JPH05304230A - Lcd検査用の接触端子 - Google Patents
Lcd検査用の接触端子Info
- Publication number
- JPH05304230A JPH05304230A JP2665893A JP2665893A JPH05304230A JP H05304230 A JPH05304230 A JP H05304230A JP 2665893 A JP2665893 A JP 2665893A JP 2665893 A JP2665893 A JP 2665893A JP H05304230 A JPH05304230 A JP H05304230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lcd
- terminal
- film
- contact
- contacting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用寿命が長いLCD検査用の接触端子を提
供する。 【構成】 この接触端子は、少なくともLCDと接触す
る部分には、遷移金属のいずれか1種もしくはそれらの
合金、または、遷移金属の窒化物,炭化物,ホウ化物,
ケイ化物の群から選ばれる少なくとも1種の導電性被膜
が形成されている。
供する。 【構成】 この接触端子は、少なくともLCDと接触す
る部分には、遷移金属のいずれか1種もしくはそれらの
合金、または、遷移金属の窒化物,炭化物,ホウ化物,
ケイ化物の群から選ばれる少なくとも1種の導電性被膜
が形成されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はLCD(液晶ディスプレ
ー)の検査用ソケットに組付けられる接触端子に関し、
更に詳しくは、使用寿命が長いLCD検査用の接触端子
に関する。
ー)の検査用ソケットに組付けられる接触端子に関し、
更に詳しくは、使用寿命が長いLCD検査用の接触端子
に関する。
【0002】
【従来の技術】LCDの製品試験においては、検査すべ
きLCDと位置整合した状態で接触端子が組付けられて
いる試験用のLCDソケットの当該接触端子にLCDの
電極を押し当て、LCDに信号電流を流してLCDを動
作させ、そのLCDの動作の正常異常の判定が行われ
る。
きLCDと位置整合した状態で接触端子が組付けられて
いる試験用のLCDソケットの当該接触端子にLCDの
電極を押し当て、LCDに信号電流を流してLCDを動
作させ、そのLCDの動作の正常異常の判定が行われ
る。
【0003】ここで、接触端子としては、基材であるベ
リリウム銅の端面にNi下地めっきとAuめっきをこの
順序で施して成るものが一般に用いられ、また、LCD
に成膜されている電極としては、ITO(Indium Tin O
xide)が一般的である。
リリウム銅の端面にNi下地めっきとAuめっきをこの
順序で施して成るものが一般に用いられ、また、LCD
に成膜されている電極としては、ITO(Indium Tin O
xide)が一般的である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た接触端子の場合、LCDの電極と接触する部分にめっ
きされているAuは高価であると同時に、試験時にLC
Dの電極であるITO膜と反復接触する過程で、軟質の
Auが摩耗してしまい、その使用寿命の短縮が引き起こ
されるという問題がある。
た接触端子の場合、LCDの電極と接触する部分にめっ
きされているAuは高価であると同時に、試験時にLC
Dの電極であるITO膜と反復接触する過程で、軟質の
Auが摩耗してしまい、その使用寿命の短縮が引き起こ
されるという問題がある。
【0005】本発明はLCD検査用の接触端子における
上記した問題を解決し、もって使用寿命が長いLCD検
査用の接触端子の提供を目的とする。
上記した問題を解決し、もって使用寿命が長いLCD検
査用の接触端子の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、少なくともLCDと接触す
る部分には、遷移金属のいずれか1種もしくはそれらの
合金、または、遷移金属の窒化物,炭化物,ホウ化物,
ケイ化物の群から選ばれる少なくとも1種の導電性被膜
が形成されていることを特徴とするLCD検査用の接触
端子が提供される。
ために、本発明においては、少なくともLCDと接触す
る部分には、遷移金属のいずれか1種もしくはそれらの
合金、または、遷移金属の窒化物,炭化物,ホウ化物,
ケイ化物の群から選ばれる少なくとも1種の導電性被膜
が形成されていることを特徴とするLCD検査用の接触
端子が提供される。
【0007】本発明の接触端子は、少なくともLCDの
ITO膜(電極)と接触する端子端面が後述する導電性
被膜で被覆されている。端子本体を構成する材料として
は、端子材料として用いられるものであれば何であって
もよく、例えば、ベリリウム銅を典型例としてあげるこ
とができるが、その他にもニッケルベリリウム合金,ス
ピノーダル合金(CuNiSn),チタン銅合金などを
あげることができる。
ITO膜(電極)と接触する端子端面が後述する導電性
被膜で被覆されている。端子本体を構成する材料として
は、端子材料として用いられるものであれば何であって
もよく、例えば、ベリリウム銅を典型例としてあげるこ
とができるが、その他にもニッケルベリリウム合金,ス
ピノーダル合金(CuNiSn),チタン銅合金などを
あげることができる。
【0008】少なくとも端子端面に形成される導電性被
膜の構成材料としては、例えば、Ru,Rh,Pd,P
t,Ir,Re,Ni,V,Ti,Zr,Hf,Nb,
Ta,Mo,Wなどの遷移金属のいずれか1種、また
は、Pt−Ir合金,Pt−Rh合金,W−Re合金,
Pd−Ni合金のような上記遷移金属の2種以上から成
る合金;TiN,VN,NbN,TaNのような遷移金
属の窒化物;TiC,TaC,ZrC,WCのような遷
移金属の炭化物;TiB2 ,ZrB2 のような遷移金属
のホウ化物;PtSi2 ,TiSi2 ,PdSi2 ,M
oSi2 のような遷移金属のケイ化物などをあげること
ができる。これらは、それぞれ単独で用いてもよいし、
また、これらのうち2種以上を適宜に組合せて用いても
よい。
膜の構成材料としては、例えば、Ru,Rh,Pd,P
t,Ir,Re,Ni,V,Ti,Zr,Hf,Nb,
Ta,Mo,Wなどの遷移金属のいずれか1種、また
は、Pt−Ir合金,Pt−Rh合金,W−Re合金,
Pd−Ni合金のような上記遷移金属の2種以上から成
る合金;TiN,VN,NbN,TaNのような遷移金
属の窒化物;TiC,TaC,ZrC,WCのような遷
移金属の炭化物;TiB2 ,ZrB2 のような遷移金属
のホウ化物;PtSi2 ,TiSi2 ,PdSi2 ,M
oSi2 のような遷移金属のケイ化物などをあげること
ができる。これらは、それぞれ単独で用いてもよいし、
また、これらのうち2種以上を適宜に組合せて用いても
よい。
【0009】遷移金属を単独で用いる場合には、Ru,
Rh,Wが好適であり、とくにRuまたはRhは好適な
材料である。また、上記した遷移金属の窒化物,炭化
物,ホウ化物,ケイ化物のうち、とくに、TiNは好適
な材料である。これらの導電性被膜は、例えば、真空蒸
着法,スパッタ法,イオンプレーティング法,CVD
法,湿式めっき法など常用の成膜技術を適用して端子端
面に形成すればよい。
Rh,Wが好適であり、とくにRuまたはRhは好適な
材料である。また、上記した遷移金属の窒化物,炭化
物,ホウ化物,ケイ化物のうち、とくに、TiNは好適
な材料である。これらの導電性被膜は、例えば、真空蒸
着法,スパッタ法,イオンプレーティング法,CVD
法,湿式めっき法など常用の成膜技術を適用して端子端
面に形成すればよい。
【0010】これら被膜の厚みは、端子を組付けるソケ
ットの使用条件によって適宜に選定される。しかし、膜
厚が50nm未満であると充分に端面を被覆する被膜を
形成することが困難であり、また、膜厚が20μmより
厚くなると、成膜された被膜における残留応力により、
被膜に微細クラックが発生することがあるので、好適な
膜厚は50nm〜20μmに設定する。
ットの使用条件によって適宜に選定される。しかし、膜
厚が50nm未満であると充分に端面を被覆する被膜を
形成することが困難であり、また、膜厚が20μmより
厚くなると、成膜された被膜における残留応力により、
被膜に微細クラックが発生することがあるので、好適な
膜厚は50nm〜20μmに設定する。
【0011】なお、上記被膜は、端子端面に直接形成し
てもよく、また、端面に例えばAuめっきを施し、その
Auめっき層の上に形成してもよい。これらの被膜は、
いずれも導電性であり、かつ硬質である。したがって、
これら被膜が接触部分に成膜されている接触端子は、L
CDのITO膜との反復接触に基づくその端子端面の摩
耗は極めて少なくなる。
てもよく、また、端面に例えばAuめっきを施し、その
Auめっき層の上に形成してもよい。これらの被膜は、
いずれも導電性であり、かつ硬質である。したがって、
これら被膜が接触部分に成膜されている接触端子は、L
CDのITO膜との反復接触に基づくその端子端面の摩
耗は極めて少なくなる。
【0012】
【発明の実施例】実施例1〜10 基材がベリリウム銅から成り、その表面に、表1で示し
たようにNi下地めっき層とAuめっき層が形成されて
いるものまたは形成されていない端子をアセトンで5分
間超音波洗浄したのち、この端子を真空チャンバにセッ
トし、チャンバ内を1×10-3Pa以下までターボ分子
ポンプを用いて真空排気したのち端子を150℃に加熱
した。ついで、ターボ分子ポンプのバルブを半開状態に
して排気コンダクタンスを小さくし、チャンバ内が1×
10-1PaになるまでArガスを導入した。端子に−1
kV程度の電圧を印加し、チャンバ内のRFアンテナか
ら1kWの高周波を発生させて放電し、端子表面を洗浄
した。
たようにNi下地めっき層とAuめっき層が形成されて
いるものまたは形成されていない端子をアセトンで5分
間超音波洗浄したのち、この端子を真空チャンバにセッ
トし、チャンバ内を1×10-3Pa以下までターボ分子
ポンプを用いて真空排気したのち端子を150℃に加熱
した。ついで、ターボ分子ポンプのバルブを半開状態に
して排気コンダクタンスを小さくし、チャンバ内が1×
10-1PaになるまでArガスを導入した。端子に−1
kV程度の電圧を印加し、チャンバ内のRFアンテナか
ら1kWの高周波を発生させて放電し、端子表面を洗浄
した。
【0013】ついで、端子への印加電圧を0V(アー
ス)とし、Arガスの導入を止め、真空ポンプのバルブ
を全開にして、チャンバ内にセットしたルツボから電子
ビーム蒸着法で表1に示した材料を蒸発させ、端子表面
に表示の厚みの被膜を形成し、本発明の接触端子を製造
した。これらの接触端子をLCD検査用の装置に組付け
し、ここにLCDをセットし、LCDの電極(ITO
膜)との初期接触抵抗値を4端子法で測定した。その
後、LCDをわずかに移動させながら反復接触させる試
験を行い、1000回接触後の接触抵抗値を測定した。
ス)とし、Arガスの導入を止め、真空ポンプのバルブ
を全開にして、チャンバ内にセットしたルツボから電子
ビーム蒸着法で表1に示した材料を蒸発させ、端子表面
に表示の厚みの被膜を形成し、本発明の接触端子を製造
した。これらの接触端子をLCD検査用の装置に組付け
し、ここにLCDをセットし、LCDの電極(ITO
膜)との初期接触抵抗値を4端子法で測定した。その
後、LCDをわずかに移動させながら反復接触させる試
験を行い、1000回接触後の接触抵抗値を測定した。
【0014】なお、比較のために、湿式めっき法でNi
下地めっき層(厚み5μm)とAuめっき層(厚み0.5
μm)が順次形成されているだけの従来の接触端子につ
いても同様の試験を行い、その結果も表1に併記した。
下地めっき層(厚み5μm)とAuめっき層(厚み0.5
μm)が順次形成されているだけの従来の接触端子につ
いても同様の試験を行い、その結果も表1に併記した。
【0015】
【表1】
【0016】表1から明らかなように、本発明の接触端
子の接触抵抗値の変動は極めて少なく、使用寿命は長く
なっている。なお、1000回の反復接触後におけるL
CD電極との接触部の状態を目視観察したところ、本発
明の接触端子の被膜は健全であったが、従来のものは接
触面のAuめっき層が摩耗していた。 実施例11〜18 ベリリウム銅の表面に湿式めっき法でNi下地めっき層
(厚み5μm)とAuめっき層(0.5μm)が順次形成
されている端子の端面に、表2で示した方法で表示の厚
みの導電性被膜を形成した。
子の接触抵抗値の変動は極めて少なく、使用寿命は長く
なっている。なお、1000回の反復接触後におけるL
CD電極との接触部の状態を目視観察したところ、本発
明の接触端子の被膜は健全であったが、従来のものは接
触面のAuめっき層が摩耗していた。 実施例11〜18 ベリリウム銅の表面に湿式めっき法でNi下地めっき層
(厚み5μm)とAuめっき層(0.5μm)が順次形成
されている端子の端面に、表2で示した方法で表示の厚
みの導電性被膜を形成した。
【0017】これらの接触端子につき、実施例1〜10
で説明した方法により、LCD電極との初期接触抵抗値
および1000回反復接触後の接触抵抗値を測定した。
以上の結果を表2に示した。
で説明した方法により、LCD電極との初期接触抵抗値
および1000回反復接触後の接触抵抗値を測定した。
以上の結果を表2に示した。
【0018】
【表2】
【0019】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
LCD検査用の接触端子は、長期に亘ってLCD電極と
の接触抵抗が安定しており、その使用寿命は非常に長
い。これは、LCDの電極と接触する部分が前記したよ
うな硬質の導電性被膜で被覆されていることがもたらす
効果である。
LCD検査用の接触端子は、長期に亘ってLCD電極と
の接触抵抗が安定しており、その使用寿命は非常に長
い。これは、LCDの電極と接触する部分が前記したよ
うな硬質の導電性被膜で被覆されていることがもたらす
効果である。
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくともLCDと接触する部分には、
遷移金属のいずれか1種もしくはそれらの合金、また
は、遷移金属の窒化物,炭化物,ホウ化物,ケイ化物の
群から選ばれる少なくとも1種の導電性被膜が形成され
ていることを特徴とするLCD検査用の接触端子。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3481292 | 1992-02-21 | ||
JP3924792 | 1992-02-26 | ||
JP4-39247 | 1992-02-26 | ||
JP4-34812 | 1992-02-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05304230A true JPH05304230A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=26373659
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP910293A Pending JPH05304229A (ja) | 1992-02-21 | 1993-01-22 | Icソケットの端子 |
JP2665893A Pending JPH05304230A (ja) | 1992-02-21 | 1993-02-16 | Lcd検査用の接触端子 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP910293A Pending JPH05304229A (ja) | 1992-02-21 | 1993-01-22 | Icソケットの端子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPH05304229A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6414500B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Test socket for an electronic circuit device having improved contact pins and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07220789A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Icソケット用端子及びその製造方法 |
JP2009088323A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Ulvac Japan Ltd | バリア膜の形成装置およびバリア膜の形成方法 |
JP2010223852A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 電気検査用プローブ及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
JP2011080796A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子のパッケージおよびそのテストソケット |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP910293A patent/JPH05304229A/ja active Pending
- 1993-02-16 JP JP2665893A patent/JPH05304230A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6414500B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Test socket for an electronic circuit device having improved contact pins and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05304229A (ja) | 1993-11-16 |
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