JPH05299414A - 半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法 - Google Patents
半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH05299414A JPH05299414A JP9973492A JP9973492A JPH05299414A JP H05299414 A JPH05299414 A JP H05299414A JP 9973492 A JP9973492 A JP 9973492A JP 9973492 A JP9973492 A JP 9973492A JP H05299414 A JPH05299414 A JP H05299414A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- element isolation
- film
- nitride film
- formation region
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 バーズビークを十分に抑えることができ、素
子形成領域が狭くならず、集積度の高い半導体装置を形
成することのできる素子分離酸化膜の形成方法を提供す
る。 【構成】 シリコン基板１の素子形成領域上に第１酸化
膜２、第１窒化膜３及び第２酸化膜４が順に積層され、
素子分離形成領域を介し隣り合う素子形成領域間にわた
ってそれぞれの第２酸化膜上に張出して所定幅の第２窒
化膜６を形成した後、素子分離形成領域のシリコン基板
をロコス法によって酸化することによって素子分離酸化
膜を形成する。
子形成領域が狭くならず、集積度の高い半導体装置を形
成することのできる素子分離酸化膜の形成方法を提供す
る。 【構成】 シリコン基板１の素子形成領域上に第１酸化
膜２、第１窒化膜３及び第２酸化膜４が順に積層され、
素子分離形成領域を介し隣り合う素子形成領域間にわた
ってそれぞれの第２酸化膜上に張出して所定幅の第２窒
化膜６を形成した後、素子分離形成領域のシリコン基板
をロコス法によって酸化することによって素子分離酸化
膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置における
素子分離酸化膜の形成方法に関する。ことに、絶縁ゲー
ト形電界効果トランジスタの形成に用いられる。
素子分離酸化膜の形成方法に関する。ことに、絶縁ゲー
ト形電界効果トランジスタの形成に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置における素子分離酸化
膜の形成方法は、まず、図４（ａ）に示すようにシリコ
ン基板１１上にシリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜１
３及びシリコン酸化膜１４を順に積層し、次に図４
（ｂ）に示すように素子形成領域上を残し素子分離形成
領域上をエッチングし、次に図４（ｃ）に示すように薄
いシリコン酸化膜１４と側壁のシリコン窒化膜１５を形
成しシリコン酸化膜１４を除去する。次に図５（ｄ）に
示すようにロコス（ＬＯＣＯＳ）法によってシリコン基
板を酸化して素子分離酸化膜１６を形成し、最後に図５
（ｅ）に示すように側壁のシリコン窒化膜１５、シリコ
ン窒化膜１３及びシリコン酸化膜１２を除去して行なわ
れている。
膜の形成方法は、まず、図４（ａ）に示すようにシリコ
ン基板１１上にシリコン酸化膜１２、シリコン窒化膜１
３及びシリコン酸化膜１４を順に積層し、次に図４
（ｂ）に示すように素子形成領域上を残し素子分離形成
領域上をエッチングし、次に図４（ｃ）に示すように薄
いシリコン酸化膜１４と側壁のシリコン窒化膜１５を形
成しシリコン酸化膜１４を除去する。次に図５（ｄ）に
示すようにロコス（ＬＯＣＯＳ）法によってシリコン基
板を酸化して素子分離酸化膜１６を形成し、最後に図５
（ｅ）に示すように側壁のシリコン窒化膜１５、シリコ
ン窒化膜１３及びシリコン酸化膜１２を除去して行なわ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
における素子分離酸化膜の形成方法は、素子分離酸化膜
が素子形成領域へ鳥の口ばしのように伸びる（バーズビ
ーク）のを十分に抑えられないため素子形成領域が狭く
なるという問題がある。この発明は、上記問題を解決す
るためになされたものであって、バーズビークを十分に
抑えることができ、素子形成領域が狭くならず、集積度
の高い半導体装置を形成することのできる素子分離酸化
膜の形成方法を提供しようとするものである。
における素子分離酸化膜の形成方法は、素子分離酸化膜
が素子形成領域へ鳥の口ばしのように伸びる（バーズビ
ーク）のを十分に抑えられないため素子形成領域が狭く
なるという問題がある。この発明は、上記問題を解決す
るためになされたものであって、バーズビークを十分に
抑えることができ、素子形成領域が狭くならず、集積度
の高い半導体装置を形成することのできる素子分離酸化
膜の形成方法を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、ａ）
シリコン基板上に第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化
膜を順に積層し、これらの膜をエッチングして素子分離
形成領域を形成する工程と、ｂ）次いで全面に第２窒化
膜を積層し、素子分離形成領域を介して隣り合う第２酸
化膜上にわたって所定幅で第２窒化膜が残存するように
エッチングする工程と、ｃ）素子分離形成領域における
シリコン基板をロコス法によって酸化して素子分離酸化
膜を形成し、最後に第２窒化膜の露出部、第２酸化膜、
第１窒化膜及び第１酸化膜の残りを除去する工程とから
なる半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法が提
供される。
シリコン基板上に第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化
膜を順に積層し、これらの膜をエッチングして素子分離
形成領域を形成する工程と、ｂ）次いで全面に第２窒化
膜を積層し、素子分離形成領域を介して隣り合う第２酸
化膜上にわたって所定幅で第２窒化膜が残存するように
エッチングする工程と、ｃ）素子分離形成領域における
シリコン基板をロコス法によって酸化して素子分離酸化
膜を形成し、最後に第２窒化膜の露出部、第２酸化膜、
第１窒化膜及び第１酸化膜の残りを除去する工程とから
なる半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法が提
供される。
【０００５】この発明においては、ａ）シリコン基板上
に第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜を順に積層
し、これらの膜をエッチングして素子分離形成領域を形
成する。上記第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜
は、素子分離形成領域のシリコン基板をロコス法で酸化
する工程において素子形成領域が酸化されないようにマ
スクするためのものである。第１酸化膜は、例えば熱酸
化法、ＣＶＤ法等によって形成される。この膜厚は、通
常１００〜３００μｍである。第１窒化膜は、例えばＣ
ＶＤ法等によって形成される。この膜厚は、通常１００
０〜１５００μｍである。第２酸化膜は、例えば熱酸化
法、ＣＶＤ法等によって形成される。この膜厚は、通常
１５００〜２０００μｍである。
に第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜を順に積層
し、これらの膜をエッチングして素子分離形成領域を形
成する。上記第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜
は、素子分離形成領域のシリコン基板をロコス法で酸化
する工程において素子形成領域が酸化されないようにマ
スクするためのものである。第１酸化膜は、例えば熱酸
化法、ＣＶＤ法等によって形成される。この膜厚は、通
常１００〜３００μｍである。第１窒化膜は、例えばＣ
ＶＤ法等によって形成される。この膜厚は、通常１００
０〜１５００μｍである。第２酸化膜は、例えば熱酸化
法、ＣＶＤ法等によって形成される。この膜厚は、通常
１５００〜２０００μｍである。
【０００６】素子分離形成領域の幅は、通常０．３μｍ
以上である。この発明においては、ｂ）次いで全面に第
２窒化膜を積層し、素子分離形成領域を介して隣り合う
第２酸化膜上にわたって所定幅で第２窒化膜が残存する
ようにエッチングする。上記第２窒化膜は、素子分離形
成領域のシリコン基板をロコス法で酸化する工程におい
て、素子形成領域上の第１酸化膜の下にバーズビーク状
の酸化層の生長を抑制するためのものであって、第１酸
化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜の３層をロコス法の酸
化に伴って隆起しないように押圧することができる。
以上である。この発明においては、ｂ）次いで全面に第
２窒化膜を積層し、素子分離形成領域を介して隣り合う
第２酸化膜上にわたって所定幅で第２窒化膜が残存する
ようにエッチングする。上記第２窒化膜は、素子分離形
成領域のシリコン基板をロコス法で酸化する工程におい
て、素子形成領域上の第１酸化膜の下にバーズビーク状
の酸化層の生長を抑制するためのものであって、第１酸
化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜の３層をロコス法の酸
化に伴って隆起しないように押圧することができる。
【０００７】第２窒化膜は、素子分離形成領域を介して
隣り合う第２酸化膜上にわたってそれぞれの第２酸化膜
上に張出して所定幅で配置される。所定幅は、素子形成
領域の幅より狭く、第１酸化膜の下にバーズビーク状の
酸化層が発生しない程度に広いのがよく、通常０．１μ
ｍ以上である。この膜厚は、通常１５０〜５００μｍで
ある。
隣り合う第２酸化膜上にわたってそれぞれの第２酸化膜
上に張出して所定幅で配置される。所定幅は、素子形成
領域の幅より狭く、第１酸化膜の下にバーズビーク状の
酸化層が発生しない程度に広いのがよく、通常０．１μ
ｍ以上である。この膜厚は、通常１５０〜５００μｍで
ある。
【０００８】この発明においては、ｃ）素子分離形成領
域におけるシリコン基板をロコス法によって酸化して素
子分離酸化膜を形成し、最後に第２窒化膜の露出部、第
２酸化膜、第１窒化膜及び第１酸化膜の残りを除去す
る。素子分離形成領域のシリコン基板が、公知のロコス
法によって酸化されるとシリコン酸化物が隆起するよう
に素子分離酸化膜が形成される。
域におけるシリコン基板をロコス法によって酸化して素
子分離酸化膜を形成し、最後に第２窒化膜の露出部、第
２酸化膜、第１窒化膜及び第１酸化膜の残りを除去す
る。素子分離形成領域のシリコン基板が、公知のロコス
法によって酸化されるとシリコン酸化物が隆起するよう
に素子分離酸化膜が形成される。
【０００９】この隆起においても、素子形成領域を被覆
する第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜は、第２窒
化膜によって隆起が抑えられバーズビークの発生が抑え
られる。
する第１酸化膜、第１窒化膜及び第２酸化膜は、第２窒
化膜によって隆起が抑えられバーズビークの発生が抑え
られる。
【００１０】
【作用】素子分離形成領域を介して隣り合う第２酸化膜
上にわたって形成される第２窒化膜が、素子分離形成領
域のシリコン基板をロコス法によって酸化する際、シリ
コン酸化物が隆起しても第１酸化膜、第１窒化膜及び第
２酸化膜を押圧して、第１酸化膜下のバーズビーク状酸
化物の発生を防ぐ。
上にわたって形成される第２窒化膜が、素子分離形成領
域のシリコン基板をロコス法によって酸化する際、シリ
コン酸化物が隆起しても第１酸化膜、第１窒化膜及び第
２酸化膜を押圧して、第１酸化膜下のバーズビーク状酸
化物の発生を防ぐ。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。尚、これによってこの発明は限定を受けるものでは
ない。図１及び図２に発明のプロセスの一例を示す。図
１（ａ）に示すようにシリコン基板１上にパッド酸化膜
２、窒化膜３、酸化膜４を形成する。次にフォトリソグ
ラフィ工程により活性領域５を形成し（図１（ｂ））、
図１（ｃ）に示すように再び窒化膜６を堆積する。続い
て図２（ｄ）のようにフォトレジスト層７をマスクにし
て窒化膜６のエッチバックを行った後、フォトレジスト
層７を剥離し、図２（ｅ）に示すような二つの活性領域
にまたがるパターンを形成する。図２（ｆ）はこのパタ
ーンを上から見た図である。その後、この状態でＬＯＣ
ＯＳ酸化を行って素子分離酸化膜９を形成し、窒化膜６
の露出部分、熱酸化膜４、窒化膜３及びパッド酸化膜２
を除去して図３（ｉ）に示すように素子分離領域を完成
する。
る。尚、これによってこの発明は限定を受けるものでは
ない。図１及び図２に発明のプロセスの一例を示す。図
１（ａ）に示すようにシリコン基板１上にパッド酸化膜
２、窒化膜３、酸化膜４を形成する。次にフォトリソグ
ラフィ工程により活性領域５を形成し（図１（ｂ））、
図１（ｃ）に示すように再び窒化膜６を堆積する。続い
て図２（ｄ）のようにフォトレジスト層７をマスクにし
て窒化膜６のエッチバックを行った後、フォトレジスト
層７を剥離し、図２（ｅ）に示すような二つの活性領域
にまたがるパターンを形成する。図２（ｆ）はこのパタ
ーンを上から見た図である。その後、この状態でＬＯＣ
ＯＳ酸化を行って素子分離酸化膜９を形成し、窒化膜６
の露出部分、熱酸化膜４、窒化膜３及びパッド酸化膜２
を除去して図３（ｉ）に示すように素子分離領域を完成
する。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、バーズビーク状酸化
物の発生が小さく、幅を狭くできしかも絶縁性に優れた
半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法を提供す
ることができる。
物の発生が小さく、幅を狭くできしかも絶縁性に優れた
半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法を提供す
ることができる。
【図１】この発明の実施例で形成した素子分離酸化膜の
形成工程説明図である。
形成工程説明図である。
【図２】この発明の実施例で形成した素子分離酸化膜の
形成工程説明図である。
形成工程説明図である。
【図３】この発明の実施例で形成した素子分離酸化膜の
形成工程説明図である。
形成工程説明図である。
【図４】従来の素子分離酸化膜の形成工程説明図であ
る。
る。
【図５】従来の素子分離酸化膜の形成工程説明図であ
る。
る。
１ シリコン基板 ２ パッド酸化膜 ３ 窒化膜 ４ 熱酸化膜 ５ 活性領域 ６ 窒化膜 ７ フォトレジスト層 ８ 二つの活性領域にまたがるパターン ９ 素子分離酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ａ）シリコン基板上に第１酸化膜、第１
窒化膜及び第２酸化膜を順に積層し、これらの膜をエッ
チングして素子分離形成領域を形成する工程と、 ｂ）次いで全面に第２窒化膜を積層し、素子分離形成領
域を介して隣り合う第２酸化膜上にわたって所定幅で第
２窒化膜が残存するようにエッチングする工程と、 ｃ）素子分離形成領域におけるシリコン基板をロコス法
によって酸化して素子分離酸化膜を形成し、最後に第２
窒化膜の露出部、第２酸化膜、第１窒化膜及び第１酸化
膜の残りを除去する工程とからなる半導体装置における
素子分離酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973492A JPH05299414A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973492A JPH05299414A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299414A true JPH05299414A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14255281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9973492A Pending JPH05299414A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置における素子分離酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854112A (en) * | 1993-03-30 | 1998-12-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Transistor isolation process |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP9973492A patent/JPH05299414A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854112A (en) * | 1993-03-30 | 1998-12-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Transistor isolation process |
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