JPH05323602A - ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法Info
- Publication number
- JPH05323602A JPH05323602A JP4132961A JP13296192A JPH05323602A JP H05323602 A JPH05323602 A JP H05323602A JP 4132961 A JP4132961 A JP 4132961A JP 13296192 A JP13296192 A JP 13296192A JP H05323602 A JPH05323602 A JP H05323602A
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- Japan
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- resist pattern
- parts
- photoresist composition
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い解像度を有し、微細加工用に適したレジ
ストパターンを得ることができ、半導体デバイス製造に
特に有用であるポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂および１，２−キノンジ
アジド化合物を含む組成物に一般式〔Ｉ〕で表される化
合物を配合してなるポジ型ホトレジスト組成物およびこ
れを用いたレジストパターンの製造法。 【化１】
ストパターンを得ることができ、半導体デバイス製造に
特に有用であるポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 【構成】 アルカリ可溶性樹脂および１，２−キノンジ
アジド化合物を含む組成物に一般式〔Ｉ〕で表される化
合物を配合してなるポジ型ホトレジスト組成物およびこ
れを用いたレジストパターンの製造法。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポジ型ホトレジスト組成
物およびこれを用いたレジストパターンの製造法に関
し、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程に用い
られ、高い解像力を有する微細加工用ポジ型ホトレジス
ト組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法
に関するものである。
物およびこれを用いたレジストパターンの製造法に関
し、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程に用い
られ、高い解像力を有する微細加工用ポジ型ホトレジス
ト組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在使用されているポジ型ホトレジスト
組成物は、アルカリ可溶性樹脂と感光剤としてのナフト
キノンジアジド化合物から成っている。例えば、クレゾ
ール−ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂とトリ
ヒドロキシベンゾフェノン−ナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルホン酸エステルを含む例が、特公昭３
７−１８０１５号公報に記載されている。
組成物は、アルカリ可溶性樹脂と感光剤としてのナフト
キノンジアジド化合物から成っている。例えば、クレゾ
ール−ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂とトリ
ヒドロキシベンゾフェノン−ナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルホン酸エステルを含む例が、特公昭３
７−１８０１５号公報に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスは年々
その集積度を高めており、超ＬＳＩの製造においては、
１μｍ以下の線幅のパターンで設計されるようになって
きている。このような微細加工に適したホトレジストが
要望されているが、従来のポジ型ホトレジスト組成物で
は対応できない場合が多い。本発明は、超微細加工に適
し、高い解像力を有する微細加工用のポジ型ホトレジス
ト組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法
を提供するものである。
その集積度を高めており、超ＬＳＩの製造においては、
１μｍ以下の線幅のパターンで設計されるようになって
きている。このような微細加工に適したホトレジストが
要望されているが、従来のポジ型ホトレジスト組成物で
は対応できない場合が多い。本発明は、超微細加工に適
し、高い解像力を有する微細加工用のポジ型ホトレジス
ト組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法
を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ可溶
性樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を含む組成
物に、一般式〔Ｉ〕で表される化合物を配合してなるポ
ジ型ホトレジスト組成物およびこのポジ型ホトレジスト
組成物を基板上に塗布後、露光および現像するレジスト
パターンの製造法に関する。
性樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を含む組成
物に、一般式〔Ｉ〕で表される化合物を配合してなるポ
ジ型ホトレジスト組成物およびこのポジ型ホトレジスト
組成物を基板上に塗布後、露光および現像するレジスト
パターンの製造法に関する。
【化２】 （式中ｎは１〜２５の整数である）
【０００５】本発明に使用されるアルカリ可溶性樹脂
は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、ポリヒドロキシス
チレン、アルカリ可溶性シリコーン樹脂等が挙げられ
る。アルカリ可溶性ノボラック樹脂は公知の化合物であ
り、フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮
合して合成される。フェノール類としては、フェノー
ル、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ
−エチルフェノール、２，５−キシレノール、３，５−
キシレノール、３，４−キシレノール、ｔ−ブチルフェ
ノール、α−ナフトール、β−ナフトール等が単独でま
たは２種以上組み合わせて使用できる。また、アルデヒ
ド類としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド等が単独でまたは２種以上組み合
わせて使用できる。酸触媒としては、シュウ酸、塩酸、
硫酸、酢酸、ギ酸、酢酸亜鉛等があげられる。この合成
は例えば、ｍ−クレゾール２０〜８０モル％、ｐ−クレ
ゾール２０〜８０モル％の混合物と、ホルムアルデヒド
を酸触媒の存在下に、５０〜２００℃で１〜１５時間反
応させた後、１００〜２５０℃まで昇温し、水及び未反
応モノマーを除去して行われる。ポリヒドロキシスチレ
ンおよびアルカリ可溶性シリコーン樹脂も公知の化合物
であり、公知の方法によって製造することができる。
は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、ポリヒドロキシス
チレン、アルカリ可溶性シリコーン樹脂等が挙げられ
る。アルカリ可溶性ノボラック樹脂は公知の化合物であ
り、フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮
合して合成される。フェノール類としては、フェノー
ル、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ
−エチルフェノール、２，５−キシレノール、３，５−
キシレノール、３，４−キシレノール、ｔ−ブチルフェ
ノール、α−ナフトール、β−ナフトール等が単独でま
たは２種以上組み合わせて使用できる。また、アルデヒ
ド類としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド等が単独でまたは２種以上組み合
わせて使用できる。酸触媒としては、シュウ酸、塩酸、
硫酸、酢酸、ギ酸、酢酸亜鉛等があげられる。この合成
は例えば、ｍ−クレゾール２０〜８０モル％、ｐ−クレ
ゾール２０〜８０モル％の混合物と、ホルムアルデヒド
を酸触媒の存在下に、５０〜２００℃で１〜１５時間反
応させた後、１００〜２５０℃まで昇温し、水及び未反
応モノマーを除去して行われる。ポリヒドロキシスチレ
ンおよびアルカリ可溶性シリコーン樹脂も公知の化合物
であり、公知の方法によって製造することができる。
【０００６】本発明に感光性成分として使用される１，
２−キノンジアジド化合物は、例えば１，２−キノンジ
アジドスルホニルハライド類とヒドロキシ基を有する化
合物とを塩基性触媒の存在下で縮合反応させることで得
られる。１，２−キノンジアジドスルホニルハライド類
としては、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スル
ホニルハライド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４
−スルホニルハライド、ベンゾキノンジアジドスルホニ
ルハライド等が使用できる。ここでハライドのハロゲン
原子としては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素
原子があげられる。ヒドロキシル基を有する化合物とし
ては、例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、３，４，４′−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，２′，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４，３′，４′，５′−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェ
ニル）プロパン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ｐ−テルフェニル−２，５，２′，
５′，２″，５″−ヘキソール、４ｂ，５，９ｂ，１０
−テトラヒドロ−２，３，７，８−テトラヒドロキシ−
５，１０−ジメチルインデノ〔２，１−ａ〕インデン、
６−ヒドロキシ−３−（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）−３−メチルクマラノン、トリス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン等があげられる。塩基性触媒として
は、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルア
ミン、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピ
リジン等があげられる。縮合反応では、反応温度は０〜
５０℃、反応時間は１〜１２時間が好ましい。反応溶媒
としては、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケト
ン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、Ｎ−メチ
ルピロリドン等の溶媒が用いられる。溶媒は２種以上を
用いてもよい。縮合反応において、ヒドロキシル基を有
する化合物に対して反応させる１，２−キノンジアジド
スルホニルハライドの量は、ヒドロキシル基を有する化
合物のヒドロキシル基の数によって調整でき、通常はヒ
ドロキシル基１当量に対して１，２−キノンジアジドス
ルホニルハライド類を０．５〜１当量使用する。
２−キノンジアジド化合物は、例えば１，２−キノンジ
アジドスルホニルハライド類とヒドロキシ基を有する化
合物とを塩基性触媒の存在下で縮合反応させることで得
られる。１，２−キノンジアジドスルホニルハライド類
としては、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スル
ホニルハライド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４
−スルホニルハライド、ベンゾキノンジアジドスルホニ
ルハライド等が使用できる。ここでハライドのハロゲン
原子としては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素
原子があげられる。ヒドロキシル基を有する化合物とし
ては、例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、３，４，４′−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，４，２′，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４，３′，４′，５′−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェ
ニル）プロパン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）スルホキシド、ｐ−テルフェニル−２，５，２′，
５′，２″，５″−ヘキソール、４ｂ，５，９ｂ，１０
−テトラヒドロ−２，３，７，８−テトラヒドロキシ−
５，１０−ジメチルインデノ〔２，１−ａ〕インデン、
６−ヒドロキシ−３−（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）−３−メチルクマラノン、トリス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン等があげられる。塩基性触媒として
は、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルア
ミン、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピ
リジン等があげられる。縮合反応では、反応温度は０〜
５０℃、反応時間は１〜１２時間が好ましい。反応溶媒
としては、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケト
ン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、Ｎ−メチ
ルピロリドン等の溶媒が用いられる。溶媒は２種以上を
用いてもよい。縮合反応において、ヒドロキシル基を有
する化合物に対して反応させる１，２−キノンジアジド
スルホニルハライドの量は、ヒドロキシル基を有する化
合物のヒドロキシル基の数によって調整でき、通常はヒ
ドロキシル基１当量に対して１，２−キノンジアジドス
ルホニルハライド類を０．５〜１当量使用する。
【０００７】本発明になるポジ型ホトレジスト組成物に
は、上記の一般式〔Ｉ〕で表される化合物を配合する必
要がある。この化合物は既に公知であり、混合物として
用いることもできる。混合物の場合にはｎの平均値は整
数とならなくてもよい。アルカリ可溶性樹脂と上記の一
般式〔Ｉ〕で表わされる化合物との総量を１００重量部
として、一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物は、好ましく
は０．１〜５重量部、より好ましくは１〜３重量部の範
囲で用いられる。アルカリ可溶性樹脂と一般式〔Ｉ〕で
表される化合物の総量１００重量部に対して１，２−キ
ノンジアジド化合物は好ましくは１０〜１００重量部、
より好ましくは１５〜４０重量部の範囲で用いられる。
は、上記の一般式〔Ｉ〕で表される化合物を配合する必
要がある。この化合物は既に公知であり、混合物として
用いることもできる。混合物の場合にはｎの平均値は整
数とならなくてもよい。アルカリ可溶性樹脂と上記の一
般式〔Ｉ〕で表わされる化合物との総量を１００重量部
として、一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物は、好ましく
は０．１〜５重量部、より好ましくは１〜３重量部の範
囲で用いられる。アルカリ可溶性樹脂と一般式〔Ｉ〕で
表される化合物の総量１００重量部に対して１，２−キ
ノンジアジド化合物は好ましくは１０〜１００重量部、
より好ましくは１５〜４０重量部の範囲で用いられる。
【０００８】本発明になるポジ型ホトレジスト組成物は
一般に溶剤に溶解されて使用されるが、アルカリ可溶性
樹脂と１，２−キノンジアジド化合物とを溶解させる溶
剤としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテート、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル等を用いる
ことができる。一般に、アルカリ可溶性樹脂と１，２−
キノンジアジド化合物の合計１０〜１００重量部を溶剤
１００重量部に溶解する。
一般に溶剤に溶解されて使用されるが、アルカリ可溶性
樹脂と１，２−キノンジアジド化合物とを溶解させる溶
剤としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテート、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル等を用いる
ことができる。一般に、アルカリ可溶性樹脂と１，２−
キノンジアジド化合物の合計１０〜１００重量部を溶剤
１００重量部に溶解する。
【０００９】本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、
必要に応じて染料、界面活性剤等を添加することができ
る。
必要に応じて染料、界面活性剤等を添加することができ
る。
【００１０】上記のポジ型ホトレジスト組成物を公知の
方法でコータ等により、シリコン基板等の基板上に塗布
乾燥後、縮小投影露光装置等を用いて露光し、現像する
ことにより良好なレジストパターンを得ることができ
る。
方法でコータ等により、シリコン基板等の基板上に塗布
乾燥後、縮小投影露光装置等を用いて露光し、現像する
ことにより良好なレジストパターンを得ることができ
る。
【００１１】本発明で用いられる現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド等があげられる。更に上記現像液にア
ルコール類や界面活性剤を添加して使用することもでき
る。
化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド等があげられる。更に上記現像液にア
ルコール類や界面活性剤を添加して使用することもでき
る。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例を説明する。 （Ａ） アルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成 ｍ−クレゾール５５重量部、ｐ−クレゾール３０重量
部、３，５−キシレノール１７重量部、３７重量％ホル
マリン水溶液５２．５重量部及びシュウ酸１．０８重量
部を反応容器に仕込んだ後、撹拌下に反応温度を１００
℃に昇温し、４時間反応させた。反応後１８０℃まで昇
温し、減圧により水及び未反応モノマーを除去した。室
温まで冷却し、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得た。
部、３，５−キシレノール１７重量部、３７重量％ホル
マリン水溶液５２．５重量部及びシュウ酸１．０８重量
部を反応容器に仕込んだ後、撹拌下に反応温度を１００
℃に昇温し、４時間反応させた。反応後１８０℃まで昇
温し、減圧により水及び未反応モノマーを除去した。室
温まで冷却し、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を得た。
【００１３】（Ｂ） 感光剤（１）〜（２）の合成 （１） 感光剤（１）の合成 ４ｂ，５，９ｂ，１０−テトラヒドロ−２，３，７，８
−テトラヒドロキシ−５，１０−ジメチルインデノ
〔２，１−ａ〕インデン１１．４２重量部とナフトキノ
ン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド３６．
００重量部（３．５モル比）を、ジメチルアミノピリジ
ン０．６５４８重量部とともにジオキサン１５０重量
部、アセトン５０重量部の混合溶媒中に仕込み撹拌下に
トリエチルアミン１３．７重量部とジオキサン５０．０
重量部との混合液を徐々に滴下し、４時間反応させた。
反応終了後、内容物を１重量％の塩酸水溶液中に滴下
し、生じた沈殿物を濾別、水洗して、メタノールで洗浄
後乾燥して感光剤（１）を得た。
−テトラヒドロキシ−５，１０−ジメチルインデノ
〔２，１−ａ〕インデン１１．４２重量部とナフトキノ
ン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド３６．
００重量部（３．５モル比）を、ジメチルアミノピリジ
ン０．６５４８重量部とともにジオキサン１５０重量
部、アセトン５０重量部の混合溶媒中に仕込み撹拌下に
トリエチルアミン１３．７重量部とジオキサン５０．０
重量部との混合液を徐々に滴下し、４時間反応させた。
反応終了後、内容物を１重量％の塩酸水溶液中に滴下
し、生じた沈殿物を濾別、水洗して、メタノールで洗浄
後乾燥して感光剤（１）を得た。
【００１４】（２） 感光剤（２）の合成 ６−ヒドロキシ−３−（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）−３−メチルクマラノン１８．２４重量部とナフト
キノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド３
６．００重量部（２．０モル比）を、ジメチルアミノピ
リジン０．６５４８重量部とともにジオキサン１５０重
量部、アセトン５０重量部の混合溶媒中に仕込んだ以外
は感光剤（１）の合成と同様にして感光剤（２）を得
た。
ル）−３−メチルクマラノン１８．２４重量部とナフト
キノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド３
６．００重量部（２．０モル比）を、ジメチルアミノピ
リジン０．６５４８重量部とともにジオキサン１５０重
量部、アセトン５０重量部の混合溶媒中に仕込んだ以外
は感光剤（１）の合成と同様にして感光剤（２）を得
た。
【００１５】実施例１〜４、比較例１、２ 上記で得られたアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重
量部と感光剤（１）または（２）のそれぞれ２０重量部
を、また一般式〔Ｉ〕で表される化合物でｎの平均値が
２．８であるものを表１に示す量として組み合わせてエ
チルセロソルブアセテート２８０重量部に溶解し、レジ
スト液を調合した。これらのレジスト液を０．２μｍの
テフロンフィルタを用いて濾過し、レジスト組成物を調
製した。これらをそれぞれシリコンウエハ上に回転塗布
し、ホットプレートで９０℃で９０秒間ベークして１．
２２μｍのレジスト膜を得た。次いでｉ線縮小投影露光
装置（日立製作所製ｉ線ステッパＬＤ−５０１０ｉ）を
用いて５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行った。次い
でホットプレートで１１０℃で９０秒間後露光ベークを
行った。現像は２．３８重量％のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液を用いて１分間行い、水洗後ホ
ットプレートで１１０℃で５０秒間乾燥した。このよう
にして得られたシリコンウエハ上のレジストパターンを
走査型電子顕微鏡で観察して評価した。その結果を表１
に示す。なお、解像力は線幅１μｍのマスクパターンを
再現する露光量を求め、この露光量でパターンの寸法ど
おりにラインアンドスペースとして解像される最小パタ
ーンサイズを示した。表１から、本発明のポジ型ホトレ
ジスト組成物は高い解像力を有することが示される。
量部と感光剤（１）または（２）のそれぞれ２０重量部
を、また一般式〔Ｉ〕で表される化合物でｎの平均値が
２．８であるものを表１に示す量として組み合わせてエ
チルセロソルブアセテート２８０重量部に溶解し、レジ
スト液を調合した。これらのレジスト液を０．２μｍの
テフロンフィルタを用いて濾過し、レジスト組成物を調
製した。これらをそれぞれシリコンウエハ上に回転塗布
し、ホットプレートで９０℃で９０秒間ベークして１．
２２μｍのレジスト膜を得た。次いでｉ線縮小投影露光
装置（日立製作所製ｉ線ステッパＬＤ−５０１０ｉ）を
用いて５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行った。次い
でホットプレートで１１０℃で９０秒間後露光ベークを
行った。現像は２．３８重量％のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液を用いて１分間行い、水洗後ホ
ットプレートで１１０℃で５０秒間乾燥した。このよう
にして得られたシリコンウエハ上のレジストパターンを
走査型電子顕微鏡で観察して評価した。その結果を表１
に示す。なお、解像力は線幅１μｍのマスクパターンを
再現する露光量を求め、この露光量でパターンの寸法ど
おりにラインアンドスペースとして解像される最小パタ
ーンサイズを示した。表１から、本発明のポジ型ホトレ
ジスト組成物は高い解像力を有することが示される。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明になるポジ型ホトレジスト組成物
は、高い解像力を有し、これにより微細加工用に適した
レジストパターンを得ることができ、半導体デバイス製
造に特に有用である。
は、高い解像力を有し、これにより微細加工用に適した
レジストパターンを得ることができ、半導体デバイス製
造に特に有用である。
Claims (2)
- 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂および１，２−キノ
ンジアジド化合物を含む組成物に、一般式〔Ｉ〕で表さ
れる化合物を配合してなるポジ型ホトレジスト組成物。 【化１】 （式中ｎは１〜２５の整数である） - 【請求項２】 請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成
物を基板上に塗布後、露光および現像するレジストパタ
ーンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4132961A JPH05323602A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4132961A JPH05323602A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323602A true JPH05323602A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=15093551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4132961A Pending JPH05323602A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05323602A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707776A (en) * | 1994-05-12 | 1998-01-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive resin composition sensitive to ultraviolet rays |
| EP0831370A1 (en) * | 1995-01-17 | 1998-03-25 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Positive resist composition |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP4132961A patent/JPH05323602A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707776A (en) * | 1994-05-12 | 1998-01-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive resin composition sensitive to ultraviolet rays |
| EP0831370A1 (en) * | 1995-01-17 | 1998-03-25 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Positive resist composition |
| EP0831370A4 (en) * | 1995-01-17 | 1999-08-18 | Nippon Zeon Co | POSITIVELY WORKING PHOTO PAINT COMPOSITION |
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