JPH0530252B2 - - Google Patents
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Description
技術分野
本発明は光画像書込み素子に関する。
従来技術
表示素子として液晶を用いたものは数多く提案
され、既にライトバルブ、デイスプレイ、メモリ
ーなどで実用化されている。しかし、液晶自体の
視角依存性や不鮮明さ（明るい周囲光下では見づ
らいこと）はそのまま液晶ライトバルブの欠点と
して受継がれている。また、メモリー効果も24時
間程度と短い欠点がある。 このような液晶表示素子（LCD）に代り、EC
材料（エレクトロクロミツク材料）を用いた表示
素子（ECD）が近時注目されるようになつてき
ている。このECDによれば前記の視角依存性や
不鮮明性などの欠点をEC材料で解消できる有利
さがある。 現在実用性があると考えられているEC材料は
酸化タングステンであり、これを用いた光画像書
込み素子は第４図に示したごときもので、１２は
H2SO4である。いま、WO3薄膜１１側を負に、
対向電極３′側を正に直流バイアスすると、WO3
薄膜１１の透過率は時間とともに変化し、白色光
をこの装置に入射し透過した光を見るとブルーに
着色してみえる。バイアス電圧の極性を逆にする
と着色は消え初めの状態に戻る。また、EC材料
として酸化タングステンの外にビオゲン塩も検討
されている。このビオゲン塩を用いたECDは、
無色のビオゲン溶液が電気化学的酸化還元反応に
より、不溶着色被膜が陰極（表示電極）上に生成
されという原理を応用したものである。 しかしながら、これら従来のECDでは未だ十
分な階調性が得られないという問題が残されてい
る。 目 的 本発明は上記したような欠点がなく、鮮明な連
続階調の着色パターンが得られる光画像書込み素
子を提供するものである。 構 成 本発明に係る光画像書込み素子の第１は、ポリ
エン、ポリイン、ポリメチンイミン、ポリフエニ
レン、ポリアリールアセチレン、ポリアセチレン
のごとき線状共役連鎖を有する系の電解重合によ
つて得られた高分子層と光導電層とが積層されこ
れらは電極で挾まれており、高分子層に接する側
の電極は少なくとも透明で、かつ、前記の高分子
層及び／又は光導電層にはドーパントが含有され
てなる装置であつて、電界を印加し及び前記の光
導電層側の電極面に光ビーム又は光像パターンを
照射して高分子層上に画像が形成されるようにし
たことを特徴としている。 本発明に係る光画像書込み素子の他の一つは、
上記第１の装置において高分子層と光導電層とを
積層させないで、それらをドーパント含有層を介
して対向せしめ、また、高分子層及び／又は光導
電層には必要に応じてドーパントが含有されるよ
うにしたことを特徴としている。 ちなみに、本発明者らは特にEC材料として線
状共役連鎖を有する系の高分子を選択し、そのう
ちの１種又はそれらが組み合わされたポリマーを
含有する層（高分子層）を着色層として光導電層
に積層せしめ、この積層体を透明電極で挾み込む
ことにより良好な光画像書込み素子が得られるこ
とを確かめたのであつて、本発明はそうした知見
に基づいて完成されたものである。 以下に本発明を添附の図面に従がいながら更に
詳細に説明する。 第１図は本発明に係る前記第１の光画像書込み
素子（装置）の概略図、第２図は前記第２の装置
の概略図であり、そこに付された番号で、１は高
分子層、２は光導電層、３，３′は電極、４はド
ーパント含有層を表わしている。便宜上、ここで
は第１図に示した装置を中心に説明を進めること
とする。 高分子層１を構成する「線状共役連鎖を有する
系の高分子」には、ポリアセチレン、置換ポリア
セチレン、ポリチエニレン、ポリピロール、ポリ
パラフエニレン、ポリフエニレンサルフアイド、
ポリチアジルのようなポリエン、ポリイン、ポリ
メチンイミンあるいはポリフエニレンが例示でき
る。また、特開昭57−36106号や特開昭57−
105403号の公報に記載されているアリールアセチ
レンポリマーなどは溶解が可能であるため混合系
で用いられてもかまわないし、特開昭57−53509
号、特開昭57−61008号、特開昭57−174340号な
どの公報に記載されてるイガ状ポリアセチレンは
分散系での混合としても本発明の高分子層として
使用可能である。 ところで、これら線状共役連鎖を有する系の高
分子−以降単に「共役系高分子」と称することが
ある一の層（高分子層１）は、光画像書込みがな
された際に、それが着色層となるところであるこ
とから、当初から濃色を呈しているのは不適当で
ある。即ち、共役系高分子は製造手段によつてフ
イルム状で得られたり粉末状で得られたりして性
状が異なるものであり、例えばポリチエニンの場
合、多ハロゲン化物から化学的合成すると黒色粉
末として得られこれを成形によりフイルム化して
も黒色で本発明の高分子層１として採用すること
はできない。本発明は電解重合法を採用している
からこれらの恐れはない。 共役系高分子は、ドーパントとの組み合わせに
もよるがそれをドーピングすることにより、絶縁
帯→金属移転、半導体→金属移転をおこし、転移
の結果、金属状態（又は半導体でも金属に近い状
態）ではプラズマ端の反射が観測される。そし
て、共役系高分子はπ電子共役系であるため、さ
きに具体例としてあげた共役系高分子（ポリアセ
チレンなど）以外のものでもドーピングにより前
記転移が起こると考えられる。 光導電層２の材料にはセレンやSeTe，
As2Se3，CdSeなどのセレン化合物、CdS，PbO，
ZnO，TiO2，ZnS、アモルフアスシリコン等の
無機光導電体；アントラセン又はその誘導体、ポ
リビニルカルバゾール又はその誘導体、フタロシ
アニン、キナクリドン、トリアジン等の有機光導
電体が用いられる。光導電層２の形成はこれら光
導電体を真空蒸着させたりスパツタリングさせた
りする物理的方法を採用することにより、又は、
光導電体−結着樹脂−溶剤の系を塗布し乾燥する
化学的方法を採用することにより行なわれる。 本発明の光画像書込み素子は、基本的には、上
記の高分子層１と光導電層２とから構成され、共
役系高分子がドープ、アンドープの状態で色変化
を生じることを利用している。従つて、ドーパン
トが高分子層１、光導電層２のいずれか又は両層
に含有されていなければならない。 ドーパントとしてはLi，Na，Ｋ、テトラブチ
ルアンモニウムなどのドナー、Cl2，I2，Br2，
AsF5，PF6，BF3，FeCl3，WCl3，MoCl3，
TiCl4，ZrCl4，IrCl6，SO3などのアクセプターが
例示できる。 高分子層１又は光導電層２にドーパントを含有
させる手段はいろいろ考えられるがが、中でも、
高分子層１を電解重合法で形成する際にその高分
子層１にドーパントを含有させるのが有利であ
る。 これら高分子層１及び光導電層２の積層体は二
枚の電極３，３′でサンドイツチされている。電
極３又は３′はガラス類、フイルム類等の支持体
３１又は３１′上に導電膜３２又は３２′が設けら
れたものであるが、高分子層１に接する位置にあ
る電極３−読み出し側の電極−は透明でなければ
ならない。書込まれた画像を電極３方向（図面の
うえでは左方向）から視るためである。電極３′
−書込み側の電極−は矢印方向からの書込み光
（光ビーム又は光像パターン）が光導電層２に達
することのできるものであれば、必ずしも透明で
ある必要はないが、書込み光を効率よく光導電層
２に吸収させなければならないことから、やはり
透明であるのが好ましい。このため、電極３，
３′にはネサガラスや、透明なガラス、樹脂フイ
ルム上にInO2，SnO2などの透膜蒸着膜を施した
もの等が使用されるのが望ましい。電極３，３′
にはそれぞれ電圧（電界）が印加できるようにさ
れている。 電極における導電膜３２，３２′の厚さは0.1〜
1.0μｍ程度、支持体３１，３１′の厚さは数μｍ
〜数10μｍ程度が適当である。光導電層２の厚さ
は0.1〜数μｍ、高分子層１の厚さは0.1〜数μｍ
であるときに良好な結果が得られるが、これらの
厚みに応じて印加電圧を変える必要がある。ドー
パントの含有量は一概に決めることはできない
が、多い方が一般的には有利である。 一方、第２図に示した装置は、第１図の装置と
の対比でいえば、ドーパント含有層４が高分子層
１と光導電層２との間に更に設けられたものであ
る。ドーパント含有層４は固着、液層のいずれで
あつてもよいが、効率よいドーパントの注入、注
出を考慮すれば液層（電解液とドーパントとから
構成されている）である。第２図ではドーパント
含有液層のためのスペーサーは省略されている。 ドーパント含有層４を設ける意図は、(イ)既述の
ごとく、電解重合法で高分子層１を形成すると同
時に高分子層１中にドーパントを含有させること
ができるが、ドープ量が少ないときのドーパント
の補足、(ロ)第１図の装置では高分子層１、光導電
層２とも固相でドーパントが移動しにくいが、液
相のドーパント受容相（ドーパント含有液層）を
設けてドーパントを動きやすくする、(ハ)高分子層
１をアンドープ状態にしておく、等である。(イ)(ロ)
は着色濃度を上げることができるため効果的であ
る。また、(ハ)の場合が想定されることから、ドー
パント含有層４が設けられるときには高分子層１
又は光導電層２へのドーパントの含有は任意であ
る。ドーパント含有層４の厚さは0.1〜数μｍが
適当である。 次にこれらの装置を用いての光画像書込みの方
法について説明するが、第１図及び第２図に表わ
された装置とも画像形成手段について変りがない
ので、ここでも第１図の装置を中心にして説明を
加えることとする。 一旦、全面に光を照射し逆電界をかけてドーパ
ントを光導電層２に移しておくことが望ましい。
読出し側の電極３に電圧を印加した状態で書込み
光を照射すると、光導電層２の光のあたつた部分
は抵抗が下がり、その下つた部分は直接高分子層
１に電界が印加されたことになつてドーパントが
高分子層１にドープされるようになる。光のあた
らなかつた部分は、光導電層２のために絶縁され
ていることから、ドーパントの移動は起らない。
この結果、観測者は観測者側（読出し側）から入
射される光の変調光及び／又は書込み側からの透
過光を読出し光として観察することができる。 なお、前記のとおり、高分子層１にドーパント
が含有（ドープ）されるかされないかで高分子層
１は色変化を起すのであつて、共役系高分子とド
ーパントとの種々の組み合わせによりいろいろな
色の読出し光が得られる。従つて、目的に応じ
て、共役系高分子とドーパントとの種類が適宜選
択されてよい。 書込み光にはHe−Ne，YAIGなどのレーザー
ビームや、キセノンフラツシユ、水銀灯などの光
源が用いられるが、これらは光導電層２の光感度
との関係において適当に選択されるものである。 回路をオープンにすると、即ち画像パターンが
形成がなされた状態で電圧の印加をやめれば、画
像パターンはそのまま保持しメモリーされる。続
いて、画像形成の際とは逆極性の電圧を電極３に
印加すれば画像が消去される。 本発明に係る光画像書込み素子は以上のごとき
構成からなつているが、従来のECDと同様に必
要に応じて、誘電体ミラー、反射防止膜、遮光膜
などが単独で又は組み合わされて設けられてよ
い。 実施例 １ 第３，１図に示したように、約20μｍ厚のポリ
エステルフイルム（支持体）３１上に約0.3μｍ厚
のInO2（導電層）３２が設けられた透明電極３を
プラス極につなぎ、Ag線５をマイナス極につな
いだ状態で電解重合法により透明電極表面にBF4
（ドーパント）を含有した約3μｍ厚のポリチエニ
ン膜（高分子層）１を形成せしめてＡ積層体を得
た（第３，２図参照）。電解重合条件は、電解
液：ベンゾニトリル、電解質：Bu4NBF4（１モ
ル）、モノマー：チオフエン（0.1モル）、通電
量：２ｍＡ／cm2（10分間）であつた。 一方、前記とまつたく同じ透明電極３′の表面
に、真空蒸着法によつて、約3μｍ厚のSe薄膜
（光導電層）２を形成せしめてＢ積層体を得た
（第３，３図）。 これらを圧着して第１図に表わされた装置をつ
くつた。 続いて、透明電極３に約15Vの電圧を印加し
YAGレーザーを用いた画像パターン（書込み光）
を照射したところ、読出し側からの反射光が赤色
→青色に変化した画像パターンが得られた。その
スイツテング時間は約80ｍsecであつた。回路を
オープンにすると、青色画像パターンは保持され
メモリーされた。 次に、透明電極３に０〜−10Vの電圧を印加す
ると、画像部の青色は赤色に変化して画像パター
ンは消去された。 こうした赤色←→青色のパターン変化を数百回以
上繰り返えしたが、その動作特性の変化はほとん
ど認められなかつた。 実施例 ２ 第３，２図のものと第３，３図のものとの間に
アセトニトリル−Bu4NBF4電解液を封入せしめ
て第２図に表わされた装置をつくつた（ドーパン
ト含有液層の厚さは約3μｍ）。 実施例 ３ 実施例１のＡ積層体をつくるのと同じ方法で透
明電極３表面に約1μｍ厚のポリピロール・BF4膜
を形成せしめ、Ｂ積層体のSe薄膜の代りに約3μ
ｍ厚のポリビニルカルバゾール層を形成せしめ、
これら間にアセトニトリル−Bu4NBF4電解液を
注入した約3μｍ厚のドーパント含有層を設けて、
第２図に表わされた装置をつくつた。 比較例 第５図に表わしたLCDを作成した。なお、第
３図において、２は約6μｍ厚のポリビニルカル
バゾール層、３，３′は12μｍ厚のポリエステル
フイルム上に約0.3μｍ厚のIn2O3が設けられた透
明電極、６は反対膜、７はSiO2配向膜、８はス
ペーサー、９はネマチツク液晶層（約9μｍ厚）
である。 これら実施例２、実施例３及び比較例の装置
（光画像書込み素子）を用いて実施例１と同じよ
うにして画像の書込みを行なつた。その条件及び
結果を実施例１のものとともに表−１に示す。な
お、実施例２及び実施例３の装置においては、色
パターン変化を数100回以上繰り返してもその動
作特性にほとんど変化がみられないのが確められ
た。
され、既にライトバルブ、デイスプレイ、メモリ
ーなどで実用化されている。しかし、液晶自体の
視角依存性や不鮮明さ（明るい周囲光下では見づ
らいこと）はそのまま液晶ライトバルブの欠点と
して受継がれている。また、メモリー効果も24時
間程度と短い欠点がある。 このような液晶表示素子（LCD）に代り、EC
材料（エレクトロクロミツク材料）を用いた表示
素子（ECD）が近時注目されるようになつてき
ている。このECDによれば前記の視角依存性や
不鮮明性などの欠点をEC材料で解消できる有利
さがある。 現在実用性があると考えられているEC材料は
酸化タングステンであり、これを用いた光画像書
込み素子は第４図に示したごときもので、１２は
H2SO4である。いま、WO3薄膜１１側を負に、
対向電極３′側を正に直流バイアスすると、WO3
薄膜１１の透過率は時間とともに変化し、白色光
をこの装置に入射し透過した光を見るとブルーに
着色してみえる。バイアス電圧の極性を逆にする
と着色は消え初めの状態に戻る。また、EC材料
として酸化タングステンの外にビオゲン塩も検討
されている。このビオゲン塩を用いたECDは、
無色のビオゲン溶液が電気化学的酸化還元反応に
より、不溶着色被膜が陰極（表示電極）上に生成
されという原理を応用したものである。 しかしながら、これら従来のECDでは未だ十
分な階調性が得られないという問題が残されてい
る。 目 的 本発明は上記したような欠点がなく、鮮明な連
続階調の着色パターンが得られる光画像書込み素
子を提供するものである。 構 成 本発明に係る光画像書込み素子の第１は、ポリ
エン、ポリイン、ポリメチンイミン、ポリフエニ
レン、ポリアリールアセチレン、ポリアセチレン
のごとき線状共役連鎖を有する系の電解重合によ
つて得られた高分子層と光導電層とが積層されこ
れらは電極で挾まれており、高分子層に接する側
の電極は少なくとも透明で、かつ、前記の高分子
層及び／又は光導電層にはドーパントが含有され
てなる装置であつて、電界を印加し及び前記の光
導電層側の電極面に光ビーム又は光像パターンを
照射して高分子層上に画像が形成されるようにし
たことを特徴としている。 本発明に係る光画像書込み素子の他の一つは、
上記第１の装置において高分子層と光導電層とを
積層させないで、それらをドーパント含有層を介
して対向せしめ、また、高分子層及び／又は光導
電層には必要に応じてドーパントが含有されるよ
うにしたことを特徴としている。 ちなみに、本発明者らは特にEC材料として線
状共役連鎖を有する系の高分子を選択し、そのう
ちの１種又はそれらが組み合わされたポリマーを
含有する層（高分子層）を着色層として光導電層
に積層せしめ、この積層体を透明電極で挾み込む
ことにより良好な光画像書込み素子が得られるこ
とを確かめたのであつて、本発明はそうした知見
に基づいて完成されたものである。 以下に本発明を添附の図面に従がいながら更に
詳細に説明する。 第１図は本発明に係る前記第１の光画像書込み
素子（装置）の概略図、第２図は前記第２の装置
の概略図であり、そこに付された番号で、１は高
分子層、２は光導電層、３，３′は電極、４はド
ーパント含有層を表わしている。便宜上、ここで
は第１図に示した装置を中心に説明を進めること
とする。 高分子層１を構成する「線状共役連鎖を有する
系の高分子」には、ポリアセチレン、置換ポリア
セチレン、ポリチエニレン、ポリピロール、ポリ
パラフエニレン、ポリフエニレンサルフアイド、
ポリチアジルのようなポリエン、ポリイン、ポリ
メチンイミンあるいはポリフエニレンが例示でき
る。また、特開昭57−36106号や特開昭57−
105403号の公報に記載されているアリールアセチ
レンポリマーなどは溶解が可能であるため混合系
で用いられてもかまわないし、特開昭57−53509
号、特開昭57−61008号、特開昭57−174340号な
どの公報に記載されてるイガ状ポリアセチレンは
分散系での混合としても本発明の高分子層として
使用可能である。 ところで、これら線状共役連鎖を有する系の高
分子−以降単に「共役系高分子」と称することが
ある一の層（高分子層１）は、光画像書込みがな
された際に、それが着色層となるところであるこ
とから、当初から濃色を呈しているのは不適当で
ある。即ち、共役系高分子は製造手段によつてフ
イルム状で得られたり粉末状で得られたりして性
状が異なるものであり、例えばポリチエニンの場
合、多ハロゲン化物から化学的合成すると黒色粉
末として得られこれを成形によりフイルム化して
も黒色で本発明の高分子層１として採用すること
はできない。本発明は電解重合法を採用している
からこれらの恐れはない。 共役系高分子は、ドーパントとの組み合わせに
もよるがそれをドーピングすることにより、絶縁
帯→金属移転、半導体→金属移転をおこし、転移
の結果、金属状態（又は半導体でも金属に近い状
態）ではプラズマ端の反射が観測される。そし
て、共役系高分子はπ電子共役系であるため、さ
きに具体例としてあげた共役系高分子（ポリアセ
チレンなど）以外のものでもドーピングにより前
記転移が起こると考えられる。 光導電層２の材料にはセレンやSeTe，
As2Se3，CdSeなどのセレン化合物、CdS，PbO，
ZnO，TiO2，ZnS、アモルフアスシリコン等の
無機光導電体；アントラセン又はその誘導体、ポ
リビニルカルバゾール又はその誘導体、フタロシ
アニン、キナクリドン、トリアジン等の有機光導
電体が用いられる。光導電層２の形成はこれら光
導電体を真空蒸着させたりスパツタリングさせた
りする物理的方法を採用することにより、又は、
光導電体−結着樹脂−溶剤の系を塗布し乾燥する
化学的方法を採用することにより行なわれる。 本発明の光画像書込み素子は、基本的には、上
記の高分子層１と光導電層２とから構成され、共
役系高分子がドープ、アンドープの状態で色変化
を生じることを利用している。従つて、ドーパン
トが高分子層１、光導電層２のいずれか又は両層
に含有されていなければならない。 ドーパントとしてはLi，Na，Ｋ、テトラブチ
ルアンモニウムなどのドナー、Cl2，I2，Br2，
AsF5，PF6，BF3，FeCl3，WCl3，MoCl3，
TiCl4，ZrCl4，IrCl6，SO3などのアクセプターが
例示できる。 高分子層１又は光導電層２にドーパントを含有
させる手段はいろいろ考えられるがが、中でも、
高分子層１を電解重合法で形成する際にその高分
子層１にドーパントを含有させるのが有利であ
る。 これら高分子層１及び光導電層２の積層体は二
枚の電極３，３′でサンドイツチされている。電
極３又は３′はガラス類、フイルム類等の支持体
３１又は３１′上に導電膜３２又は３２′が設けら
れたものであるが、高分子層１に接する位置にあ
る電極３−読み出し側の電極−は透明でなければ
ならない。書込まれた画像を電極３方向（図面の
うえでは左方向）から視るためである。電極３′
−書込み側の電極−は矢印方向からの書込み光
（光ビーム又は光像パターン）が光導電層２に達
することのできるものであれば、必ずしも透明で
ある必要はないが、書込み光を効率よく光導電層
２に吸収させなければならないことから、やはり
透明であるのが好ましい。このため、電極３，
３′にはネサガラスや、透明なガラス、樹脂フイ
ルム上にInO2，SnO2などの透膜蒸着膜を施した
もの等が使用されるのが望ましい。電極３，３′
にはそれぞれ電圧（電界）が印加できるようにさ
れている。 電極における導電膜３２，３２′の厚さは0.1〜
1.0μｍ程度、支持体３１，３１′の厚さは数μｍ
〜数10μｍ程度が適当である。光導電層２の厚さ
は0.1〜数μｍ、高分子層１の厚さは0.1〜数μｍ
であるときに良好な結果が得られるが、これらの
厚みに応じて印加電圧を変える必要がある。ドー
パントの含有量は一概に決めることはできない
が、多い方が一般的には有利である。 一方、第２図に示した装置は、第１図の装置と
の対比でいえば、ドーパント含有層４が高分子層
１と光導電層２との間に更に設けられたものであ
る。ドーパント含有層４は固着、液層のいずれで
あつてもよいが、効率よいドーパントの注入、注
出を考慮すれば液層（電解液とドーパントとから
構成されている）である。第２図ではドーパント
含有液層のためのスペーサーは省略されている。 ドーパント含有層４を設ける意図は、(イ)既述の
ごとく、電解重合法で高分子層１を形成すると同
時に高分子層１中にドーパントを含有させること
ができるが、ドープ量が少ないときのドーパント
の補足、(ロ)第１図の装置では高分子層１、光導電
層２とも固相でドーパントが移動しにくいが、液
相のドーパント受容相（ドーパント含有液層）を
設けてドーパントを動きやすくする、(ハ)高分子層
１をアンドープ状態にしておく、等である。(イ)(ロ)
は着色濃度を上げることができるため効果的であ
る。また、(ハ)の場合が想定されることから、ドー
パント含有層４が設けられるときには高分子層１
又は光導電層２へのドーパントの含有は任意であ
る。ドーパント含有層４の厚さは0.1〜数μｍが
適当である。 次にこれらの装置を用いての光画像書込みの方
法について説明するが、第１図及び第２図に表わ
された装置とも画像形成手段について変りがない
ので、ここでも第１図の装置を中心にして説明を
加えることとする。 一旦、全面に光を照射し逆電界をかけてドーパ
ントを光導電層２に移しておくことが望ましい。
読出し側の電極３に電圧を印加した状態で書込み
光を照射すると、光導電層２の光のあたつた部分
は抵抗が下がり、その下つた部分は直接高分子層
１に電界が印加されたことになつてドーパントが
高分子層１にドープされるようになる。光のあた
らなかつた部分は、光導電層２のために絶縁され
ていることから、ドーパントの移動は起らない。
この結果、観測者は観測者側（読出し側）から入
射される光の変調光及び／又は書込み側からの透
過光を読出し光として観察することができる。 なお、前記のとおり、高分子層１にドーパント
が含有（ドープ）されるかされないかで高分子層
１は色変化を起すのであつて、共役系高分子とド
ーパントとの種々の組み合わせによりいろいろな
色の読出し光が得られる。従つて、目的に応じ
て、共役系高分子とドーパントとの種類が適宜選
択されてよい。 書込み光にはHe−Ne，YAIGなどのレーザー
ビームや、キセノンフラツシユ、水銀灯などの光
源が用いられるが、これらは光導電層２の光感度
との関係において適当に選択されるものである。 回路をオープンにすると、即ち画像パターンが
形成がなされた状態で電圧の印加をやめれば、画
像パターンはそのまま保持しメモリーされる。続
いて、画像形成の際とは逆極性の電圧を電極３に
印加すれば画像が消去される。 本発明に係る光画像書込み素子は以上のごとき
構成からなつているが、従来のECDと同様に必
要に応じて、誘電体ミラー、反射防止膜、遮光膜
などが単独で又は組み合わされて設けられてよ
い。 実施例 １ 第３，１図に示したように、約20μｍ厚のポリ
エステルフイルム（支持体）３１上に約0.3μｍ厚
のInO2（導電層）３２が設けられた透明電極３を
プラス極につなぎ、Ag線５をマイナス極につな
いだ状態で電解重合法により透明電極表面にBF4
（ドーパント）を含有した約3μｍ厚のポリチエニ
ン膜（高分子層）１を形成せしめてＡ積層体を得
た（第３，２図参照）。電解重合条件は、電解
液：ベンゾニトリル、電解質：Bu4NBF4（１モ
ル）、モノマー：チオフエン（0.1モル）、通電
量：２ｍＡ／cm2（10分間）であつた。 一方、前記とまつたく同じ透明電極３′の表面
に、真空蒸着法によつて、約3μｍ厚のSe薄膜
（光導電層）２を形成せしめてＢ積層体を得た
（第３，３図）。 これらを圧着して第１図に表わされた装置をつ
くつた。 続いて、透明電極３に約15Vの電圧を印加し
YAGレーザーを用いた画像パターン（書込み光）
を照射したところ、読出し側からの反射光が赤色
→青色に変化した画像パターンが得られた。その
スイツテング時間は約80ｍsecであつた。回路を
オープンにすると、青色画像パターンは保持され
メモリーされた。 次に、透明電極３に０〜−10Vの電圧を印加す
ると、画像部の青色は赤色に変化して画像パター
ンは消去された。 こうした赤色←→青色のパターン変化を数百回以
上繰り返えしたが、その動作特性の変化はほとん
ど認められなかつた。 実施例 ２ 第３，２図のものと第３，３図のものとの間に
アセトニトリル−Bu4NBF4電解液を封入せしめ
て第２図に表わされた装置をつくつた（ドーパン
ト含有液層の厚さは約3μｍ）。 実施例 ３ 実施例１のＡ積層体をつくるのと同じ方法で透
明電極３表面に約1μｍ厚のポリピロール・BF4膜
を形成せしめ、Ｂ積層体のSe薄膜の代りに約3μ
ｍ厚のポリビニルカルバゾール層を形成せしめ、
これら間にアセトニトリル−Bu4NBF4電解液を
注入した約3μｍ厚のドーパント含有層を設けて、
第２図に表わされた装置をつくつた。 比較例 第５図に表わしたLCDを作成した。なお、第
３図において、２は約6μｍ厚のポリビニルカル
バゾール層、３，３′は12μｍ厚のポリエステル
フイルム上に約0.3μｍ厚のIn2O3が設けられた透
明電極、６は反対膜、７はSiO2配向膜、８はス
ペーサー、９はネマチツク液晶層（約9μｍ厚）
である。 これら実施例２、実施例３及び比較例の装置
（光画像書込み素子）を用いて実施例１と同じよ
うにして画像の書込みを行なつた。その条件及び
結果を実施例１のものとともに表−１に示す。な
お、実施例２及び実施例３の装置においては、色
パターン変化を数100回以上繰り返してもその動
作特性にほとんど変化がみられないのが確められ
た。
【表】
効 果
これまでの記述から明らかなように、本発明の
光画像書込み素子によれば、応答速度が速い、コ
ントラストが高い、視野角が広い、半永久的に記
憶できる、カラー化が容易である、階調性が高
い、などの効果がもたらされる。
光画像書込み素子によれば、応答速度が速い、コ
ントラストが高い、視野角が広い、半永久的に記
憶できる、カラー化が容易である、階調性が高
い、などの効果がもたらされる。
第１図及び第２図は本発明に係る光画像書込み
素子の二例の概略図、第３図は第１図に示した装
置を作成するための説明図、第４図及び第５図は
ともに比較の装置の概略図である。 １…高分子層、２…光導電層、３，３′…電極、
４…ドーパント含有層、３１，３１′…支持体、
３２，３２′…導電層。
素子の二例の概略図、第３図は第１図に示した装
置を作成するための説明図、第４図及び第５図は
ともに比較の装置の概略図である。 １…高分子層、２…光導電層、３，３′…電極、
４…ドーパント含有層、３１，３１′…支持体、
３２，３２′…導電層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリエン、ポリイン、ポリメチンイミン、ポ
リフエニレン、ポリアリールアセチレン、ポリア
セチレンのごとき線状共役連鎖を有する系の電解
重合によつて得られた高分子層と光導電層とが積
層されこれらは電極で挾まれており、高分子層に
接する側の電極は少なくとも透明で、かつ、前記
の高分子層及び／又は光導電層にはドーパントが
含有されてなる装置であつて、電界を印加し及び
前記の光導電層側の電極面方向から光ビーム又は
光像パターンを照射して高分子層上に画像が形成
されるようにしたことを特徴とする光画像書込み
素子。 ２ ポリエン、ポリイン、ポリメチンイミン、ポ
リフエニレン、ポリアリールアセチレン、ポリア
セチレンのごとき線状共役連鎖を有する系の電解
重合によつて得られたドーパントを含有するか若
しくは含有しない高分子層とドーパントを含有す
るか若しくは含有しない光導電層とがドーパント
含有層を介して対向されこれらは電極で挾まれて
おり、高分子層上に接する側の電極は少なくとも
透明であることよりなる装置であつて、電解を印
加し及び前記の光導電層側の電極面方向から光ビ
ーム又は光像パターンを照射して高分子層上に画
像が形成されるようにしたことを特徴とする光画
像書込み素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58212071A JPS60103329A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 光画像書込み素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58212071A JPS60103329A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 光画像書込み素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103329A JPS60103329A (ja) | 1985-06-07 |
| JPH0530252B2 true JPH0530252B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=16616378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58212071A Granted JPS60103329A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 光画像書込み素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103329A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6275423A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子とその製造方法 |
| JPH03152183A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-28 | Sekisui Chem Co Ltd | エレクトロクロミック素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667881A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-08 | Ibm | Electrochromic display unit |
| JPS5711323A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | Electrochromic display element |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP58212071A patent/JPS60103329A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667881A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-08 | Ibm | Electrochromic display unit |
| JPS5711323A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | Electrochromic display element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60103329A (ja) | 1985-06-07 |
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