JPH05299532A - Manufacturing method of aluminum nitride multilayer circuit board - Google Patents

Manufacturing method of aluminum nitride multilayer circuit board

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JPH05299532A
JPH05299532A JP10080492A JP10080492A JPH05299532A JP H05299532 A JPH05299532 A JP H05299532A JP 10080492 A JP10080492 A JP 10080492A JP 10080492 A JP10080492 A JP 10080492A JP H05299532 A JPH05299532 A JP H05299532A
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JP
Japan
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plating
aluminum nitride
layer
circuit board
multilayer circuit
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Withdrawn
Application number
JP10080492A
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Japanese (ja)
Inventor
Noriko Shinosawa
法子 篠澤
Mitsuyoshi Endo
光芳 遠藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH05299532A publication Critical patent/JPH05299532A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide the title manufacturing method of aluminum nitride multilayer circuit board capable of coping with a high wiring density multilayer circuit board as well as surely forming plating layers at low cost. CONSTITUTION:The plating leading-out wirings 17 connecting to metallized parts 14, 15 to be plated are provided so as to reach the side 20a of the title aluminum nitride multi-layer substrate 20. Next, the substrate outer periphery is cut off by laser beam irradiation to attain the specific contour size. After performing the cutting off step, an Al layer 21 electrically connecting to the plating leading-out wires 17 is formed on the substrate side 20a. Finally, the metallized parts 14, 15 are plated using the Al layer 21 as a plating electrode.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージ等と
して用いられる窒化アルミニウム多層回路基板の製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board used as a semiconductor package or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体製造技術の急速な進歩によ
って、半導体チップの高集積化や高速化が進められてお
り、また一部の半導体チップにおいては大電力化も進め
られている。これら半導体チップの高集積化や大電力化
に伴って、半導体チップからの発熱量は年々増大する傾
向にあり、半導体チップ搭載用基板等には高放熱性を有
することが求められている。このような要求に対して、
窒化アルミニウム基板は一般的な酸化アルミニウム基板
等に比べて熱伝導率が 5倍〜10倍と高く、放熱性に優
れ、かつ高電気絶縁性および低誘電率を示し、さらに熱
膨脹率がシリコン単結晶に近似していることから、高集
積チップや大電力チップ等の搭載用基板やパッケージ用
材料として注目を集めている。
2. Description of the Related Art In recent years, due to rapid progress in semiconductor manufacturing technology, high integration and high speed operation of semiconductor chips have been promoted, and large power consumption has been promoted in some semiconductor chips. With the higher integration and higher power consumption of these semiconductor chips, the amount of heat generated from the semiconductor chips tends to increase year by year, and semiconductor chip mounting substrates and the like are required to have high heat dissipation. For such a request,
Aluminum nitride substrate has a high thermal conductivity of 5 to 10 times higher than general aluminum oxide substrates, excellent heat dissipation, high electrical insulation and low dielectric constant, and a thermal expansion coefficient of silicon single crystal. Since it is close to the above, it is attracting attention as a mounting substrate and a packaging material for highly integrated chips and high-power chips.

【0003】窒化アルミニウム基板を用いて半導体パッ
ケージ等を構成する場合、通常、まず窒化アルミニウム
基板の焼成と同時に、所要の回路パタ―ンを有する内部
配線層や半導体チップの搭載部等となるメタライズ層を
形成して多層回路基板を作製する。そして、内部配線層
の一端に設けられた接合パッド上に入出力ピンを接合す
ると共に、内部配線層の他端に設けられたボンディング
パッドと半導体チップの電極部とを接続して、半導体パ
ッケージを構成する。
When a semiconductor package or the like is constructed by using an aluminum nitride substrate, usually, at the same time as the firing of the aluminum nitride substrate, a metallization layer which becomes an internal wiring layer having a required circuit pattern or a mounting portion of a semiconductor chip is formed. To form a multilayer circuit board. Then, the input / output pin is joined to the joining pad provided at one end of the internal wiring layer, and the bonding pad provided at the other end of the internal wiring layer is connected to the electrode portion of the semiconductor chip to form a semiconductor package. Constitute.

【0004】ここで、内部配線層やチップ搭載部となる
メタライズ層は、上記したように同時焼成により形成す
るため、一般に WやMo等の高融点金属を含有する導体ペ
―ストを用いて形成している。このようなボンディング
パッドにAu等からなるボンディングワイヤを直接接合す
ることはできないため、通常はボンディングパッドやチ
ップ搭載部上には、Ni/Au等のめっき層を形成すること
が必要となる。このようなめっき層の形成は、一般に以
下のようにして行われている。
Here, since the internal wiring layer and the metallized layer to be the chip mounting portion are formed by simultaneous firing as described above, they are generally formed by using a conductor paste containing a refractory metal such as W or Mo. is doing. Since a bonding wire made of Au or the like cannot be directly bonded to such a bonding pad, it is usually necessary to form a plating layer of Ni / Au or the like on the bonding pad and the chip mounting portion. Formation of such a plating layer is generally performed as follows.

【0005】まず、図6(a)に示すように、窒化アル
ミニウム多層基板1の外形を所要寸法より大きく設定
し、予め多層基板1の外周部側1aにボンディングパッ
ド2やチップ搭載部3に接続されためっき引出し用配線
4を形成すると共に、基板外周部1aに設けられためっ
き用電極5とめっき引出し用配線4とを接続しておく。
そして、これらを利用して、ボンディングパッド2やチ
ップ搭載部3にめっき層6を形成した後、図6(b)に
示すように、基板外周部1aを切断することにより、め
っき引出し用回路4を分離して内部配線層7としての機
能を持たせる。
First, as shown in FIG. 6 (a), the outer shape of the aluminum nitride multilayer substrate 1 is set to be larger than a required dimension, and the outer peripheral side 1a of the multilayer substrate 1 is connected to the bonding pads 2 and the chip mounting portion 3 in advance. The plating lead-out wiring 4 thus formed is formed, and the plating electrode 5 and the plating lead-out wiring 4 provided on the outer peripheral portion 1a of the substrate are connected.
Then, after utilizing these, a plating layer 6 is formed on the bonding pad 2 and the chip mounting portion 3, and then the substrate outer peripheral portion 1a is cut as shown in FIG. Are separated to have a function as the internal wiring layer 7.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなめっき層の形成方法では、半導体チップの高集
積化に伴う配線密度の増大により、めっき引出し用配線
の引き回しが困難となったり、また必要以上に基板外形
寸法を大きくしなければならない等の問題が生じてい
る。一方、入出力ピンにめっき用電極を接触させて、め
っきを施すことも行われているが、この方法では入出力
ピン 1本々にめっき用電極を取り付けなければならず、
製造コストの増大を招くという問題があった。
However, in the method of forming the plating layer as described above, it is difficult to arrange the wiring for plating extraction due to the increase in the wiring density accompanying the high integration of the semiconductor chip, and it is necessary. As described above, problems such as the need to increase the outer dimensions of the substrate have occurred. On the other hand, plating is also performed by bringing the plating electrodes into contact with the input / output pins, but this method requires mounting the plating electrodes on each input / output pin.
There is a problem that it causes an increase in manufacturing cost.

【0007】このようなことから、配線密度の増大に対
して容易に対処が可能で、かつ低コストでめっき層の形
成を可能にすることが強く求められている。
From the above, it is strongly demanded that the increase of the wiring density can be dealt with easily and the plating layer can be formed at a low cost.

【0008】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、高配線密度化された多層回路基板へ
の対処を考慮すると共に、低コストでかつ確実にめっき
層を形成することを可能とした窒化アルミニウム多層回
路基板の製造方法を提供することを目的としている。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is necessary to form a plating layer at a low cost with certainty, while taking into consideration the handling of a multilayer circuit board having a high wiring density. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board that enables the above.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の窒化アルミニウ
ム多層回路基板の製造方法は、めっきを要するメタライ
ズ部を有し、該メタライズ部にめっきを施してなる窒化
アルミニウム多層回路基板を製造するにあたり、前記め
っきを要するメタライズ部に電気的に接続されためっき
引出し用配線を、窒化アルミニウム多層基板の端面に到
達するように設け、該窒化アルミニウム多層基板の端面
にレーザを照射することにより、該端面に前記めっき引
出し用配線と電気的に接続されたアルミニウム層を形成
し、このアルミニウム層をめっき用電極として前記メタ
ライズ部にめっきを施して、前記窒化アルミニウム多層
回路基板を製造することを特徴としている。
A method for manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board according to the present invention comprises a metallized portion which requires plating, and an aluminum nitride multilayer circuit board manufactured by plating the metallized portion. The plating lead-out wiring electrically connected to the metallized portion requiring the plating is provided so as to reach the end face of the aluminum nitride multilayer substrate, and the end face of the aluminum nitride multilayer substrate is irradiated with a laser, whereby The aluminum nitride multilayer circuit board is manufactured by forming an aluminum layer electrically connected to the plating lead-out wiring and using the aluminum layer as a plating electrode to plate the metallized portion.

【0010】[0010]

【作用】本発明の窒化アルミニウム多層回路基板の製造
方法においては、めっき引出し用配線を予め端面に到達
させた窒化アルミニウム多層基板を用いて、この窒化ア
ルミニウム多層基板に所定寸法等への加工工程(切断工
程)等としてレーザの照射を行うことにより、基板端面
にアルミニウム層を形成している。このアルミニウム層
は、めっき引出し用配線と電気的に接続された状態とな
るため、めっき用電極として用いることができる。この
ように、レーザ照射により形成されたアルミニウム層を
めっき用電極として用いることにより、配線の引きまわ
しが容易となると共に、製造工程中から基板外形を実寸
法に近い形とすることができる。さらに、めっき用治具
の構成を簡易化することが可能となる。これらにより、
高配線密度化された多層回路基板を容易に、かつ低コス
トで製造することが可能となる。
In the method for manufacturing an aluminum nitride multi-layer circuit board of the present invention, the aluminum nitride multi-layer board in which the plating lead-out wiring has reached the end face in advance is used, and the aluminum nitride multi-layer board is processed into a predetermined dimension or the like. The aluminum layer is formed on the end surface of the substrate by performing laser irradiation as a cutting step). Since this aluminum layer is in a state of being electrically connected to the plating lead-out wiring, it can be used as a plating electrode. As described above, by using the aluminum layer formed by laser irradiation as the plating electrode, the wiring can be easily routed, and the outer shape of the substrate can be made close to the actual size during the manufacturing process. Further, it becomes possible to simplify the structure of the plating jig. With these,
It is possible to easily manufacture a multilayer circuit board having a high wiring density at low cost.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1ないし図5は、本発明の一実施例の窒
化アルミニウム多層回路基板の製造工程をそれぞれ示す
図である。まず、図1に示すように、窒化アルミニウム
グリーンシート11を必要枚数用意し、これらに各層の
形状に合せてスル―ホ―ル12等を穿設する。次いで、
これらグリーンシート11に、内部配線層13のパタ―
ンや、チップ搭載部14、ボンディングパッド15、ピ
ン接合パッド16等のパタ―ンに応じて導体ペ―ストを
スクリ―ン印刷等によって塗布すると共に、各層間を繋
ぐスル―ホ―ル12内に導体ペ―ストを充填する。導体
ペーストとしては、 WやMo等の高融点金属粉末やこれに
必要に応じて活性金属やその化合物粉末を混合したもの
に、有機バインダを混合してペースト化したもの等を用
いる。
1 to 5 are views showing steps of manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board according to an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1, a required number of aluminum nitride green sheets 11 are prepared, and through holes 12 and the like are formed in these sheets according to the shape of each layer. Then
The pattern of the internal wiring layer 13 is formed on these green sheets 11.
The conductor paste is applied by screen printing or the like according to the pattern of the chip mounting portion 14, the bonding pad 15, the pin bonding pad 16 and the like, and the inside of the through hole 12 that connects the layers Fill the conductor paste with. As the conductor paste, a high melting point metal powder such as W or Mo, or a mixture thereof with an active metal or a compound powder thereof as required, and an organic binder mixed into a paste are used.

【0013】上記導体ペーストの印刷に際して、めっき
を要するメタライズ部、例えばチップ搭載部14やボン
ディングパッド15に接続された内部配線層13は、め
っき引出し用配線17として、その一端がグリーンシー
ト11の側端面11aに到達するように形成する。
The internal wiring layer 13 connected to the metallized portion that requires plating, for example, the chip mounting portion 14 and the bonding pad 15 at the time of printing the above-mentioned conductor paste, serves as the plating lead-out wiring 17, one end of which is the green sheet 11 side It is formed so as to reach the end surface 11a.

【0014】このようにして導体ペーストの印刷および
充填を行った各グリーンシート11を積層一体化した
後、グリ―ンシ―ト11の組成や導体ペーストの組成に
応じた温度、例えば1600℃〜1800℃程度の温度域で窒素
雰囲気のような非酸化雰囲気中にて熱処理を施し、各グ
リ―ンシ―ト11と導体ペーストを同時焼成して、図2
に示すように窒化アルミニウム多層基板素材18を作製
する。
After the green sheets 11 thus printed and filled with the conductor paste are laminated and integrated, a temperature corresponding to the composition of the green sheet 11 and the composition of the conductor paste, for example, 1600 ° C. to 1800. Heat treatment is performed in a non-oxidizing atmosphere such as a nitrogen atmosphere in a temperature range of about ℃, and each green sheet 11 and the conductor paste are simultaneously burned,
The aluminum nitride multilayer substrate material 18 is manufactured as shown in FIG.

【0015】次に、同時焼成によって得た窒化アルミニ
ウム多層基板素材18を所定の外形寸法となるように外
周部18aを切断する。この切断は、CO2 レーザ等の比
較的高出力のレーザ光19を用いて行う。このように、
レーザ光19により切断を行うと、図3に示すように、
切断後の窒化アルミニウム多層基板20の側面20a、
すなわちレーザ光19の照射部にはAl層21が析出す
る。このAl層21は、レーザ光19により N原子が蒸発
し、Alのみが一様に残存することによって形成されるも
のである。
Next, the outer peripheral portion 18a is cut so that the aluminum nitride multilayer substrate material 18 obtained by the co-firing has a predetermined outer dimension. This cutting is performed using a relatively high-power laser beam 19 such as a CO 2 laser. in this way,
When cutting with the laser light 19, as shown in FIG.
The side surface 20a of the aluminum nitride multilayer substrate 20 after cutting,
That is, the Al layer 21 is deposited on the portion irradiated with the laser beam 19. The Al layer 21 is formed by vaporizing N atoms by the laser light 19 and leaving only Al uniformly.

【0016】また、内部配線層13の一端部は、めっき
引出し用配線17として、窒化アルミニウム多層基板2
0の側面20aに到達するように形成しているため、上
記Al層21と電気的に接続された状態となる。よって、
窒化アルミニウム多層基板20の側面20aに形成され
たAl層21を、めっき用電極として用いることが可能と
なる。
Further, one end of the internal wiring layer 13 serves as a wiring 17 for plating lead-out, and the aluminum nitride multilayer substrate 2 is provided.
Since it is formed so as to reach the side surface 20a of No. 0, it is in a state of being electrically connected to the Al layer 21. Therefore,
The Al layer 21 formed on the side surface 20a of the aluminum nitride multilayer substrate 20 can be used as a plating electrode.

【0017】この実施例においては、出力 0.5〜 2.0kW
のCO2 レーザを照射して、同時焼成後の窒化アルミニウ
ム多層基板素材18の外周部18aの切断を行ったとこ
ろ、基板側面20aにAl層20が一様に形成されている
ことを確認した。また、このAl層21とチップ搭載部1
4やボンディングパッド15とは、それぞれ確実に導通
されていることを確認した。
In this embodiment, the output is 0.5 to 2.0 kW.
When the outer peripheral portion 18a of the aluminum nitride multilayer substrate material 18 after the simultaneous firing was cut by irradiating the same with a CO 2 laser, it was confirmed that the Al layer 20 was uniformly formed on the substrate side surface 20a. Also, the Al layer 21 and the chip mounting portion 1
4 and the bonding pad 15 were confirmed to be surely electrically connected to each other.

【0018】なお、上記においては、単に所定外形寸法
への切断にレーザ光19を利用した例について説明した
が、例えば多数個取りとした場合のスクライブをレーザ
光19により行うことによっても、同様にAl層21を形
成することができ、めっき用電極とすることができる。
さらに、切断等とは別に、基板側面にレーザ光19を照
射して、Al層21を形成してもよい。
In the above description, the example in which the laser beam 19 is simply used for cutting to a predetermined outer dimension has been described, but the same applies to the case where the laser beam 19 is used for scribing in the case of taking a large number of pieces. The Al layer 21 can be formed and can be used as a plating electrode.
Further, the Al layer 21 may be formed by irradiating the side surface of the substrate with the laser beam 19 separately from the cutting or the like.

【0019】このようにして、窒化アルミニウム多層基
板20の側面20aにAl層21を形成した後、図4に示
すように、各ピン接合パッド16に入出力ピン22をそ
れぞれ接合する。次いで、基板側面20aのAl層21を
めっき用電極とし、このめっき用電極から導通をとって
電気めっきを行い、チップ搭載部14やボンディングパ
ッド15にめっき層23、例えばNiめっき層、Auめっき
層、あるいはこれらの積層めっき層等を形成する。この
めっきに際して、めっき用電極となるAl層21は、基板
側面20aに一様に形成されるため、めっき用治具は従
来の治具に比べて簡易な構成とすることができる。
After the Al layer 21 is formed on the side surface 20a of the aluminum nitride multilayer substrate 20 in this way, the input / output pins 22 are bonded to the pin bonding pads 16 as shown in FIG. Next, the Al layer 21 on the side surface 20a of the substrate is used as a plating electrode, and the plating electrode is electrically connected to perform electroplating. Alternatively, a laminated plating layer or the like of these is formed. During this plating, the Al layer 21 serving as a plating electrode is uniformly formed on the side surface 20a of the substrate, so that the plating jig can have a simpler structure than a conventional jig.

【0020】この後、図5に示すように、基板側面20
aのAl層21を端面研磨により除去し、めっき引出し用
配線17を電気的に分離して、内部配線層13の本来の
機能を取り戻すことにより、目的とする窒化アルミニウ
ム多層回路基板24が得られる。また、出力 0.5〜 2.0
kWのCO2 レーザで切断を行った、上述した窒化アルミニ
ウム基板に、入出力ピン21をろう付けにより接合した
後、基板側面20aのAl層21をめっき用電極として、
電流密度 2〜 3A/cm2 の条件でNiめっきを施したとこ
ろ、チップ搭載部14および各ボンディングパッド15
にそれぞれ一様なNiめっき層23が形成されていること
を確認した。
After this, as shown in FIG.
The Al layer 21 of a is removed by end face polishing, the plating lead-out wiring 17 is electrically separated, and the original function of the internal wiring layer 13 is restored to obtain the intended aluminum nitride multilayer circuit board 24. .. Also, output 0.5 to 2.0
After the input / output pins 21 were joined by brazing to the above-mentioned aluminum nitride substrate cut by a kW CO 2 laser, the Al layer 21 on the substrate side surface 20a was used as a plating electrode.
When Ni plating was applied under the condition of current density of 2 to 3 A / cm 2 , chip mounting part 14 and each bonding pad 15
It was confirmed that a uniform Ni plating layer 23 was formed on each of the above.

【0021】このように、この実施例の窒化アルミニウ
ム多層回路基板の製造方法においては、めっき用引出し
配線17は単に基板側面に到達するように形成するだけ
でよいため、配線引きまわしが容易となり、例えば高配
線密度の多層回路基板も容易に作製することが可能とな
る。また、めっき用電極を別途形成する必要が無くなる
ため、製造工程中から基板外形を実寸法に近い形とする
ことができ、製造コストの低減が図れると共に、設計も
容易となる。さらに、めっき用治具の構成も簡易化でき
るため、より一層製造コストの低減を図ることが可能と
なる。
As described above, in the method for manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board according to this embodiment, since the lead-out wiring 17 for plating need only be formed so as to reach the side surface of the board, the wiring can be easily routed. For example, a multilayer circuit board having a high wiring density can be easily manufactured. Further, since it is not necessary to separately form a plating electrode, the outer shape of the substrate can be made close to the actual size during the manufacturing process, the manufacturing cost can be reduced, and the design can be facilitated. Further, since the structure of the plating jig can be simplified, it is possible to further reduce the manufacturing cost.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化アル
ミニウム多層回路基板の製造方法によれば、めっき用引
出し配線の引きまわしを容易に行うことが可能となるた
め、例えば高配線密度の多層回路基板等への対処が容易
となる。さらに、製造工程中の基板外形を実寸法に近い
寸法で設計することができ、かつめっき用治具の構成を
簡易化できること等から、低コストでかつ確実に、めっ
きを要する窒化アルミニウム多層回路基板を製造するこ
とが可能となる。
As described above, according to the method for manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board of the present invention, it is possible to easily route the lead wiring for plating. It becomes easy to deal with the circuit board and the like. Furthermore, the outer shape of the board during the manufacturing process can be designed to be close to the actual size, and the structure of the plating jig can be simplified. Can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の窒化アルミニウム多層回路
基板の一製造工程を示す図であって、グリーンシートの
積層段階までを示す斜視図ある。
FIG. 1 is a diagram showing one manufacturing process of an aluminum nitride multilayer circuit board according to one embodiment of the present invention, and is a perspective view showing a step of stacking green sheets.

【図2】本発明の実施例における一製造工程を示す図で
あって、同時焼成後の窒化アルミニウム多層基板を示す
斜視図である。
FIG. 2 is a diagram showing one manufacturing process in the example of the present invention and is a perspective view showing an aluminum nitride multilayer substrate after co-firing.

【図3】本発明の実施例における一製造工程を示す図で
あって、基板外周部を切断した状態を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing one manufacturing process in the embodiment of the present invention and is a perspective view showing a state in which the outer peripheral portion of the substrate is cut.

【図4】本発明の実施例における一製造工程を示す図で
あって、めっきを施した後の窒化アルミニウム多層基板
を示す斜視図である。
FIG. 4 is a diagram showing one manufacturing process in the example of the present invention, and is a perspective view showing an aluminum nitride multilayer substrate after plating.

【図5】本発明の一実施例により作製した窒化アルミニ
ウム多層回路基板を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing an aluminum nitride multilayer circuit board manufactured according to an embodiment of the present invention.

【図6】従来のめっきを要する窒化アルミニウム多層回
路基板の要部製造工程を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main part manufacturing process of an aluminum nitride multilayer circuit board which requires conventional plating.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11……窒化アルミニウムグリーンシート 12……スルーホール 13……内部配線層 14……チップ搭載部 15……ボンディングパッド 16……ピン接合パッド 17……めっき引出し用配線 18……同時焼成後の窒化アルミニウム多層基板素材 19……レーザ光 20……窒化アルミニウム多層基板 20a…基板側面 21……Al層 22……入出力ピン 23……めっき層 24……窒化アルミニウム多層回路基板 11 …… Aluminum Nitride Green Sheet 12 …… Through Hole 13 …… Internal Wiring Layer 14 …… Chip Mounting Area 15 …… Bonding Pad 16 …… Pin Bonding Pad 17 …… Plating Lead-out Wiring 18 …… Nitriding After Simultaneous Firing Aluminum multilayer substrate material 19 ... Laser light 20 ... Aluminum nitride multilayer substrate 20a ... Board side 21 ... Al layer 22 ... Input / output pin 23 ... Plating layer 24 ... Aluminum nitride multilayer circuit board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/46 H 6921−4E 9355−4M H01L 23/14 C ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location H05K 3/46 H 6921-4E 9355-4M H01L 23/14 C

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 めっきを要するメタライズ部を有し、該
メタライズ部にめっきを施してなる窒化アルミニウム多
層回路基板を製造するにあたり、 前記めっきを要するメタライズ部に電気的に接続された
めっき引出し用配線を、窒化アルミニウム多層基板の端
面に到達するように設け、該窒化アルミニウム多層基板
の端面にレーザを照射することにより、該端面に前記め
っき引出し用配線と電気的に接続されたアルミニウム層
を形成し、このアルミニウム層をめっき用電極として前
記メタライズ部にめっきを施して、前記窒化アルミニウ
ム多層回路基板を製造することを特徴とする窒化アルミ
ニウム多層回路基板の製造方法。
1. When manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board having a metallized portion requiring plating, and plating the metallized portion, a plating lead-out wire electrically connected to the metallized portion requiring plating. Is provided so as to reach the end surface of the aluminum nitride multilayer substrate, and by irradiating the end surface of the aluminum nitride multilayer substrate with a laser, an aluminum layer electrically connected to the plating lead-out wiring is formed on the end surface. A method for manufacturing an aluminum nitride multilayer circuit board, comprising: plating the metallized portion using the aluminum layer as a plating electrode to manufacture the aluminum nitride multilayer circuit board.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002026189A (en) * 2000-07-05 2002-01-25 Kyocera Corp Method of manufacturing wiring board
JP2019067854A (en) * 2017-09-29 2019-04-25 Dowaメタルテック株式会社 Method for manufacturing metal-ceramic joint circuit board

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