公知の
薄膜形成法により銅素材を厚み０．１μｍ程度の金属光
沢を有する金属膜１４として形成する。その後に、Ａｌ
2 Ｏ3 を素材とした絶縁層７等が従来と同様にして形成
される。
クス素材からなるウエハ状の基体６の少なくとも一方の
表面に、鍍金、電着あるいはスパッタリング等の公知の
薄膜形成法により銅素材を厚み０．１μｍ程度の金属光
沢を有する金属膜１４として形成する。その後に、Ａｌ
2 Ｏ3 を素材とした絶縁層７等が従来と同様にして形成
される。
【００１８】なお、金属膜１４としては、下部磁性層８
の成膜時において、基体６の昇温中に基体６から下部磁
性層８の形成側表面への熱の輻射を防止することがで
き、所定温度へ昇温させた基体６の温度保持特性のよい
金属素材であればよく、例えばＡｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｒ
等の金属素材でもよく、特に、本実施例に限定されるも
のではない。また、金属膜１４の厚さは、少なくとも均
一な金属光沢を有する程度とすることが望ましい。これ
は薄すぎると金属膜１４がポーラスとなり、厚すぎると
絶縁層７との付着性が劣化する等の種々の問題が生じる
からである。
の成膜時において、基体６の昇温中に基体６から下部磁
性層８の形成側表面への熱の輻射を防止することがで
き、所定温度へ昇温させた基体６の温度保持特性のよい
金属素材であればよく、例えばＡｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｒ
等の金属素材でもよく、特に、本実施例に限定されるも
のではない。また、金属膜１４の厚さは、少なくとも均
一な金属光沢を有する程度とすることが望ましい。これ
は薄すぎると金属膜１４がポーラスとなり、厚すぎると
絶縁層７との付着性が劣化する等の種々の問題が生じる
からである。
【００１９】そして、絶縁層７の表面に下部磁性層８を
スパッタリング等の薄膜形成法を用いて、成膜中の基体
６の温度を従来より低温、例えば約２５０℃として成膜
させる。
スパッタリング等の薄膜形成法を用いて、成膜中の基体
６の温度を従来より低温、例えば約２５０℃として成膜
させる。
【００２０】このようにして形成されている本実施例の
薄膜磁気ヘッド１３の作用および各種の特性を図２およ
び図３について説明する。
薄膜磁気ヘッド１３の作用および各種の特性を図２およ
び図３について説明する。
【００２１】まず、前述した構成からなる本実施例の薄
膜磁気ヘッド１３によれば、スパッタリング等の薄膜形
成法により、下部磁性層８を形成する場合において、基
体６の昇温時に金属膜１４は熱エネルギを蓄熱すること
ができるとともに、基体６の下部磁性層８の形成側表面
から輻射される熱エネルギを減少させ、基体６の昇温時
間を短縮させることができる。そして、成膜中の基体６
の温度を従来より低温、例えば２５０℃とした場合にお
いて、絶縁層７の表面に形成される下部磁性層８の初期
成長層に対して金属膜１４側から熱エネルギが間断なく
迅速に供給され、薄膜磁気ヘッド１３に好適な磁気特性
を有する下部磁性層８を成膜させることができる。
膜磁気ヘッド１３によれば、スパッタリング等の薄膜形
成法により、下部磁性層８を形成する場合において、基
体６の昇温時に金属膜１４は熱エネルギを蓄熱すること
ができるとともに、基体６の下部磁性層８の形成側表面
から輻射される熱エネルギを減少させ、基体６の昇温時
間を短縮させることができる。そして、成膜中の基体６
の温度を従来より低温、例えば２５０℃とした場合にお
いて、絶縁層７の表面に形成される下部磁性層８の初期
成長層に対して金属膜１４側から熱エネルギが間断なく
迅速に供給され、薄膜磁気ヘッド１３に好適な磁気特性
を有する下部磁性層８を成膜させることができる。
【００２２】また、基体６の加熱温度を従来（３００
℃）より低温（２５０℃）とすることができるので、薄
膜ヘッド素子３の下部磁性層８に残留する応力を従来
（５００ＭＰａ）の約１／３〜１／２程度に低下させる
ことができる。この下部磁性層８の応力が低下すると、
下部磁性層８の剥離および薄膜ヘッド素子３の変形を防
止することができるとともに、薄膜ヘッド素子３の応力
と逆磁歪効果とに起因する異方性軸方向のばらつきを低
減させ、ウイグルノイズの発生を防止することができ
る。
℃）より低温（２５０℃）とすることができるので、薄
膜ヘッド素子３の下部磁性層８に残留する応力を従来
（５００ＭＰａ）の約１／３〜１／２程度に低下させる
ことができる。この下部磁性層８の応力が低下すると、
下部磁性層８の剥離および薄膜ヘッド素子３の変形を防
止することができるとともに、薄膜ヘッド素子３の応力
と逆磁歪効果とに起因する異方性軸方向のばらつきを低
減させ、ウイグルノイズの発生を防止することができ
る。
【００２３】図２は基体６をＡｌＴｉＣセラミックス素
材、絶縁層７をＡｌ2 Ｏ3 素材としたときの薄膜磁気ヘ
ッド１３の下部磁性層８の磁気特性（磁界と磁束密度と
の関係）を示す磁気ヒステリシス曲線であり、図中実線
は下部磁性層８の製作時の基体６の温度を２５０℃とし
たときの銅素材を用いた金属膜１４を有する本実施例の
薄膜磁気ヘッド１３の下部磁性層８、図中鎖線は比較の
ため本実施例の薄膜磁気ヘッド１３の製作時にウエハ状
の基体６の一部に金属膜１４を形成せずに本実施例と同
一条件で作成した、金属膜１４を有しないダミー薄膜磁
気ヘッド１３ａの下部磁性層８、図中破線は下部磁性層
８の作成時の基体６の温度を摂氏３００度とした金属膜
１４を有しない従来の薄膜磁気ヘッド１の下部磁性層８
を示している。
材、絶縁層７をＡｌ2 Ｏ3 素材としたときの薄膜磁気ヘ
ッド１３の下部磁性層８の磁気特性（磁界と磁束密度と
の関係）を示す磁気ヒステリシス曲線であり、図中実線
は下部磁性層８の製作時の基体６の温度を２５０℃とし
たときの銅素材を用いた金属膜１４を有する本実施例の
薄膜磁気ヘッド１３の下部磁性層８、図中鎖線は比較の
ため本実施例の薄膜磁気ヘッド１３の製作時にウエハ状
の基体６の一部に金属膜１４を形成せずに本実施例と同
一条件で作成した、金属膜１４を有しないダミー薄膜磁
気ヘッド１３ａの下部磁性層８、図中破線は下部磁性層
８の作成時の基体６の温度を摂氏３００度とした金属膜
１４を有しない従来の薄膜磁気ヘッド１の下部磁性層８
を示している。
【００２４】この図２より、金属膜１４を有する本実施
例の薄膜磁気ヘッド１３は、下部磁性層８の成膜時の基
体６の温度を従来より低温とした場合においても、従来
の薄膜磁気ヘッド１と同様の磁気特性を保持できること
が判明した。また、金属膜１４を有しないダミー薄膜磁
気ヘッド１３ａは下部磁性層８の成膜時の基体６の温度
を従来より低温とすると、磁気特性が劣悪になることが
判明した。
例の薄膜磁気ヘッド１３は、下部磁性層８の成膜時の基
体６の温度を従来より低温とした場合においても、従来
の薄膜磁気ヘッド１と同様の磁気特性を保持できること
が判明した。また、金属膜１４を有しないダミー薄膜磁
気ヘッド１３ａは下部磁性層８の成膜時の基体６の温度
を従来より低温とすると、磁気特性が劣悪になることが
判明した。
【００２５】図３は薄膜磁気ヘッドの出力特性を示す線
図であり、（ａ）は本実施例の金属膜１４を有する薄膜
磁気ヘッド１３の出力特性を示す線図であり、（ｂ）は
金属膜１４を有しない従来の薄膜磁気ヘッド１の出力特
性を示す線図である。
図であり、（ａ）は本実施例の金属膜１４を有する薄膜
磁気ヘッド１３の出力特性を示す線図であり、（ｂ）は
金属膜１４を有しない従来の薄膜磁気ヘッド１の出力特
性を示す線図である。
【００２６】図３（ａ）と図３（ｂ）とを比較すると、
図３（ａ）に示すように、金属膜１４を有する本実施例
の薄膜磁気ヘッド１３は、下部磁性層８の作成時の基体
６の温度を従来より低温とした場合においても、ウイグ
ルノイズの発生が皆無（試料２０個中０個）で高品質の
薄膜磁気ヘッドであることが判明した。これに対して図
３（ｂ）に示すように、金属膜１４を有しない従来の薄
膜磁気ヘッド１は、図中矢印で示すようなウイグルノイ
ズが発生する（試料２０個中２個）ことが判明した。ま
た、下部磁性層８の成膜時の基体６の温度を従来より低
温とした金属膜１４を有しないダミー薄膜磁気ヘッド１
３ａにおいては、前記ウイグルノイズが、従来の薄膜磁
気ヘッド１より更に多く（試料２０個中１２個）発生す
る。
図３（ａ）に示すように、金属膜１４を有する本実施例
の薄膜磁気ヘッド１３は、下部磁性層８の作成時の基体
６の温度を従来より低温とした場合においても、ウイグ
ルノイズの発生が皆無（試料２０個中０個）で高品質の
薄膜磁気ヘッドであることが判明した。これに対して図
３（ｂ）に示すように、金属膜１４を有しない従来の薄
膜磁気ヘッド１は、図中矢印で示すようなウイグルノイ
ズが発生する（試料２０個中２個）ことが判明した。ま
た、下部磁性層８の成膜時の基体６の温度を従来より低
温とした金属膜１４を有しないダミー薄膜磁気ヘッド１
３ａにおいては、前記ウイグルノイズが、従来の薄膜磁
気ヘッド１より更に多く（試料２０個中１２個）発生す
る。
【００２７】このように、基体６とＡｌ2 Ｏ3 等の透明
な絶縁層７との間に金属層１４を介在させることによ
り、磁気特性を最適状態に保持した状態で、下部磁性層
８の成膜時の基体６の温度を従来より低温とすることが
できとともに、ウイグルノイズを除去した高品質の磁気
ヘッドを安定して得ることができる。
な絶縁層７との間に金属層１４を介在させることによ
り、磁気特性を最適状態に保持した状態で、下部磁性層
８の成膜時の基体６の温度を従来より低温とすることが
できとともに、ウイグルノイズを除去した高品質の磁気
ヘッドを安定して得ることができる。
【００２８】また、下部磁性層８の成膜時における基体
６の温度を従来より低温とし、さらに、金属膜１４によ
る基体６からの熱エネルギ等の輻射防止効果により、基
体６の昇降温時間を含めた成膜時間を従来に比べて短縮
することができ、生産効率を向上させることができる。
６の温度を従来より低温とし、さらに、金属膜１４によ
る基体６からの熱エネルギ等の輻射防止効果により、基
体６の昇降温時間を含めた成膜時間を従来に比べて短縮
することができ、生産効率を向上させることができる。
【００２９】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、必要に応じて変更することができる。
のではなく、必要に応じて変更することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは構成され作用するものであるから、下部磁性層の
剥離および薄膜ヘッド素子の変形並びにウイグルノイズ
の発生を確実に防止することができるとともに、高品質
で信頼性の優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる等
の極めて優れた効果を奏する。
ッドは構成され作用するものであるから、下部磁性層の
剥離および薄膜ヘッド素子の変形並びにウイグルノイズ
の発生を確実に防止することができるとともに、高品質
で信頼性の優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる等
の極めて優れた効果を奏する。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す要部
の縦断面図
の縦断面図
【図２】磁界と磁束密度との関係の磁気特性を示す磁気
ヒステリシス曲線
ヒステリシス曲線
【図３】ａおよびｂは本発明と従来例とにおける薄膜磁
気ヘッドの出力特性を示す線図
気ヘッドの出力特性を示す線図
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの全体を示す要部の斜視
図
図
【図５】図４の要部の一部拡大断面図
６ 基体 ７ 絶縁層 ８ 下部磁性層 １３ 薄膜磁気ヘッド １４ 金属膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基体上に紫外光、可視光、赤外光の少な
くとも一つの光が透過する絶縁層を形成し、前記絶縁層
の上に磁性層を成膜してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記基体と絶縁層との間に金属膜が形成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13687992A JPH05325134A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13687992A JPH05325134A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325134A true JPH05325134A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15185678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13687992A Withdrawn JPH05325134A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2420002B (en) * | 2004-05-17 | 2008-12-10 | Neomax Co Ltd | Substrate for thin film magnetic head and method for manufacturing same |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13687992A patent/JPH05325134A/ja not_active Withdrawn
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