JPH05302166A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH05302166A JPH05302166A JP10699692A JP10699692A JPH05302166A JP H05302166 A JPH05302166 A JP H05302166A JP 10699692 A JP10699692 A JP 10699692A JP 10699692 A JP10699692 A JP 10699692A JP H05302166 A JPH05302166 A JP H05302166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode target
- magnetic field
- plasma
- coils
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ装置において、プラズマを拘束する
磁界を制御し、スパッタした膜を均一化する。 【構成】 陰極ターゲット４の裏面に複数のコイル５を
設ける。各コイル５はコイル用電流源７によって個別に
制御される。このとき、各コイル５より発生する磁場
も、各々独立に形成されるため、陰極ターゲット４のス
パッタ状態を変化させることができる。このスパッタ状
態を制御することによって、ウェハ２に作成した膜厚を
均一化できる。
磁界を制御し、スパッタした膜を均一化する。 【構成】 陰極ターゲット４の裏面に複数のコイル５を
設ける。各コイル５はコイル用電流源７によって個別に
制御される。このとき、各コイル５より発生する磁場
も、各々独立に形成されるため、陰極ターゲット４のス
パッタ状態を変化させることができる。このスパッタ状
態を制御することによって、ウェハ２に作成した膜厚を
均一化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ装置に関し、特
に陰極ターゲット部のコイルによりプラズマを制御する
構造を有するスパッタ装置に関する。
に陰極ターゲット部のコイルによりプラズマを制御する
構造を有するスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スパッタ装置は図４に示すよう
に、ウェハ２を固定するための陽極基板台１と、成膜さ
れる原子から構成された陽極ターゲット４と、プラズマ
を発生させるための電源６と、発生したプラズマを拘束
する永久磁石８とを有している。
に、ウェハ２を固定するための陽極基板台１と、成膜さ
れる原子から構成された陽極ターゲット４と、プラズマ
を発生させるための電源６と、発生したプラズマを拘束
する永久磁石８とを有している。
【０００３】電源６によって、陽極基板台１とこれに対
向する陰極ターゲット４の間に電圧を印加し、陽極基板
台１と陰極ターゲット４の間にプラズマが発生する。こ
の発生したプラズマは、永久磁石８によって生じる磁力
線３によって陰極ターゲット４の近傍に拘束される。
向する陰極ターゲット４の間に電圧を印加し、陽極基板
台１と陰極ターゲット４の間にプラズマが発生する。こ
の発生したプラズマは、永久磁石８によって生じる磁力
線３によって陰極ターゲット４の近傍に拘束される。
【０００４】この発生したプラズマ内部で作られるイオ
ンは、陰極ターゲット４の近傍で加速され、陰極ターゲ
ット４をスパッタする。そのため、ターゲット４の構成
原子はスパッタ原子となり放出され、ウェハ２に堆積さ
れる。
ンは、陰極ターゲット４の近傍で加速され、陰極ターゲ
ット４をスパッタする。そのため、ターゲット４の構成
原子はスパッタ原子となり放出され、ウェハ２に堆積さ
れる。
【０００５】永久磁石５によってプラズマを拘束するた
め、効率よく陰極ターゲット４をスパッタしていた。
め、効率よく陰極ターゲット４をスパッタしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来のスパッタ装
置では、磁界を発生させるために永久磁石を用いている
ことから、磁界が常に一定であるため、陰極ターゲット
の磁極と磁極の間で大きくスパッタされていた。このた
め、陰極ターゲットに対向して置かれたウェハでは、陰
極ターゲットのスパッタ状態に対応した膜厚の不均一性
を生じるという問題点があった。
置では、磁界を発生させるために永久磁石を用いている
ことから、磁界が常に一定であるため、陰極ターゲット
の磁極と磁極の間で大きくスパッタされていた。このた
め、陰極ターゲットに対向して置かれたウェハでは、陰
極ターゲットのスパッタ状態に対応した膜厚の不均一性
を生じるという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、プラズマを拘束する磁界
を制御可能としたスパッタ装置を提供することにある。
を制御可能としたスパッタ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るスパッタ装置は、磁界発生機構を有
し、陽極基板台と陰極ターゲットの間に発生させたプラ
ズマを陰極ターゲットの近傍に拘束させて陽極基板台上
の基板に成膜を行うスパッタ装置であって、磁界発生機
構は、陰極ターゲットの近傍にプラズマを拘束させる磁
界を発生するものであり、複数のコイルを有し、複数の
コイルは、各々独立して陰極ターゲットの裏面に同心円
状に配列され、個々に励磁されるものである。
め、本発明に係るスパッタ装置は、磁界発生機構を有
し、陽極基板台と陰極ターゲットの間に発生させたプラ
ズマを陰極ターゲットの近傍に拘束させて陽極基板台上
の基板に成膜を行うスパッタ装置であって、磁界発生機
構は、陰極ターゲットの近傍にプラズマを拘束させる磁
界を発生するものであり、複数のコイルを有し、複数の
コイルは、各々独立して陰極ターゲットの裏面に同心円
状に配列され、個々に励磁されるものである。
【０００９】
【作用】同心円状に配列した複数のコイルを個別に励磁
させることにより、プラズマを拘束する磁界を制御して
陰極ターゲットのスパッタの大きさを変更する。
させることにより、プラズマを拘束する磁界を制御して
陰極ターゲットのスパッタの大きさを変更する。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る陰極ターゲット部を示す断面図である。
係る陰極ターゲット部を示す断面図である。
【００１２】図１において、スパッタ装置は、陽極基板
台１と、陰極ターゲット４とを有し、本発明において
は、陰極ターゲット４の裏面に複数のコイル５を設けて
いる。コイル用電流源７は、複数の各々のコイル５に対
し個別に電流を流すことができる。
台１と、陰極ターゲット４とを有し、本発明において
は、陰極ターゲット４の裏面に複数のコイル５を設けて
いる。コイル用電流源７は、複数の各々のコイル５に対
し個別に電流を流すことができる。
【００１３】図２は、図１の陰極ターゲット部を示す裏
面図である。図２において、複数のコイル５は、同心円
状に配列されて陰極ターゲット４の裏面に配置されてい
る。このように構成することにより、各コイル５にはコ
イル用電流源７から個別に通電され、各コイル５より発
生する磁力線３は、各々独立した磁場を形成し、陰極タ
ーゲット４の近傍でプラズマを拘束する。
面図である。図２において、複数のコイル５は、同心円
状に配列されて陰極ターゲット４の裏面に配置されてい
る。このように構成することにより、各コイル５にはコ
イル用電流源７から個別に通電され、各コイル５より発
生する磁力線３は、各々独立した磁場を形成し、陰極タ
ーゲット４の近傍でプラズマを拘束する。
【００１４】このとき、複数のコイル５は、各々独立し
た磁場を形成することから、陰極ターゲット４を全体に
わたって一様にスパッタさせることができる。このた
め、対向して置かれた陽極基板台１に固定されたウェハ
２の膜厚を均一化できる。
た磁場を形成することから、陰極ターゲット４を全体に
わたって一様にスパッタさせることができる。このた
め、対向して置かれた陽極基板台１に固定されたウェハ
２の膜厚を均一化できる。
【００１５】（実施例２）図３は、本発明の実施例２を
示す断面図である。
示す断面図である。
【００１６】本実施例は、陰極ターゲット４の裏面に、
複数個のコイル５と永久磁石８とを組合せて同心上に配
列したものである。
複数個のコイル５と永久磁石８とを組合せて同心上に配
列したものである。
【００１７】本実施例によれば、永久磁石８の固定磁界
が複数のコイル５が発生する磁界により制御され、これ
によりプラズマを制御して陰極ターゲットの近傍に拘束
することができる。。
が複数のコイル５が発生する磁界により制御され、これ
によりプラズマを制御して陰極ターゲットの近傍に拘束
することができる。。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、陰極ター
ゲット裏面の複数のコイルが独立して磁界を発生するた
め、プラズマ拘束用磁界を変化させて陰極ターゲットの
スパッタの大きさを変えることができる。このため、陰
極ターゲットに対向して置かれた陽極基板台上のウェハ
の膜厚を均一化できるという効果を有する。
ゲット裏面の複数のコイルが独立して磁界を発生するた
め、プラズマ拘束用磁界を変化させて陰極ターゲットの
スパッタの大きさを変えることができる。このため、陰
極ターゲットに対向して置かれた陽極基板台上のウェハ
の膜厚を均一化できるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例１を示す断面図である。
【図２】図１に示した陰極ターゲットを示す裏面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例２を示す断面図である。
【図４】従来のスパッタ装置を示す断面図である。
１ 陽極基板台 ２ ウェハ ３ 磁力線 ４ 陰極ターゲット ５ コイル ６ 電源 ７ コイル用電流源 ８ 永久磁石
Claims (1)
- 【請求項１】 磁界発生機構を有し、陽極基板台と陰極
ターゲットの間に発生させたプラズマを陰極ターゲット
の近傍に拘束させて陽極基板台上の基板に成膜を行うス
パッタ装置であって、 磁界発生機構は、陰極ターゲットの近傍にプラズマを拘
束させる磁界を発生するものであり、複数のコイルを有
し、 複数のコイルは、各々独立して陰極ターゲットの裏面に
同心円状に配列され、個々に励磁されるものであること
を特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10699692A JPH05302166A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10699692A JPH05302166A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05302166A true JPH05302166A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14447835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10699692A Pending JPH05302166A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05302166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274433B1 (ko) * | 1996-10-02 | 2000-12-15 | 모리시타 요이찌 | 스퍼트링장치 및 스퍼트링방법 |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP10699692A patent/JPH05302166A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274433B1 (ko) * | 1996-10-02 | 2000-12-15 | 모리시타 요이찌 | 스퍼트링장치 및 스퍼트링방법 |
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