JPH05303209A - リソグラフィ工程 - Google Patents
リソグラフィ工程Info
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- JPH05303209A JPH05303209A JP4233083A JP23308392A JPH05303209A JP H05303209 A JPH05303209 A JP H05303209A JP 4233083 A JP4233083 A JP 4233083A JP 23308392 A JP23308392 A JP 23308392A JP H05303209 A JPH05303209 A JP H05303209A
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- surfactant
- pattern
- light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、異なる寸法、形状を持った超微細
レジストパターンを設計通りに形成することが可能であ
り、特に0.2μm程度以下の超微細パターン及び0.
15μm以下の超微細パターンが混在するランダムパタ
ーンまで形成可能なリソグラフィ工程を提供することを
目的とする。更に本発明は、フォーカスマージンの大き
なリソグラフィ工程を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、異なる寸法または異なる形状を有
するレジストパターンを形成するに際し、変形照明法に
よりレジストを所定のパターンに露光し、形成されたレ
ジスト層の溶解除去すべきレジスト領域に関して、前記
レジスト層表面における溶解除去面積の小さい溶解除去
すべきレジスト領域のレジストの溶解を増大させる能力
を有する界面活性剤を含むリソグラフィ用現像液を前記
レジストパターンの形成の少なくとも一部に用いること
を特徴とする。
レジストパターンを設計通りに形成することが可能であ
り、特に0.2μm程度以下の超微細パターン及び0.
15μm以下の超微細パターンが混在するランダムパタ
ーンまで形成可能なリソグラフィ工程を提供することを
目的とする。更に本発明は、フォーカスマージンの大き
なリソグラフィ工程を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、異なる寸法または異なる形状を有
するレジストパターンを形成するに際し、変形照明法に
よりレジストを所定のパターンに露光し、形成されたレ
ジスト層の溶解除去すべきレジスト領域に関して、前記
レジスト層表面における溶解除去面積の小さい溶解除去
すべきレジスト領域のレジストの溶解を増大させる能力
を有する界面活性剤を含むリソグラフィ用現像液を前記
レジストパターンの形成の少なくとも一部に用いること
を特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィ工程に係
わり、特に超高密度集積化プロセスに適したリソグラフ
ィ工程に関する。
わり、特に超高密度集積化プロセスに適したリソグラフ
ィ工程に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の高集積化は益々進み、0.
2〜0.3μmLSIの検討もなされつつある。これに
伴いリソグラフィ工程では、プロセス余裕を持ったレジ
スト微細パターンの形成が必要となってきた。そのため
に、パターン形成には高解像度を有するフォトレジスト
が使用される。これらレジストはポジ型もしくはネガ型
であり、通常アルカリ性の現像液、例えばテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド(以降TMAHと略称
する)の2.38wt%水溶液によりパターン形成が行
われている。
2〜0.3μmLSIの検討もなされつつある。これに
伴いリソグラフィ工程では、プロセス余裕を持ったレジ
スト微細パターンの形成が必要となってきた。そのため
に、パターン形成には高解像度を有するフォトレジスト
が使用される。これらレジストはポジ型もしくはネガ型
であり、通常アルカリ性の現像液、例えばテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド(以降TMAHと略称
する)の2.38wt%水溶液によりパターン形成が行
われている。
【0003】レジスト材料の高分解能化に伴い、レジス
ト露光部と非露光部の溶解速度の比、即ちそのレジスト
の現像液に対する選択比が向上してきた様子を図26に
示す。図26には、種々の解像度を有すレジストに対
し、露光部と非露光部の溶解速度の選択比がTMAH濃
度の関数として示されている。図において、ポジ型フォ
トレジストAの解像力は1.2μm、ポジ型フォトレジ
ストBは0.8μm、そして、ポジ型フォトレジストC
は0.6μmである。図が示すように、レジストの解像
力性能の向上にともない、レジストの持つ選択比が指数
関数的に増加していることがわかる。つまり、高解像度
のレジストを実現することはその露光部と非露光部の選
択比を向上することに等しいことがわかる。
ト露光部と非露光部の溶解速度の比、即ちそのレジスト
の現像液に対する選択比が向上してきた様子を図26に
示す。図26には、種々の解像度を有すレジストに対
し、露光部と非露光部の溶解速度の選択比がTMAH濃
度の関数として示されている。図において、ポジ型フォ
トレジストAの解像力は1.2μm、ポジ型フォトレジ
ストBは0.8μm、そして、ポジ型フォトレジストC
は0.6μmである。図が示すように、レジストの解像
力性能の向上にともない、レジストの持つ選択比が指数
関数的に増加していることがわかる。つまり、高解像度
のレジストを実現することはその露光部と非露光部の選
択比を向上することに等しいことがわかる。
【0004】現像能力を向上させるため、現像液の濃度
を増加することも試みられているが、この場合レジスト
の露光部と非露光部の選択比の低下につながり、レジス
トの解像力性能を劣化させてしまう。
を増加することも試みられているが、この場合レジスト
の露光部と非露光部の選択比の低下につながり、レジス
トの解像力性能を劣化させてしまう。
【0005】また、図27に従来型の界面活性剤無添加
の現像液により形成された0.55μmラインアンドス
ペースのレジストパターンを示す。露光は、開口数が
0.43のレンズを持つg線縮小投影露光装置で行っ
た。現像液のレジスト表面でのぬれ性が悪いため、現像
後のレジストパターンの裾引き・残渣物2401の発生
が認められる。これらの現象を抑えるために、一部に界
面活性剤添加の現像液が使用された。しかしながら、こ
れまでの界面活性剤添加現像液では、下地基板の種類に
よってはこのレジスト残渣物の発生を抑えることができ
ず、逆に界面活性剤の種類によっては、添加によりレジ
ストの感度を低下させたり、露光余裕を低下させてい
た。
の現像液により形成された0.55μmラインアンドス
ペースのレジストパターンを示す。露光は、開口数が
0.43のレンズを持つg線縮小投影露光装置で行っ
た。現像液のレジスト表面でのぬれ性が悪いため、現像
後のレジストパターンの裾引き・残渣物2401の発生
が認められる。これらの現象を抑えるために、一部に界
面活性剤添加の現像液が使用された。しかしながら、こ
れまでの界面活性剤添加現像液では、下地基板の種類に
よってはこのレジスト残渣物の発生を抑えることができ
ず、逆に界面活性剤の種類によっては、添加によりレジ
ストの感度を低下させたり、露光余裕を低下させてい
た。
【0006】図28に従来型の界面活性剤無添加の現像
液にシリコンウェハを60秒間浸漬した後の表面の平坦
性を中心線平均粗さ(JIS規格B0601)を用いて
示す。現像液に浸漬しないウェハ(リファレンス)に比
べ、現像液に浸漬したウェハは、60秒間という短時間
現像液に触れるだけでその表面が非常に荒れることがわ
かる。またこのような表面状態のまま半導体素子を作製
するとその電気的特性は著しく劣化する。この荒れた表
面を用いてMOSトランジスタを作製し、チャネル移動
度を調べたデータを図29に示す。現像液に触れ表面荒
れを起こした場合、チャネル移動度はリファレンス値に
対して極端に悪化している。
液にシリコンウェハを60秒間浸漬した後の表面の平坦
性を中心線平均粗さ(JIS規格B0601)を用いて
示す。現像液に浸漬しないウェハ(リファレンス)に比
べ、現像液に浸漬したウェハは、60秒間という短時間
現像液に触れるだけでその表面が非常に荒れることがわ
かる。またこのような表面状態のまま半導体素子を作製
するとその電気的特性は著しく劣化する。この荒れた表
面を用いてMOSトランジスタを作製し、チャネル移動
度を調べたデータを図29に示す。現像液に触れ表面荒
れを起こした場合、チャネル移動度はリファレンス値に
対して極端に悪化している。
【0007】また、現像液にある界面活性剤を添加した
場合、シリコンの表面荒れは抑えられるが、界面活性剤
がシリコン上に吸着する。図30に、X線光電子分光法
(XPS)により炭素の1sピークを観測したデータを
示す。界面活性剤添加の現像液に60秒さらされたシリ
コン表面からのデータには、界面活性剤の存在を示すピ
ーク2701がみられた。界面活性剤添加現像液を用い
ると、下地基板に界面活性剤が吸着し通常の洗浄工程で
は、除去されないことがわかった。界面活性剤が基板表
面に吸着すると、カーボン汚染となりその後の各種薄膜
形成に膜質の低下をもたらした。また、シリコン表面に
吸着しない界面活性剤を選択すると、シリコンの表面荒
れが発生した。
場合、シリコンの表面荒れは抑えられるが、界面活性剤
がシリコン上に吸着する。図30に、X線光電子分光法
(XPS)により炭素の1sピークを観測したデータを
示す。界面活性剤添加の現像液に60秒さらされたシリ
コン表面からのデータには、界面活性剤の存在を示すピ
ーク2701がみられた。界面活性剤添加現像液を用い
ると、下地基板に界面活性剤が吸着し通常の洗浄工程で
は、除去されないことがわかった。界面活性剤が基板表
面に吸着すると、カーボン汚染となりその後の各種薄膜
形成に膜質の低下をもたらした。また、シリコン表面に
吸着しない界面活性剤を選択すると、シリコンの表面荒
れが発生した。
【0008】0.6μmまでの解像力(ライン/スペー
スパターンをマスク忠実性を示し形成できる)を持つレ
ジストを用いて、ホールパターンを形成するとそのレジ
ストの能力を発揮できないのが現状である。図31に従
来型の現像液を用いた場合のホールパターンの断面写真
を示す。0.8μmサイズのホールパターンが形成され
る露光条件(220mJ/cm2 )では、0.7μm、
0.6μmパターンはアンダー露光条件である。0.7
μmパターンが形成される露光条件(280mJ/cm
2)では、0.8μmパターンはオーバー露光条件、
0.6μmパターンはアンダー露光条件となる。つま
り、それ自身露光面積の小さいパターン(例えばホール
パターン)においては、現像液のぬれ性が悪くパターン
に浸透しないため、レジスト性能を十分発揮できなかっ
た。
スパターンをマスク忠実性を示し形成できる)を持つレ
ジストを用いて、ホールパターンを形成するとそのレジ
ストの能力を発揮できないのが現状である。図31に従
来型の現像液を用いた場合のホールパターンの断面写真
を示す。0.8μmサイズのホールパターンが形成され
る露光条件(220mJ/cm2 )では、0.7μm、
0.6μmパターンはアンダー露光条件である。0.7
μmパターンが形成される露光条件(280mJ/cm
2)では、0.8μmパターンはオーバー露光条件、
0.6μmパターンはアンダー露光条件となる。つま
り、それ自身露光面積の小さいパターン(例えばホール
パターン)においては、現像液のぬれ性が悪くパターン
に浸透しないため、レジスト性能を十分発揮できなかっ
た。
【0009】現像液のぬれ性を向上させるために、界面
活性剤を添加した現像液が使われている。図32に、現
像液の界面活性剤添加濃度とホールパターン形成の露光
閾値エネルギの関係を示す。ホールパターンの露光閾値
エネルギとは、ホールの底が下地基板に到達するのに必
要な露光エネルギを意味する。現像液に添加する界面活
性剤の濃度を増加させると露光閾値エネルギの低下が起
こっているが、異なるパターンサイズ間での閾値露光エ
ネルギの差は界面活性剤添加前の状態と変っていない。
つまりこれまでの界面活性剤では、同一露光条件でのサ
イズの異なる微細ホールパターンを高精度に形成するこ
とは不可能であった。
活性剤を添加した現像液が使われている。図32に、現
像液の界面活性剤添加濃度とホールパターン形成の露光
閾値エネルギの関係を示す。ホールパターンの露光閾値
エネルギとは、ホールの底が下地基板に到達するのに必
要な露光エネルギを意味する。現像液に添加する界面活
性剤の濃度を増加させると露光閾値エネルギの低下が起
こっているが、異なるパターンサイズ間での閾値露光エ
ネルギの差は界面活性剤添加前の状態と変っていない。
つまりこれまでの界面活性剤では、同一露光条件でのサ
イズの異なる微細ホールパターンを高精度に形成するこ
とは不可能であった。
【0010】図33に図32で示される界面活性剤添加
の現像液により形成したホールパターンの断面写真を示
す。図が示すように、従来の界面活性剤を添加した場
合、ホールパターンの側壁が湾曲した形状になる。ま
た、現像液のぬれ性を向上させるためこれまでの界面活
性剤の添加量の増加を行った場合には、パターン形状の
劣化がみられた。
の現像液により形成したホールパターンの断面写真を示
す。図が示すように、従来の界面活性剤を添加した場
合、ホールパターンの側壁が湾曲した形状になる。ま
た、現像液のぬれ性を向上させるためこれまでの界面活
性剤の添加量の増加を行った場合には、パターン形状の
劣化がみられた。
【0011】一方、超微細レジストパターンを設計通り
に形成するためには、高精度なレジスト現像方法と共
に、高い解像力を持つ露光方法の開発が必要不可欠であ
る。このため、より解像力の高い露光装置の開発も盛ん
に行われている。
に形成するためには、高精度なレジスト現像方法と共
に、高い解像力を持つ露光方法の開発が必要不可欠であ
る。このため、より解像力の高い露光装置の開発も盛ん
に行われている。
【0012】従来、この装置の解像力を向上させる為に
用いられてきた手法は、主として光学系(縮小投影レン
ズ系)のNAを大きくしていく手法であった。しかしな
がら光学系の焦点深度はNAの2乗に反比例する為、N
Aを大きくすると焦点深度が小さくなるといった問題が
生じる。従って、最近は、露光波長をg線からi線或は
波長300nm以下のエシマレーザー光に変えようとい
う試みが行なわれている。これは、光学系の焦点深度と
解像力が波長に反比例して改善されるという効果を狙っ
たものである。
用いられてきた手法は、主として光学系(縮小投影レン
ズ系)のNAを大きくしていく手法であった。しかしな
がら光学系の焦点深度はNAの2乗に反比例する為、N
Aを大きくすると焦点深度が小さくなるといった問題が
生じる。従って、最近は、露光波長をg線からi線或は
波長300nm以下のエシマレーザー光に変えようとい
う試みが行なわれている。これは、光学系の焦点深度と
解像力が波長に反比例して改善されるという効果を狙っ
たものである。
【0013】一方、露光波長の短波長化の流れの他に解
像力を向上させる手段として登場してきたのが位相シフ
トマスクを用いる方法である。この方法は、マスクの光
透過部の一部分に他の部分に対して180度の位相シフ
トを与える薄膜を形成するやり方である。ステッパーの
解像力RPは、RP=k1λ/NA なる式で表わすこ
とができ、通常のステッパーは、k1ファクターの値が
0.7〜0.8である。ところが、この位相シフトマス
クを使用する方法であれば、理論的には、k1ファクタ
ーの値を0.35位にできる。
像力を向上させる手段として登場してきたのが位相シフ
トマスクを用いる方法である。この方法は、マスクの光
透過部の一部分に他の部分に対して180度の位相シフ
トを与える薄膜を形成するやり方である。ステッパーの
解像力RPは、RP=k1λ/NA なる式で表わすこ
とができ、通常のステッパーは、k1ファクターの値が
0.7〜0.8である。ところが、この位相シフトマス
クを使用する方法であれば、理論的には、k1ファクタ
ーの値を0.35位にできる。
【0014】しかしながら、この位相シフトマスクを実
現させるためには末だ多くの問題点が残っている。現状
で問題となっているのは以下の諸点である。
現させるためには末だ多くの問題点が残っている。現状
で問題となっているのは以下の諸点である。
【0015】1.位相シフト膜を形成する薄膜形成技術
が未確立。
が未確立。
【0016】2.位相シフト膜付回路パータンの設計の
CADの開発が未確立。
CADの開発が未確立。
【0017】3.位相シフト膜を付与できないパターン
の存在。
の存在。
【0018】4.位相シフト膜の検査、修正技術のが未
確立。
確立。
【0019】このように実際に位相シフトマスクを実現
するためには様々な障害があり、実現までに多大な時間
が掛かることが予想される。
するためには様々な障害があり、実現までに多大な時間
が掛かることが予想される。
【0020】従って、未解決の問題が多い位相シフトマ
スクに代わり、位相シフトマスクを使用する場合と同様
かそれ以上の高い解像力が得られる微細パターン像の投
影方法が必要である。
スクに代わり、位相シフトマスクを使用する場合と同様
かそれ以上の高い解像力が得られる微細パターン像の投
影方法が必要である。
【0021】以上述べたように、現状のリソグラフィ工
程では,異なる寸法・形状のパターンが混在した場合、
設計通りにパターンを形成することは難しく、特にの
0.2μm程度以下のパターンが混在するランダムパタ
ーンを形成することは困難である。
程では,異なる寸法・形状のパターンが混在した場合、
設計通りにパターンを形成することは難しく、特にの
0.2μm程度以下のパターンが混在するランダムパタ
ーンを形成することは困難である。
【0022】また、実用レベルで微細パターニングを行
うためにはフォーカスマージンをいかに拡大するかが重
要である。従来法では0.4μmのライン&スペースに
おけるフォーカスマージンは0.5μmと非常に小さ
く、段差上のパターニングを形成できないという問題が
あった。
うためにはフォーカスマージンをいかに拡大するかが重
要である。従来法では0.4μmのライン&スペースに
おけるフォーカスマージンは0.5μmと非常に小さ
く、段差上のパターニングを形成できないという問題が
あった。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の点に鑑
みなされたものであり、異なる寸法、形状を持った超微
細レジストパターンを設計通りに形成することが可能で
あり、特に0.2μm程度以下の超微細パターン及び
0.15μm以下の超微細パターンが混在するランダム
パターンまで形成可能なリソグラフィ工程を提供するこ
とを目的とする。更に本発明は、フォーカスマージンの
大きなリソグラフィ工程を提供することを目的とする。
みなされたものであり、異なる寸法、形状を持った超微
細レジストパターンを設計通りに形成することが可能で
あり、特に0.2μm程度以下の超微細パターン及び
0.15μm以下の超微細パターンが混在するランダム
パターンまで形成可能なリソグラフィ工程を提供するこ
とを目的とする。更に本発明は、フォーカスマージンの
大きなリソグラフィ工程を提供することを目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】本発明のリソグラフィ工
程は、異なる寸法または異なる形状を有するレジストパ
ターンを形成するに際し、変形照明法によりレジストを
所定のパターンに露光し、形成されたレジスト層の溶解
除去すべきレジスト領域に関して、前記レジスト層表面
における溶解除去面積の小さい溶解除去すべきレジスト
領域のレジストの溶解を増大させる能力を有する界面活
性剤を含むリソグラフィ用現像液を前記レジストパター
ンの形成の少なくとも一部に用いることを特徴とする。
程は、異なる寸法または異なる形状を有するレジストパ
ターンを形成するに際し、変形照明法によりレジストを
所定のパターンに露光し、形成されたレジスト層の溶解
除去すべきレジスト領域に関して、前記レジスト層表面
における溶解除去面積の小さい溶解除去すべきレジスト
領域のレジストの溶解を増大させる能力を有する界面活
性剤を含むリソグラフィ用現像液を前記レジストパター
ンの形成の少なくとも一部に用いることを特徴とする。
【0025】尚、本リソグラフィ工程において、また消
泡性を有する界面活性剤を用いるのが好ましい。
泡性を有する界面活性剤を用いるのが好ましい。
【0026】界面活性剤としては、エチレン−プロピル
ブロックを分鎖基に持つアミン系界面活性剤、親水基と
して、アミン基、エチレンオキサイド基及びプロピルオ
キサイド基を有する界面活性剤であることが好ましい。
さらに、これら界面活性剤の濃度は300ppm以上と
することが好ましい。
ブロックを分鎖基に持つアミン系界面活性剤、親水基と
して、アミン基、エチレンオキサイド基及びプロピルオ
キサイド基を有する界面活性剤であることが好ましい。
さらに、これら界面活性剤の濃度は300ppm以上と
することが好ましい。
【0027】また、本発明の界面活性剤は、下記一般式
(I) HO(CH2CH2O)a(CH(CH3)CH2O)b(CH2CH2O)cH (a,b,cは整数) (I) で表される界面活性剤が特に好ましい。
(I) HO(CH2CH2O)a(CH(CH3)CH2O)b(CH2CH2O)cH (a,b,cは整数) (I) で表される界面活性剤が特に好ましい。
【0028】さらに、HO(CH2CH2O)aの分子量
をA、(CH(CH3)CH2O)bの分子量をB,(C
H2CH2O)cHの分子量をCとしたとき、A,B及び
Cの間に、 (A+C)/(A+B+C)≦0.3 が成り立つものが好ましく、界面活性剤の分子量は、4
000以下であることが好ましい。現像液中の界面活性
剤の好ましい濃度は100ppm以上1000ppm以
下である。
をA、(CH(CH3)CH2O)bの分子量をB,(C
H2CH2O)cHの分子量をCとしたとき、A,B及び
Cの間に、 (A+C)/(A+B+C)≦0.3 が成り立つものが好ましく、界面活性剤の分子量は、4
000以下であることが好ましい。現像液中の界面活性
剤の好ましい濃度は100ppm以上1000ppm以
下である。
【0029】また、レジスト表面もしくはレジストの下
地基体に吸着した前記界面活性剤を、0.1ppm以上
のオゾンを含む超純水により除去することが好ましく、
さらに超純水中のオゾンの濃度は,2.0ppm以上と
することがより好ましい。
地基体に吸着した前記界面活性剤を、0.1ppm以上
のオゾンを含む超純水により除去することが好ましく、
さらに超純水中のオゾンの濃度は,2.0ppm以上と
することがより好ましい。
【0030】一方、上記変形照明法は、主として縦横パ
ターンで構造された微細パターンを照明し、該微細パタ
ーンで生じた回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微
細パターンの像を投影する方法であって、前記瞳の中心
及び該瞳中心を通り前記縦横パターンの方向へ延びる一
対の軸上の部分よりも他の部分の光強度が大きい光量分
布を備える有効光源を形成することを特徴とする。
ターンで構造された微細パターンを照明し、該微細パタ
ーンで生じた回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微
細パターンの像を投影する方法であって、前記瞳の中心
及び該瞳中心を通り前記縦横パターンの方向へ延びる一
対の軸上の部分よりも他の部分の光強度が大きい光量分
布を備える有効光源を形成することを特徴とする。
【0031】尚、本発明は、特にレジストパターンのサ
イズが0.5μm以下の場合に、よりその効果が顕著に
現れる。
イズが0.5μm以下の場合に、よりその効果が顕著に
現れる。
【0032】
【作用及び実施態様例】本願では、より小さいレジスト
パターンの溶解を増大する能力を持つ界面活性剤を含ん
だ現像液を用いている。従って、描画装置により異なる
サイズを持つパターンを投影したレジストをこの現像液
を使って現像すると、レジスト表面に界面活性剤が吸着
する。そして、通常液の浸透しにくい微細エリアに界面
活性剤が存在するため、比較的大きなパターンエリアを
持つレジストと同様な過程を通って現像が進行する。そ
のため、レジストのパターンサイズ、形状に関係なく、
異なった寸法、形状を持った微細パターンが設計値通り
に形成され、より超高密度、より超高速度なLSIを実
現することが可能になる。
パターンの溶解を増大する能力を持つ界面活性剤を含ん
だ現像液を用いている。従って、描画装置により異なる
サイズを持つパターンを投影したレジストをこの現像液
を使って現像すると、レジスト表面に界面活性剤が吸着
する。そして、通常液の浸透しにくい微細エリアに界面
活性剤が存在するため、比較的大きなパターンエリアを
持つレジストと同様な過程を通って現像が進行する。そ
のため、レジストのパターンサイズ、形状に関係なく、
異なった寸法、形状を持った微細パターンが設計値通り
に形成され、より超高密度、より超高速度なLSIを実
現することが可能になる。
【0033】本発明の界面活性剤としては、特に上記
(I)式で表される界面活性剤が好ましいものであり、
更に該界面活性剤の構造、分子量を最適化することによ
り、現像時の泡立ちが一層抑えられ、しかも非露光部の
膜減りが一層抑えられて、微細パターンを極めて高精度
に形成することができる。
(I)式で表される界面活性剤が好ましいものであり、
更に該界面活性剤の構造、分子量を最適化することによ
り、現像時の泡立ちが一層抑えられ、しかも非露光部の
膜減りが一層抑えられて、微細パターンを極めて高精度
に形成することができる。
【0034】図23に界面活性剤の分子量、親水基の割
合((A+C)/(A+B+C))と発泡性及び曇点の
関係を示す。図23から明らかなように、親水基の割合
を小さくすることにより発泡性は減少し、30%で泡の
発生は全く認められなくなり、泡に起因するパターンの
欠陥は皆無となる。また、界面活性剤の分子量を400
0以下とすることで、曇点を25℃以上とすることがで
き、通常の現像条件では界面活性剤析出の影響は全くな
く、高精度のパターン形成ができる。
合((A+C)/(A+B+C))と発泡性及び曇点の
関係を示す。図23から明らかなように、親水基の割合
を小さくすることにより発泡性は減少し、30%で泡の
発生は全く認められなくなり、泡に起因するパターンの
欠陥は皆無となる。また、界面活性剤の分子量を400
0以下とすることで、曇点を25℃以上とすることがで
き、通常の現像条件では界面活性剤析出の影響は全くな
く、高精度のパターン形成ができる。
【0035】更に、該界面活性剤の添加量を100pp
m以上とすることで濡れ性は一層向上し、異なる大きさ
のパターンが混在するランダムパターンの形成がより容
易になる。また添加量の上限は、界面活性剤の溶解度か
ら1000ppmである。
m以上とすることで濡れ性は一層向上し、異なる大きさ
のパターンが混在するランダムパターンの形成がより容
易になる。また添加量の上限は、界面活性剤の溶解度か
ら1000ppmである。
【0036】次に、変形照明法を用いた露光方法を図を
参照して詳細に説明する。変形照明法には、輪帯照明法
とQ.U.E.S.T.(QUADRUPOLE EFFECT FOR STEP
PERTECHNOLOGY)がある。輪帯照明法とは、光源面の形
状をドーナツ状にし、マスクで回折された露光光の0次
光と1次光の角度を大きくとるようにし、見かけのNA
を大きくして解像度を向上させるものである。一方の
Q.U.E.S.T.は、以下に述べるように、輪帯照
明法に比べ更に高い解像力を持っている。
参照して詳細に説明する。変形照明法には、輪帯照明法
とQ.U.E.S.T.(QUADRUPOLE EFFECT FOR STEP
PERTECHNOLOGY)がある。輪帯照明法とは、光源面の形
状をドーナツ状にし、マスクで回折された露光光の0次
光と1次光の角度を大きくとるようにし、見かけのNA
を大きくして解像度を向上させるものである。一方の
Q.U.E.S.T.は、以下に述べるように、輪帯照
明法に比べ更に高い解像力を持っている。
【0037】図1は高周波数(ピッチ2dが数μm程
度)を持つ微細パターン6の像を投影レンズ系7により
投影する様子を示す。その表面に垂直な方向から照射さ
れた微細パターン6は、それに入射する光束を回折す
る。この時生じる回折光は、入射光束の進行方向と同じ
方向へ向けられる0次回折光、入射光束とは異なる方向
へ向けられる例えば±1次以上の高次回折光である。こ
れらの回折光の内、特定次数例えば0次及び±1次回折
光が、投影レンズ系7の瞳1に入射し、瞳1を介して投
影レンズ系7の像面に向けられ、この像面に微細パター
ン6の像を形成することになる。この種の結像において
像のコントラストに寄与する光成分は高次の回折光であ
る。この為、微細パターンの周波数が大きくなるにつれ
て、高次回折光を光学系で捕らえることができなくな
り、像のコントラストが低下する。そして、最終的には
結像そのものが不可能になる。
度)を持つ微細パターン6の像を投影レンズ系7により
投影する様子を示す。その表面に垂直な方向から照射さ
れた微細パターン6は、それに入射する光束を回折す
る。この時生じる回折光は、入射光束の進行方向と同じ
方向へ向けられる0次回折光、入射光束とは異なる方向
へ向けられる例えば±1次以上の高次回折光である。こ
れらの回折光の内、特定次数例えば0次及び±1次回折
光が、投影レンズ系7の瞳1に入射し、瞳1を介して投
影レンズ系7の像面に向けられ、この像面に微細パター
ン6の像を形成することになる。この種の結像において
像のコントラストに寄与する光成分は高次の回折光であ
る。この為、微細パターンの周波数が大きくなるにつれ
て、高次回折光を光学系で捕らえることができなくな
り、像のコントラストが低下する。そして、最終的には
結像そのものが不可能になる。
【0038】図2(a)、(b)に夫々、図1の微細パ
ターン6を従来型のマスクに形成した場合の瞳1におけ
る光分布、図1の微細パターン6を位相シフトマスクに
形成した場合の瞳1における光分布を示す。
ターン6を従来型のマスクに形成した場合の瞳1におけ
る光分布、図1の微細パターン6を位相シフトマスクに
形成した場合の瞳1における光分布を示す。
【0039】図2(a)においては、0次回折光3aの
回りに+1次回折光3b,−1次回折光3cが生じてい
るが、図2(b)においては、位相シフト膜の効果によ
り0次回折光5aが消失し、±1次回折光5b,5cの
みが生じている。図2(a)、(b)の比較から、位相
シフトマスクの、空間周波数面即ち瞳面における効果と
して下記の2点が挙げられる。
回りに+1次回折光3b,−1次回折光3cが生じてい
るが、図2(b)においては、位相シフト膜の効果によ
り0次回折光5aが消失し、±1次回折光5b,5cの
みが生じている。図2(a)、(b)の比較から、位相
シフトマスクの、空間周波数面即ち瞳面における効果と
して下記の2点が挙げられる。
【0040】1.位相シフトマスクでは周波数が1/2
に低減されている。
に低減されている。
【0041】2.位相シフトマスクでは0次回折光が存
在しない。
在しない。
【0042】又、他の注目すべき点は、位相シフトマス
ク場合の±1次回折光の瞳面での間隔aが、従来型のマ
スクの場合の0次光と±1次回折光の夫々との間隔aと
合致することである。
ク場合の±1次回折光の瞳面での間隔aが、従来型のマ
スクの場合の0次光と±1次回折光の夫々との間隔aと
合致することである。
【0043】一方、瞳1での光分布は、従来型のマスク
と位相シフトマスクとで、位置的には一致する。両者の
間で異なっているのは、瞳1における振幅分布の強度比
であり、図2(b)で示される位相シフトマスクの場合
0次、+1次、−1次回折光の振幅比が0:1:1であ
るのに対して、図2(a)で示される従来型マスクの場
合には0次、+1次、−1次回折光の振幅比が1:2/
π:2/πになっている。
と位相シフトマスクとで、位置的には一致する。両者の
間で異なっているのは、瞳1における振幅分布の強度比
であり、図2(b)で示される位相シフトマスクの場合
0次、+1次、−1次回折光の振幅比が0:1:1であ
るのに対して、図2(a)で示される従来型マスクの場
合には0次、+1次、−1次回折光の振幅比が1:2/
π:2/πになっている。
【0044】本発明の方法においては、位相シフト膜を
使用せずに、瞳1に位相シフトマスクと類似の光分布を
発生させる。そのために、微細パターン6、特に従来技
術の項で述べたk1ファクターが0.5付近の空間周波
数を持つ微細パターンを照明した際、0次回折光が瞳1
の中心から外れた位置に入射し他の高次回折光も瞳1の
中心から外れた他の位置に入射するように、前記瞳の中
心を通り前記縦横パターンの方向へ延びる一対の軸上及
び前記瞳の中心の各部分よりも他の部分の光強度が大き
い光量分布を備える有効光源、好ましくは前記瞳の中心
を通り前記縦横パターンの方向へ延びる一対の軸上及び
前記瞳の中心の各部分の光強度がほぼゼロである有効光
源を形成する。
使用せずに、瞳1に位相シフトマスクと類似の光分布を
発生させる。そのために、微細パターン6、特に従来技
術の項で述べたk1ファクターが0.5付近の空間周波
数を持つ微細パターンを照明した際、0次回折光が瞳1
の中心から外れた位置に入射し他の高次回折光も瞳1の
中心から外れた他の位置に入射するように、前記瞳の中
心を通り前記縦横パターンの方向へ延びる一対の軸上及
び前記瞳の中心の各部分よりも他の部分の光強度が大き
い光量分布を備える有効光源、好ましくは前記瞳の中心
を通り前記縦横パターンの方向へ延びる一対の軸上及び
前記瞳の中心の各部分の光強度がほぼゼロである有効光
源を形成する。
【0045】このような有効光源を形成し、例えばk1
ファクターが0.5程度の微細パターンを照明した時生
じる0次回折光の内、0次回折光と正負の1次回折光の
内の一方を瞳1に入射させ、正負の1次回折光の内の他
方を瞳1に入射させないことによって、瞳1での光分布
を位相シフトマスクの場合と似た形にすることが可能に
なる。この為、微細パターンを照明する照明方法/照明
系を工夫するだけで位相シフトマスクを使用した場合と
同様の効果を得ることができ、実現化が容易である。
ファクターが0.5程度の微細パターンを照明した時生
じる0次回折光の内、0次回折光と正負の1次回折光の
内の一方を瞳1に入射させ、正負の1次回折光の内の他
方を瞳1に入射させないことによって、瞳1での光分布
を位相シフトマスクの場合と似た形にすることが可能に
なる。この為、微細パターンを照明する照明方法/照明
系を工夫するだけで位相シフトマスクを使用した場合と
同様の効果を得ることができ、実現化が容易である。
【0046】本発明の方法では、単一光束による照明を
行うと、瞳1における一対の回折光の振幅比が1:2/
πとなり、位相シフトマスクを使用した場合に近い、よ
り好ましい振幅比1:1にはならない。しかしながら、
この振幅比の違いは、例えば、マスクの縦パターンを解
像する場合には、マスク(微細パターン)へ斜入射させ
る光を、瞳の縦軸(瞳の中心を通り縦パターンの方向に
伸びる軸)にたいして対称となる一対の光パターンがで
きるようにペアの光でマスクを照明し、マスクの横パタ
ーンを解像する場合には、マスク(微細パターン)へ斜
入射させる光を、瞳の横軸(瞳の中心を通り横パターン
の方向に伸びる、前記瞳の縦軸に垂直な軸)に対して対
称となる一対の光パターンができるようにペアの光でマ
スクを照明することにより、実質的に補償できることが
判明した。従って、有効光源の瞳での光量分布が、瞳中
心を通りxy軸とほぼ45°を成す方向に延びる第1軸
に沿った、瞳中心に関して対称な場所に互いの強度がほ
ぼ等しい一対のピークを有するように、例えば2個の照
明光束により照明を行なう。又、有効光源の瞳での光量
分布が、瞳中心を通りxy軸とほぼ45°を成す方向に
延びる第1軸に沿った瞳中心に関して対称な場所に、互
いの強度がほぼ等しい一対の部分を有し、且つ、瞳中心
を通り前記第1軸とほぼ90°をなす方向に延びる第2
軸に沿った、瞳中心に関して対称な場所であって第1軸
上の一対の部分と瞳中心に対してほぼ同じ位置に、互い
の強度がほぼ等しい他の一対の部分を有するように、例
えば4個の照明光束により照明を行う。
行うと、瞳1における一対の回折光の振幅比が1:2/
πとなり、位相シフトマスクを使用した場合に近い、よ
り好ましい振幅比1:1にはならない。しかしながら、
この振幅比の違いは、例えば、マスクの縦パターンを解
像する場合には、マスク(微細パターン)へ斜入射させ
る光を、瞳の縦軸(瞳の中心を通り縦パターンの方向に
伸びる軸)にたいして対称となる一対の光パターンがで
きるようにペアの光でマスクを照明し、マスクの横パタ
ーンを解像する場合には、マスク(微細パターン)へ斜
入射させる光を、瞳の横軸(瞳の中心を通り横パターン
の方向に伸びる、前記瞳の縦軸に垂直な軸)に対して対
称となる一対の光パターンができるようにペアの光でマ
スクを照明することにより、実質的に補償できることが
判明した。従って、有効光源の瞳での光量分布が、瞳中
心を通りxy軸とほぼ45°を成す方向に延びる第1軸
に沿った、瞳中心に関して対称な場所に互いの強度がほ
ぼ等しい一対のピークを有するように、例えば2個の照
明光束により照明を行なう。又、有効光源の瞳での光量
分布が、瞳中心を通りxy軸とほぼ45°を成す方向に
延びる第1軸に沿った瞳中心に関して対称な場所に、互
いの強度がほぼ等しい一対の部分を有し、且つ、瞳中心
を通り前記第1軸とほぼ90°をなす方向に延びる第2
軸に沿った、瞳中心に関して対称な場所であって第1軸
上の一対の部分と瞳中心に対してほぼ同じ位置に、互い
の強度がほぼ等しい他の一対の部分を有するように、例
えば4個の照明光束により照明を行う。
【0047】本発明の方法の一例として、図1の瞳1で
の0次回折光の光分布、所謂瞳面上の有効光源の分布を
図3(a)、(b)の夫々に示す。
の0次回折光の光分布、所謂瞳面上の有効光源の分布を
図3(a)、(b)の夫々に示す。
【0048】図中、1が瞳、xが瞳の横軸(瞳の中心を
通り横パターンの方向に伸びる軸)、yが瞳の縦軸(瞳
の中心を通り縦パターンの方向に伸びる、前記瞳の横軸
に垂直な軸)、そして2a、2b、2c、2dが有効光
源の各部分を示す。
通り横パターンの方向に伸びる軸)、yが瞳の縦軸(瞳
の中心を通り縦パターンの方向に伸びる、前記瞳の横軸
に垂直な軸)、そして2a、2b、2c、2dが有効光
源の各部分を示す。
【0049】ここで示す二つ例の有効光源は主として4
つの部分より成る分布を持っている。そして個々の部分
(光パターン)の分布は円形であり、瞳1の半径を1.
0、瞳中心を座標原点、xy軸を直交座標軸とした時、
図3(a)の例では、各部分2a、2b、2c、2dの
中心が夫々(0.45,0.45),(−0.45,
0.45),(−0.45,−0.45),(0.4
5,−0.45)の位置にあり、各部分の半径は0.2
である。又、図3(a)の例では、各部分2a、2b、
2c、2dの中心が夫々(0.34,0.34),(−
0.34,0.34),(−0.34,−0.34),
(0.34,−0.34)の位置にあり、各部分の半径
は0.25である。
つの部分より成る分布を持っている。そして個々の部分
(光パターン)の分布は円形であり、瞳1の半径を1.
0、瞳中心を座標原点、xy軸を直交座標軸とした時、
図3(a)の例では、各部分2a、2b、2c、2dの
中心が夫々(0.45,0.45),(−0.45,
0.45),(−0.45,−0.45),(0.4
5,−0.45)の位置にあり、各部分の半径は0.2
である。又、図3(a)の例では、各部分2a、2b、
2c、2dの中心が夫々(0.34,0.34),(−
0.34,0.34),(−0.34,−0.34),
(0.34,−0.34)の位置にあり、各部分の半径
は0.25である。
【0050】本例の有効光源は、このように瞳面に設定
したxy軸により4つの象限に分けた時、一つ一つの部
分2a、2b、2c、2dが夫々対応する象限に形成さ
れ、互いに重なり合うことなく互いに対称な関係にあ
り、且つ独立に存在することを特徴としている。この場
合各象限を分ける軸であるx軸とy軸は、例えば集積回
路パターンが設計されるときに用いられるx軸、y軸の
方向と合致し、夫々マスクの縦横パターンが延びる方向
である。
したxy軸により4つの象限に分けた時、一つ一つの部
分2a、2b、2c、2dが夫々対応する象限に形成さ
れ、互いに重なり合うことなく互いに対称な関係にあ
り、且つ独立に存在することを特徴としている。この場
合各象限を分ける軸であるx軸とy軸は、例えば集積回
路パターンが設計されるときに用いられるx軸、y軸の
方向と合致し、夫々マスクの縦横パターンが延びる方向
である。
【0051】本例における有効光源の形状は、その像が
投影される微細パターンの縦横パターンの方向性に着目
し決定したものであり、4つの円形の部分2a、2b、
2c、2bの中心が丁度±45°方向(x軸及びy軸に
対し±45°を成し瞳1の中心を通過する一対の軸が延
びる方向)に存在していることが特徴である。このよう
な有効光源を発生させる為には、4個の照明光束を、互
いに同じ入射角で、一組づつ互いに直交する入射平面に
沿って、微細パターンへ斜入射させる。
投影される微細パターンの縦横パターンの方向性に着目
し決定したものであり、4つの円形の部分2a、2b、
2c、2bの中心が丁度±45°方向(x軸及びy軸に
対し±45°を成し瞳1の中心を通過する一対の軸が延
びる方向)に存在していることが特徴である。このよう
な有効光源を発生させる為には、4個の照明光束を、互
いに同じ入射角で、一組づつ互いに直交する入射平面に
沿って、微細パターンへ斜入射させる。
【0052】又、有効光源の4つの部分2a、2b、2
c、2dの強度が互いに等しいことが重要で、この比が
狂うと、例えば焼付が行なわれるウェハがデフォーカス
した時に回路パターン像が変形を受ける。従って、4個
の照明光束の強度も互いに等しく設定される。この時、
4つの部分2a、2b、2c、2dの各々の強度分布
は、全体がピーク値を示す均一な強度分布を持つもので
あっても、中心にのみピークがあるような不均一な強度
分布を持つものでも、適宜決めることができる。従っ
て、4個の照明光束の形態も、瞳1に形成する有効光源
の形態に応じて様々な形態が採られる。例えば、本例で
は、有効光源の4つの部分が互いに分離しており、各部
分以外の場所に光パターンが生じていないが、有効光源
の4つの部分が比較的強度が弱い光パターンを介して連
続していてもいい。
c、2dの強度が互いに等しいことが重要で、この比が
狂うと、例えば焼付が行なわれるウェハがデフォーカス
した時に回路パターン像が変形を受ける。従って、4個
の照明光束の強度も互いに等しく設定される。この時、
4つの部分2a、2b、2c、2dの各々の強度分布
は、全体がピーク値を示す均一な強度分布を持つもので
あっても、中心にのみピークがあるような不均一な強度
分布を持つものでも、適宜決めることができる。従っ
て、4個の照明光束の形態も、瞳1に形成する有効光源
の形態に応じて様々な形態が採られる。例えば、本例で
は、有効光源の4つの部分が互いに分離しており、各部
分以外の場所に光パターンが生じていないが、有効光源
の4つの部分が比較的強度が弱い光パターンを介して連
続していてもいい。
【0053】又、有効光源の4つの部分2a、2b、2
c、2dの分布(形状)は円形に限定されない。但し、
4つの部分の中心はその形状に関係なくその強度分布の
重心位置が、図3(a)、(b)に示す例の如く、xy
軸に関して±45°方向にあり、且つ互いに対称である
ことが好ましい。
c、2dの分布(形状)は円形に限定されない。但し、
4つの部分の中心はその形状に関係なくその強度分布の
重心位置が、図3(a)、(b)に示す例の如く、xy
軸に関して±45°方向にあり、且つ互いに対称である
ことが好ましい。
【0054】因に、より高解像を狙う、即ちk1の値が
小さい系を構成する際の最適有効光源の配置を採ろうと
すると、図3(b)から図3(a)に目を移した時に感
じる通り、各象限にある有効光源の各部分2a、2b、
2c、2dの重心位置が瞳1の中心から離れ、これに伴
って個々の象限にある独立した各部分2a、2b、2
c、2dの径が小さくなる。
小さい系を構成する際の最適有効光源の配置を採ろうと
すると、図3(b)から図3(a)に目を移した時に感
じる通り、各象限にある有効光源の各部分2a、2b、
2c、2dの重心位置が瞳1の中心から離れ、これに伴
って個々の象限にある独立した各部分2a、2b、2
c、2dの径が小さくなる。
【0055】図3(a)、(b)では二つの予想される
有効光源の形態を示しているが、実際の設計においても
この二つの形態に近い有効光源か使用されるであろう。
というのは、有効光源の各部分の重心位置をあまり瞳1
の中心から離れた位置に持っていきすぎると、光学系の
設計上の都合から、光量が少なくなったりするなどの弊
害か生じてくるからである。
有効光源の形態を示しているが、実際の設計においても
この二つの形態に近い有効光源か使用されるであろう。
というのは、有効光源の各部分の重心位置をあまり瞳1
の中心から離れた位置に持っていきすぎると、光学系の
設計上の都合から、光量が少なくなったりするなどの弊
害か生じてくるからである。
【0056】この点を考慮した検討によれば、図3に示
す瞳1と座標を参照すると、第1及び第3象限にある互
いに分離された一対の部分2a、2cの形状を円形と
し、半径をqとし、第1部分2a及び第2部分2cの中
心位置(重心位置)の座標を夫々(p,p)、(−p,
−p)とした時、以下の条件を満たすのが良いことが分
かった。
す瞳1と座標を参照すると、第1及び第3象限にある互
いに分離された一対の部分2a、2cの形状を円形と
し、半径をqとし、第1部分2a及び第2部分2cの中
心位置(重心位置)の座標を夫々(p,p)、(−p,
−p)とした時、以下の条件を満たすのが良いことが分
かった。
【0057】0.25<p<0.6 0.15<q<0.3 尚、他の第2及び第4象限の各部分2b、2dの大き
さ、位置についても、それらの第1及び第3象限の各部
分2a、2cに対する対称性より自ら定まる。又、有効
光源の各部分が円形ではない、例えば3角形、4角形の
場合でもここに示した条件の領域内に入っていることが
好ましい。この時qは、各部分に外接する円の半径を用
いる。図3(a)、(b)に示した例は、この条件中の
中心付近の値を持つものである。p,qの値は、使用す
る光学系(照明系/投影系)にどの程度の線幅の微細パ
ターンの投影を要求するかによって異なる。
さ、位置についても、それらの第1及び第3象限の各部
分2a、2cに対する対称性より自ら定まる。又、有効
光源の各部分が円形ではない、例えば3角形、4角形の
場合でもここに示した条件の領域内に入っていることが
好ましい。この時qは、各部分に外接する円の半径を用
いる。図3(a)、(b)に示した例は、この条件中の
中心付近の値を持つものである。p,qの値は、使用す
る光学系(照明系/投影系)にどの程度の線幅の微細パ
ターンの投影を要求するかによって異なる。
【0058】今まで使用されてきたステッパーでは、瞳
1の中心(x,y)=(0,0)に有効光源のピークが
存在していた。この装置で、コヒーレンスファクターσ
値が0.3とか0.5とか言われるのは、瞳1の中心を
中心として半径がそれぞれ0.3、0.5の稠密の有効
光源分布を持っていることを意味している。本件発明者
の解析によると、瞳中心に近い位置にある有効光源、例
えばσ値で0.1以下の範囲の場合は、デフォーカスが
生じた時、主として粗い線巾、前述のk1ファクターが
1以上の線巾でのコントラストを高く保つことに有効で
あるが、このデフォーカス時の効果はk1ファクターが
0.5に近づくにつれて急速に悪化する。そして、k1
ファクターが0.5を越えると、極端な場合には像のコ
ントラストか全く失なわれてしまう。現在要求されてい
るのは、k1ファクター0.6以下でのデフォーカス性
能の向上であり、k1ファクターがこの付近について
は、瞳中心近傍の有効光源の存在は、結像に関して悪影
響を与える。
1の中心(x,y)=(0,0)に有効光源のピークが
存在していた。この装置で、コヒーレンスファクターσ
値が0.3とか0.5とか言われるのは、瞳1の中心を
中心として半径がそれぞれ0.3、0.5の稠密の有効
光源分布を持っていることを意味している。本件発明者
の解析によると、瞳中心に近い位置にある有効光源、例
えばσ値で0.1以下の範囲の場合は、デフォーカスが
生じた時、主として粗い線巾、前述のk1ファクターが
1以上の線巾でのコントラストを高く保つことに有効で
あるが、このデフォーカス時の効果はk1ファクターが
0.5に近づくにつれて急速に悪化する。そして、k1
ファクターが0.5を越えると、極端な場合には像のコ
ントラストか全く失なわれてしまう。現在要求されてい
るのは、k1ファクター0.6以下でのデフォーカス性
能の向上であり、k1ファクターがこの付近について
は、瞳中心近傍の有効光源の存在は、結像に関して悪影
響を与える。
【0059】これに対し上記例で示した有効光源はk1
ファクターの値が小さく、k1ファクター0.5付近の
結像を行なう際のデフォーカス時のコントラストを高く
保つことに効果がある。図3(a)の例は、図3(b)
の例より、より外側に有効光源の各部分2a、2b、2
c、2dが存在している為、図3(b)より高周波特性
が優れている。尚、有効光源の瞳中心から離れている部
分でのデフォーカス特性は、k1ファクターで1前後ま
で、焦点深度がほぼ一定の水準を保つという特性を持っ
ている。
ファクターの値が小さく、k1ファクター0.5付近の
結像を行なう際のデフォーカス時のコントラストを高く
保つことに効果がある。図3(a)の例は、図3(b)
の例より、より外側に有効光源の各部分2a、2b、2
c、2dが存在している為、図3(b)より高周波特性
が優れている。尚、有効光源の瞳中心から離れている部
分でのデフォーカス特性は、k1ファクターで1前後ま
で、焦点深度がほぼ一定の水準を保つという特性を持っ
ている。
【0060】図4は、図3(b)の形態をNA0.5の
投影レンズ系を持つi線ステッパーに適用した時の解像
力と焦点深度の関係を、光学像のコントラスト70%を
満たす範囲内のデフォーカスは焦点深度内(許容値)と
して計算した例である。図中、曲線Aは、通常のレチク
ルに対する従来法(σ=0.5)での解像力と焦点深度
の関係、曲線Bが図3(b)の場合の解像力と焦点深度
の関係を示す。ステッパーの実用的に許容できる焦点深
度の限界を1.5μmに設定すると、従来法での解像力
の限界は0.52μmであるのに対し、図3(b)の場
合には、ほぼ0.4μmまて解像力が改善されている。
これは比にして約30%の改善であり、この分野では非
常に大きなものである。又、実効的にはklファクター
で0.45程度の解像力までは容易に達成できる。
投影レンズ系を持つi線ステッパーに適用した時の解像
力と焦点深度の関係を、光学像のコントラスト70%を
満たす範囲内のデフォーカスは焦点深度内(許容値)と
して計算した例である。図中、曲線Aは、通常のレチク
ルに対する従来法(σ=0.5)での解像力と焦点深度
の関係、曲線Bが図3(b)の場合の解像力と焦点深度
の関係を示す。ステッパーの実用的に許容できる焦点深
度の限界を1.5μmに設定すると、従来法での解像力
の限界は0.52μmであるのに対し、図3(b)の場
合には、ほぼ0.4μmまて解像力が改善されている。
これは比にして約30%の改善であり、この分野では非
常に大きなものである。又、実効的にはklファクター
で0.45程度の解像力までは容易に達成できる。
【0061】尚、本発明方法(Q.U.E.S.T.)
と、瞳中心に有効光源を形成しない通常の輪帯照明法と
の相違点は、瞳1において、微細パターンの縦横パター
ンの方向に相当するx軸及びy軸上には有効光源のピー
クが存在していないことである。これは、x及びy軸上
に有効光源のピークを配置すると、像のコントラストの
落ちが大きく、大きな焦点深度を得ることができないか
らである。従って、主として縦横パターンで構成される
微細パターンの像投影に関して、本発明は、輪帯照明法
よりも改善された像質の像を得ることを達成した。
と、瞳中心に有効光源を形成しない通常の輪帯照明法と
の相違点は、瞳1において、微細パターンの縦横パター
ンの方向に相当するx軸及びy軸上には有効光源のピー
クが存在していないことである。これは、x及びy軸上
に有効光源のピークを配置すると、像のコントラストの
落ちが大きく、大きな焦点深度を得ることができないか
らである。従って、主として縦横パターンで構成される
微細パターンの像投影に関して、本発明は、輪帯照明法
よりも改善された像質の像を得ることを達成した。
【0062】又、有効光源の主たる各部分の光量(光強
度)は均一にも、ガウシアン分布のように不均―にも、
設定することができる。
度)は均一にも、ガウシアン分布のように不均―にも、
設定することができる。
【0063】以上述べたように、本発明で用いる変形照
明法(Q.U.E.S.T.)は、通常の輪帯照明法に
比べ、極めて高い解像力を有する露光方法である。
明法(Q.U.E.S.T.)は、通常の輪帯照明法に
比べ、極めて高い解像力を有する露光方法である。
【0064】本発明の変形照明法による露光方法と高解
像度な現像方法により、従来困難であった、異なる寸法
または異なる形状が混在するレジストパターンを0.2
μmの極微細パターンまで形成することが可能となる。
更にフォーカスマージンを従来法に比べ大きく拡大する
ことが可能となる。
像度な現像方法により、従来困難であった、異なる寸法
または異なる形状が混在するレジストパターンを0.2
μmの極微細パターンまで形成することが可能となる。
更にフォーカスマージンを従来法に比べ大きく拡大する
ことが可能となる。
【0065】
(実施例1)本発明の第1の実施例を図を用いて説明す
る。
る。
【0066】図5に、変形照明法(Q.U.E.S.
T.)を用いたi線縮小投影装置で露光し、本実施例の
現像液で現像したレジストのライン/スペースパターン
の設計忠実度を示す。本実施例ではTHMR−ip28
00(東京応化工業(株))を使用したが、本発明の現
像液を用いた現像工程ではレジストの種類については特
にこだわらない。
T.)を用いたi線縮小投影装置で露光し、本実施例の
現像液で現像したレジストのライン/スペースパターン
の設計忠実度を示す。本実施例ではTHMR−ip28
00(東京応化工業(株))を使用したが、本発明の現
像液を用いた現像工程ではレジストの種類については特
にこだわらない。
【0067】また本実施例で用いた界面活性剤は、エチ
レンープロピルブロックを分子鎖に持つアミン系消泡性
界面活性剤であるが、より小さいレジストパターンの溶
解を増大する能力を持つ界面活性剤を含んだ現像液であ
ればよい。即ち、異なる寸法または異なる形状を有する
レジストパターンを形成するに際し、形成されたレジス
ト層の溶解除去すべきレジスト領域に関して、レジスト
層表面における溶解除去面積の小さい溶解除去すべきレ
ジスト領域の溶解を増大させる能力を有する界面活性剤
であれば良い。
レンープロピルブロックを分子鎖に持つアミン系消泡性
界面活性剤であるが、より小さいレジストパターンの溶
解を増大する能力を持つ界面活性剤を含んだ現像液であ
ればよい。即ち、異なる寸法または異なる形状を有する
レジストパターンを形成するに際し、形成されたレジス
ト層の溶解除去すべきレジスト領域に関して、レジスト
層表面における溶解除去面積の小さい溶解除去すべきレ
ジスト領域の溶解を増大させる能力を有する界面活性剤
であれば良い。
【0068】これらのレジストと現像液を使った現像工
程後のホールパターンの形成を走査型顕微鏡により観察
した。
程後のホールパターンの形成を走査型顕微鏡により観察
した。
【0069】図6にホールパターンの設計に用いた転写
マスクを示す。マスク601上の1/5のサイズが実際
のサイズとなる。直径が5インチのn型(100)シリ
コン基板上に、膜厚0.7μmのレジスト層(THMR
−ip2800:東京応化工業(株))を形成した。
マスクを示す。マスク601上の1/5のサイズが実際
のサイズとなる。直径が5インチのn型(100)シリ
コン基板上に、膜厚0.7μmのレジスト層(THMR
−ip2800:東京応化工業(株))を形成した。
【0070】図7に示す変形照明法を用いたi線縮小投
影露光装置により、上記のマスク601を通してテスト
パターン602を試料表面に5対1の縮小投影を行っ
た。
影露光装置により、上記のマスク601を通してテスト
パターン602を試料表面に5対1の縮小投影を行っ
た。
【0071】図7(a)、(b)、(c)は、本発明の
露光装置を示す模式図である。
露光装置を示す模式図である。
【0072】図7(a)において、llは、その発光部
が楕円ミラーの第1焦点に設置される超高圧水銀灯、1
2は楕円ミラー、14、21、25、27は折り曲げミ
ラー、15は露光量制御用シャッター、l05はフィー
ルドレンズ、16は波長選択用干渉フィルター、l7は
クロスNDフィルター、l8は所定の開口を備えた絞り
部材、19は、その光入射面が楕円ミラーl2の第2焦
点に設置されるオプチカルインテグレ一ター、20、2
2は第l結像レンズ系(20、22)の各レンズ、23
はハーフミラー、24はマスク上の照明領域を規制する
矩形開口を備えるマスキングブレード、26、28は第
2結像レンズ系(26、28)の各レンズ、30はパタ
ーンが形成されたマスク、31はマスク30のパターン
をl/5に縮小投影する縮小投影レンズ系、32はレジ
ストが塗布されたウエハー、33はウエハー32を吸着
保持するウエハーチャック、34はウエハチャック33
を保持するXYステージ、35は中央に開口部35aを
備える遮光膜が形成されたガラス板、36は上面に開口
部を備えたケース、37はケース36内に設けた光電変
換器、38はステージ34の移動量を計測する為の不図
示のレーザー干渉計の―部を成すミラー、40は、ブレ
ード24の受光面と光学的に等価な位置に置かれ、ブレ
ード24と同様にインテグレーターl9の各レンズから
出射した光束がその上で互いに重なり合う、所定の開口
を備える遮光板、41は遮光板40の開口からの光を集
光する集光レンズ、42は4分割デイテクターを示す。
が楕円ミラーの第1焦点に設置される超高圧水銀灯、1
2は楕円ミラー、14、21、25、27は折り曲げミ
ラー、15は露光量制御用シャッター、l05はフィー
ルドレンズ、16は波長選択用干渉フィルター、l7は
クロスNDフィルター、l8は所定の開口を備えた絞り
部材、19は、その光入射面が楕円ミラーl2の第2焦
点に設置されるオプチカルインテグレ一ター、20、2
2は第l結像レンズ系(20、22)の各レンズ、23
はハーフミラー、24はマスク上の照明領域を規制する
矩形開口を備えるマスキングブレード、26、28は第
2結像レンズ系(26、28)の各レンズ、30はパタ
ーンが形成されたマスク、31はマスク30のパターン
をl/5に縮小投影する縮小投影レンズ系、32はレジ
ストが塗布されたウエハー、33はウエハー32を吸着
保持するウエハーチャック、34はウエハチャック33
を保持するXYステージ、35は中央に開口部35aを
備える遮光膜が形成されたガラス板、36は上面に開口
部を備えたケース、37はケース36内に設けた光電変
換器、38はステージ34の移動量を計測する為の不図
示のレーザー干渉計の―部を成すミラー、40は、ブレ
ード24の受光面と光学的に等価な位置に置かれ、ブレ
ード24と同様にインテグレーターl9の各レンズから
出射した光束がその上で互いに重なり合う、所定の開口
を備える遮光板、41は遮光板40の開口からの光を集
光する集光レンズ、42は4分割デイテクターを示す。
【0073】この装置の特徴的な構成はインテグレータ
ー19の前に置いたフィルターl7及び絞り部材l8で
ある。絞り部材l8は、図7(b)に示すように、装置
の光軸近傍の光を遮るリング状の開口を備えた、投影レ
ンズ系31の瞳面での有効光源の大きさ及び形状を定め
る開口絞りであり、この開口の中心は装置の光軸と一致
している。又、フィルターl7は、図7(c)に示すよ
うに、4個のNDフィルターを全体としてクロス状に成
るよう配列したものであり、この4個のNDフィルター
により絞り部材l8のリング状開口の4か所に入射する
光の強度がl0〜100パーセント減衰せしめられる。
この4か所とは、とりもなおさず、投影レンズ系3lの
瞳面の、マスク30の縦横パターンの方向に相当するx
y軸上の4点を含む部分に対応する場所であり、このフ
ィルターl7によって、投影レンズ系31の瞳面のxy
軸上の有効光源の光強度が弱まるようにしている。
ー19の前に置いたフィルターl7及び絞り部材l8で
ある。絞り部材l8は、図7(b)に示すように、装置
の光軸近傍の光を遮るリング状の開口を備えた、投影レ
ンズ系31の瞳面での有効光源の大きさ及び形状を定め
る開口絞りであり、この開口の中心は装置の光軸と一致
している。又、フィルターl7は、図7(c)に示すよ
うに、4個のNDフィルターを全体としてクロス状に成
るよう配列したものであり、この4個のNDフィルター
により絞り部材l8のリング状開口の4か所に入射する
光の強度がl0〜100パーセント減衰せしめられる。
この4か所とは、とりもなおさず、投影レンズ系3lの
瞳面の、マスク30の縦横パターンの方向に相当するx
y軸上の4点を含む部分に対応する場所であり、このフ
ィルターl7によって、投影レンズ系31の瞳面のxy
軸上の有効光源の光強度が弱まるようにしている。
【0074】マスク30は不図示のマスクステージに保
持されている。そして、投影レンズ系31はフィルター
16により選択されたi線(波長365nm)の光に対
して設計されている。又、第1及び第2結像レンズ系
(20、22、26、28)はインテグレーターl9の
光出射面と投影レンズ系3lの瞳面とが互いに共役にな
るよう設定され、第2結像レンズ系(26、28)はブ
レード24の開口部のエッジとマスク30のパターン部
とが互いに共役になるよう設定されている。尚、ブレー
ド24は、マスク30上のパターンの大きさに応じて開
口部の大きさを調整できるように、通常、4枚の夫々独
立に可動なナイフエッジ状の先端を持つ遮光板で構成さ
れ、不図示の装置全体の制御を行うコンピューターの指
令によって各遮光板の位置が制御され、開口部の大きさ
が使用するマスク30に最適化される。
持されている。そして、投影レンズ系31はフィルター
16により選択されたi線(波長365nm)の光に対
して設計されている。又、第1及び第2結像レンズ系
(20、22、26、28)はインテグレーターl9の
光出射面と投影レンズ系3lの瞳面とが互いに共役にな
るよう設定され、第2結像レンズ系(26、28)はブ
レード24の開口部のエッジとマスク30のパターン部
とが互いに共役になるよう設定されている。尚、ブレー
ド24は、マスク30上のパターンの大きさに応じて開
口部の大きさを調整できるように、通常、4枚の夫々独
立に可動なナイフエッジ状の先端を持つ遮光板で構成さ
れ、不図示の装置全体の制御を行うコンピューターの指
令によって各遮光板の位置が制御され、開口部の大きさ
が使用するマスク30に最適化される。
【0075】ハーフミラー23はインテグレーターl9
からの光束の一部を反射するミラーで、ミラー23で反
射した光は、遮光板40の開口を介してレンズ41に入
射し、レンズ41により4分割ディテクター42上に集
光される。4分割ディテクターの42の受光面は投影レ
ンズ系31の瞳面と光学的に等価になるよう設定されて
おり、この受光面上に絞り部材l8で形成したリング状
の有効光源を投影する。
からの光束の一部を反射するミラーで、ミラー23で反
射した光は、遮光板40の開口を介してレンズ41に入
射し、レンズ41により4分割ディテクター42上に集
光される。4分割ディテクターの42の受光面は投影レ
ンズ系31の瞳面と光学的に等価になるよう設定されて
おり、この受光面上に絞り部材l8で形成したリング状
の有効光源を投影する。
【0076】4分割ディテクター42は、個々のディテ
クター毎に各受光面に到達した光の強度に応じた信号を
出力し、4分割ディテクター42からの各出力信号を加
算することによりシャッターl5の開閉制御の為の積算
信号を得る。
クター毎に各受光面に到達した光の強度に応じた信号を
出力し、4分割ディテクター42からの各出力信号を加
算することによりシャッターl5の開閉制御の為の積算
信号を得る。
【0077】XYステージ34上の部材35〜37は、
マスク30の上方の照明系の性能チェック用の測定ユニ
ットであり、XYステージ34は照明系のチェックを行
う際所定の位置に移動し、この測定ユニットを投影レン
ズ系31の真下に持ってくる。この測定ユニットで、ガ
ラス板35の開口部35a及びケース36の開口部を介
して、照明系を出て投影レンズ系31の像面に達した光
を光電変換器37へ導く。開口部35aの受光面は投影
レンズ系31像面位置にあり、必要であれば不図示の焦
点検出系(ウエハー32の表面の高さを検出する周知の
センサー)とXYステージ34に内蔵された測定ユニッ
ト駆動系とを用い、開口部35の装置の光軸方向の高さ
が調整される。ガラス板35はケース36に取り取り付
けられており、ケース36は前述の通り中央に開口部が
開いているが、ここでは、このケース36の開口部がガ
ラス板35の開口部と所定量だけずらせるように、測定
ユニットが組まれている。ケース36の開口部が置かれ
る位置は投影レンズ系3lの像面側のNAの大きい場所
で且つ像面から十分離れている。従ってケース36の開
口部の受光面では、投影レンズ系31の瞳面での光分布
がそのまま現れる。本実施例では、この測定ユニットは
使用しない。従って、この測定ユニットの使用法の説明
は後の実施例で説明する。
マスク30の上方の照明系の性能チェック用の測定ユニ
ットであり、XYステージ34は照明系のチェックを行
う際所定の位置に移動し、この測定ユニットを投影レン
ズ系31の真下に持ってくる。この測定ユニットで、ガ
ラス板35の開口部35a及びケース36の開口部を介
して、照明系を出て投影レンズ系31の像面に達した光
を光電変換器37へ導く。開口部35aの受光面は投影
レンズ系31像面位置にあり、必要であれば不図示の焦
点検出系(ウエハー32の表面の高さを検出する周知の
センサー)とXYステージ34に内蔵された測定ユニッ
ト駆動系とを用い、開口部35の装置の光軸方向の高さ
が調整される。ガラス板35はケース36に取り取り付
けられており、ケース36は前述の通り中央に開口部が
開いているが、ここでは、このケース36の開口部がガ
ラス板35の開口部と所定量だけずらせるように、測定
ユニットが組まれている。ケース36の開口部が置かれ
る位置は投影レンズ系3lの像面側のNAの大きい場所
で且つ像面から十分離れている。従ってケース36の開
口部の受光面では、投影レンズ系31の瞳面での光分布
がそのまま現れる。本実施例では、この測定ユニットは
使用しない。従って、この測定ユニットの使用法の説明
は後の実施例で説明する。
【0078】本実施例では、フィルターl7と絞り部材
l8の作用により、投影レンズ系31の瞳面に、全体と
してリング状を成し、マスク30の縦横パターンの方向
に相当するxy軸上の4点を含む部分の強度が他の部分
よりも低い有効光源を形成しつつ、照明系(ll、1
2、14、15、l05、l6、l7、18、19、2
0、21、22、23、24、25、26、27、2
8)により、マスク30のパターンを均一な照度で照明
し、投影レンズ系31によりパターン像をウエハ―32
上に投影して、ウエハー32のレジストにパターン像を
転写した。
l8の作用により、投影レンズ系31の瞳面に、全体と
してリング状を成し、マスク30の縦横パターンの方向
に相当するxy軸上の4点を含む部分の強度が他の部分
よりも低い有効光源を形成しつつ、照明系(ll、1
2、14、15、l05、l6、l7、18、19、2
0、21、22、23、24、25、26、27、2
8)により、マスク30のパターンを均一な照度で照明
し、投影レンズ系31によりパターン像をウエハ―32
上に投影して、ウエハー32のレジストにパターン像を
転写した。
【0079】又、ここでは、フィルター17と絞り部材
l8をインテグレーター19の前に置いているが、フィ
ルター17と絞り部材l8をインテグレーターl9の直
後に置いてもいい。又、後述する第2実施例で使用する
図11(b)に示す絞り部材18を、フィルター17と
絞り部材18より成る系の代わりに使用しても良い。レ
ジストパターニング装置の種類の違いに関しては、本発
明において何等影響ないのでその他の装置を用いても構
わない。
l8をインテグレーター19の前に置いているが、フィ
ルター17と絞り部材l8をインテグレーターl9の直
後に置いてもいい。又、後述する第2実施例で使用する
図11(b)に示す絞り部材18を、フィルター17と
絞り部材18より成る系の代わりに使用しても良い。レ
ジストパターニング装置の種類の違いに関しては、本発
明において何等影響ないのでその他の装置を用いても構
わない。
【0080】その後、本実施例の現像液に試料を70秒
間浸漬し、超純水による60秒間の水洗を行いパターン
を形成した。パターンとパターンの間隔はそのパターン
サイズの2倍となっている。例えば0.3μmサイズの
ホールの場合、その間隔は0.6μmとなっている。こ
こでは先ず0.5μmから0.3μmサイズのホールを
作製した。
間浸漬し、超純水による60秒間の水洗を行いパターン
を形成した。パターンとパターンの間隔はそのパターン
サイズの2倍となっている。例えば0.3μmサイズの
ホールの場合、その間隔は0.6μmとなっている。こ
こでは先ず0.5μmから0.3μmサイズのホールを
作製した。
【0081】図8にホールパターン形成の露光閾値エネ
ルギの界面活性剤添加濃度依存性を示す。界面活性剤の
増加にともないサイズの小さなホールに顕著な閾値露光
エネルギ低下がみられた。つまり0.4μmパターンの
場合、露光閾値エネルギの界面活性剤添加依存性は余り
見られないが、0.35μmさらには0.3μmとパタ
ーンサイズが小さくなるにつれ界面活性剤濃度の増加と
共に、閾値露光量が顕著に低下している。界面活性剤の
添加濃度が300ppm以上で、0.3μmまでのホー
ルパターンを同一露光条件で形成することができた。こ
の現象は本発明で用いた現像液において、より小さいサ
イズのパターンに対して、レジスト溶解を増大する能力
があるためである。
ルギの界面活性剤添加濃度依存性を示す。界面活性剤の
増加にともないサイズの小さなホールに顕著な閾値露光
エネルギ低下がみられた。つまり0.4μmパターンの
場合、露光閾値エネルギの界面活性剤添加依存性は余り
見られないが、0.35μmさらには0.3μmとパタ
ーンサイズが小さくなるにつれ界面活性剤濃度の増加と
共に、閾値露光量が顕著に低下している。界面活性剤の
添加濃度が300ppm以上で、0.3μmまでのホー
ルパターンを同一露光条件で形成することができた。こ
の現象は本発明で用いた現像液において、より小さいサ
イズのパターンに対して、レジスト溶解を増大する能力
があるためである。
【0082】次にホールの断面を走査型顕微鏡により観
察し、本実施例の現像液と、従来の界面活性剤添加現像
液の比較を行った。図9に、0.4μm、0.35μ
m、0.3μmのホールパターンプロファイルを示す。
従来の界面活性剤ではホールパターンの側壁が湾曲する
形状をもっていたが、本実施例で用いた現像液では、ホ
ールパターンの側壁部がシャープな形状を形成できた。
この現象は、微細エリアに選択的に現像液が浸透するこ
とと、溶解反応生成物が速く拡散してレジスト表面から
除去され、パターンが小さいほど新鮮な現像液が素早く
供給されるため、比較的大きなパターンエリアを持つレ
ジストと同様な過程を通って現像が進行するため生じる
のである。
察し、本実施例の現像液と、従来の界面活性剤添加現像
液の比較を行った。図9に、0.4μm、0.35μ
m、0.3μmのホールパターンプロファイルを示す。
従来の界面活性剤ではホールパターンの側壁が湾曲する
形状をもっていたが、本実施例で用いた現像液では、ホ
ールパターンの側壁部がシャープな形状を形成できた。
この現象は、微細エリアに選択的に現像液が浸透するこ
とと、溶解反応生成物が速く拡散してレジスト表面から
除去され、パターンが小さいほど新鮮な現像液が素早く
供給されるため、比較的大きなパターンエリアを持つレ
ジストと同様な過程を通って現像が進行するため生じる
のである。
【0083】次に、図7に示す構成の高解像度パターン
を形成するために製造された変形照明法を用いたi線縮
小投影露光装置を用いて、0.2μmまでのホールパタ
ーンを形成した。図10に0.3μm、0.25μm、
0.2μmのホールパターンの断面写真を示す。露光エ
ネルギは480mJ/cm2 で同一露光条件である。図
から明らかなように、本実施例のリソグラフィ工程を用
いることにより、従来形成できなかった0.2μmパタ
ーンまで、同一露光条件で正確に良好なパターンプロフ
ァイルを形成することができた。この現象は、形成しに
くい超微細パターンほど現像能力を増大させる効果を持
つ現像液により達成された。
を形成するために製造された変形照明法を用いたi線縮
小投影露光装置を用いて、0.2μmまでのホールパタ
ーンを形成した。図10に0.3μm、0.25μm、
0.2μmのホールパターンの断面写真を示す。露光エ
ネルギは480mJ/cm2 で同一露光条件である。図
から明らかなように、本実施例のリソグラフィ工程を用
いることにより、従来形成できなかった0.2μmパタ
ーンまで、同一露光条件で正確に良好なパターンプロフ
ァイルを形成することができた。この現象は、形成しに
くい超微細パターンほど現像能力を増大させる効果を持
つ現像液により達成された。
【0084】以上の結果から、本実施例のリソグラフィ
工程により、レジストのパターンサイズ、形状に関係な
く、特に0.25μm以下の微細パターンが変形照明法
を用いたi線縮小投影露光装置で設計値通りに形成され
ることが確認された。
工程により、レジストのパターンサイズ、形状に関係な
く、特に0.25μm以下の微細パターンが変形照明法
を用いたi線縮小投影露光装置で設計値通りに形成され
ることが確認された。
【0085】(実施例2)実施例1と同様にして、5イ
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図11に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図11に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
【0086】図11(a)、(b)は、本発明の露光装
置の他の例を示す図であり、図中、図7で示した部材と
同じ部材又は同じ機能を持つ部材には、図7で付した番
号と同じ番号を付している。従って、図7の装置と本実
施例の装置を比較すると、本実施例の構成で図7の装置
と異なっている点は、図11(b)に示すように絞り部
材18の開口部が4個の独立した開口より成る点、クロ
スNDフィルターの代わりに部材18の各独立開口に対
応させて4個の独立なフィルターl7a、l7b、l7
c、l7dを設けている点、更にミラー12とミラーl
4の間に4角錐プリズム13を挿入している点である。
置の他の例を示す図であり、図中、図7で示した部材と
同じ部材又は同じ機能を持つ部材には、図7で付した番
号と同じ番号を付している。従って、図7の装置と本実
施例の装置を比較すると、本実施例の構成で図7の装置
と異なっている点は、図11(b)に示すように絞り部
材18の開口部が4個の独立した開口より成る点、クロ
スNDフィルターの代わりに部材18の各独立開口に対
応させて4個の独立なフィルターl7a、l7b、l7
c、l7dを設けている点、更にミラー12とミラーl
4の間に4角錐プリズム13を挿入している点である。
【0087】又、本実施例では、4分割ディテクター4
2からの出力をシャッターl5の開閉制御以外の用途に
も優用し、測定ユニット35〜37にも使用する。
2からの出力をシャッターl5の開閉制御以外の用途に
も優用し、測定ユニット35〜37にも使用する。
【0088】以下、前記実施例との相違点を重点的に説
明しながら、本実施例の作用効果を述べる。
明しながら、本実施例の作用効果を述べる。
【0089】4角錐プリズムl3、フィルター17a、
17b、l7c、l7d及び絞り部材l8を置かない状
態で、水銀灯11からの光によりインテグレータl9を
照明すると、インテグレータ19の光射出面で中心に高
いピークを持っガウシアン分布に似た光量分布の2次光
源が生じてしまう。インテグレーターl9の光射出面は
投影レンズ系31の瞳面と共役であるから、この瞳面に
は、瞳中心に光量分布のピークを持つ有効光源ができ
る。既に説明した様に、本発明で用いる有効光源は瞳中
心でピークを示さない光量分布を持つものであるから、
前記実施例の如くインテグレーターl9の中心部付近に
入射する光を遮る必要がある。しかしながら、絞り部材
l8を単にインテグレター19の前に置いた場合、水銀
灯11からの光の大部分をけってしまい、光量損失が大
きくなる。そこで、本実施例では、楕円ミラーl2の直
後に四角錐プリズムl3を挿入して、オプティカルイン
テグレーター19上での照度分布をコントロールした。
17b、l7c、l7d及び絞り部材l8を置かない状
態で、水銀灯11からの光によりインテグレータl9を
照明すると、インテグレータ19の光射出面で中心に高
いピークを持っガウシアン分布に似た光量分布の2次光
源が生じてしまう。インテグレーターl9の光射出面は
投影レンズ系31の瞳面と共役であるから、この瞳面に
は、瞳中心に光量分布のピークを持つ有効光源ができ
る。既に説明した様に、本発明で用いる有効光源は瞳中
心でピークを示さない光量分布を持つものであるから、
前記実施例の如くインテグレーターl9の中心部付近に
入射する光を遮る必要がある。しかしながら、絞り部材
l8を単にインテグレター19の前に置いた場合、水銀
灯11からの光の大部分をけってしまい、光量損失が大
きくなる。そこで、本実施例では、楕円ミラーl2の直
後に四角錐プリズムl3を挿入して、オプティカルイン
テグレーター19上での照度分布をコントロールした。
【0090】水銀灯11は、その発光部が楕円ミラーl
2の第l焦点位置と―致するように置かれており、水銀
灯11から発し楕円ミラーl2で反射した光は、四角錐
プリズム13により相異なる方向に偏向された4本の光
束に変換される。この4本の光束はミラーl4で反射さ
れシャッターl5の位置に到達する。そして、シャッタ
ー15が開いていれば、そのままフィルター16に入射
し、フィルターl6により、マスク30の像をウェハー
32上のレジストに投影する投影レンズ系31が最も良
い性能を発揮できる様に、水銀灯llの発光スペクトル
からi線が選択される。
2の第l焦点位置と―致するように置かれており、水銀
灯11から発し楕円ミラーl2で反射した光は、四角錐
プリズム13により相異なる方向に偏向された4本の光
束に変換される。この4本の光束はミラーl4で反射さ
れシャッターl5の位置に到達する。そして、シャッタ
ー15が開いていれば、そのままフィルター16に入射
し、フィルターl6により、マスク30の像をウェハー
32上のレジストに投影する投影レンズ系31が最も良
い性能を発揮できる様に、水銀灯llの発光スペクトル
からi線が選択される。
【0091】フイルターl6からの4本の光束は、夫
々、フィールドレンズl05を通過した後、本実施例の
重要な要素であるフィルター17a、17b、17c、
17dに入射する。この4個のフィルターは、4本の光
束の光量が互いにほぼ同じになるようにし、これにより
インテグレーター19の光出射面及び投影レンズ系31
の瞳面に形成する有効光源の4個の部分間の光量の対称
性を補正する補正部材である。各フィルターの光量減衰
作用を調節する場合には、各フィルター毎に数種類のN
Dフィルターを用意しておきNDフィルターを切り換え
て調節しても良いし、各フィルターを干渉フィルターで
構成し、この干渉フィルターの狭帯域性を利用し、この
干渉フィルターを傾けることにより調節しても良い。
々、フィールドレンズl05を通過した後、本実施例の
重要な要素であるフィルター17a、17b、17c、
17dに入射する。この4個のフィルターは、4本の光
束の光量が互いにほぼ同じになるようにし、これにより
インテグレーター19の光出射面及び投影レンズ系31
の瞳面に形成する有効光源の4個の部分間の光量の対称
性を補正する補正部材である。各フィルターの光量減衰
作用を調節する場合には、各フィルター毎に数種類のN
Dフィルターを用意しておきNDフィルターを切り換え
て調節しても良いし、各フィルターを干渉フィルターで
構成し、この干渉フィルターの狭帯域性を利用し、この
干渉フィルターを傾けることにより調節しても良い。
【0092】絞り部材l8は、フィルターl7a、l7
b、17C、l7dからの4本の光束を受ける。この絞
り部材18は、図11(b)に示すように4個の円形開
口を備えており、4個の円形開口の夫々と、フィルター
17a、17b、17c、17dからの4本の光束と
が、一対一に対応する。そして、絞り部材l8の4個の
開口からの光でインテグレーター19が照明され、イン
テグレーター19の光出射面及び投影レンズ系31の瞳
面に、絞り部材18の開口に対応する、図3(a)で示
した有効光源が形成される。
b、17C、l7dからの4本の光束を受ける。この絞
り部材18は、図11(b)に示すように4個の円形開
口を備えており、4個の円形開口の夫々と、フィルター
17a、17b、17c、17dからの4本の光束と
が、一対一に対応する。そして、絞り部材l8の4個の
開口からの光でインテグレーター19が照明され、イン
テグレーター19の光出射面及び投影レンズ系31の瞳
面に、絞り部材18の開口に対応する、図3(a)で示
した有効光源が形成される。
【0093】通常、絞り部材18の開口形状は、インテ
グレーター19を構成する各微小レンズの外形に対応し
た形状に設定される。従って、各微小レンズの断面が六
角形である場合には、開口形状も微小レンズの六角形に
沿った形にする。
グレーター19を構成する各微小レンズの外形に対応し
た形状に設定される。従って、各微小レンズの断面が六
角形である場合には、開口形状も微小レンズの六角形に
沿った形にする。
【0094】インテグレーターl9からの光は、レンズ
20、ミラー21、レンズ22、ハーフミラー23を介
してブレード24に向けられる。この時、前述した様に
インテグレーターl9の各レンズからの光束がブレード
24上で互いに重なり、ブレード24が均一な照度で照
明される。又、ハーフミラー23は、インテグレーター
l9の各レンズからの光束の一部分づつを反射して、反
射光により遮光板40を照明する。遮光板40の開口部
からの光がレンズ41により4分割ディテクター42上
に集光される。
20、ミラー21、レンズ22、ハーフミラー23を介
してブレード24に向けられる。この時、前述した様に
インテグレーターl9の各レンズからの光束がブレード
24上で互いに重なり、ブレード24が均一な照度で照
明される。又、ハーフミラー23は、インテグレーター
l9の各レンズからの光束の一部分づつを反射して、反
射光により遮光板40を照明する。遮光板40の開口部
からの光がレンズ41により4分割ディテクター42上
に集光される。
【0095】ブレード24の開口部を通過した光は、ミ
ラー25、レンズ26、ミラー27及びレンズ28によ
りマスク30に向けられる。ブレード24の開口部とマ
スク30のパターン部とは互いに共役であるから、イン
テグレーターl9の各レンズからの光束がマスク30上
でも重なり合い、マスク30を均一な照度で照明する。
そして、マスク30のパターンの像が、投影レンズ系3
1により投影される。4分割ディテクタ―42の各ディ
テクターは、図3(a)に示す如き有効光源の互いに分
離した4つの部分の夫々に対応しており、各部分の光量
を独立に検出できる。各ディテクターの出力を加え合わ
せればシャッター15の開閉制御を行うことができるの
は、前述した通りである。一方、各ディテクターの出力
を互いに比較することによって有効光源の個々の部分の
光量の割合がアンバランスになっていないかどうかのチ
ェックを行う。この時、4分割ディテクター42の各デ
ィテクター相互のキャリブレーションを行うことがチェ
ックの際の信頼性を高めることに通じる。このキャリブ
レーションについては後述する。
ラー25、レンズ26、ミラー27及びレンズ28によ
りマスク30に向けられる。ブレード24の開口部とマ
スク30のパターン部とは互いに共役であるから、イン
テグレーターl9の各レンズからの光束がマスク30上
でも重なり合い、マスク30を均一な照度で照明する。
そして、マスク30のパターンの像が、投影レンズ系3
1により投影される。4分割ディテクタ―42の各ディ
テクターは、図3(a)に示す如き有効光源の互いに分
離した4つの部分の夫々に対応しており、各部分の光量
を独立に検出できる。各ディテクターの出力を加え合わ
せればシャッター15の開閉制御を行うことができるの
は、前述した通りである。一方、各ディテクターの出力
を互いに比較することによって有効光源の個々の部分の
光量の割合がアンバランスになっていないかどうかのチ
ェックを行う。この時、4分割ディテクター42の各デ
ィテクター相互のキャリブレーションを行うことがチェ
ックの際の信頼性を高めることに通じる。このキャリブ
レーションについては後述する。
【0096】装置の瞳面に形成される有効光源の形状は
インテグレーターl9の形状に対応したものになる。イ
ンテグレーター19自体は微小なレンズの集まりである
為、有効光源の光量分布を細かく見ると、個々の微小レ
ンズの形状に対応した離散的なものとなっているが、マ
クロな観点で見れば図3(a)に示す光量分布が実現さ
れている。
インテグレーターl9の形状に対応したものになる。イ
ンテグレーター19自体は微小なレンズの集まりである
為、有効光源の光量分布を細かく見ると、個々の微小レ
ンズの形状に対応した離散的なものとなっているが、マ
クロな観点で見れば図3(a)に示す光量分布が実現さ
れている。
【0097】本実施例では光量モニター(23、40〜
42)と測定ユニット(35〜37)を用いて有効光源
の光量分布のチェックを行った。この為に、XYステー
ジ34を動かして測定ユニット(35〜37)を投影レ
ンズ系31の真下に持ってきた。この測定ユニットで、
ガラス板35の開風部35a及びケース36の開口部を
介して、照明系を出て投影レンズ系31の像面に達した
光を光電変換器37ヘ導く開口部35aの受光面は投影
レンズ系3lの像面位置に設定した。ガラス板35はケ
ース36に取り取り付けられており、ケース36は前述
の通り中央に開口部が開いているが、ここでは、このケ
ース36の開口部がガラス板35の開口部と所定量だけ
ずらせるように、測定ユニットが組まれている。本実施
例の照明系により照明を行った場合、ケース36の上面
では、図3(a)に示す有効光源の4つの部分が分離し
て現れる。ケース36の開口は、ブレード24の開口部
と同じように形状及び大きさが変更可能にできており、
不図示の駆動系に開口の大きさを変えることにより、有
効光源の4つの部分を個別に検出することと、有効光源
の4つの部分を一度に検出することができる。一方、光
電変換器37はガラス板35の開口35aを通過する光
束を全て受光し得る面積の受光部を持っている。尚、光
電変換器37の受光部の面積が大きくなりすぎて電気系
の応答特性が劣化する場合には、ガラス板35と光電変
換器37の間に集光レンズを入れ、このレンズによりガ
ラス板35の開口35aからの光束を集光し、光電変換
器37の受光部の面積を小さくして応答特性を改善する
ことができる。又、ケース36の開ロを有効光源の4つ
の部分を一度に検出することができるように設定してい
る状態で、XYステージ34を像面に沿って動かすこと
により、像面照度の均一性を測ることもできる。
42)と測定ユニット(35〜37)を用いて有効光源
の光量分布のチェックを行った。この為に、XYステー
ジ34を動かして測定ユニット(35〜37)を投影レ
ンズ系31の真下に持ってきた。この測定ユニットで、
ガラス板35の開風部35a及びケース36の開口部を
介して、照明系を出て投影レンズ系31の像面に達した
光を光電変換器37ヘ導く開口部35aの受光面は投影
レンズ系3lの像面位置に設定した。ガラス板35はケ
ース36に取り取り付けられており、ケース36は前述
の通り中央に開口部が開いているが、ここでは、このケ
ース36の開口部がガラス板35の開口部と所定量だけ
ずらせるように、測定ユニットが組まれている。本実施
例の照明系により照明を行った場合、ケース36の上面
では、図3(a)に示す有効光源の4つの部分が分離し
て現れる。ケース36の開口は、ブレード24の開口部
と同じように形状及び大きさが変更可能にできており、
不図示の駆動系に開口の大きさを変えることにより、有
効光源の4つの部分を個別に検出することと、有効光源
の4つの部分を一度に検出することができる。一方、光
電変換器37はガラス板35の開口35aを通過する光
束を全て受光し得る面積の受光部を持っている。尚、光
電変換器37の受光部の面積が大きくなりすぎて電気系
の応答特性が劣化する場合には、ガラス板35と光電変
換器37の間に集光レンズを入れ、このレンズによりガ
ラス板35の開口35aからの光束を集光し、光電変換
器37の受光部の面積を小さくして応答特性を改善する
ことができる。又、ケース36の開ロを有効光源の4つ
の部分を一度に検出することができるように設定してい
る状態で、XYステージ34を像面に沿って動かすこと
により、像面照度の均一性を測ることもできる。
【0098】ケース36の開口を動かして有効光源の各
部分の光量(強度)を測った結果は、照明系側にある4
分割ディテクター42の対応するディテクターの出力と
の比較が行われる。つまり、XYステージ34側にある
光電変換器37を参照ディテクターとして使用し、4分
割ディテクター42の出力をキヤリブレーションできる
ため、安定した状態で有効光源の経時変化をモニターし
ていくことができる。そして4分割ディテタター42又
は光電変換器37によって有効光源の各部分間の光量の
アンバランスを検出し、その結果に基づいて、フィルタ
ー17a、17b、17c、17dが、有効光源の各部
分の光量のマッチングが図られるよう調整される。
部分の光量(強度)を測った結果は、照明系側にある4
分割ディテクター42の対応するディテクターの出力と
の比較が行われる。つまり、XYステージ34側にある
光電変換器37を参照ディテクターとして使用し、4分
割ディテクター42の出力をキヤリブレーションできる
ため、安定した状態で有効光源の経時変化をモニターし
ていくことができる。そして4分割ディテタター42又
は光電変換器37によって有効光源の各部分間の光量の
アンバランスを検出し、その結果に基づいて、フィルタ
ー17a、17b、17c、17dが、有効光源の各部
分の光量のマッチングが図られるよう調整される。
【0099】本実施例では、116(b)の絞り部材1
8の作用により、投影レンズ系31の瞳面に、図3
(a)に示すマスク30の縦横パターンの方向に相当す
るxy軸上及び瞳中心(光軸)上に光量分布のピークを
持たない有効光源を形成しつつ、照明系(ll、l2、
l3、l4、l5、l6、l7、l8、19、20、2
1、22、23、24、25、26、27、28)によ
り、マスク30のパターンを均一な照度で照明し、投影
レンズ系31によりパターン像をウエハー32上に投影
して、ウエハー32のレジストにパターン像を転写し
た。
8の作用により、投影レンズ系31の瞳面に、図3
(a)に示すマスク30の縦横パターンの方向に相当す
るxy軸上及び瞳中心(光軸)上に光量分布のピークを
持たない有効光源を形成しつつ、照明系(ll、l2、
l3、l4、l5、l6、l7、l8、19、20、2
1、22、23、24、25、26、27、28)によ
り、マスク30のパターンを均一な照度で照明し、投影
レンズ系31によりパターン像をウエハー32上に投影
して、ウエハー32のレジストにパターン像を転写し
た。
【0100】次に、実施例1と同様にして現像を行っ
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
【0101】(実施例3)実施例1と同様にして、5イ
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図12に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図12に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
【0102】図12は、図11の露光装置の改良例を示
す部分的概略図である。従って、図12では、図11の
実施例と同じ部材については図11と全く同じ番号が付
けられている。
す部分的概略図である。従って、図12では、図11の
実施例と同じ部材については図11と全く同じ番号が付
けられている。
【0103】図中、11は超高圧水銀灯、12は楕円ミ
ラーである。ここでは楕円ミラーl2から出た光をビー
ムスプリッター群(51、53)で分割している。図3
(a)に示す4つの部分を持っ有効光源を形成する為
に、楕円ミラーl2から出た光を第1ビームスプリッタ
ー51、第2ビームスプリッター53で順次分割してい
る。52は光路の折り曲げミラーである。第2ビームス
プリッター53は第1ビームスプリッター51で分割さ
れた2本の光束の双方の光路にまたがっで斜設されてお
り、紙面に沿って進行する2本の光束を夫々分割し、夫
々の光束の一部を紙面と垂直方向に曲げる。夫々の光束
の他の部分は図示する通り紙面に沿って進む。又、第2
ビームスプリッター53から前記一部の光束の光路には
ミラー光学系があって、前記一部の光束を反射して前記
他の部分の光路と平行な別な光路に向ける。こうしてビ
ームスプリッター群(51、5З)及びミラー52と不
図示のミラー光学系とにより4つに分けられた光路は、
インテグレーターl9の光出射面で図3(a)に示すよ
うな光分布の2次光源を作るよう結合される。これによ
り、没影レンズ系31の瞳面に図3(a)に示す有効光
源が形成される紙面内にある分割された2つの光路に
は、夫々、リレーレンズ61a、61bが置かれ、この
リレーレンズ61a、61bの作用で、各光路を進む光
がインテグレーターl9上に集光せしめられる。第1ビ
ームスプリッターの挿入の結果、両光路の光路長が互い
に異なる為、リレーレンズ61a、61bの構成及び焦
点距離は互いに少しずつ異なっている。これは紙面内に
ない一対の光路に置かれる不図示の一対のリレーレンズ
についても同様である。
ラーである。ここでは楕円ミラーl2から出た光をビー
ムスプリッター群(51、53)で分割している。図3
(a)に示す4つの部分を持っ有効光源を形成する為
に、楕円ミラーl2から出た光を第1ビームスプリッタ
ー51、第2ビームスプリッター53で順次分割してい
る。52は光路の折り曲げミラーである。第2ビームス
プリッター53は第1ビームスプリッター51で分割さ
れた2本の光束の双方の光路にまたがっで斜設されてお
り、紙面に沿って進行する2本の光束を夫々分割し、夫
々の光束の一部を紙面と垂直方向に曲げる。夫々の光束
の他の部分は図示する通り紙面に沿って進む。又、第2
ビームスプリッター53から前記一部の光束の光路には
ミラー光学系があって、前記一部の光束を反射して前記
他の部分の光路と平行な別な光路に向ける。こうしてビ
ームスプリッター群(51、5З)及びミラー52と不
図示のミラー光学系とにより4つに分けられた光路は、
インテグレーターl9の光出射面で図3(a)に示すよ
うな光分布の2次光源を作るよう結合される。これによ
り、没影レンズ系31の瞳面に図3(a)に示す有効光
源が形成される紙面内にある分割された2つの光路に
は、夫々、リレーレンズ61a、61bが置かれ、この
リレーレンズ61a、61bの作用で、各光路を進む光
がインテグレーターl9上に集光せしめられる。第1ビ
ームスプリッターの挿入の結果、両光路の光路長が互い
に異なる為、リレーレンズ61a、61bの構成及び焦
点距離は互いに少しずつ異なっている。これは紙面内に
ない一対の光路に置かれる不図示の一対のリレーレンズ
についても同様である。
【0104】63はビームスプリッター群(51、5
3)により得た4本の光束の夫々について開閉制御がで
きるシャッター、16a、l6bは紙面内にある分割さ
れた2つの光路に置いた波長選択フィルターで、紙面外
の他の2つの光路の夫々にも同様のフィルターが置かれ
る。これらのフィルターは、前記実施例のフィルター1
6と同様、水銀灯11からの光からi線を取り出す。l
7a、17bが、紙面内にある分割された2つの光路に
置いた、有効光源の各部分の光量を調整する為のフィル
ターであり、紙面外の他の2つの光路の夫々にも同様の
フィルターが置かれる。そして、これらのフィルターの
機能は前記実施例のフィルター17a、17b、l7
C、l7dと同様の機能を持つ。
3)により得た4本の光束の夫々について開閉制御がで
きるシャッター、16a、l6bは紙面内にある分割さ
れた2つの光路に置いた波長選択フィルターで、紙面外
の他の2つの光路の夫々にも同様のフィルターが置かれ
る。これらのフィルターは、前記実施例のフィルター1
6と同様、水銀灯11からの光からi線を取り出す。l
7a、17bが、紙面内にある分割された2つの光路に
置いた、有効光源の各部分の光量を調整する為のフィル
ターであり、紙面外の他の2つの光路の夫々にも同様の
フィルターが置かれる。そして、これらのフィルターの
機能は前記実施例のフィルター17a、17b、l7
C、l7dと同様の機能を持つ。
【0105】又、本実施例では、インテグレーターに至
る光路を空間的に4つに分割した為、インテグレータを
4個の小型インテグレーターの集合により構成した。光
路の重なり具合の関係から、ここではインテグレーター
l9a、19bのみを図示している。インテグレーター
以降の構成は前記実施例と同じなので、これ以上の説明
は省略する。
る光路を空間的に4つに分割した為、インテグレータを
4個の小型インテグレーターの集合により構成した。光
路の重なり具合の関係から、ここではインテグレーター
l9a、19bのみを図示している。インテグレーター
以降の構成は前記実施例と同じなので、これ以上の説明
は省略する。
【0106】次に、実施例1と同様にして現像を行っ
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
【0107】(実施例4)実施例1と同様にして、5イ
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図13に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図13に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
【0108】図13は、本発明の影露光装置の、更に他
の例を示す部分的概略図である。
の例を示す部分的概略図である。
【0109】本実施例の装置は、有効光源の位置を時間
的に移動させることにより等価的に図3(a)に示すよ
うな有効光源を瞳面に形成ながらパターン像を投影露光
する。
的に移動させることにより等価的に図3(a)に示すよ
うな有効光源を瞳面に形成ながらパターン像を投影露光
する。
【0110】図13では前記各実施例と同じ部材につい
ては前記各実施例と同じ番号が付けられている。従っ
て、図中、1lは超高圧水銀灯、l2は楕円ミラー、l
4は折り曲げミラー、l5はシャッター、l6は波長選
択用干渉フィルター、l9がオプティカルインテグレー
ターを示し、不図示の、投影レンズ系31以降の系は前
記各実施例のものと同一である。
ては前記各実施例と同じ番号が付けられている。従っ
て、図中、1lは超高圧水銀灯、l2は楕円ミラー、l
4は折り曲げミラー、l5はシャッター、l6は波長選
択用干渉フィルター、l9がオプティカルインテグレー
ターを示し、不図示の、投影レンズ系31以降の系は前
記各実施例のものと同一である。
【0111】本実施例の特徴的な構成は、インテグレー
ターl9の後ろに時間的に動く平行平板71を置いたこ
とにある。平行平板71は照明光学系の光軸に対して斜
めに配置されており、図示する通り光軸に対する傾角が
変化するよう揺動して光軸をずらす役割を行う。従っ
て、マスク30側から、平行平板71を通してインテグ
レーター19を観察すると、平行平板71の揺動に伴っ
てインテグレーター19が上下又は左右に移動する様に
見える。ここでは平行平板71が光軸を中心にした回転
運動もできるように平行平板を支持しているので、平行
平板71を光軸に対して所定角度傾けた状態で回転させ
ることにより、投影レンズ系31の瞳面において、単一
有効光源が光軸(瞳中心)から離れたある半径の円周上
の任意の位置に配置できることになる。そして実際の露
光時には、平行平板71を動かして単一有効光源が所定
の位置に来た時、平行平板71の姿勢が固定され、所定
の時間露光が行われる。この動作を図3(a)に示した
有効光源の4個の部分の各々に単一有効光源ができるよ
う4回行なうことによってlつのショットの露光が完了
する。
ターl9の後ろに時間的に動く平行平板71を置いたこ
とにある。平行平板71は照明光学系の光軸に対して斜
めに配置されており、図示する通り光軸に対する傾角が
変化するよう揺動して光軸をずらす役割を行う。従っ
て、マスク30側から、平行平板71を通してインテグ
レーター19を観察すると、平行平板71の揺動に伴っ
てインテグレーター19が上下又は左右に移動する様に
見える。ここでは平行平板71が光軸を中心にした回転
運動もできるように平行平板を支持しているので、平行
平板71を光軸に対して所定角度傾けた状態で回転させ
ることにより、投影レンズ系31の瞳面において、単一
有効光源が光軸(瞳中心)から離れたある半径の円周上
の任意の位置に配置できることになる。そして実際の露
光時には、平行平板71を動かして単一有効光源が所定
の位置に来た時、平行平板71の姿勢が固定され、所定
の時間露光が行われる。この動作を図3(a)に示した
有効光源の4個の部分の各々に単一有効光源ができるよ
う4回行なうことによってlつのショットの露光が完了
する。
【0112】本実施例では、光源として水銀灯11を使
用したが、光源がエキシマレーザーの様にパルス発光を
行うようなものである時には、平行平板71の動きを連
続的な動きとし、平行平板71が所定の位置に釆た時に
光源を発光させるといった、露光制御を行ってもいい。
この時、光源としてエキシマレーザーを使用し、平行平
板71の光軸回りの回転の周期をエキシマレーザーの発
光の繰り返し周期とマッチングさせると都合が良い。例
えば、レーザ―が200Hzで発光しているとすると、
l回の発光ごとに有効光源が隣の象限に移る様に平行平
板71の回転数を制御すれば、効率の良い露光を行うこ
とができる。
用したが、光源がエキシマレーザーの様にパルス発光を
行うようなものである時には、平行平板71の動きを連
続的な動きとし、平行平板71が所定の位置に釆た時に
光源を発光させるといった、露光制御を行ってもいい。
この時、光源としてエキシマレーザーを使用し、平行平
板71の光軸回りの回転の周期をエキシマレーザーの発
光の繰り返し周期とマッチングさせると都合が良い。例
えば、レーザ―が200Hzで発光しているとすると、
l回の発光ごとに有効光源が隣の象限に移る様に平行平
板71の回転数を制御すれば、効率の良い露光を行うこ
とができる。
【0113】このように時間的に単一有効光源が移動す
る方式を採る場合、瞳上の幾つかの部分に形成される有
効光源部が同一光源からの光エネルギーで作られる為、
瞳面上で分離された有効光源部の強度を互いに常に同じ
に設定することが容易である。
る方式を採る場合、瞳上の幾つかの部分に形成される有
効光源部が同一光源からの光エネルギーで作られる為、
瞳面上で分離された有効光源部の強度を互いに常に同じ
に設定することが容易である。
【0114】本実施例で前記各実施例にあるような有効
光源光量補正用のフィルターl7を置かなかったのは、
この理由によっている。
光源光量補正用のフィルターl7を置かなかったのは、
この理由によっている。
【0115】さて、平行平板71を通過した光は、レン
ズ72、ハーフミラー73、レンズ74を介してマスク
30を均一照明する。本実施例では前記各実施例では置
いてた第1結像光学系がない為に、前記各実施例のブレ
ード24とは違うブレード78をマスク30の近くに配
置した。このブレード78は、ブレード24と構成及び
機能が同じであり、マスク30上に形成したパターンの
大きさに応じてその開口部の大きさを変えることができ
る。
ズ72、ハーフミラー73、レンズ74を介してマスク
30を均一照明する。本実施例では前記各実施例では置
いてた第1結像光学系がない為に、前記各実施例のブレ
ード24とは違うブレード78をマスク30の近くに配
置した。このブレード78は、ブレード24と構成及び
機能が同じであり、マスク30上に形成したパターンの
大きさに応じてその開口部の大きさを変えることができ
る。
【0116】ミラー73は入射光の大部分を反射する―
方、入射光の一部分を透過させて露光量制御用の光量モ
ニターに光を導く。75はコンデンサレンズ、76はマ
スク30と光学的に等価な位置にあるピンホール板で、
ミラー73からの光がレンズ75によりピンホール板7
6に集光され、ピンホール板76のピンホールを通過し
た光がフォトディテクター77で受光され、フォトディ
テクター77から入射光の強度に応じた信号が出力され
る。装置の不図示のコンピユーターは、この信号に基づ
いてシャッター15の開閉制御を行う。尚、本実施例で
は有効光源間の各部分の光量比をモニターする必要がな
いので、フォトディテクター77は特に4分割ディテク
ターである必要はない。
方、入射光の一部分を透過させて露光量制御用の光量モ
ニターに光を導く。75はコンデンサレンズ、76はマ
スク30と光学的に等価な位置にあるピンホール板で、
ミラー73からの光がレンズ75によりピンホール板7
6に集光され、ピンホール板76のピンホールを通過し
た光がフォトディテクター77で受光され、フォトディ
テクター77から入射光の強度に応じた信号が出力され
る。装置の不図示のコンピユーターは、この信号に基づ
いてシャッター15の開閉制御を行う。尚、本実施例で
は有効光源間の各部分の光量比をモニターする必要がな
いので、フォトディテクター77は特に4分割ディテク
ターである必要はない。
【0117】本実施例では、投影レンズ系31の瞳面に
図3(a)で示す有効光源を形成しつつ、マスク30の
パターンを均一な照度で照明し、投影レンズ系31によ
りパターン像をウエハー上に投影して、ウエハーのレジ
ストにパターン像を転写した。
図3(a)で示す有効光源を形成しつつ、マスク30の
パターンを均一な照度で照明し、投影レンズ系31によ
りパターン像をウエハー上に投影して、ウエハーのレジ
ストにパターン像を転写した。
【0118】次に、実施例1と同様にして現像を行っ
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
【0119】(実施例5)実施例1と同様にして、5イ
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図14に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図14に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
【0120】図14は本発明の露光装置の、更に他の例
を示す部分的概略図である。
を示す部分的概略図である。
【0121】本実施例では光源としてKrFエキシマレ
ーザー81(中心波長248.4nm、バンド幅0.0
03〜0.005nm)を用いた。エキシマレーザー8
1はパルス発光する為、シャッターを設けずにレーザー
自身の駆動制御により露光制御を行うこと、及び、レー
ザー自身がフィルターを持ちレーザー光のバンド幅が狭
帯域化されている為、波長選択用干渉フィルターを配置
しないことが特徴となっている。ビームスプリッター群
(51、53)、ミラー52、フィルターl7及びイン
テグレ一タl9の働きは、図12に示した実施例と同じ
である。又、インテグレーター19以降の系は図11
(a)のものと同じである。但し、不図示の投影レンズ
系は、波長248.4nmに関して設計された、合成石
英のみ主成分としたレンズアセンブリで構成されてい
る。
ーザー81(中心波長248.4nm、バンド幅0.0
03〜0.005nm)を用いた。エキシマレーザー8
1はパルス発光する為、シャッターを設けずにレーザー
自身の駆動制御により露光制御を行うこと、及び、レー
ザー自身がフィルターを持ちレーザー光のバンド幅が狭
帯域化されている為、波長選択用干渉フィルターを配置
しないことが特徴となっている。ビームスプリッター群
(51、53)、ミラー52、フィルターl7及びイン
テグレ一タl9の働きは、図12に示した実施例と同じ
である。又、インテグレーター19以降の系は図11
(a)のものと同じである。但し、不図示の投影レンズ
系は、波長248.4nmに関して設計された、合成石
英のみ主成分としたレンズアセンブリで構成されてい
る。
【0122】エキシマレーザー81の場合、レーザー光
のコヒーレンシーが高いので、スペックルパターンの発
生を押さえる必要がある。この為、本実施例では、イン
コヒーレント化ユニット82が、ビームスプリッター群
51〜53で光が分離された後に置かれている。エキシ
マレーザーを用いた照明光学系のスペックル除去の方法
については過去いろいろな手法が発表されているが、本
発明の有効光源を作ることはそれらと本質的な矛盾はな
く、公知の様々な手法が適用可能である。従って、ここ
ではユニット82についての詳細は説明しない。
のコヒーレンシーが高いので、スペックルパターンの発
生を押さえる必要がある。この為、本実施例では、イン
コヒーレント化ユニット82が、ビームスプリッター群
51〜53で光が分離された後に置かれている。エキシ
マレーザーを用いた照明光学系のスペックル除去の方法
については過去いろいろな手法が発表されているが、本
発明の有効光源を作ることはそれらと本質的な矛盾はな
く、公知の様々な手法が適用可能である。従って、ここ
ではユニット82についての詳細は説明しない。
【0123】本実施例では、図示した光学系(17、l
9、51、52、53、82)の作用により不図示の投
影レンズ系の瞳面に図3(a)で示す有効光源を形成し
つつ、マスクのパターンを均一な照度で照明し、投影レ
ンズ系によりパターン像をウエハー上に投影して、ウエ
ハーのレジストにパターン像を転写した。
9、51、52、53、82)の作用により不図示の投
影レンズ系の瞳面に図3(a)で示す有効光源を形成し
つつ、マスクのパターンを均一な照度で照明し、投影レ
ンズ系によりパターン像をウエハー上に投影して、ウエ
ハーのレジストにパターン像を転写した。
【0124】次に、実施例1と同様にして現像を行っ
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
【0125】(実施例6)実施例1と同様にして、5イ
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図15に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図15に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
【0126】図15は、図14に示した第5実施例を改
良した装置を示す部分的概略図である。
良した装置を示す部分的概略図である。
【0127】本実施例は、レーザー81からのレーザー
光を反射型4角錐プリズムで4個の光束に分離した。図
11の装置では透過型の4角錐プリズムl3を用いて光
束の分離をしていたが、同様のことは反射型でも行え
る。本発明の構成は、勿論、超高圧水銀灯を光源に用い
ても実現できるが、ここでは光源としてKrFエキシマ
レーザ―を用いた。レーザー81から出たレーザー光は
アフォーカルコンバーター91で適切なビ−ムサイズに
拡大変換された後、4角錐プリズム92に入射する。4
角錐プリズムの配置は、その4個の反射面が、結果とし
て不図示の投影レンズ系の瞳位置に図3(b)のような
有効光源を形成できる方向に向くよう設定する。93は
4角錐プリズム92の各反射面で分割・反射された光を
曲げるミラーであり、ミラー93以降の構成は図14の
装置と同じで、インテグレーター19以降の系は、図1
1(a)のものと同じである。但し、不図示の投影レン
ズ系は、波長248.4nmに関して設計された、合成
石英のみ主成分としたレンズアセンブリで構成されてい
る。
光を反射型4角錐プリズムで4個の光束に分離した。図
11の装置では透過型の4角錐プリズムl3を用いて光
束の分離をしていたが、同様のことは反射型でも行え
る。本発明の構成は、勿論、超高圧水銀灯を光源に用い
ても実現できるが、ここでは光源としてKrFエキシマ
レーザ―を用いた。レーザー81から出たレーザー光は
アフォーカルコンバーター91で適切なビ−ムサイズに
拡大変換された後、4角錐プリズム92に入射する。4
角錐プリズムの配置は、その4個の反射面が、結果とし
て不図示の投影レンズ系の瞳位置に図3(b)のような
有効光源を形成できる方向に向くよう設定する。93は
4角錐プリズム92の各反射面で分割・反射された光を
曲げるミラーであり、ミラー93以降の構成は図14の
装置と同じで、インテグレーター19以降の系は、図1
1(a)のものと同じである。但し、不図示の投影レン
ズ系は、波長248.4nmに関して設計された、合成
石英のみ主成分としたレンズアセンブリで構成されてい
る。
【0128】本実施例でも、図示した光学系(17、1
9、91、92、93、82)の作用により不図示の投
影レンズ系の瞳面に図3(a)で示す有効光源を形成し
つつ、マスクのパターンを均一な照度で照明し、投影レ
ンズ系によりパターン像をウエハー上に投影して、ウエ
ハーのレジストにパターン像を転写した。
9、91、92、93、82)の作用により不図示の投
影レンズ系の瞳面に図3(a)で示す有効光源を形成し
つつ、マスクのパターンを均一な照度で照明し、投影レ
ンズ系によりパターン像をウエハー上に投影して、ウエ
ハーのレジストにパターン像を転写した。
【0129】次に、実施例1と同様にして現像を行っ
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
【0130】(実施例7)実施例1と同様にして、5イ
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図16に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図16に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
【0131】図16は、本発明の露光装置の、更に他の
例を示す部分的概略図である。
例を示す部分的概略図である。
【0132】本実施例ではファィバー束101を用いた
照明系を示す。ファイバー束101の光入射面は超高圧
水銀灯11の光が楕円ミラー12によって集光する位置
に配置され、各ファイバーを介して光束が引き回され
て、インテグレータ19の光入射面に導かれている。フ
ァィバー束101の超高圧水銀灯11と逆側の端、即ち
光出射面は4つ束に分岐され、その一つ一つが図3
(a)の有効光源の各部分に対応している。各ファイバ
ー束の出口には有効光源の各部分の光量を調整するフイ
ルター17が配置されている。これ以降の光学系は図1
3の実施例の構成がそのまま流用されている。但し、光
量モニターのフォトディテクターに、各ファイバー束の
からの光の光量(2次光源の4個の部分及び有効光源の
4層の部分)のバランスを測定する為、4分割ディテク
ター102が用いられている。4分割ディテクター10
2の個々のディテクターは、夫々、4個のインテグレー
ター19の出口に対応している。
照明系を示す。ファイバー束101の光入射面は超高圧
水銀灯11の光が楕円ミラー12によって集光する位置
に配置され、各ファイバーを介して光束が引き回され
て、インテグレータ19の光入射面に導かれている。フ
ァィバー束101の超高圧水銀灯11と逆側の端、即ち
光出射面は4つ束に分岐され、その一つ一つが図3
(a)の有効光源の各部分に対応している。各ファイバ
ー束の出口には有効光源の各部分の光量を調整するフイ
ルター17が配置されている。これ以降の光学系は図1
3の実施例の構成がそのまま流用されている。但し、光
量モニターのフォトディテクターに、各ファイバー束の
からの光の光量(2次光源の4個の部分及び有効光源の
4層の部分)のバランスを測定する為、4分割ディテク
ター102が用いられている。4分割ディテクター10
2の個々のディテクターは、夫々、4個のインテグレー
ター19の出口に対応している。
【0133】本実施例では、投影レンズ系31の瞳面に
図3(a)で示す有効光源を形成しつつ、マスク30の
パターンを均一な照度で照明し、投影レンズ系31によ
りパターン像をウエハー上に投影して、ウエハーのレジ
ストにパターン像を転写した。
図3(a)で示す有効光源を形成しつつ、マスク30の
パターンを均一な照度で照明し、投影レンズ系31によ
りパターン像をウエハー上に投影して、ウエハーのレジ
ストにパターン像を転写した。
【0134】次に、実施例1と同様にして現像を行っ
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
【0135】(実施例8)実施例1と同様にして、5イ
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図17に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
ンチシリコン基板上に0.7μmのレジストを形成した
後、図17に示す露光装置を用いてレジスト上にテスト
パターン602の5対1の縮小投影を行った。
【0136】図17は、本発明の露光装置の、更に他の
例を示す部分的概略図である。
例を示す部分的概略図である。
【0137】本実施例では複数の光源を用いて照明系を
構成した。ここでは、光源として超高圧水銀灯lla、
11bを用いているが、光源としてエキシマレーザーを
使用し、レーザー光学系即ち平行で発散角の少ないビー
ムに対する光学系を組むことも可能である。
構成した。ここでは、光源として超高圧水銀灯lla、
11bを用いているが、光源としてエキシマレーザーを
使用し、レーザー光学系即ち平行で発散角の少ないビー
ムに対する光学系を組むことも可能である。
【0138】本実施例では、重なりの為図示されていな
いが、超高圧水銀灯を4個置いてあり、4個の超高圧水
銀灯の夫々からの光束が凹レンズl03に入射して、凹
レンズl03により統合されて、波長選択用干渉フィル
ター16、有効光源の各部分の光量を調整する4個のフ
ィルターl7を介してインテグレーターl9に到達す
る。インテグレーター19以降の光学系の構成は図16
の装置と同様で、投影レンズ系31の瞳面に図3(a)
に示す有効光源を形成する。従って、本実施例でも、投
影レンズ系31によりパターン像をウエハー上に投影し
て、ウエハーのレジストにパターン像を転写した。
いが、超高圧水銀灯を4個置いてあり、4個の超高圧水
銀灯の夫々からの光束が凹レンズl03に入射して、凹
レンズl03により統合されて、波長選択用干渉フィル
ター16、有効光源の各部分の光量を調整する4個のフ
ィルターl7を介してインテグレーターl9に到達す
る。インテグレーター19以降の光学系の構成は図16
の装置と同様で、投影レンズ系31の瞳面に図3(a)
に示す有効光源を形成する。従って、本実施例でも、投
影レンズ系31によりパターン像をウエハー上に投影し
て、ウエハーのレジストにパターン像を転写した。
【0139】次に、実施例1と同様にして現像を行っ
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
た。その結果、実施例1と同様、従来形成できなかった
0.2μmまでのパターンが設計値通りに形成されるこ
とが確認された。
【0140】以上述べた露光装置では瞳面での有効光源
の配置を固定としてきた。しかしながら、実施例の最初
の部分で述ベた様に、有効光源の各部分の中心位置を表
わすパラメーターpとその半径或はそれに外接する円の
半径を表わすパラメーターq、又有効光源の各部分の形
状は、投影露光の対象となるパターンの種類によって最
適値が異なる。従って、例えば、各実施例の装置で有効
光源の形状を表すパラメーターp、qを可変にする系を
構成するといい。例えば、各実施例の内絞り部材l8を
使用するものは、絞り部材l8として開口形状が可変な
ものを使用したり、或は複数個の互いに開口形状が異な
る絞りを用意しておけば良い。
の配置を固定としてきた。しかしながら、実施例の最初
の部分で述ベた様に、有効光源の各部分の中心位置を表
わすパラメーターpとその半径或はそれに外接する円の
半径を表わすパラメーターq、又有効光源の各部分の形
状は、投影露光の対象となるパターンの種類によって最
適値が異なる。従って、例えば、各実施例の装置で有効
光源の形状を表すパラメーターp、qを可変にする系を
構成するといい。例えば、各実施例の内絞り部材l8を
使用するものは、絞り部材l8として開口形状が可変な
ものを使用したり、或は複数個の互いに開口形状が異な
る絞りを用意しておけば良い。
【0141】(実施例9)本発明の第9実施例を図18
〜22を用いて説明する。
〜22を用いて説明する。
【0142】図18は、本実施例のオゾン添加の超純水
リンス洗浄で用いたオゾン添加超純水の製造方法を示す
概念図である。この装置は超純水の電気分解によりオゾ
ンを発生させ、超純水に溶け込ませている。オゾン発生
装置は市販品を用いており、特別な処置は取っていな
い。この装置を用いると、超純水中のオゾン濃度を0.
01〜10ppmまで精度良く安定に供給できる。
リンス洗浄で用いたオゾン添加超純水の製造方法を示す
概念図である。この装置は超純水の電気分解によりオゾ
ンを発生させ、超純水に溶け込ませている。オゾン発生
装置は市販品を用いており、特別な処置は取っていな
い。この装置を用いると、超純水中のオゾン濃度を0.
01〜10ppmまで精度良く安定に供給できる。
【0143】図19は、本発明で用いられた現像液にシ
リコンウェハを60秒間浸漬し、その後水洗リンスを6
0秒間行った試料と、2ppmのオゾンを含む超純水リ
ンスを60秒間行った試料から得られるカーボン1sピ
ークをX線光電子分光により分析したデータである。超
純水リンスではシリコン表面から界面活性剤ピーク19
01が見られるが、2ppmのオゾンを含んだ超純水リ
ンスでは、界面活性剤ピーク1901は見られない。シ
リコン表面に吸着した界面活性剤は、室温のオゾン超純
水リンス洗浄により分解され、除去されることが確認さ
れた。また、超純水へのオゾンの添加濃度を0.1pp
mとしたときも、洗浄時間を10分間にすることにより
同様の効果があることが確認されている。
リコンウェハを60秒間浸漬し、その後水洗リンスを6
0秒間行った試料と、2ppmのオゾンを含む超純水リ
ンスを60秒間行った試料から得られるカーボン1sピ
ークをX線光電子分光により分析したデータである。超
純水リンスではシリコン表面から界面活性剤ピーク19
01が見られるが、2ppmのオゾンを含んだ超純水リ
ンスでは、界面活性剤ピーク1901は見られない。シ
リコン表面に吸着した界面活性剤は、室温のオゾン超純
水リンス洗浄により分解され、除去されることが確認さ
れた。また、超純水へのオゾンの添加濃度を0.1pp
mとしたときも、洗浄時間を10分間にすることにより
同様の効果があることが確認されている。
【0144】次に、非露光レジストの薄膜を形成した試
料を、本発明の界面活性剤添加現像液に60秒間浸漬
し、表面に界面活性剤を吸着させた。その後2ppmの
オゾンを含む超純水処理を行い、試料表面の超純水の接
触角を調べた。図20にオゾン超純水洗浄時間とレジス
ト表面からの界面活性剤の除去能力の関係を示す。2p
pmのオゾンを含む超純水洗浄前は、レジスト表面に界
面活性剤が吸着している為、その接触角は清浄レジスト
表面の値より低い値を取る。しかしながら、60秒以上
の洗浄により、清浄レジスト表面上の接触角の値と完全
に一致し、界面活性剤が除去されることが確認された。
料を、本発明の界面活性剤添加現像液に60秒間浸漬
し、表面に界面活性剤を吸着させた。その後2ppmの
オゾンを含む超純水処理を行い、試料表面の超純水の接
触角を調べた。図20にオゾン超純水洗浄時間とレジス
ト表面からの界面活性剤の除去能力の関係を示す。2p
pmのオゾンを含む超純水洗浄前は、レジスト表面に界
面活性剤が吸着している為、その接触角は清浄レジスト
表面の値より低い値を取る。しかしながら、60秒以上
の洗浄により、清浄レジスト表面上の接触角の値と完全
に一致し、界面活性剤が除去されることが確認された。
【0145】次に、実施例1と同様にして、0.3μm
のレジストパターンを作製し、2ppmのオゾンを含む
超純水で洗浄した。
のレジストパターンを作製し、2ppmのオゾンを含む
超純水で洗浄した。
【0146】図21は、2ppmのオゾンを含む超純水
洗浄前後の0.3μmのレジストパターンプロファイル
を示す。2ppmのオゾンを含む超純水洗浄前後の0.
3μmのレジストパターンプロファイルには全く相違点
はみられない。オゾンによるレジストパターンの変形等
の悪影響がないことが確認された。
洗浄前後の0.3μmのレジストパターンプロファイル
を示す。2ppmのオゾンを含む超純水洗浄前後の0.
3μmのレジストパターンプロファイルには全く相違点
はみられない。オゾンによるレジストパターンの変形等
の悪影響がないことが確認された。
【0147】図22は、本発明で用いられる現像液
(b)と、従来の現像液にシリコンウェハ(a)を30
分間浸漬した後、2ppmのオゾンを含む超純水洗浄後
の表面写真を示している。従来の界面活性剤無添加の現
像液に浸漬するとシリコンの表面荒れを引き起こすが、
本発明で用いられる現像液ではシリコンの表面荒れは起
こらないことが確認された。
(b)と、従来の現像液にシリコンウェハ(a)を30
分間浸漬した後、2ppmのオゾンを含む超純水洗浄後
の表面写真を示している。従来の界面活性剤無添加の現
像液に浸漬するとシリコンの表面荒れを引き起こすが、
本発明で用いられる現像液ではシリコンの表面荒れは起
こらないことが確認された。
【0148】(実施例10)実施例1と同様に、変形照
明法(Q.U.E.S.T.)を用いたi線縮小投影装
置で焦点を種々変えて露光し、現像液として東京応化製
NMD−3(TMAH2.38wt%)に、(A+C)
/(A+B+C)=0.1、分子量1944の界面活性
剤(第1工業製薬製エパン610)を400ppm添加
したものを用い0.4μmと0.35μmのライン&ス
ペースパターンを形成した。レジストパターン形成条件
を表1に示す。
明法(Q.U.E.S.T.)を用いたi線縮小投影装
置で焦点を種々変えて露光し、現像液として東京応化製
NMD−3(TMAH2.38wt%)に、(A+C)
/(A+B+C)=0.1、分子量1944の界面活性
剤(第1工業製薬製エパン610)を400ppm添加
したものを用い0.4μmと0.35μmのライン&ス
ペースパターンを形成した。レジストパターン形成条件
を表1に示す。
【0149】
【表1】 以上のレジストと現像液を使って作製したライン&スペ
ースパターンを走査型電子顕微鏡により観察した。結果
を図24に示す。
ースパターンを走査型電子顕微鏡により観察した。結果
を図24に示す。
【0150】図において、F値は焦点位置を表す量であ
り、本実施例の場合+0.4μmがベストフォ−カスを
示す。
り、本実施例の場合+0.4μmがベストフォ−カスを
示す。
【0151】図24から明らかなように、MCPRi6
600,THMRip1800のいずれのレジストに対
しても、0.4μmパターンの場合でF=−1.1から
1.9μmまで正確でシャープなパターンが得られ、約
3μmのフォーカスマージンが得られることが分かっ
た。また、0.35μmのパターンでもF=−0.6μ
m〜1.4μmと約2μmのフォーカスマージンが得ら
れた。
600,THMRip1800のいずれのレジストに対
しても、0.4μmパターンの場合でF=−1.1から
1.9μmまで正確でシャープなパターンが得られ、約
3μmのフォーカスマージンが得られることが分かっ
た。また、0.35μmのパターンでもF=−0.6μ
m〜1.4μmと約2μmのフォーカスマージンが得ら
れた。
【0152】以上のように本実施例のフォトリソグラフ
ィー工程により、極めて大きなフォーカスマージンが得
られ、より安定したパターニングが可能となった。
ィー工程により、極めて大きなフォーカスマージンが得
られ、より安定したパターニングが可能となった。
【0153】本実施例では、界面活性剤としてエパン6
10を用いたが、分子量及び親水基の割合の異なるエパ
ン420(分子量1200、親水基の割合20%)、エ
パン720(分子量2000、親水基の割合20%)に
ついても同様な結果が得られた。
10を用いたが、分子量及び親水基の割合の異なるエパ
ン420(分子量1200、親水基の割合20%)、エ
パン720(分子量2000、親水基の割合20%)に
ついても同様な結果が得られた。
【0154】(実施例11)実施例10と同様に、変形
照明法(Q.U.E.S.T.)を用いたi線縮小投影
装置で露光し、現像液として東京応化製NMD−3(T
MAH2.38wt%)に、(A+C)/(A+B+
C)=0.1、分子量1944の界面活性剤(第1工業
製薬製エパン610)を種々の濃度に添加したものを用
いコンタクトホ−ルを形成した。
照明法(Q.U.E.S.T.)を用いたi線縮小投影
装置で露光し、現像液として東京応化製NMD−3(T
MAH2.38wt%)に、(A+C)/(A+B+
C)=0.1、分子量1944の界面活性剤(第1工業
製薬製エパン610)を種々の濃度に添加したものを用
いコンタクトホ−ルを形成した。
【0155】種々の大きさのコンタクトホ−ルパタ−ン
を形成するのに必要な露光閾値エネルギ−と現像液中の
界面活性剤濃度との関係を調べたところ、個々のコンタ
クトホ−ルに対応する露光閾値エネルギ−の差は、界面
活性剤添加量と共に減少した。また図25に示すように
露光閾値エネルギ−は100〜1000ppmの範囲で
一定となることがわかった。
を形成するのに必要な露光閾値エネルギ−と現像液中の
界面活性剤濃度との関係を調べたところ、個々のコンタ
クトホ−ルに対応する露光閾値エネルギ−の差は、界面
活性剤添加量と共に減少した。また図25に示すように
露光閾値エネルギ−は100〜1000ppmの範囲で
一定となることがわかった。
【0156】
【発明の効果】本発明のフォトリソ工程により、超高密
度集積化半導体プロセスにおいて、0.2μmまでの異
なった寸法、形状を持った全ての微細レジストパターン
を設計通りに形成することが可能となり、より超高密
度、より超高速なLSIを実現することが可能となる。
度集積化半導体プロセスにおいて、0.2μmまでの異
なった寸法、形状を持った全ての微細レジストパターン
を設計通りに形成することが可能となり、より超高密
度、より超高速なLSIを実現することが可能となる。
【図1】微小パターン像の投影原理を示す説明図。
【図2】瞳上での光分布を示す概略図。 (a)従来マスクを用いた場合。 (b)位相シフトマスクを用いた場合。
【図3】(a)瞳上での有効光源の一例を示す説明図。 (b)瞳上での有効光源の他の例を示す説明図。
【図4】図3(a)の有効光源を形成する投影系と従来
の投影系の周波数特性を示すグラフ。
の投影系の周波数特性を示すグラフ。
【図5】本発明の現像液により現像したレジストパター
ンのマスク忠実度を示すグラフ。
ンのマスク忠実度を示すグラフ。
【図6】ホールパターンの設計に用いた転写マスクを示
す模式図。
す模式図。
【図7】(a)本発明の変形照明法(Q.U.E.S.
T.)を用いた露光装置の一例を示す概念図。 (b)図7(a)の絞り部材の概略正面図。 (c)図7(a)のクロスフィルターの説明図。
T.)を用いた露光装置の一例を示す概念図。 (b)図7(a)の絞り部材の概略正面図。 (c)図7(a)のクロスフィルターの説明図。
【図8】本実施例におけるホールパターン形成の露光閾
値エネルギの界面活性剤添加濃度依存性を示すグラフ。
値エネルギの界面活性剤添加濃度依存性を示すグラフ。
【図9】変形照明法(Q.U.E.S.T.)を用いた
i線ステッパと本発明の現像液により形成した、0.3
μm、0.35μm、0.4μmのホールパターンプロ
ファイルを示す写真。
i線ステッパと本発明の現像液により形成した、0.3
μm、0.35μm、0.4μmのホールパターンプロ
ファイルを示す写真。
【図10】変形照明法(Q.U.E.S.T.)を用い
たi線ステッパーと本発明の現像液により形成した、
0.2μm、0.25μm、0.3μmのホールパター
ンプロファイルを示す写真。
たi線ステッパーと本発明の現像液により形成した、
0.2μm、0.25μm、0.3μmのホールパター
ンプロファイルを示す写真。
【図11】第2の実施例で用いた露光装置を示す概念
図。
図。
【図12】第3の実施例で用いた露光装置を示す概念
図。
図。
【図13】第4の実施例で用いた露光装置を示す概念
図。
図。
【図14】第5の実施例で用いた露光装置を示す概念
図。
図。
【図15】第6の実施例で用いた露光装置を示す概念
図。
図。
【図16】第7の実施例で用いた露光装置を示す概念
図。
図。
【図17】第8の実施例で用いた露光装置を示す概念
図。
図。
【図18】オゾン含有超純水の製造法を示す概念図。
【図19】オゾン超純水洗浄によりシリコン表面から界
面活性剤が除去されることを示すXPSスペクトル。
面活性剤が除去されることを示すXPSスペクトル。
【図20】接触角測定により、オゾン超純水洗浄により
レジスト表面からの界面活性剤が除去されることを示す
グラフ。
レジスト表面からの界面活性剤が除去されることを示す
グラフ。
【図21】オゾン超純水洗浄後の0.28μmラインア
ンドスペースパターンを示す写真。 (a)洗浄前 (b)洗浄後
ンドスペースパターンを示す写真。 (a)洗浄前 (b)洗浄後
【図22】実施例9の現像液と従来の現像液によるシリ
コン表面荒れ状態を示す写真。 (a)従来の現像液 (b)本実施例の現像液
コン表面荒れ状態を示す写真。 (a)従来の現像液 (b)本実施例の現像液
【図23】本発明の界面活性剤の分子量、親水基の割合
と発泡性及び曇点の関係を示すグラフ。
と発泡性及び曇点の関係を示すグラフ。
【図24】焦点位置を種々変えて露光し、実施例10の
現像液を用いて形成したライン&スペースレジスタパタ
ーンの電子顕微鏡写真 (a)レジストMCPRi6600 (b)レジストTHMRip1800
現像液を用いて形成したライン&スペースレジスタパタ
ーンの電子顕微鏡写真 (a)レジストMCPRi6600 (b)レジストTHMRip1800
【図25】コンタクトホ−ル形成に要する露光閾値エネ
ルギ−と界面活性剤濃度との関係を示すグラフ。
ルギ−と界面活性剤濃度との関係を示すグラフ。
【図26】レジストの現像液に対する選択比のTMAH
濃度依存性を示すグラフ。
濃度依存性を示すグラフ。
【図27】従来の現像液により形成された0.55μm
ラインアンドスペースパターンを示す写真。
ラインアンドスペースパターンを示す写真。
【図28】現像液への浸漬によるシリコン表面の中心線
平均粗さの変化を示すグラフ。
平均粗さの変化を示すグラフ。
【図29】現像液によるMOSFETのチャネル移動度
の劣化を示すグラフ。
の劣化を示すグラフ。
【図30】界面活性剤のシリコンウェハ表面への吸着を
示すXPSスペクトル。
示すXPSスペクトル。
【図31】従来の現像液によるホールパターンプロファ
イルを示す写真。
イルを示す写真。
【図32】従来の現像液におけるホールパターン形成の
露光閾値エネルギの界面活性剤添加濃度依存性を示すグ
ラフ。
露光閾値エネルギの界面活性剤添加濃度依存性を示すグ
ラフ。
【図33】図32で示される界面活性剤添加の現像液に
より形成したホールパターンを示す写真。
より形成したホールパターンを示す写真。
【符号の説明】 1 投影光学系の瞳、 2a,2b,2c,2d 有効光源、 6 微細パターン、 7 投影レンズ系、 x 横パターンが延びる方向に沿う軸、 y 縦パターンが延びる方向に沿う軸、 ll 超高圧水銀灯、 12 楕円ミラー、 14,21,25,27 折り曲げミラー、 15 露光量制御用シャッター、 l05はフィールドレンズ、 16 波長選択用干渉フィルター、 l7 クロスNDフィルター、 l8 絞り部材、 19 オプチカルインテグレ一ター、 20,22 第l結像レンズ系レンズ、 23 ハーフミラー、 24 マスキングブレード、 26,28 第2結像レンズ系レンズ、 30 マスク、 31 縮小投影レンズ系、 32 ウエハー、 33 ウエハーチャック、 34 XYステージ、 35 中央に開口部35aを備える遮光膜が形成された
ガラス板、 36 上面に開口部を備えたケース、 37 光電変換器、 38 ミラー、 40 遮光板、 41 集光レンズ、 42 4分割デイテクター、 601 マスク、 602 テストパターン、 1901,2701 界面活性剤のピーク、 2401 裾引き、残渣物。
ガラス板、 36 上面に開口部を備えたケース、 37 光電変換器、 38 ミラー、 40 遮光板、 41 集光レンズ、 42 4分割デイテクター、 601 マスク、 602 テストパターン、 1901,2701 界面活性剤のピーク、 2401 裾引き、残渣物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 久幸 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉(無番地) 東北大学工学部電子工学科内 (72)発明者 下村 茂樹 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉(無番地) 東北大学工学部電子工学科内 (72)発明者 鈴木 章義 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 野口 美代子 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 宮脇 守 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内
Claims (19)
- 【請求項1】 異なる寸法または異なる形状を有するレ
ジストパターンを形成するに際し、変形照明法によりレ
ジストを所定のパターンに露光し、形成されたレジスト
層の溶解除去すべきレジスト領域に関して、前記レジス
ト層表面における溶解除去面積の小さい溶解除去すべき
レジスト領域のレジストの溶解を増大させる能力を有す
る界面活性剤を含むリソグラフィ用現像液を前記レジス
トパターンの形成の少なくとも一部に用いることを特徴
とするリソグラフィ工程。 - 【請求項2】 前記界面活性剤は消泡性を有する界面活
性剤であることを特徴とする請求項1記載のリソグラフ
ィ工程。 - 【請求項3】 前記界面活性剤は、エチレン−プロピル
ブロックを分鎖基に持つアミン系界面活性剤であること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載のリソグラ
フィ工程。 - 【請求項4】 前記界面活性剤は、親水基として、アミ
ン基、エチレンオキサイド基及びプロピルオキサイド基
を有する界面活性剤であることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載のリソグラフィ工程。 - 【請求項5】 前記界面活性剤の濃度は300ppm以
上であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のい
ずれか1項に記載のリソグラフィ工程。 - 【請求項6】 前記界面活性剤は、下記一般式 HO(CH2CH2O)a(CH(CH3)CH2O)b(CH2CH2O)cH (a,b,cは整数) で表されることを特徴とする請求項1または2記載のリ
ソグラフィ工程。 - 【請求項7】 HO(CH2CH2O)aの分子量をA、
(CH(CH3)CH2O)bの分子量をB,(CH2CH
2O)cHの分子量をCとしたとき、A,B及びCの間
に、 (A+C)/(A+B+C)≦0.3 が成り立つことを特徴とする請求項6記載のリソグラフ
ィ工程。 - 【請求項8】 前記界面活性剤の分子量は、4000以
下であることを特徴とする請求項6または請求項7記載
のリソグラフィ工程。 - 【請求項9】 前記界面活性剤の濃度は100ppm以
上1000ppm以下であることを特徴とする請求項6
ないし請求項8のいずれか1項に記載のリソグラフィ工
程。 - 【請求項10】 前記レジストパターンのサイズが0.
5μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求
項9のいずれか1項に記載のリソグラフィ工程。 - 【請求項11】 レジスト表面もしくはレジストの下地
基体に吸着した前記界面活性剤を、0.1ppm以上の
オゾンを含む超純水により除去することを特徴とする請
求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載のリソグ
ラフィ工程。 - 【請求項12】 前記超純水中のオゾンの濃度は,2.
0ppm以上であることを特徴とする請求項11に記載
のリソグラフィ工程。 - 【請求項13】 前記変形照明法は、輪帯照明法である
ことを特徴とする請求項1ないし請求項12のいずれか
1項に記載のリソグラフィ工程。 - 【請求項14】 前記変形照明法は、主として縦横パタ
ーンで構造された微細パターンを照明し、該微細パター
ンで生じた回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微細
パターンの像を投影する方法であって、前記瞳の中心及
び該瞳中心を通り前記縦横パターンの方向へ延びる一対
の軸上の部分よりも他の部分の光強度が大きい光量分布
を備える有効光源を形成することを特徴とする請求項1
ないし請求項12のいずれか1項に記載のリソグラフィ
工程。 - 【請求項15】 前記光量分布が、前記瞳中心を通り前
記一対の軸とほぼ45°を成す方向に延びる第1軸に沿
った前記瞳中心に関して対称な場所に互いの強度がほぼ
等しい一対のピークを有することを特徴とする請求項1
4に記載のリソグラフィ工程。 - 【請求項16】 前記光量分布が、前記瞳中心を通り前
記第1軸とほぼ90°をなす方向に延びる第2軸に沿っ
た前記瞳中心に関して対称な場所に互いの強度がほぼ等
しい他の一対のピークを有することを特徴とする請求項
15に記載のリソグラフィ工程。 - 【請求項17】 前記有効光源が互いに分離した第1及
び第2部分を備え、該第1部分が前記ピークの一方を、
該第2部分が前記ピークの他方を有することを特徴とす
る請求項15に記載のリソグラフィ工程。 - 【請求項18】 前記第1及び第2部分は夫々ほぼ円形
の互いに径が等しい光パターンより成り、前記瞳の半径
を1、前記第1及び第2部分の半径をqとし、前記一対
の軸をXY座標軸として前記瞳中心を該XY座標の原点
にとり、前記第1及び第2部分の中心位置の座標を夫々
(p,p)、(−p,−p)とした時、以下の条件を満
たすことを特徴とする請求項17に記載のリソグラフィ
工程。 0.25<p<0.6 0.15<q<0.3 - 【請求項19】 前記瞳中心及び該瞳中心を通り前記縦
横パターンの方向へ延びる一対の軸上の各部分の光強度
がほぼゼロに設定されることを特徴とする請求項14に
記載のリソグラフィ工程。
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MYPI93000202A MY119984A (en) | 1992-02-10 | 1993-02-09 | Lithography process. |
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---|---|---|---|
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JP5752692 | 1992-02-10 |
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JP4233083A Pending JPH05303209A (ja) | 1992-02-10 | 1992-08-07 | リソグラフィ工程 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4233081A Pending JPH05308048A (ja) | 1992-02-10 | 1992-08-07 | リソグラフィ工程 |
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KR (1) | KR0123931B1 (ja) |
MY (1) | MY119984A (ja) |
TW (1) | TW233378B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150102A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Fujitsu Ltd | 露光装置及び光学素子の洗浄方法 |
WO2009150913A1 (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | 株式会社ニコン | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
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