JPH05322529A - 表面形状測定装置 - Google Patents
表面形状測定装置Info
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- JPH05322529A JPH05322529A JP12711992A JP12711992A JPH05322529A JP H05322529 A JPH05322529 A JP H05322529A JP 12711992 A JP12711992 A JP 12711992A JP 12711992 A JP12711992 A JP 12711992A JP H05322529 A JPH05322529 A JP H05322529A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 物体の表面形状測定における死角の発生を低
減できるようにする。 【構成】 半導体レーザー９によってレーザー光を発生
し、これをコリメートレンズ１０及びピンホール１２を
経て回転ミラー１４へ入光させ、この回転ミラー１４で
一次元走査されたレーザービームをアクロマートレンズ
２０及び絞り２１を介して被測定物体上へ垂直に投光
し、この投光に対する２つの反射光の各々を平面ミラー
２５，２７及び平面ミラー２６，２８からなる２つの光
学系によりアクロマートレンズ２０へ導き、各反射光を
回転ミラー１４へ合焦させ、その反射光の各々を平面ミ
ラー２９，３１及び平面ミラー３０，３３を経由してＰ
ＳＤ３２，３４に結像させる。
減できるようにする。 【構成】 半導体レーザー９によってレーザー光を発生
し、これをコリメートレンズ１０及びピンホール１２を
経て回転ミラー１４へ入光させ、この回転ミラー１４で
一次元走査されたレーザービームをアクロマートレンズ
２０及び絞り２１を介して被測定物体上へ垂直に投光
し、この投光に対する２つの反射光の各々を平面ミラー
２５，２７及び平面ミラー２６，２８からなる２つの光
学系によりアクロマートレンズ２０へ導き、各反射光を
回転ミラー１４へ合焦させ、その反射光の各々を平面ミ
ラー２９，３１及び平面ミラー３０，３３を経由してＰ
ＳＤ３２，３４に結像させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、物体の表面形状を測定
する技術、特に、非接触で被測定物体の表面変位を測定
するために用いて効果のある技術に関するものである。
する技術、特に、非接触で被測定物体の表面変位を測定
するために用いて効果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】被測定物体の表面形状、例えば表面変位
を測定する装置として、三角測量の原理を応用した表面
変位測定装置がある。
を測定する装置として、三角測量の原理を応用した表面
変位測定装置がある。
【０００３】図２は従来の表面変位測定装置の一例を示
す光学系統図である。
す光学系統図である。
【０００４】レーザー光を発生する半導体レーザー１
（光源）の出射光路上には、レーザービームを作るコリ
メートレンズ２が配設され、このコリメートレンズ２の
出射光路上に合焦レンズ３が配設されている。この合焦
レンズ３の焦点位置に被測定物体４が配設されている。
この場合、被測定物体４の表面と合焦レンズ３との成す
角は直角である。
（光源）の出射光路上には、レーザービームを作るコリ
メートレンズ２が配設され、このコリメートレンズ２の
出射光路上に合焦レンズ３が配設されている。この合焦
レンズ３の焦点位置に被測定物体４が配設されている。
この場合、被測定物体４の表面と合焦レンズ３との成す
角は直角である。
【０００５】合焦レンズ３からの入射光５に対し、角度
θで被測定物体４の表面から反射する反射光６の光路上
には、集光レンズ７が配設され、その焦点位置に位置検
出素子（ＰＳＤ：Position Sensitive Detector 、入射
スポット光の位置に比例したアナログ信号を出力する半
導体光センサ）８が配設されている。
θで被測定物体４の表面から反射する反射光６の光路上
には、集光レンズ７が配設され、その焦点位置に位置検
出素子（ＰＳＤ：Position Sensitive Detector 、入射
スポット光の位置に比例したアナログ信号を出力する半
導体光センサ）８が配設されている。
【０００６】このような構成の表面変位測定装置におい
て表面変位を測定する場合、まず、半導体レーザー１及
びコリメートレンズ２によってレーザービームを生成
し、このレーザービームを被測定物体４の表面に垂直方
向から投光する。この投光ビームに対して生じる反射光
６は、集光レンズ７によって検出素子としての位置検出
素子８に結像される。被測定物体４の厚みに変位が無け
れば、位置検出素子８上の結像点は不動であるが、厚み
に変位がある場合、その変位に応じて結像点が移動す
る。この結像点の移動量Δｘから三角測量の原理で変位
（形状）を測定することができる。
て表面変位を測定する場合、まず、半導体レーザー１及
びコリメートレンズ２によってレーザービームを生成
し、このレーザービームを被測定物体４の表面に垂直方
向から投光する。この投光ビームに対して生じる反射光
６は、集光レンズ７によって検出素子としての位置検出
素子８に結像される。被測定物体４の厚みに変位が無け
れば、位置検出素子８上の結像点は不動であるが、厚み
に変位がある場合、その変位に応じて結像点が移動す
る。この結像点の移動量Δｘから三角測量の原理で変位
（形状）を測定することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、上記のようにレーザービームを用いて三角測量方式
により表面形状を測定する技術は、レーザービームを被
測定物体に対して垂直に投下し、その反射光を斜め方向
から集光して位置検出素子に結像させている。このた
め、被測定物体表面に急峻な凹凸が有る場合、検出素子
とエッジの位置関係が不適当なときに反射光が遮られ、
集光レンズまで反射光が到達しない（すなわち、死角の
発生）ことがあり、測定不能を生じるという問題があ
る。
ば、上記のようにレーザービームを用いて三角測量方式
により表面形状を測定する技術は、レーザービームを被
測定物体に対して垂直に投下し、その反射光を斜め方向
から集光して位置検出素子に結像させている。このた
め、被測定物体表面に急峻な凹凸が有る場合、検出素子
とエッジの位置関係が不適当なときに反射光が遮られ、
集光レンズまで反射光が到達しない（すなわち、死角の
発生）ことがあり、測定不能を生じるという問題があ
る。
【０００８】そこで、本発明の目的は、死角の発生を低
減できるようにする技術を提供することにある。
減できるようにする技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００１１】すなわち、レーザー光を発生する光源と、
該光源からのレーザー光に対し回転に応じた一次元の走
査を行う回転ミラーと、該回転ミラーの反射点を焦点位
置にして前記回転ミラーの反射光を被測定物体上へ垂直
に投光する光学レンズと、個別に光路を形成して前記被
測定物体からの２系統の反射光を前記光学レンズへ導く
光学系と、該光学系及び前記光学レンズを介し更に前記
回転ミラーで反射させて得られた２つの反射光の各々が
個別に入光される２つの検出素子とを設けるようにして
いる。
該光源からのレーザー光に対し回転に応じた一次元の走
査を行う回転ミラーと、該回転ミラーの反射点を焦点位
置にして前記回転ミラーの反射光を被測定物体上へ垂直
に投光する光学レンズと、個別に光路を形成して前記被
測定物体からの２系統の反射光を前記光学レンズへ導く
光学系と、該光学系及び前記光学レンズを介し更に前記
回転ミラーで反射させて得られた２つの反射光の各々が
個別に入光される２つの検出素子とを設けるようにして
いる。
【００１２】
【作用】上記した手段によれば、回転ミラーで一次元走
査したレーザービームを光学レンズを介して垂直方向か
ら被測定物体へ投光し、これによって生じる２つの反射
光の各々を前記光学レンズに個別に導き、さらに前記回
転ミラーへ入光させ、その反射光の各々を検出素子の各
々に結像させる。これにより、一方の検出系が障害物な
どにより遮られても他方の検出系で検出できるので、死
角を生じさせることがない。
査したレーザービームを光学レンズを介して垂直方向か
ら被測定物体へ投光し、これによって生じる２つの反射
光の各々を前記光学レンズに個別に導き、さらに前記回
転ミラーへ入光させ、その反射光の各々を検出素子の各
々に結像させる。これにより、一方の検出系が障害物な
どにより遮られても他方の検出系で検出できるので、死
角を生じさせることがない。
【００１３】
【実施例】図１は本発明による表面形状測定装置の一実
施例を示す斜視図である。
施例を示す斜視図である。
【００１４】レーザー光を発生するレーザー光源として
の半導体レーザー９の出射光路上には、レーザービーム
を作るコリメートレンズ１０が配設され、このコリメー
トレンズ１０の出射光路上に平面ミラー１１が配設され
ている。平面ミラー１１の出射光路上には、平面ミラー
１１からのレーザービームを微小径のピンホール１２を
有し、この光軸に対し４５°の反射鏡面（ただし、平面
ミラー１１からの光に対してはハーフミラーとして機能
する）を有する平面ミラー１３が設置されている。さら
に、平面ミラー１３の出射光路上には、回転ミラー１４
が配設され、その回転に応じて反射光が回転する。
の半導体レーザー９の出射光路上には、レーザービーム
を作るコリメートレンズ１０が配設され、このコリメー
トレンズ１０の出射光路上に平面ミラー１１が配設され
ている。平面ミラー１１の出射光路上には、平面ミラー
１１からのレーザービームを微小径のピンホール１２を
有し、この光軸に対し４５°の反射鏡面（ただし、平面
ミラー１１からの光に対してはハーフミラーとして機能
する）を有する平面ミラー１３が設置されている。さら
に、平面ミラー１３の出射光路上には、回転ミラー１４
が配設され、その回転に応じて反射光が回転する。
【００１５】回転ミラー１４の回転軸の一方には凸レン
ズとしてのプーリ１５が取り付けられ、同一平面上に所
定の距離を隔ててプーリ１６が配設され、プーリ１５と
プーリ１６の間にタイミングベルト１７が架設されてい
る。プーリ１６の回転軸はＤＣ（直流）モータ１８の回
転軸であり、その他端には回転量を検出するエンコーダ
１９が取り付けられている。
ズとしてのプーリ１５が取り付けられ、同一平面上に所
定の距離を隔ててプーリ１６が配設され、プーリ１５と
プーリ１６の間にタイミングベルト１７が架設されてい
る。プーリ１６の回転軸はＤＣ（直流）モータ１８の回
転軸であり、その他端には回転量を検出するエンコーダ
１９が取り付けられている。
【００１６】回転ミラー１４の出射光路上にはアクロマ
ートレンズ２０が配設され、その出射光路上にはスリッ
ト状（開口は回転ミラー１４の走査方向に向けられてい
る）の絞り２１が設けられ、この絞り２１からの投下光
２２が被測定物体４（ターゲット）に照射される。
ートレンズ２０が配設され、その出射光路上にはスリッ
ト状（開口は回転ミラー１４の走査方向に向けられてい
る）の絞り２１が設けられ、この絞り２１からの投下光
２２が被測定物体４（ターゲット）に照射される。
【００１７】投下光２２に対し、その投下光軸の両側に
同角度で２つの反射光２３及び反射光２４が生じる。反
射光２３の光路上には平面ミラー２５が配設され、入射
光を水平方向へ反射させる。また、反射光２４の光路上
には平面ミラー２６が配設され、同様に入射光を水平方
向へ反射させる。さらに、平面ミラー２５の反射光路上
には平面ミラー２７（平面ミラー２５とで第１の光学系
を形成）が配設され、その反射光路上にアクロマートレ
ンズ２０が位置している。同様に、平面ミラー２６の反
射光路上には平面ミラー２８（平面ミラー２６とで第２
の光学系を形成）が配設され、その反射光路上にアクロ
マートレンズ２０が位置している。
同角度で２つの反射光２３及び反射光２４が生じる。反
射光２３の光路上には平面ミラー２５が配設され、入射
光を水平方向へ反射させる。また、反射光２４の光路上
には平面ミラー２６が配設され、同様に入射光を水平方
向へ反射させる。さらに、平面ミラー２５の反射光路上
には平面ミラー２７（平面ミラー２５とで第１の光学系
を形成）が配設され、その反射光路上にアクロマートレ
ンズ２０が位置している。同様に、平面ミラー２６の反
射光路上には平面ミラー２８（平面ミラー２６とで第２
の光学系を形成）が配設され、その反射光路上にアクロ
マートレンズ２０が位置している。
【００１８】平面ミラー２７からの反射光に対する回転
ミラー１４の反射光路上には、平面ミラー２９が配設さ
れ、入射光を直角方向へ反射させる。また、平面ミラー
２８からの反射光に対しては平面ミラー３０が配設さ
れ、同様に入射光を直角方向へ反射させる。平面ミラー
２９の反射光路上には平面ミラー３１が配設され、その
反射光路上に検出素子としてのＰＳＤ３２が配設されて
いる。一方、平面ミラー３０の反射光路上には平面ミラ
ー３３が配設され、その反射光路上に検出素子としての
ＰＳＤ３４が配設されている。さらに、平面ミラー１３
の反射光路上には、フォトトランジスタ３５が配設さ
れ、回転ミラー１４が基準位置に到達（回転）したか否
かを検出する。
ミラー１４の反射光路上には、平面ミラー２９が配設さ
れ、入射光を直角方向へ反射させる。また、平面ミラー
２８からの反射光に対しては平面ミラー３０が配設さ
れ、同様に入射光を直角方向へ反射させる。平面ミラー
２９の反射光路上には平面ミラー３１が配設され、その
反射光路上に検出素子としてのＰＳＤ３２が配設されて
いる。一方、平面ミラー３０の反射光路上には平面ミラ
ー３３が配設され、その反射光路上に検出素子としての
ＰＳＤ３４が配設されている。さらに、平面ミラー１３
の反射光路上には、フォトトランジスタ３５が配設さ
れ、回転ミラー１４が基準位置に到達（回転）したか否
かを検出する。
【００１９】次に、以上の構成による実施例の動作につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２０】半導体レーザー９及びコリメートレンズ１
０によって生成されたレーザービームは、平面ミラー１
１によって水平方向に光路を変えられた後、ピンホール
１２を通り、さらに平面ミラー１３を通過して回転ミラ
ー１４の軸部に入射される。
０によって生成されたレーザービームは、平面ミラー１
１によって水平方向に光路を変えられた後、ピンホール
１２を通り、さらに平面ミラー１３を通過して回転ミラ
ー１４の軸部に入射される。
【００２１】回転ミラー１４はＤＣモータ１８を駆動源
として一定速度で回転しており、回転角度に応じた出射
角度で平面ミラー１３からのレーザービームを反射、す
なわち一次元の走査が行われる。
として一定速度で回転しており、回転角度に応じた出射
角度で平面ミラー１３からのレーザービームを反射、す
なわち一次元の走査が行われる。
【００２２】回転ミラー１４による走査レーザービーム
は、アクロマートレンズ２０に入射され、平行光にされ
た投下光２２が絞り２１を通して被測定物体４に表面に
照射される。例えば、回転ミラー１４が図の反時計方向
へ回転する場合、被測定物体４に対する走査は、図の左
側から右側へ向けて行われる。したがって、投下光２２
の水平移動とともに反射光２３，２４も移動する。
は、アクロマートレンズ２０に入射され、平行光にされ
た投下光２２が絞り２１を通して被測定物体４に表面に
照射される。例えば、回転ミラー１４が図の反時計方向
へ回転する場合、被測定物体４に対する走査は、図の左
側から右側へ向けて行われる。したがって、投下光２２
の水平移動とともに反射光２３，２４も移動する。
【００２３】反射光２３は平面ミラー２５及び平面ミラ
ー２７を順次反射してアクロマートレンズ２０に向かう
光に変えられ、その焦点位置である回転ミラー１４の軸
心部に入光する。このとき、回転ミラー１４からの反射
光は平面ミラー１１からの光と平行（ただし、逆向き）
になって平面ミラー２９へ入光し、この平面ミラー２９
で反射してＰＳＤ３２に結像する。この結像点のＰＳＤ
３２上での変位は、被測定物体４の表面の変位であるの
で、結像点の移動量Δｘから三角測量の原理で変位を測
定することができる。
ー２７を順次反射してアクロマートレンズ２０に向かう
光に変えられ、その焦点位置である回転ミラー１４の軸
心部に入光する。このとき、回転ミラー１４からの反射
光は平面ミラー１１からの光と平行（ただし、逆向き）
になって平面ミラー２９へ入光し、この平面ミラー２９
で反射してＰＳＤ３２に結像する。この結像点のＰＳＤ
３２上での変位は、被測定物体４の表面の変位であるの
で、結像点の移動量Δｘから三角測量の原理で変位を測
定することができる。
【００２４】同様に、反射光２４は平面ミラー２６及び
平面ミラー２８を順次反射してアクロマートレンズ２０
に向かう光に変えられ、その焦点位置である回転ミラー
１４の軸心部に入光する。このとき、回転ミラー１４か
らの反射光は平面ミラー１１からの光と平行（ただし、
逆向き）にされて平面ミラー３３へ入光し、この平面ミ
ラー３３で反射ののちＰＳＤ３４に結像する。そしてＰ
ＳＤ３２の場合と同様に、結像点の移動量Δｘから変位
を測定する。
平面ミラー２８を順次反射してアクロマートレンズ２０
に向かう光に変えられ、その焦点位置である回転ミラー
１４の軸心部に入光する。このとき、回転ミラー１４か
らの反射光は平面ミラー１１からの光と平行（ただし、
逆向き）にされて平面ミラー３３へ入光し、この平面ミ
ラー３３で反射ののちＰＳＤ３４に結像する。そしてＰ
ＳＤ３２の場合と同様に、結像点の移動量Δｘから変位
を測定する。
【００２５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２６】なお、上記実施例においては、レーザー光
源として半導体レーザーを用いるものとしたが、気体レ
ーザー（例えば、Ｈｅ−Ｎｅ）を用いることもできる。
源として半導体レーザーを用いるものとしたが、気体レ
ーザー（例えば、Ｈｅ−Ｎｅ）を用いることもできる。
【００２７】また、平面鏡による回転ミラー１４を用い
るものとしたが、これに代えて多面鏡（ポリゴンミラ
ー）を用いることもできる。
るものとしたが、これに代えて多面鏡（ポリゴンミラ
ー）を用いることもできる。
【００２８】さらに、ＰＳＤ３２，３４に代えてＣＣＤ
（電荷結合素子）を用いることもできる。
（電荷結合素子）を用いることもできる。
【００２９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００３０】すなわち、レーザー光を発生する光源と、
該光源からのレーザー光に対し回転に応じた一次元の走
査を行う回転ミラーと、該回転ミラーの反射点を焦点位
置にして前記回転ミラーの反射光を被測定物体上へ垂直
に投光する光学レンズと、個別に光路を形成して前記被
測定物体からの２系統の反射光を前記光学レンズへ導く
光学系と、該光学系及び前記光学レンズを介し更に前記
回転ミラーで反射させて得られた２つの反射光の各々が
個別に入光される２つの検出素子とを設けるようにした
ので、一方の検出系が障害物などにより遮られても他方
の検出系で検出ができるので、死角を生じさせることが
ない。
該光源からのレーザー光に対し回転に応じた一次元の走
査を行う回転ミラーと、該回転ミラーの反射点を焦点位
置にして前記回転ミラーの反射光を被測定物体上へ垂直
に投光する光学レンズと、個別に光路を形成して前記被
測定物体からの２系統の反射光を前記光学レンズへ導く
光学系と、該光学系及び前記光学レンズを介し更に前記
回転ミラーで反射させて得られた２つの反射光の各々が
個別に入光される２つの検出素子とを設けるようにした
ので、一方の検出系が障害物などにより遮られても他方
の検出系で検出ができるので、死角を生じさせることが
ない。
【図１】本発明による表面形状測定装置の一実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】従来の表面変位測定装置の一例を示す光学系統
図である。
図である。
１，９ 半導体レーザー ２ コリメートレンズ ３ 合焦レンズ ４ 被測定物体 ５ 入射光 ６ 反射光 ７ 集光レンズ ８ 位置検出素子 １０ コリメートレンズ １１，１３ 平面ミラー １２ ピンホール １４ 回転ミラー １５，１６ プーリ １７ タイミングベルト １８ ＤＣモータ １９ エンコーダ ２０ アクロマートレンズ ２１ 絞り ２２ 投下光 ２３，２４ 反射光 ２５，２６，２７，２８，２９ 平面ミラー ３０，３１，３３ 平面ミラー ３２，３４ ＰＳＤ ３５ フォトトランジスタ
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザー光を発生する光源と、該光源か
らのレーザー光に対し回転に応じた一次元の走査を行う
回転ミラーと、該回転ミラーの反射点を焦点位置にして
前記回転ミラーの反射光を被測定物体上へ垂直に投光す
る光学レンズと、個別に光路を形成して前記被測定物体
からの２系統の反射光を前記光学レンズへ導く光学系
と、該光学系及び前記光学レンズを介し更に前記回転ミ
ラーで反射させて得られた２つの反射光の各々が個別に
入光される２つの検出素子とを具備することを特徴とす
る表面形状測定装置。 - 【請求項２】 前記光学レンズは、前記回転ミラーの反
射点を焦点位置とする凸レンズであることを特徴とする
請求項１記載の表面形状測定装置。 - 【請求項３】 前記光学系は、各系統に対し２つの平面
ミラーを組み合わせて構成されることを特徴とする請求
項１記載の表面形状測定装置。 - 【請求項４】 前記光学レンズと前記被測定物体との間
にスリット状の絞りを設けることを特徴とする請求項１
記載の表面形状測定装置。 - 【請求項５】 前記検出素子は、位置検出素子（ＰＳ
Ｄ）であることを特徴とする請求項１記載の表面形状測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12711992A JPH05322529A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 表面形状測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12711992A JPH05322529A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 表面形状測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05322529A true JPH05322529A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14952078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12711992A Pending JPH05322529A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 表面形状測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05322529A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000052417A1 (fr) * | 1999-02-26 | 2000-09-08 | Anritsu Corporation | Appareil et procede de mesure de deplacement |
| CN112525325A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-19 | 华能巢湖发电有限责任公司 | 一种基于光学原理的旋转设备转子轴振动测量系统 |
| US11046616B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-06-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tungsten silicide target and method of manufacturing same |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP12711992A patent/JPH05322529A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000052417A1 (fr) * | 1999-02-26 | 2000-09-08 | Anritsu Corporation | Appareil et procede de mesure de deplacement |
| US6862098B1 (en) | 1999-02-26 | 2005-03-01 | Anritsu Corporation | Apparatus and method for measuring displacement |
| US11046616B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-06-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tungsten silicide target and method of manufacturing same |
| CN112525325A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-19 | 华能巢湖发电有限责任公司 | 一种基于光学原理的旋转设备转子轴振动测量系统 |
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