JPH0530351Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0530351Y2 JPH0530351Y2 JP1985043374U JP4337485U JPH0530351Y2 JP H0530351 Y2 JPH0530351 Y2 JP H0530351Y2 JP 1985043374 U JP1985043374 U JP 1985043374U JP 4337485 U JP4337485 U JP 4337485U JP H0530351 Y2 JPH0530351 Y2 JP H0530351Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- gas
- reaction
- vapor phase
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
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- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、半導体ウエハの気相成長装置に関す
るものである。
るものである。
第３図ａ，ｂは従来の気相成長装置の一例を示
し、角型ステンレスチヤンバー１内に設けられた
加熱台２′上のサセプタ（試料台）３′に載置され
て加熱された半導体ウエハ４に、判翁ガス供給管
５より供給された反応ガスにUV
（ULTRAVIOLET）光源ランプ６より照射窓７
を通してある特定の波長の光を照射することによ
り光化学反応させて、これを接触させ気相成長せ
しめ、反応後のガスを排気管８′より排気させて
いた。
し、角型ステンレスチヤンバー１内に設けられた
加熱台２′上のサセプタ（試料台）３′に載置され
て加熱された半導体ウエハ４に、判翁ガス供給管
５より供給された反応ガスにUV
（ULTRAVIOLET）光源ランプ６より照射窓７
を通してある特定の波長の光を照射することによ
り光化学反応させて、これを接触させ気相成長せ
しめ、反応後のガスを排気管８′より排気させて
いた。
上述した従来の気相成長装置は、半導体ウエハ
の処理能力を大にするには、UV光源ランプ６、
照射窓７、サセプタ３′、反応ガス供給管５、排
気管８′といつた反応部の大型化が必要であり、
それに伴い反応ガスの供給管側と排気管側またサ
セプタの中心部と両端部では反応ガスの分圧・流
速にかなりの違いが生じ、したがつて、サセプタ
に載置されているすべての半導体ウエハに反応ガ
スを同一条件に均一に供給することは困難であ
り、その結果半導体ウエハに気相成長した薄膜の
膜厚分布のバラツキが大となる欠点があつた。
の処理能力を大にするには、UV光源ランプ６、
照射窓７、サセプタ３′、反応ガス供給管５、排
気管８′といつた反応部の大型化が必要であり、
それに伴い反応ガスの供給管側と排気管側またサ
セプタの中心部と両端部では反応ガスの分圧・流
速にかなりの違いが生じ、したがつて、サセプタ
に載置されているすべての半導体ウエハに反応ガ
スを同一条件に均一に供給することは困難であ
り、その結果半導体ウエハに気相成長した薄膜の
膜厚分布のバラツキが大となる欠点があつた。
本考案は前記問題点を解消するもので、半導体
ウエハの処理能力を大にしたことによる不都合が
生じないようにした装置を提供するものである。
ウエハの処理能力を大にしたことによる不都合が
生じないようにした装置を提供するものである。
前記目的を達成するため、本考案に係る気相成
長装置は、サセプタと、複数の供給管と、複数の
排気管と、光照射部とを有する気相成長装置であ
つて、 サセプタは、ベルジヤ内に回転可能に設けら
れ、支持面に複数の半導体ウエハを横向きに並べ
て支持するものであり、 複数の供給管は、サセプタの径方向に並列に並
べられ、サセプタの中心部・両端部の各領域ごと
に独立して反応ガスを供給し、サセプタ上に支持
された複数の半導体ウエハの気相成長面に平行に
帯状の反応ガスを流すものであり、 複数の排気管は、各供給管に対応してサセプタ
の径方向に並列に並べられ、半導体ウエハの気相
成長面上での反応後のガスをサセプタの中心部・
両端部の各領域ごとに独立して排気するものであ
り、 光照射部は、半導体ウエハの気相成長面に接触
する反応ガスに特定波長の光を照射し、光化学反
応させて気相成長させるものである。
長装置は、サセプタと、複数の供給管と、複数の
排気管と、光照射部とを有する気相成長装置であ
つて、 サセプタは、ベルジヤ内に回転可能に設けら
れ、支持面に複数の半導体ウエハを横向きに並べ
て支持するものであり、 複数の供給管は、サセプタの径方向に並列に並
べられ、サセプタの中心部・両端部の各領域ごと
に独立して反応ガスを供給し、サセプタ上に支持
された複数の半導体ウエハの気相成長面に平行に
帯状の反応ガスを流すものであり、 複数の排気管は、各供給管に対応してサセプタ
の径方向に並列に並べられ、半導体ウエハの気相
成長面上での反応後のガスをサセプタの中心部・
両端部の各領域ごとに独立して排気するものであ
り、 光照射部は、半導体ウエハの気相成長面に接触
する反応ガスに特定波長の光を照射し、光化学反
応させて気相成長させるものである。
次に本考案について図面を参照して説明する。
第１図は本考案の一実施例の縦断面図であり、第
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図である。図におい
て、ステンレス鋼製ベルジヤ１内に設けられた加
熱台２上に円板形のサセプタ（試料台）３を着脱
自在でかつ回転可能に載置し、サセプタ３の中心
部・両端部上の半導体ウエハ４の各領域ごとに独
立した反応ガスを淀みなく均一に供給する供給管
５．…を備えると共に、反応後のガスを各領域そ
れぞれ独立して排気する排気管８を備えたもので
ある。
第１図は本考案の一実施例の縦断面図であり、第
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図である。図におい
て、ステンレス鋼製ベルジヤ１内に設けられた加
熱台２上に円板形のサセプタ（試料台）３を着脱
自在でかつ回転可能に載置し、サセプタ３の中心
部・両端部上の半導体ウエハ４の各領域ごとに独
立した反応ガスを淀みなく均一に供給する供給管
５．…を備えると共に、反応後のガスを各領域そ
れぞれ独立して排気する排気管８を備えたもので
ある。
サセプタ３は、支持面に複数の半導体ウエハ４
を横向きに並べて支持している。
を横向きに並べて支持している。
また、複数の供給管５と排気管８とは、サセプ
タ３を挟んで対向して設けられている。複数の供
給管５は、サセプタ３の径方向に並列に並べら
れ、サセプタ３の中心部・両端部の各領域ごとに
独立して反応ガスを供給し、サセプタ３上に支持
された複数のウエハ４の気相成長面に平行に帯状
の反応ガスを流すようになつている。また、複数
の排気管８は、各供給管５に対応してサセプタ３
の径方向に並列に並べられている。
タ３を挟んで対向して設けられている。複数の供
給管５は、サセプタ３の径方向に並列に並べら
れ、サセプタ３の中心部・両端部の各領域ごとに
独立して反応ガスを供給し、サセプタ３上に支持
された複数のウエハ４の気相成長面に平行に帯状
の反応ガスを流すようになつている。また、複数
の排気管８は、各供給管５に対応してサセプタ３
の径方向に並列に並べられている。
光照射部としてのUV光源ランプ６は、照射窓
７を通して特定の波長の光をウエハ４に接触する
反応ガスに照射し、光化学反応させて気相成長を
行わせるものである。
７を通して特定の波長の光をウエハ４に接触する
反応ガスに照射し、光化学反応させて気相成長を
行わせるものである。
実施例において、気相成長中、複数の供給管５
から反応ガスが供給され、帯状のガス流がサセプ
タ３上の複数のウエハ４の気相成長面に平行に接
触し、UV光源ランプ６の光照射の下に気相成長
が行われる。本考案では、サセプタ３を回転させ
ることにより、帯状ガス流に対する複数のウエハ
４の位置を変更させつつウエハ４にガス流を平行
に接触させるため、サセプタ３に載置されている
すべての半導体ウエハ４に反応ガスが同一条件に
供給される。また反応ガス供給管５をサセプタ３
の中心部・両端部の各領域に分けてそれぞれ単独
に流量制御し反応ガスを供給し、反応後のガスを
各領域ごとにそれぞれ排気するため、反応ガス供
給管と排気管の間に生じる反応ガスの淀み・乱流
は防止され、半導体ウエハに反応ガスが均一に供
給される。したがつてサセプタに載置されている
すべての半導体ウエハに気相成長する薄膜の膜厚
分布のバラツキが小になる。尚、気相成長は従来
と同じ方法により行う。
から反応ガスが供給され、帯状のガス流がサセプ
タ３上の複数のウエハ４の気相成長面に平行に接
触し、UV光源ランプ６の光照射の下に気相成長
が行われる。本考案では、サセプタ３を回転させ
ることにより、帯状ガス流に対する複数のウエハ
４の位置を変更させつつウエハ４にガス流を平行
に接触させるため、サセプタ３に載置されている
すべての半導体ウエハ４に反応ガスが同一条件に
供給される。また反応ガス供給管５をサセプタ３
の中心部・両端部の各領域に分けてそれぞれ単独
に流量制御し反応ガスを供給し、反応後のガスを
各領域ごとにそれぞれ排気するため、反応ガス供
給管と排気管の間に生じる反応ガスの淀み・乱流
は防止され、半導体ウエハに反応ガスが均一に供
給される。したがつてサセプタに載置されている
すべての半導体ウエハに気相成長する薄膜の膜厚
分布のバラツキが小になる。尚、気相成長は従来
と同じ方法により行う。
以上説明したように本考案は、サセプタを着脱
自在でかつ回転可能な円板形として気相成長中サ
セプタを回転させることにより、サセプタに載置
されているすべての半導体ウエハに反応ガスを同
一条件に供給することができるばかりでなく、反
応ガス供給管をサセプタの中心部・両端部の各領
域に分けてそれぞれ単独に流量制御し反応ガスを
供給して、反応後のガスを各領域それぞれ排気す
ることにより、反応部の大型化により問題化する
反応ガス供給管と排気管の間に生じる反応ガスの
淀み・乱流を防止して、半導体ウエハに反応ガス
を均一に供給することができ、したがつて、サセ
プタに載置されているすべての半導体ウエハに気
相成長する薄膜の膜厚分布のバラツキを小にし半
導体ウエハの処理能力を大にする効果がある。
自在でかつ回転可能な円板形として気相成長中サ
セプタを回転させることにより、サセプタに載置
されているすべての半導体ウエハに反応ガスを同
一条件に供給することができるばかりでなく、反
応ガス供給管をサセプタの中心部・両端部の各領
域に分けてそれぞれ単独に流量制御し反応ガスを
供給して、反応後のガスを各領域それぞれ排気す
ることにより、反応部の大型化により問題化する
反応ガス供給管と排気管の間に生じる反応ガスの
淀み・乱流を防止して、半導体ウエハに反応ガス
を均一に供給することができ、したがつて、サセ
プタに載置されているすべての半導体ウエハに気
相成長する薄膜の膜厚分布のバラツキを小にし半
導体ウエハの処理能力を大にする効果がある。
第１図は本考案の気相成長装置の縦断面図、第
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図ａは従来
の気相成長装置の縦断面図、第３図ｂは第３図ａ
のＢ−Ｂ線断面図である。 １……ステンレス鋼製ベルジヤ、２……加熱
台、３……サセプタ、４……半導体ウエハ、５…
…反応ガス供給管、６……UV光源ランプ、７…
…照射窓、８……排気管。
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図ａは従来
の気相成長装置の縦断面図、第３図ｂは第３図ａ
のＢ−Ｂ線断面図である。 １……ステンレス鋼製ベルジヤ、２……加熱
台、３……サセプタ、４……半導体ウエハ、５…
…反応ガス供給管、６……UV光源ランプ、７…
…照射窓、８……排気管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 サセプタと、複数の供給管と、複数の排気管
と、光照射部とを有する気相成長装置であつて、 サセプタは、ベルジヤ内に回転可能に設けら
れ、支持面に複数の半導体ウエハを横向きに並べ
て支持するものであり、 複数の供給管は、サセプタの径方向に並列に並
べられ、サセプタの中心部・両端部の各領域ごと
に独立して反応ガスを供給し、サセプタ上に支持
された複数の半導体ウエハの気相成長面に平行に
帯状の反応ガスを流すものであり、 複数の排気管は、各供給管に対応してサセプタ
の径方向に並列に並べられ、半導体ウエハの気相
成長面上での反応後のガスをサセプタの中心部・
両端部の各領域ごとに独立して排気するものであ
り、 光照射部は、半導体ウエハの気相成長面に接触
する反応ガスに特定波長の光を照射し、光化学反
応させて気相成長させるものであることを特徴と
する気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985043374U JPH0530351Y2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985043374U JPH0530351Y2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61158947U JPS61158947U (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0530351Y2 true JPH0530351Y2 (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=30554984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985043374U Expired - Lifetime JPH0530351Y2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0530351Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733518B2 (ja) * | 1989-04-29 | 1998-03-30 | 豊田合成株式会社 | 化合物半導体膜の気相成長装置 |
| DE69229870T2 (de) * | 1991-09-27 | 2000-05-04 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Vorrichtung zum einführen von gas, sowie gerät und verfahren zum epitaxialen wachstum. |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121650A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-18 | Pioneer Electronic Corp | Cvd device |
| JPS5678497A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-27 | Fujitsu Ltd | Vapor growth apparatus |
| JPS56137639A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Decompression vapor growth device |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP1985043374U patent/JPH0530351Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121650A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-18 | Pioneer Electronic Corp | Cvd device |
| JPS5678497A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-27 | Fujitsu Ltd | Vapor growth apparatus |
| JPS56137639A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Decompression vapor growth device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61158947U (ja) | 1986-10-02 |
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