JPH05315629A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH05315629A JPH05315629A JP4116233A JP11623392A JPH05315629A JP H05315629 A JPH05315629 A JP H05315629A JP 4116233 A JP4116233 A JP 4116233A JP 11623392 A JP11623392 A JP 11623392A JP H05315629 A JPH05315629 A JP H05315629A
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- Japan
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- layer
- electrode
- forming
- grooves
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 凹凸の激しい溝を有するシリコン基板へ、簡
単な方法で小さなコンタクトホールを形成する。 【構成】 太陽電池の多結晶シリコン基板１の受光面側
に、第１の溝Ｇ1 ，Ｇ1…を形成し、これと交差するよ
うに第１の溝Ｇ1 より浅い第２の溝Ｇ2 を形成する。第
１の溝Ｇ1 の側壁と第２の溝Ｇ2 の交点に形成される開
口部に電極を形成する。
単な方法で小さなコンタクトホールを形成する。 【構成】 太陽電池の多結晶シリコン基板１の受光面側
に、第１の溝Ｇ1 ，Ｇ1…を形成し、これと交差するよ
うに第１の溝Ｇ1 より浅い第２の溝Ｇ2 を形成する。第
１の溝Ｇ1 の側壁と第２の溝Ｇ2 の交点に形成される開
口部に電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池の製造方法の
改良に関するもので、特に、半導体基板の加工方法と電
極形成に関わり、太陽電池の高効率化と低価格化に有効
である。
改良に関するもので、特に、半導体基板の加工方法と電
極形成に関わり、太陽電池の高効率化と低価格化に有効
である。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池の高効率化を図るための重要技
術の１つとして、素子表面の処理が挙げられる。この中
でも表面反射率の低減や電極接触面積の低減は、発生電
流（Ｉ S C ）や開放電圧（Ｖo C ）などの増加に直接寄
与する因子であり、特に重要である。
術の１つとして、素子表面の処理が挙げられる。この中
でも表面反射率の低減や電極接触面積の低減は、発生電
流（Ｉ S C ）や開放電圧（Ｖo C ）などの増加に直接寄
与する因子であり、特に重要である。
【０００３】表面反射率の低減に関しては、従来よりア
ルカリ溶液を用いた異方性エッチングにより、表面に微
小なピラミッドを形成する、いわゆるテクスチャ処理が
行なわれてきた。しかしながら、低価格化を前提とした
多結晶キャスト基板においては、テクスチャ処理に有効
な（１００）面をもつ結晶粒の割合が極めて少なく、反
射率の低減に限界があった。そこで、近年開発された処
理方法として、レーザ光の熱エネルギで基板表面へ溝を
形成する方法や、ダイシング装置などで機械的に溝を形
成する方法などが登場した。これらの方法を用いること
により、多結晶基板内の結晶粒の面方位に関係なく、微
小な溝を形成することができ、加工後の反射率の測定お
よび太陽電池の特性結果からも、低反射率化が実現でき
ていることが確認されている。
ルカリ溶液を用いた異方性エッチングにより、表面に微
小なピラミッドを形成する、いわゆるテクスチャ処理が
行なわれてきた。しかしながら、低価格化を前提とした
多結晶キャスト基板においては、テクスチャ処理に有効
な（１００）面をもつ結晶粒の割合が極めて少なく、反
射率の低減に限界があった。そこで、近年開発された処
理方法として、レーザ光の熱エネルギで基板表面へ溝を
形成する方法や、ダイシング装置などで機械的に溝を形
成する方法などが登場した。これらの方法を用いること
により、多結晶基板内の結晶粒の面方位に関係なく、微
小な溝を形成することができ、加工後の反射率の測定お
よび太陽電池の特性結果からも、低反射率化が実現でき
ていることが確認されている。
【０００４】一方、電極接触面積の低減に関しては、使
用している半導体基板の表面が平坦な場合や、高々２０
μｍ程度の凹凸ですむ通常のテクスチャ表面の場合に
は、ＬＳＩ分野で行なわれているフォトエッチング技術
を利用し、受光面上の電極形成部分に、微小なコンタク
トホールを形成することも可能である。
用している半導体基板の表面が平坦な場合や、高々２０
μｍ程度の凹凸ですむ通常のテクスチャ表面の場合に
は、ＬＳＩ分野で行なわれているフォトエッチング技術
を利用し、受光面上の電極形成部分に、微小なコンタク
トホールを形成することも可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のように多結晶キ
ャスト基板を用いた太陽電池の高効率化を図るには、ま
ず表面反射率を低減するため、微小な溝を多数形成する
必要がある。次に、この受光面でのキャリアの再結合を
防止するために、ＳｉＯ2 膜などによるパッシベーショ
ン層を形成する必要がある。次に、このパッシベーショ
ン層の上に反射防止膜を形成した後、これら薄膜層を貫
通するように受光面電極を形成するが、電極形成部分で
はパッシベーション効果がなくなるため、可能な限り半
導体基板との接触面積を低減させることが必要である。
ャスト基板を用いた太陽電池の高効率化を図るには、ま
ず表面反射率を低減するため、微小な溝を多数形成する
必要がある。次に、この受光面でのキャリアの再結合を
防止するために、ＳｉＯ2 膜などによるパッシベーショ
ン層を形成する必要がある。次に、このパッシベーショ
ン層の上に反射防止膜を形成した後、これら薄膜層を貫
通するように受光面電極を形成するが、電極形成部分で
はパッシベーション効果がなくなるため、可能な限り半
導体基板との接触面積を低減させることが必要である。
【０００６】しかしながら、そのために前述のような微
小なコンタクトホールを形成して電極を作る方法は、製
造価格が高くなり、低価格化を前提とした太陽電池プロ
セスでは導入が困難である。特に、上記のような溝加工
を施した多結晶キャスト基板では、表面の凹凸が５０〜
１００μｍもあり、フォトエッチング技術を適用するこ
とが不可能である。
小なコンタクトホールを形成して電極を作る方法は、製
造価格が高くなり、低価格化を前提とした太陽電池プロ
セスでは導入が困難である。特に、上記のような溝加工
を施した多結晶キャスト基板では、表面の凹凸が５０〜
１００μｍもあり、フォトエッチング技術を適用するこ
とが不可能である。
【０００７】本発明の目的は、表面に凹凸の激しい溝を
有する半導体基板へ、プロセスが簡単でかつ低価格なコ
ンタクトホールを形成する有効な方法を得ることにあ
る。
有する半導体基板へ、プロセスが簡単でかつ低価格なコ
ンタクトホールを形成する有効な方法を得ることにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、第１
の導電性を有する一方の面へ第１の溝を形成する工程
と、この面へ第２の導電性を有する層を形成し第１の接
合層を形成する工程と、この第２の導電性の層の表面へ
絶縁部材からなる薄膜層を形成する工程と、この絶縁物
の薄膜層の上から第１の溝より浅くかつ交差する方向に
第２の溝を形成する工程と、この第１の溝の側壁と第２
の溝の交点に形成された点状に並んだ開口部へ第２の導
電性を有する層を形成し第２の接合層を形成する工程
と、この点状に並んだ開口部を介して半導体基板と接触
するように電極形成を行なう工程を設けた。
の導電性を有する一方の面へ第１の溝を形成する工程
と、この面へ第２の導電性を有する層を形成し第１の接
合層を形成する工程と、この第２の導電性の層の表面へ
絶縁部材からなる薄膜層を形成する工程と、この絶縁物
の薄膜層の上から第１の溝より浅くかつ交差する方向に
第２の溝を形成する工程と、この第１の溝の側壁と第２
の溝の交点に形成された点状に並んだ開口部へ第２の導
電性を有する層を形成し第２の接合層を形成する工程
と、この点状に並んだ開口部を介して半導体基板と接触
するように電極形成を行なう工程を設けた。
【０００９】
【作用】半導体基板の表面へ形成した第１の溝は、表面
反射率を低減させるように作用する。一方、第１の溝と
交差するように形成した第２の溝は、凹凸の激しい表面
に電流の取出口となる開口部を形成し、これにより第１
の溝の側壁と第２の溝との交点に形成される電極の接触
部が点状となり、その接触面積は著しく低減される。し
たがって、電極と半導体基板との接触部分におけるキャ
リアの再結合が低減され、この結果、太陽電池の特性
（ＩS C ，Ｖo C ）が改善される。
反射率を低減させるように作用する。一方、第１の溝と
交差するように形成した第２の溝は、凹凸の激しい表面
に電流の取出口となる開口部を形成し、これにより第１
の溝の側壁と第２の溝との交点に形成される電極の接触
部が点状となり、その接触面積は著しく低減される。し
たがって、電極と半導体基板との接触部分におけるキャ
リアの再結合が低減され、この結果、太陽電池の特性
（ＩS C ，Ｖo C ）が改善される。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明のプロセスにおいてシリコン
基板に溝を形成した状態の斜視図である。図２は、図１
のＡ−Ａ′断面に対応する後の工程の処理をした状態の
略断面図である。図３は図１のＢ−Ｂ′断面に対応する
後の工程の処理をした状態の略断面図である。
基板に溝を形成した状態の斜視図である。図２は、図１
のＡ−Ａ′断面に対応する後の工程の処理をした状態の
略断面図である。図３は図１のＢ−Ｂ′断面に対応する
後の工程の処理をした状態の略断面図である。
【００１１】まず、図１に示すように、Ｐ型多結晶キャ
スト基板（１００ｍｍ角，３００μｍ厚さ）のような多
結晶シリコン基板１を用い、まず受光面側へ第１の溝群
Ｇ1，Ｇ1 …の加工を行なう。溝の加工には、ＩＣ等の
チップ切断に用いられるダイシング装置を使用する。加
工条件としては、溝の幅が４０μｍ、深さが７０μｍ、
ピッチが１２０μｍのとき、最も反射率が低くなり、良
好な特性が得られることがわかった。加工の終了した基
板は、洗浄を行なった後、機械的加工により生じた加工
部周辺の破砕層を除去するため、フッ酸（ＨＦ）と硝酸
（ＨＮＯ3 ）の混酸によるエッチングと水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）からなるアルカリ溶液によるエッチング
を施す。
スト基板（１００ｍｍ角，３００μｍ厚さ）のような多
結晶シリコン基板１を用い、まず受光面側へ第１の溝群
Ｇ1，Ｇ1 …の加工を行なう。溝の加工には、ＩＣ等の
チップ切断に用いられるダイシング装置を使用する。加
工条件としては、溝の幅が４０μｍ、深さが７０μｍ、
ピッチが１２０μｍのとき、最も反射率が低くなり、良
好な特性が得られることがわかった。加工の終了した基
板は、洗浄を行なった後、機械的加工により生じた加工
部周辺の破砕層を除去するため、フッ酸（ＨＦ）と硝酸
（ＨＮＯ3 ）の混酸によるエッチングと水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）からなるアルカリ溶液によるエッチング
を施す。
【００１２】次に、図２および３に示されるように、Ｐ
ＯＣｌ3 を用い、リン（Ｐ）を不純物とした熱拡散を行
ない、多結晶シリコン基板１の表面へ第１のＰＮ接合の
ためＮ+ 型拡散層２を形成し、続いて酸素雰囲気中でパ
ッシベーション層となるＳｉＯ2 酸化膜を形成する。次
に、この酸化膜の上へＳｉ3 Ｎ4 からなる第１の絶縁膜
とＳｎＯ2 からなる第２の絶縁膜を順次形成し２層反射
防止膜およびパッシベーション層３とする。
ＯＣｌ3 を用い、リン（Ｐ）を不純物とした熱拡散を行
ない、多結晶シリコン基板１の表面へ第１のＰＮ接合の
ためＮ+ 型拡散層２を形成し、続いて酸素雰囲気中でパ
ッシベーション層となるＳｉＯ2 酸化膜を形成する。次
に、この酸化膜の上へＳｉ3 Ｎ4 からなる第１の絶縁膜
とＳｎＯ2 からなる第２の絶縁膜を順次形成し２層反射
防止膜およびパッシベーション層３とする。
【００１３】次に、裏面の処理に関しては、受光面側を
耐酸性のテープで保護した後、まず上記で形成した２層
反射防止膜およびパッシベーション層３をＨＦを含む水
溶液で除去する。この後ＨＦとＨＮＯ3 からなる混酸で
裏面に残っているＮ+ 拡散層を除去する。次に、Ａｌペ
ーストを印刷・焼成することにより、ＢＳＦ層（Ｐ
+型）４ならびに裏面電極５を形成する。
耐酸性のテープで保護した後、まず上記で形成した２層
反射防止膜およびパッシベーション層３をＨＦを含む水
溶液で除去する。この後ＨＦとＨＮＯ3 からなる混酸で
裏面に残っているＮ+ 拡散層を除去する。次に、Ａｌペ
ーストを印刷・焼成することにより、ＢＳＦ層（Ｐ
+型）４ならびに裏面電極５を形成する。
【００１４】次に、再度受光面側の加工に戻り、上記の
第１の溝にほぼ直交する方向に、第１の溝Ｇ1 より浅い
第２の溝Ｇ2 をダイシング装置により形成する。ここで
第２の溝Ｇ2 の加工条件としては、受光面電極の寸法に
合せ、幅は５０μｍ、ピッチは２．０ｍｍとし、深さは
４０μｍとする。この加工により受光面には第１の溝Ｇ
1 の側壁と第２の溝Ｇ2 との交点の電極形成部分に、１
２０μｍのピッチで点状の開口部が多数形成されること
になる。この第２の溝Ｇ2 の加工により、開口部はＰ型
のシリコン基板面が露出したことになり、このままでは
太陽電池にはならないので、この開口部へ第１のＰＮ接
合のためのＮ+ 型拡散層２より高濃度な、第２のＰＮ接
合のためのＮ+ + 型拡散層６を形成する必要がある。本
実施例では、第２の溝Ｇ2 加工を行なった後、この受光
面側へリン（Ｐ）を含む溶液、たとえばＰＳＧ溶液をス
ピン法などで塗布し、熱処理することで形成する。な
お、この塗布拡散による開口部以外のところに対する影
響については、反射防止膜として形成した絶縁膜が拡散
のマスクとなり問題ないことを確かめている。
第１の溝にほぼ直交する方向に、第１の溝Ｇ1 より浅い
第２の溝Ｇ2 をダイシング装置により形成する。ここで
第２の溝Ｇ2 の加工条件としては、受光面電極の寸法に
合せ、幅は５０μｍ、ピッチは２．０ｍｍとし、深さは
４０μｍとする。この加工により受光面には第１の溝Ｇ
1 の側壁と第２の溝Ｇ2 との交点の電極形成部分に、１
２０μｍのピッチで点状の開口部が多数形成されること
になる。この第２の溝Ｇ2 の加工により、開口部はＰ型
のシリコン基板面が露出したことになり、このままでは
太陽電池にはならないので、この開口部へ第１のＰＮ接
合のためのＮ+ 型拡散層２より高濃度な、第２のＰＮ接
合のためのＮ+ + 型拡散層６を形成する必要がある。本
実施例では、第２の溝Ｇ2 加工を行なった後、この受光
面側へリン（Ｐ）を含む溶液、たとえばＰＳＧ溶液をス
ピン法などで塗布し、熱処理することで形成する。な
お、この塗布拡散による開口部以外のところに対する影
響については、反射防止膜として形成した絶縁膜が拡散
のマスクとなり問題ないことを確かめている。
【００１５】次に、受光面電極７の形成について説明す
る。使用する導体材料はＡｇを含むペーストであり、Ｎ
+ 拡散層２またはＮ+ + 拡散層６に対して良好な電気特
性を有している。このＡｇペーストを第２の溝Ｇ2 部分
に印刷し溝の中へ埋込む。本実施例では、電極幅５０μ
ｍのとき、約３回の重ね印刷で溝に埋込むことができ
た。次に、このペーストを５８０℃で焼成し電極として
完成させた。上記開口部へ埋込まれた形で受光面電極７
が形成される。また、多結晶シリコン基板１とは、前記
開口部のみで接触している。ここで、開口部以外のとこ
ろに印刷されたペーストについては、上記焼成温度では
ＳｎＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 からなる絶縁層がバリアとなり、
多結晶シリコン基板１とは接触しないことが確かめられ
ている。ちなみに、この絶縁層を貫通させるためには、
８５０℃以上の温度が必要である。このようにして形成
された電極は、第１の溝Ｇ1 の側壁と第２の溝Ｇ2 との
交点である開口部のみで多結晶シリコン基板１と点接触
していることになる。受光面電極７は、第１の溝Ｇ1 の
底部へも埋込まれ、これにより点状に多結晶シリコン基
板１と接触している受光面電極７が連結されていること
になる。第１の溝Ｇ1の表面には、絶縁性を有する２層
反射防止膜およびパッシベーション膜３が形成されてい
るので、受光面電極７と多結晶シリコン基板１が電気的
に接触することはない。
る。使用する導体材料はＡｇを含むペーストであり、Ｎ
+ 拡散層２またはＮ+ + 拡散層６に対して良好な電気特
性を有している。このＡｇペーストを第２の溝Ｇ2 部分
に印刷し溝の中へ埋込む。本実施例では、電極幅５０μ
ｍのとき、約３回の重ね印刷で溝に埋込むことができ
た。次に、このペーストを５８０℃で焼成し電極として
完成させた。上記開口部へ埋込まれた形で受光面電極７
が形成される。また、多結晶シリコン基板１とは、前記
開口部のみで接触している。ここで、開口部以外のとこ
ろに印刷されたペーストについては、上記焼成温度では
ＳｎＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 からなる絶縁層がバリアとなり、
多結晶シリコン基板１とは接触しないことが確かめられ
ている。ちなみに、この絶縁層を貫通させるためには、
８５０℃以上の温度が必要である。このようにして形成
された電極は、第１の溝Ｇ1 の側壁と第２の溝Ｇ2 との
交点である開口部のみで多結晶シリコン基板１と点接触
していることになる。受光面電極７は、第１の溝Ｇ1 の
底部へも埋込まれ、これにより点状に多結晶シリコン基
板１と接触している受光面電極７が連結されていること
になる。第１の溝Ｇ1の表面には、絶縁性を有する２層
反射防止膜およびパッシベーション膜３が形成されてい
るので、受光面電極７と多結晶シリコン基板１が電気的
に接触することはない。
【００１６】ここで、第２の溝Ｇ1 は第１の溝Ｇ1 にほ
ぼ直交する方向に形成しているが、これらの溝は直交し
ているとき、第１の溝Ｇ1 の側壁と第２の溝Ｇ2 との交
点の面積、すなわち受光面電極の接触面積が最小となる
ので、電極部分での再結合損失をより低減することがで
きる。
ぼ直交する方向に形成しているが、これらの溝は直交し
ているとき、第１の溝Ｇ1 の側壁と第２の溝Ｇ2 との交
点の面積、すなわち受光面電極の接触面積が最小となる
ので、電極部分での再結合損失をより低減することがで
きる。
【００１７】なお、実施例では多結晶シリコン基板につ
いて説明したが、それ以外のシリコン基板にも応用でき
る。
いて説明したが、それ以外のシリコン基板にも応用でき
る。
【００１８】
【発明の効果】素子受光面側へ多数の第１の溝Ｇ1 を形
成しているので、多結晶基板内で均一で低い反射率が実
現できる。第１の溝Ｇ1 より浅くかつほぼ直交する方向
に第２の溝Ｇ2 を形成することにより、第１の溝Ｇ1 の
側壁と第２の溝Ｇ2 との交点には点状の開口部が形成さ
れ、これが電極とシリコン基板とのコンタクトホールの
役割を果たしている。これにより、受光面電極の接触面
積が大幅に低減され、従来問題であった電極部分でのキ
ャリアの再結合損失が低下する。すなわち、表面パッシ
ベーション効果が向上し、ＩS C 、Ｖo C など素子特性
を改善することができる。
成しているので、多結晶基板内で均一で低い反射率が実
現できる。第１の溝Ｇ1 より浅くかつほぼ直交する方向
に第２の溝Ｇ2 を形成することにより、第１の溝Ｇ1 の
側壁と第２の溝Ｇ2 との交点には点状の開口部が形成さ
れ、これが電極とシリコン基板とのコンタクトホールの
役割を果たしている。これにより、受光面電極の接触面
積が大幅に低減され、従来問題であった電極部分でのキ
ャリアの再結合損失が低下する。すなわち、表面パッシ
ベーション効果が向上し、ＩS C 、Ｖo C など素子特性
を改善することができる。
【００１９】本発明では、このような小さいコンタクト
ホールの形成を、簡単なダイシング加工のみで行なうこ
とができ、太陽電池の製造工程の低価格化が図られる。
ホールの形成を、簡単なダイシング加工のみで行なうこ
とができ、太陽電池の製造工程の低価格化が図られる。
【図１】本発明によるシリコン基板に溝を形成した状態
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面に対応する後の工程の処理
をした状態の略断面図である。
をした状態の略断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ′断面に対応する後の工程の処理
をした状態の略断面図である。
をした状態の略断面図である。
１ 多結晶シリコン基板 ２ Ｎ+ 型拡散層 ３ ２層反射防止膜およびパッシベーション層 ４ ＢＳＦ層 ５ 裏面電極 ６ Ｎ+ + 型拡散層 ７ 受光面電極
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の導電性を有する半導体基板の一方
の面へ第１の溝を形成する工程と、この面へ第２の導電
性を有する層を形成し第１の接合層を形成する工程と、
この第２の導電性を有する層の表面へ絶縁物からなる薄
膜層を形成する工程と、この絶縁物の薄膜層の上から第
１の溝より浅くかつこれと交差する方向に第２の溝を形
成する工程と、この第１の溝の側壁と第２の溝の交点に
形成された点状に並んだ開口部へ第２の導電性を有する
層を形成し第２の接合層を形成する工程と、この点状に
並んだ開口部を介して半導体基板と接触するように電極
形成を行なう工程を有することを特徴とする太陽電池の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04116233A JP3105999B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04116233A JP3105999B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315629A true JPH05315629A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3105999B2 JP3105999B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=14682121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04116233A Expired - Fee Related JP3105999B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3105999B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509353A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | ｐ−ｎ接合半導体素子の埋込み接触電極の形成方法及びこれを用いた光電子半導体素子 |
| WO2009118861A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置およびその製造方法 |
| JP2010519732A (ja) * | 2007-02-15 | 2010-06-03 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 凹凸化された表面を備えた太陽電池 |
| JP2011518439A (ja) * | 2008-04-18 | 2011-06-23 | １３６６ テクノロジーズ インク． | ソーラーセルの拡散層をパターニングする方法及び当該方法によって作成されたソーラーセル |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP04116233A patent/JP3105999B2/ja not_active Expired - Fee Related
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