JPH05303119A - 真空蒸着による透明な酸化イリジウム薄膜の製造方法 - Google Patents
真空蒸着による透明な酸化イリジウム薄膜の製造方法Info
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- JPH05303119A JPH05303119A JP4116472A JP11647292A JPH05303119A JP H05303119 A JPH05303119 A JP H05303119A JP 4116472 A JP4116472 A JP 4116472A JP 11647292 A JP11647292 A JP 11647292A JP H05303119 A JPH05303119 A JP H05303119A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 工程が１工程で済み、かつ大面積の透明な酸
化イリジウム薄膜を製造する。 【構成】 金属イリジウム（Ｉｒ）を、他の金属（Ｍ）
またはその酸化物もくしは弗化物と共に、 Ｏ2 分圧：１×10-4〜１×10-2Torr． 成膜速度比：Ｉｒ／Ｍ（重量比）＝0.02以上 の条件下で基板上に多元蒸着する。
化イリジウム薄膜を製造する。 【構成】 金属イリジウム（Ｉｒ）を、他の金属（Ｍ）
またはその酸化物もくしは弗化物と共に、 Ｏ2 分圧：１×10-4〜１×10-2Torr． 成膜速度比：Ｉｒ／Ｍ（重量比）＝0.02以上 の条件下で基板上に多元蒸着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明な酸化イリジウム
薄膜の製造方法に関するものである。
薄膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】乾電池程度の電圧を印加することによっ
て発色し、逆電圧を印加することによって元の無色透明
に消色するエレクトロクロミック（ＥＣ）表示装置（以
下、ＥＣＤと略す）は、日の字型のセブンセグメントを
用いた数字その他の表示手段として利用すべく実用化に
むけて盛んに研究されている。その１つとして、Ｗ
Ｏ3、ＭｏＯ3 等の還元発色性ＥＣ物質を用いたＥＣＤ
がある。
て発色し、逆電圧を印加することによって元の無色透明
に消色するエレクトロクロミック（ＥＣ）表示装置（以
下、ＥＣＤと略す）は、日の字型のセブンセグメントを
用いた数字その他の表示手段として利用すべく実用化に
むけて盛んに研究されている。その１つとして、Ｗ
Ｏ3、ＭｏＯ3 等の還元発色性ＥＣ物質を用いたＥＣＤ
がある。
【０００３】これらのＥＣ物質が発色するには、電子
（ｅ- ）とカチオン（Ｘ+ ）の同時注入が必要とされ、
発色・消色に伴う反応式は次のように考えられている。 そして、カチオン（Ｘ+ ）としては、イオン半径の小さ
く移動の容易なＨ+ が主として使用されている。これら
のカチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印
加され電場が形成された時にカチオンが発生すればよい
ので、特にＨ+の場合には水がカチオン供給源として利
用される。水は電場の中で Ｈ2 Ｏ→Ｈ+ ＋ＯＨ- に従って分解する。水は極く微量で十分であるらしく、
大気中から自然にＷＯ3層に取り込まれる量の水分でし
ばしば間に合う。
（ｅ- ）とカチオン（Ｘ+ ）の同時注入が必要とされ、
発色・消色に伴う反応式は次のように考えられている。 そして、カチオン（Ｘ+ ）としては、イオン半径の小さ
く移動の容易なＨ+ が主として使用されている。これら
のカチオンは常時カチオンである必要はなく、電圧が印
加され電場が形成された時にカチオンが発生すればよい
ので、特にＨ+の場合には水がカチオン供給源として利
用される。水は電場の中で Ｈ2 Ｏ→Ｈ+ ＋ＯＨ- に従って分解する。水は極く微量で十分であるらしく、
大気中から自然にＷＯ3層に取り込まれる量の水分でし
ばしば間に合う。
【０００４】しかしながら、単にＷＯ3 層を一対の電極
で挾んで電圧を印加して発色させても、容易に消色する
ことができない。なぜならば、消色しようとして逆電圧
を印加しても陰極に通じた電極側から電子（ｅ- ）が流
入してくるので、もしＨ+ があれば、 ＷＯ3 ＋ｎｅ- ＋ｎＨ+ →ＨｎＷＯ3 の反応が起こって着色するからである。
で挾んで電圧を印加して発色させても、容易に消色する
ことができない。なぜならば、消色しようとして逆電圧
を印加しても陰極に通じた電極側から電子（ｅ- ）が流
入してくるので、もしＨ+ があれば、 ＷＯ3 ＋ｎｅ- ＋ｎＨ+ →ＨｎＷＯ3 の反応が起こって着色するからである。
【０００５】そのため、ＷＯ3 層と一方の電極との間に
絶縁層例えばＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 を設けたＥＣＤが提案
された（特公昭52-46098号）。このＥＣＤの絶縁層は、
電子の移動はできないが、ＯＨ- イオンの移動は自由で
あり、このＯＨ- イオンが電気を運び、絶縁層と電極と
の間で ＯＨ- →（１／２）Ｈ2 Ｏ＋（１／４）Ｏ2 ↑＋ｅ- の反応に従って電子を陽極側に放出しているものと思わ
れる。
絶縁層例えばＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 を設けたＥＣＤが提案
された（特公昭52-46098号）。このＥＣＤの絶縁層は、
電子の移動はできないが、ＯＨ- イオンの移動は自由で
あり、このＯＨ- イオンが電気を運び、絶縁層と電極と
の間で ＯＨ- →（１／２）Ｈ2 Ｏ＋（１／４）Ｏ2 ↑＋ｅ- の反応に従って電子を陽極側に放出しているものと思わ
れる。
【０００６】つまり発色時には、 （陰極側）ＷＯ3 ＋ｎｅ- ＋ｎＨ+ →ＨｎＷＯ3 （陽極側）ｎ（ＯＨ- ) →（ｎ／２）Ｈ2 Ｏ＋（ｎ／
４）Ｏ2 ↑＋ｎｅ- という反応が推定され、消色時には、 （陽極側）ＨｎＷＯ3 →ＷＯ3 ＋ｎｅ- ＋ｎＨ+ （陰極側）ｎＨ2 Ｏ＋ｎｅ- →ｎＯＨ -＋（ｎ／２）Ｈ
2 ↑ という反応が生じるものと推定される。
４）Ｏ2 ↑＋ｎｅ- という反応が推定され、消色時には、 （陽極側）ＨｎＷＯ3 →ＷＯ3 ＋ｎｅ- ＋ｎＨ+ （陰極側）ｎＨ2 Ｏ＋ｎｅ- →ｎＯＨ -＋（ｎ／２）Ｈ
2 ↑ という反応が生じるものと推定される。
【０００７】これらの式からも明らかであるが、現実に
も特公昭52-46098号のＥＣＤは駆動により水が消費され
るので大気中から速やかに水が供給されないと発色しな
くなり、また、駆動に伴ってＯ2 ガスやＨ2 ガスが放出
されるので層間剥離を生じるという欠点があった。その
ため、ＷＯ3 層の隣に「イオン良導体である電子絶縁層
／酸化発色性ＥＣ層」を設けた全固体型ＥＣＤが提案さ
れた（特開昭56−4679号）。これは酸化発色性ＥＣ層と
して水酸化イリジウムを使用し、ＷＯ3 の発色時に、陽
極側で下記のように反応し、
も特公昭52-46098号のＥＣＤは駆動により水が消費され
るので大気中から速やかに水が供給されないと発色しな
くなり、また、駆動に伴ってＯ2 ガスやＨ2 ガスが放出
されるので層間剥離を生じるという欠点があった。その
ため、ＷＯ3 層の隣に「イオン良導体である電子絶縁層
／酸化発色性ＥＣ層」を設けた全固体型ＥＣＤが提案さ
れた（特開昭56−4679号）。これは酸化発色性ＥＣ層と
して水酸化イリジウムを使用し、ＷＯ3 の発色時に、陽
極側で下記のように反応し、
【０００８】
【化１】
【０００９】ＷＯ3 の消色時に陰極側で と反応するものと考えられている。従って、水が再生さ
れるので水が消費されず、またＨ2 ガスやＯ2 ガスの発
生もない。
れるので水が消費されず、またＨ2 ガスやＯ2 ガスの発
生もない。
【００１０】この場合、水酸化イリジウムは、一般の水
酸化物がそうであるように酸化物の水和物としてとらえ
ることができる。特に薄膜では大気中から容易に水が浸
入することから、水酸化物ではなく酸化物と表現しても
差し支えない。逆に酸化イリジウム薄膜を入手しても大
気中下では厳密な意味で水酸化物と区別することは難し
い。
酸化物がそうであるように酸化物の水和物としてとらえ
ることができる。特に薄膜では大気中から容易に水が浸
入することから、水酸化物ではなく酸化物と表現しても
差し支えない。逆に酸化イリジウム薄膜を入手しても大
気中下では厳密な意味で水酸化物と区別することは難し
い。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、透明
な水酸化ないし酸化イリジウム薄膜は、一旦金属イリジ
ウムの薄膜を真空蒸着、スパッタリングその他の真空薄
膜形成技術によって形成した後、その薄膜を酸またはア
ルカリ水溶液中で陽極酸化することによって製造してい
た。
な水酸化ないし酸化イリジウム薄膜は、一旦金属イリジ
ウムの薄膜を真空蒸着、スパッタリングその他の真空薄
膜形成技術によって形成した後、その薄膜を酸またはア
ルカリ水溶液中で陽極酸化することによって製造してい
た。
【００１２】従って、２工程を必要とすることから、製
造コストが高く、製造時間が長くかかっていた。また、
陽極酸化のために下地に電極が必要となり、電極として
透明電極（透過型ＥＣＤには必須のもの）を選択した場
合には、現在透明電極材料として、低電気抵抗のものが
ないので、大面積の金属イリジウム薄膜を陽極酸化しよ
うとすると、中心部の金属イリジウムが陽極酸化されず
に、不透明ないし透明な黒色のまま残ってしまい、その
ため大面積の透明な水酸化ないし酸化イリジウム薄膜を
得ることは、これまで不可能であった。
造コストが高く、製造時間が長くかかっていた。また、
陽極酸化のために下地に電極が必要となり、電極として
透明電極（透過型ＥＣＤには必須のもの）を選択した場
合には、現在透明電極材料として、低電気抵抗のものが
ないので、大面積の金属イリジウム薄膜を陽極酸化しよ
うとすると、中心部の金属イリジウムが陽極酸化されず
に、不透明ないし透明な黒色のまま残ってしまい、その
ため大面積の透明な水酸化ないし酸化イリジウム薄膜を
得ることは、これまで不可能であった。
【００１３】本発明の目的は、工程が１工程で済み、か
つ大面積の透明な酸化イリジウム薄膜を製造できる方法
を提供することにある。
つ大面積の透明な酸化イリジウム薄膜を製造できる方法
を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
の結果、金属イリジウムを「その酸化物もしくは弗化物
が透明な他の金属またはその酸化物もしくは弗化物」を
共に特定の酸素分圧及び成膜速度比の条件下に多元蒸着
することにより、透明な酸化イリジウム薄膜を製造でき
る方法を見い出し、本発明を成すに至った。
の結果、金属イリジウムを「その酸化物もしくは弗化物
が透明な他の金属またはその酸化物もしくは弗化物」を
共に特定の酸素分圧及び成膜速度比の条件下に多元蒸着
することにより、透明な酸化イリジウム薄膜を製造でき
る方法を見い出し、本発明を成すに至った。
【００１５】しかして、本発明は、金属イリジウム（Ｉ
ｒ）を、他の金属（Ｍ）またはその酸化物もしくは弗化
物と共に、 Ｏ2 分圧：１×10-4〜１×10-2Torr. 成膜速度比：Ｉｒ／Ｍ（重量比）＝0.02以上、の条件下
で多元蒸着することにより、基板上に透明な酸化イリジ
ウム薄膜を製造する方法を提供する。
ｒ）を、他の金属（Ｍ）またはその酸化物もしくは弗化
物と共に、 Ｏ2 分圧：１×10-4〜１×10-2Torr. 成膜速度比：Ｉｒ／Ｍ（重量比）＝0.02以上、の条件下
で多元蒸着することにより、基板上に透明な酸化イリジ
ウム薄膜を製造する方法を提供する。
【００１６】本発明を実施するには、通常対向電極の形
成された基板を用意する。しかしながら、他の金属
（Ｍ）の酸化物が導電性であって得られる酸化イリジウ
ム薄膜がそれ自体導電性を示す場合には、特に対向電極
が形成されている必要はない。なお、対向電極として
は、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 に５％
程度のＳｎＯ2 が混入したもの）、ＺｎＯ等の透明導電
性材料、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料が使用される。
また、対向電極の他に他の膜が形成されていてもよい。
成された基板を用意する。しかしながら、他の金属
（Ｍ）の酸化物が導電性であって得られる酸化イリジウ
ム薄膜がそれ自体導電性を示す場合には、特に対向電極
が形成されている必要はない。なお、対向電極として
は、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 に５％
程度のＳｎＯ2 が混入したもの）、ＺｎＯ等の透明導電
性材料、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属材料が使用される。
また、対向電極の他に他の膜が形成されていてもよい。
【００１７】
【作用】このような基板を用い、本発明に従い金属Ｉｒ
を他の金属Ｍまたはその酸化もしくは弗化物と共に多元
蒸着する。金属Ｉｒと共に使用される他の金属Ｍとして
は、例えば、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｗ、ＭｏまたはＳｂなどが挙げられる。これらの金
属Ｍは既述のようにそれ自体を蒸発源とせずに、その酸
化物もしくは弗化物を蒸発源としてもよい。いずれにせ
よ、それらの金属Ｍの酸化物もしくは弗化物は無色透明
であり、酸化イリジウム薄膜を不透明にすることはな
い。
を他の金属Ｍまたはその酸化もしくは弗化物と共に多元
蒸着する。金属Ｉｒと共に使用される他の金属Ｍとして
は、例えば、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｗ、ＭｏまたはＳｂなどが挙げられる。これらの金
属Ｍは既述のようにそれ自体を蒸発源とせずに、その酸
化物もしくは弗化物を蒸発源としてもよい。いずれにせ
よ、それらの金属Ｍの酸化物もしくは弗化物は無色透明
であり、酸化イリジウム薄膜を不透明にすることはな
い。
【００１８】蒸着方法としては、高周波または熱を加え
ることによってＩｒを活性化できる方法をとる。この意
味で高周波イオンプレーティングも蒸着方法の一種とし
て好ましく使用される。蒸着は、真空槽内に基板を置い
て、一旦到達真空度：１×10-6〜５×10-6Torr程度に真
空にした後、蒸着時Ｏ2 分圧：１×10-4〜１×10-2Torr
のＯ2 ガスを流し、基板温度を−200 ℃〜 300℃程度の
間で、成膜速度比をＩｒ／Ｍ重量比換算で0.02以上に制
御しながら行なう。
ることによってＩｒを活性化できる方法をとる。この意
味で高周波イオンプレーティングも蒸着方法の一種とし
て好ましく使用される。蒸着は、真空槽内に基板を置い
て、一旦到達真空度：１×10-6〜５×10-6Torr程度に真
空にした後、蒸着時Ｏ2 分圧：１×10-4〜１×10-2Torr
のＯ2 ガスを流し、基板温度を−200 ℃〜 300℃程度の
間で、成膜速度比をＩｒ／Ｍ重量比換算で0.02以上に制
御しながら行なう。
【００１９】この場合、もしＯ2 分圧が１×10-4Torrよ
り低いと、 放電が不安定 膜が酸化不足によって、可視光を吸収するようにな
り、透明感がなくなるなどの欠点が出てくる。逆に１×
10-2Torrより高いと、 均一な構造の膜が成長し難くなる 付着が悪くなる。 などの欠点が出てくる。
り低いと、 放電が不安定 膜が酸化不足によって、可視光を吸収するようにな
り、透明感がなくなるなどの欠点が出てくる。逆に１×
10-2Torrより高いと、 均一な構造の膜が成長し難くなる 付着が悪くなる。 などの欠点が出てくる。
【００２０】また、成膜速度比がＩｒ／Ｍ重量比換算で
0.02未満であると、電極反応が円滑に進まなくなり、そ
の結果ＥＣ性が低下する（反応電荷量が過小となる）。
逆に、高すぎても透明感がなくなるので一般に約10以下
位が好ましい。こうして透明な酸化イリジウム薄膜が得
られるが、この薄膜は微多孔質構造を有しており、大気
中からまたは隣層から容易に水分を吸収し、その結果あ
る意味でそれは水酸化物と呼べる状態になり得る。
0.02未満であると、電極反応が円滑に進まなくなり、そ
の結果ＥＣ性が低下する（反応電荷量が過小となる）。
逆に、高すぎても透明感がなくなるので一般に約10以下
位が好ましい。こうして透明な酸化イリジウム薄膜が得
られるが、この薄膜は微多孔質構造を有しており、大気
中からまたは隣層から容易に水分を吸収し、その結果あ
る意味でそれは水酸化物と呼べる状態になり得る。
【００２１】本発明に従って得られる酸化イリジウム薄
膜は、Ｉｒの含有率が低下するに従い発色濃度は低下す
るものの、Ｏ2 ガスやＨ2 ガスの発生抑止には効果を有
する。酸化イリジウムの膜厚は任意であるが、ＥＣＤに
使用するには一般的に 0.005μｍ〜１mm程度とする。
膜は、Ｉｒの含有率が低下するに従い発色濃度は低下す
るものの、Ｏ2 ガスやＨ2 ガスの発生抑止には効果を有
する。酸化イリジウムの膜厚は任意であるが、ＥＣＤに
使用するには一般的に 0.005μｍ〜１mm程度とする。
【００２２】以下、実施例により、本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００２３】
【実施例１】厚さ0.15μｍのＩＴＯ透明導電層（Ｅ）の
形成されたガラス基板を用意し、導電層（Ｅ）の上に下
記条件： 蒸発源：金属Ｓｎ、金属Ｉｒの２元系 到達真空度：５×10-6Torr Ｏ2 分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ 成膜速度比：Ｉｒ／Ｓｎ（重量比）＝0.3 の下に高周波イオンプレーティングにより、膜厚1200Å
の透明な酸化イリジウム薄膜（Ｄ）を形成させた。
形成されたガラス基板を用意し、導電層（Ｅ）の上に下
記条件： 蒸発源：金属Ｓｎ、金属Ｉｒの２元系 到達真空度：５×10-6Torr Ｏ2 分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ 成膜速度比：Ｉｒ／Ｓｎ（重量比）＝0.3 の下に高周波イオンプレーティングにより、膜厚1200Å
の透明な酸化イリジウム薄膜（Ｄ）を形成させた。
【００２４】次のその上に下記条件： 蒸発源：Ｔａ2 Ｏ5 到達真空度：５×10-6Torr Ｏ2 分圧：４×10-4Torr 基板温度： 150℃ の下に真空蒸着により、膜厚5000Åの透明イオン導電層
（Ｃ）を形成させた。
（Ｃ）を形成させた。
【００２５】その上にさらに下記条件： 蒸発源：ＷＯ3 到達真空度：５×10-6Torr Ａｒ分圧：４×10-4Torr 基板温度： 150℃ の下に真空蒸着により、膜厚5000Åの透明な非晶質ＷＯ
3 層（Ｂ）を形成させた。
3 層（Ｂ）を形成させた。
【００２６】最後にＷＯ3 層（Ｂ）の上に下記条件： 蒸発源：Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との混合物 到達真空度：５×10-6Torr Ｏ2 分圧：３×10-4Torr 基板温度： 150℃ の下に高周波イオンプレーティングにより、膜厚2500Å
の透明表示電極（Ａ）を形成させた。
の透明表示電極（Ａ）を形成させた。
【００２７】こうして、５層構造を有するＥＣＤが得ら
れた。このＥＣＤをエポキシ樹脂で封止した後、電極
（Ａ）、（Ｅ）を通じて＋1.4 ボルトの発色電圧を印加
すると、 150msecで青色に発色し、発色時の透過率（T
c）は波長λ＝600nm で20％であり、この発色状態は電
圧印加を止めても保持された。次に−1.4 ボルトの消色
電圧を印加すると、100msec で元の無色透明に戻り、消
色時の透過率（Tb）は85％であった。
れた。このＥＣＤをエポキシ樹脂で封止した後、電極
（Ａ）、（Ｅ）を通じて＋1.4 ボルトの発色電圧を印加
すると、 150msecで青色に発色し、発色時の透過率（T
c）は波長λ＝600nm で20％であり、この発色状態は電
圧印加を止めても保持された。次に−1.4 ボルトの消色
電圧を印加すると、100msec で元の無色透明に戻り、消
色時の透過率（Tb）は85％であった。
【００２８】
【実施例２】実施例１で用いたガラス基板を用意し、そ
の導電層（Ｅ）の上に下記条件： 蒸発源：ＭｇＦ2 と金属Ｉｒの２元系 到達真空度：５×10-6Torr Ｏ2 分圧：３×10-4Torr 基板温度：室温 成膜速度比：Ｉｒ／Ｍｇ（重量比）＝0.4 の下に高周波イオンプレーティングにより膜厚1500Åの
透明な酸化イリジウム薄膜（Ｄ）を形成させた。
の導電層（Ｅ）の上に下記条件： 蒸発源：ＭｇＦ2 と金属Ｉｒの２元系 到達真空度：５×10-6Torr Ｏ2 分圧：３×10-4Torr 基板温度：室温 成膜速度比：Ｉｒ／Ｍｇ（重量比）＝0.4 の下に高周波イオンプレーティングにより膜厚1500Åの
透明な酸化イリジウム薄膜（Ｄ）を形成させた。
【００２９】以下、実施例１と同様に透明イオン導電層
（Ｃ）、ＷＯ3 層（Ｂ）及び表示電極（Ａ）を形成さ
せ、ＥＣＤを作成した。エポキシ樹脂で封止後、発消色
テストを行うと、＋1.4 Ｖで 150msec、Tc＝25％であ
り、−1.4 Ｖで 100msec、Tb＝85％（λ＝ 600nm）であ
った。 （比較例１）実施例１で用いたガラス基板を用意し、そ
の導電層（Ｅ）の上に下記条件： 蒸発源：金属Ｉｒ 真空度：５×10-6Torr Ａｒ分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ 成膜速度：１×10-1 Å／sec の下に高周波イオンプレーティングにより、膜厚 700Å
の黒色の金属Ｉｒ薄膜を形成させた。
（Ｃ）、ＷＯ3 層（Ｂ）及び表示電極（Ａ）を形成さ
せ、ＥＣＤを作成した。エポキシ樹脂で封止後、発消色
テストを行うと、＋1.4 Ｖで 150msec、Tc＝25％であ
り、−1.4 Ｖで 100msec、Tb＝85％（λ＝ 600nm）であ
った。 （比較例１）実施例１で用いたガラス基板を用意し、そ
の導電層（Ｅ）の上に下記条件： 蒸発源：金属Ｉｒ 真空度：５×10-6Torr Ａｒ分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ 成膜速度：１×10-1 Å／sec の下に高周波イオンプレーティングにより、膜厚 700Å
の黒色の金属Ｉｒ薄膜を形成させた。
【００３０】その後、１Ｎ硫酸水溶液中で＋1.3 、−0.
5 Ｖvs．SCE 交流電圧(0.5Hz）を印加して陽極酸化を行
ない、透明な酸化イリジウム薄膜（Ｄ）に変えた。酸化
イリジウム薄膜（Ｄ）の上に実施例１と同様に（Ｃ）
層、（Ｂ）層及び（Ａ）層を積層してＥＣＤを作成し封
止したところ、得られたＥＣＤは発色電圧印加前から、
やや褐色に着色しており、大気中で± 1.5ボルトの 0.5
Hz交流電圧を500分印加しても、完全には無色透明にな
らなかった。消色した後、発消色テストを行ったとこ
ろ、 200msecでTc＝20％、 150msecでTb＝75％であっ
た。
5 Ｖvs．SCE 交流電圧(0.5Hz）を印加して陽極酸化を行
ない、透明な酸化イリジウム薄膜（Ｄ）に変えた。酸化
イリジウム薄膜（Ｄ）の上に実施例１と同様に（Ｃ）
層、（Ｂ）層及び（Ａ）層を積層してＥＣＤを作成し封
止したところ、得られたＥＣＤは発色電圧印加前から、
やや褐色に着色しており、大気中で± 1.5ボルトの 0.5
Hz交流電圧を500分印加しても、完全には無色透明にな
らなかった。消色した後、発消色テストを行ったとこ
ろ、 200msecでTc＝20％、 150msecでTb＝75％であっ
た。
【００３１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば陽極酸化
が不要なので１工程で大面積の透明な酸化イリジウム薄
膜が得られる。また、得られる酸化イリジウム薄膜は、
存在する大部分のＩｒ原子がＥＣ性に関与し、また耐久
性にすぐれている。そのほか、希少で高価なＩｒが節約
される利点もある。
が不要なので１工程で大面積の透明な酸化イリジウム薄
膜が得られる。また、得られる酸化イリジウム薄膜は、
存在する大部分のＩｒ原子がＥＣ性に関与し、また耐久
性にすぐれている。そのほか、希少で高価なＩｒが節約
される利点もある。
Claims (2)
- 【請求項１】 金属イリジウム（Ｉｒ）を、他の金属
（Ｍ）またはその酸化物もしくは弗化物と共に、 Ｏ2 分圧：１×10-4〜１×10-2Torr. 成膜速度比：Ｉｒ／Ｍ（重量比）＝0.02以上 の条件下で多元蒸着することにより、基板上に透明な酸
化イリジウム薄膜を製造する方法。 - 【請求項２】 前記金属（Ｍ）が、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、
Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、ＭｏまたはＳｂであるこ
とを特徴とする請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116472A JP2621735B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 真空蒸着による透明な酸化イリジウム薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116472A JP2621735B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 真空蒸着による透明な酸化イリジウム薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303119A true JPH05303119A (ja) | 1993-11-16 |
| JP2621735B2 JP2621735B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14687953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4116472A Expired - Lifetime JP2621735B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 真空蒸着による透明な酸化イリジウム薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621735B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1438629B1 (en) * | 2001-09-26 | 2009-01-14 | Chromogenics Sweden AB | Electrochromic film and device comprising the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59180526A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-13 | Fujitsu Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP4116472A patent/JP2621735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59180526A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-13 | Fujitsu Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1438629B1 (en) * | 2001-09-26 | 2009-01-14 | Chromogenics Sweden AB | Electrochromic film and device comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621735B2 (ja) | 1997-06-18 |
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