JPH05299194A - ２電流法プローブによるプラズマ診断装置 - Google Patents
２電流法プローブによるプラズマ診断装置Info
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- JPH05299194A JPH05299194A JP4124155A JP12415592A JPH05299194A JP H05299194 A JPH05299194 A JP H05299194A JP 4124155 A JP4124155 A JP 4124155A JP 12415592 A JP12415592 A JP 12415592A JP H05299194 A JPH05299194 A JP H05299194A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマの主要なパラメーターである電子密
度、電子温度を簡単な方法で測定し、プラズマの診断を
行うプラズマ診断装置の提供。 【構成】 プラズマ内に設けた２つのプローブ、プロー
ブの電流電圧特性にイオン電流補正を行う回路、該２つ
のプローブからの電流の比を用いてプラズマの電子温
度、電子密度を計算する回路を有するプラズマ診断装
置。
度、電子温度を簡単な方法で測定し、プラズマの診断を
行うプラズマ診断装置の提供。 【構成】 プラズマ内に設けた２つのプローブ、プロー
ブの電流電圧特性にイオン電流補正を行う回路、該２つ
のプローブからの電流の比を用いてプラズマの電子温
度、電子密度を計算する回路を有するプラズマ診断装
置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマの主要なパラ
メータである電子温度、電子密度を簡単な方法で直読ま
たはモニターできるプラズマ診断法及びプラズマ診断装
置関する。
メータである電子温度、電子密度を簡単な方法で直読ま
たはモニターできるプラズマ診断法及びプラズマ診断装
置関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマは半導体ＩＣのエッチング、Ｃ
ＶＤによる薄膜生成等に用いられ、その応用範囲は急速
に広まっている。製品品質の均一化は、プラズマの安定
化に依存するので、プラズマの主要パラメータである電
子温度、電子密度の診断およびモニターは極めて必要に
なってきている。従来のシングルプローブ法及びダブル
プローブ法によるプラズマ診断装置は、ともに電流一電
圧特性を求め、それを解析処理しなければならないの
で、プラズマパラメータの直読、モニターには不向きで
ある。電子温度、電子密度が直読可能な方法として、従
来からトリプルプローブ法がある。（堤井信力著、”プ
ラズマ基礎工学”、第３章参照、内田老鶴圃出版） トリプルプローブ法は浮動電位を挟んで３本のプローブ
を同時に用い、３本のプローブ間で回路を構成して、流
れる電流またはプローブ間に生ずる電圧の瞬時値から電
子温度、電子密度を決定するものであり、プラズマパラ
メータの直読、モニターが可能な優れた方法である。
ＶＤによる薄膜生成等に用いられ、その応用範囲は急速
に広まっている。製品品質の均一化は、プラズマの安定
化に依存するので、プラズマの主要パラメータである電
子温度、電子密度の診断およびモニターは極めて必要に
なってきている。従来のシングルプローブ法及びダブル
プローブ法によるプラズマ診断装置は、ともに電流一電
圧特性を求め、それを解析処理しなければならないの
で、プラズマパラメータの直読、モニターには不向きで
ある。電子温度、電子密度が直読可能な方法として、従
来からトリプルプローブ法がある。（堤井信力著、”プ
ラズマ基礎工学”、第３章参照、内田老鶴圃出版） トリプルプローブ法は浮動電位を挟んで３本のプローブ
を同時に用い、３本のプローブ間で回路を構成して、流
れる電流またはプローブ間に生ずる電圧の瞬時値から電
子温度、電子密度を決定するものであり、プラズマパラ
メータの直読、モニターが可能な優れた方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしトリプルプロー
ブ法は原理的には浮動電位付近の情報しか得られないと
いう欠点のほか、３本のプローブを同時に用いなければ
ならないので、（１）空間的分解能に劣る、（２）正確
な測定のためには３本のプローブの位置における空間電
位差の補正が必要になる、（３）反応性プラズマ中では
被膜汚染が起こり易く、プローブ間の絶縁度が低下す
る、などの問題がある。空間電位差の補正や、絶縁度低
下防止のため、種々の工夫が必要であり、その結果装置
が高価になる嫌いがある。
ブ法は原理的には浮動電位付近の情報しか得られないと
いう欠点のほか、３本のプローブを同時に用いなければ
ならないので、（１）空間的分解能に劣る、（２）正確
な測定のためには３本のプローブの位置における空間電
位差の補正が必要になる、（３）反応性プラズマ中では
被膜汚染が起こり易く、プローブ間の絶縁度が低下す
る、などの問題がある。空間電位差の補正や、絶縁度低
下防止のため、種々の工夫が必要であり、その結果装置
が高価になる嫌いがある。
【０００４】本発明は、トリプルプローブ法によるプラ
ズマ診断装置とは異なった原理と、簡単な装置で、電子
温度、電子密度を直読およびモニターできるプラズマ診
断法及びプラズマ診断装置を提供することを目的とす
る。即ちプローブを２本（スイッチ切換えによる交互測
定の場合には１本）のみを用い、プローブを任意の適当
な電位に設定し、そのとき同時に流れる２電流（１本の
みの場合は交互に流れる２電流）の比からプラズマパラ
メータを決定するので、上述のトリプルプローブ法の欠
点や問題点はすべて解決できる。
ズマ診断装置とは異なった原理と、簡単な装置で、電子
温度、電子密度を直読およびモニターできるプラズマ診
断法及びプラズマ診断装置を提供することを目的とす
る。即ちプローブを２本（スイッチ切換えによる交互測
定の場合には１本）のみを用い、プローブを任意の適当
な電位に設定し、そのとき同時に流れる２電流（１本の
みの場合は交互に流れる２電流）の比からプラズマパラ
メータを決定するので、上述のトリプルプローブ法の欠
点や問題点はすべて解決できる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本件発明は、プラズマ内
に設置した２つのプローブ、プローブの電流電圧特性に
イオン電流補正を行う回路、該２つのプローブからの電
流の比を用いてプラズマの電子温度、電子密度を計算す
る回路を有することを特徴とするプラズマ診断装置であ
る。
に設置した２つのプローブ、プローブの電流電圧特性に
イオン電流補正を行う回路、該２つのプローブからの電
流の比を用いてプラズマの電子温度、電子密度を計算す
る回路を有することを特徴とするプラズマ診断装置であ
る。
【０００６】
【作用】一般にプローブの電流−電圧特性は、図２のよ
うに示される。同図において、Ｉはプローブ電流、Ｖは
プローブ電圧、Ｖs はプラズマ空間電位、Ｖf は浮動電
圧、Ｉe は電子電流、Ｉi はイオン電流、ΔＶはプロー
ブ電流がＩ1 とＩ2 となる電位差、Ｉeoは空間電位にお
ける電子電流、Ｉi は空間電位におけるイオン電流であ
る。プローブに流れる電流Ｉは、同図に示す点線Ｂであ
るが、それは実線Ａで示される電子電流Ｉe と実線Ｃで
示されるイオン電流Ｉi の代数和なので、電子のエネル
ギーがマクスウェル分布であれば、任意の電位Ｖ1 とＶ
2 において流れるプローブ電流Ｉ1 とＩ2 の比は、 Ｉ1 ／Ｉ2＝〔−ｅｘｐ（−ｅＶ1 ／ｋＴｅ）＋１．５
３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 〕／〔−ｅｘｐ（−ｅＶ2 ／ｋＴ
ｅ）＋１．５３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 〕 で表される（以下式１という。）。ここでＴｅは電子温
度、ｋはボルツマン定数、ｅは電子の電荷、Ｖ1 とＶ2
はプラズマ空間電位を基準として負方向に測った電位、
ｍｅとｍｉは夫々電子及びイオンの質量である。イオン
電流が電子電流に比べて十分小さい領域では、式１の右
辺第２項目は無視できるので、 Ｉ1 ／Ｉ2 ＝ｅｘｐ（ｅ（Ｖ2 −Ｖ1 ）／ｋＴｅ） となり、２電流比から電子温度Ｔｅが求まる。どの辺の
電位まで、イオン電流が無視できるかは式１を計算する
ことによって、推定できる。Ａｒプラズマについて、式
１で計算した電流比Ｉ1 ／Ｉ2 とｅＶ1 ／ｋＴｅの関係
の一例を図３に示す。図３では、η＝ｅΔＶ／ｋＴｅ
（但し、ΔＶ＝Ｖ2 −Ｖ1 ）をパラメータとしてある
が、η＝０．１の場合、Ａｒプラズマでは、ｅＶ1 ／ｋ
Ｔｅ＝４、即ち空間電位からＴｅの約４倍相当電位まで
電流比Ｉ1 ／Ｉ2 は一定であり、イオン電流の影響が無
視できることが判る。イオン電流の影響はηが大きい
程、即ち電位差ΔＶ＝Ｖ2 −Ｖ1 が大きいほど顕著にな
る。
うに示される。同図において、Ｉはプローブ電流、Ｖは
プローブ電圧、Ｖs はプラズマ空間電位、Ｖf は浮動電
圧、Ｉe は電子電流、Ｉi はイオン電流、ΔＶはプロー
ブ電流がＩ1 とＩ2 となる電位差、Ｉeoは空間電位にお
ける電子電流、Ｉi は空間電位におけるイオン電流であ
る。プローブに流れる電流Ｉは、同図に示す点線Ｂであ
るが、それは実線Ａで示される電子電流Ｉe と実線Ｃで
示されるイオン電流Ｉi の代数和なので、電子のエネル
ギーがマクスウェル分布であれば、任意の電位Ｖ1 とＶ
2 において流れるプローブ電流Ｉ1 とＩ2 の比は、 Ｉ1 ／Ｉ2＝〔−ｅｘｐ（−ｅＶ1 ／ｋＴｅ）＋１．５
３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 〕／〔−ｅｘｐ（−ｅＶ2 ／ｋＴ
ｅ）＋１．５３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 〕 で表される（以下式１という。）。ここでＴｅは電子温
度、ｋはボルツマン定数、ｅは電子の電荷、Ｖ1 とＶ2
はプラズマ空間電位を基準として負方向に測った電位、
ｍｅとｍｉは夫々電子及びイオンの質量である。イオン
電流が電子電流に比べて十分小さい領域では、式１の右
辺第２項目は無視できるので、 Ｉ1 ／Ｉ2 ＝ｅｘｐ（ｅ（Ｖ2 −Ｖ1 ）／ｋＴｅ） となり、２電流比から電子温度Ｔｅが求まる。どの辺の
電位まで、イオン電流が無視できるかは式１を計算する
ことによって、推定できる。Ａｒプラズマについて、式
１で計算した電流比Ｉ1 ／Ｉ2 とｅＶ1 ／ｋＴｅの関係
の一例を図３に示す。図３では、η＝ｅΔＶ／ｋＴｅ
（但し、ΔＶ＝Ｖ2 −Ｖ1 ）をパラメータとしてある
が、η＝０．１の場合、Ａｒプラズマでは、ｅＶ1 ／ｋ
Ｔｅ＝４、即ち空間電位からＴｅの約４倍相当電位まで
電流比Ｉ1 ／Ｉ2 は一定であり、イオン電流の影響が無
視できることが判る。イオン電流の影響はηが大きい
程、即ち電位差ΔＶ＝Ｖ2 −Ｖ1 が大きいほど顕著にな
る。
【０００７】以上はイオン電流の補正を行わなかった場
合であるが、電流Ｉ1 、Ｉ2 にそれぞれ、ある値のバイ
アス加算値ｘをバイアス補正することによって、イオン
電流の影響をさらに軽減または消去することが可能であ
る。即ち、式１の上下に、ある適当な値ｘを減算する
と、 Ｉ1 −ｘ／Ｉ2 −ｘ＝〔ｅｘｐ（−ｅＶ1 ／ｋＴｅ）＋
１．５３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 −ｘ〕／〔ｅｘｐ（−ｅＶ
2 ／ｋＴｅ）＋１．５３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 −ｘ〕 となり、バイアスされた２つの電流比（Ｉ1 −ｘ）／
（Ｉ2 −ｘ）を用いることにより、より広い電圧範囲で
使用可能となることが判る。電子密度Ｎｅに関しては、
測定された２電流Ｉ1 、Ｉ2 を用いて、イオン電流Ｉi
は、 Ｉi＝〔Ｉ1 ｅｘｐ（−ｅΔＶ／ｋＴｅ）−Ｉ2 〕／
〔１−ｅｘｐ（−ｅΔＶ／ｋＴｅ）〕 と表わされる。またシースの生成条件から、 Ｉi ＝０．６１・Ｎｅ・ｅ（ｋＴｅ／ｍｉ）1/2 ・Ｓ （Ｓはプローブ表面積）であるので、両式から最終的に
Ｎｅが求まる。
合であるが、電流Ｉ1 、Ｉ2 にそれぞれ、ある値のバイ
アス加算値ｘをバイアス補正することによって、イオン
電流の影響をさらに軽減または消去することが可能であ
る。即ち、式１の上下に、ある適当な値ｘを減算する
と、 Ｉ1 −ｘ／Ｉ2 −ｘ＝〔ｅｘｐ（−ｅＶ1 ／ｋＴｅ）＋
１．５３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 −ｘ〕／〔ｅｘｐ（−ｅＶ
2 ／ｋＴｅ）＋１．５３（ｍｅ／ｍｉ）1/2 −ｘ〕 となり、バイアスされた２つの電流比（Ｉ1 −ｘ）／
（Ｉ2 −ｘ）を用いることにより、より広い電圧範囲で
使用可能となることが判る。電子密度Ｎｅに関しては、
測定された２電流Ｉ1 、Ｉ2 を用いて、イオン電流Ｉi
は、 Ｉi＝〔Ｉ1 ｅｘｐ（−ｅΔＶ／ｋＴｅ）−Ｉ2 〕／
〔１−ｅｘｐ（−ｅΔＶ／ｋＴｅ）〕 と表わされる。またシースの生成条件から、 Ｉi ＝０．６１・Ｎｅ・ｅ（ｋＴｅ／ｍｉ）1/2 ・Ｓ （Ｓはプローブ表面積）であるので、両式から最終的に
Ｎｅが求まる。
【０００８】
【実施例】本発明を実施例によってさらに説明する。図
１は、２本のプローブを用いて、実際にプラズマ診断ま
たはモニターする場合の手順を示す回路概念図である。
プラズマ１中に設置された２本のプローブ２（Ｐ1 ）と
３（Ｐ2 ）はそれぞれ接地された基準電極４に対しＶ1
およびＶ2 ＝Ｖ1 ＋ΔＶにバイアスされる。Ｖ1 および
ΔＶ（Ｐ1 とＰ2 の電位差）は可変である。或る１組の
Ｖ1 およびΔＶの値に対して、流れる電流Ｉ1 とＩ
2 は、電圧変換用の抵抗Ｒ1 とＲ2 によって電圧変換さ
れ、それぞれ絶縁的にバイアス加算回路６、７に入力さ
れる。絶縁増幅器としては、光アイソレータまたはＤＣ
コンバータなどが有効である。バイアス加算された信号
は、除算回路８、演算回路９を経て、最終的に電子温度
Ｔｅの値を表示する。
１は、２本のプローブを用いて、実際にプラズマ診断ま
たはモニターする場合の手順を示す回路概念図である。
プラズマ１中に設置された２本のプローブ２（Ｐ1 ）と
３（Ｐ2 ）はそれぞれ接地された基準電極４に対しＶ1
およびＶ2 ＝Ｖ1 ＋ΔＶにバイアスされる。Ｖ1 および
ΔＶ（Ｐ1 とＰ2 の電位差）は可変である。或る１組の
Ｖ1 およびΔＶの値に対して、流れる電流Ｉ1 とＩ
2 は、電圧変換用の抵抗Ｒ1 とＲ2 によって電圧変換さ
れ、それぞれ絶縁的にバイアス加算回路６、７に入力さ
れる。絶縁増幅器としては、光アイソレータまたはＤＣ
コンバータなどが有効である。バイアス加算された信号
は、除算回路８、演算回路９を経て、最終的に電子温度
Ｔｅの値を表示する。
【０００９】一方、プローブ電流Ｉ1 とＩ2 は別のＩi
演算回路５にも導入され、得られたＴｅの値を入力する
ことによって電子密度Ｎｅの値を表示する。実際の測定
では、ΔＶ、Ｖ1 およびバイアス加算値ｘ（プローブ電
流の補正値）を変えることによって、Ｔｅ、Ｎｅの値が
変化するが、前述のように、イオン電流が無視できる範
囲では一定値となるので、その値を真値として読み取れ
ば良い。また、一定値となる範囲の中心部分にＶ1 の値
を設定すれば、長時間の連続モニターが可能となる。
演算回路５にも導入され、得られたＴｅの値を入力する
ことによって電子密度Ｎｅの値を表示する。実際の測定
では、ΔＶ、Ｖ1 およびバイアス加算値ｘ（プローブ電
流の補正値）を変えることによって、Ｔｅ、Ｎｅの値が
変化するが、前述のように、イオン電流が無視できる範
囲では一定値となるので、その値を真値として読み取れ
ば良い。また、一定値となる範囲の中心部分にＶ1 の値
を設定すれば、長時間の連続モニターが可能となる。
【００１０】アルゴン放電プラズマ中で直径０．３ｍ
ｍ、長さ３ｍｍの白金製円筒プローブを用いたＴｅの実
施例を図４に示す。シングルプローブで測定したＴｅの
値は気圧Ｐ＝０．０８ＴｏｒｒでＴｅ＝１．４１ｅＶ、
気圧Ｐ＝１．５ＴｏｒｒでＴｅ＝０．７６ｅＶである
が、それぞれ点線Ｄ、Ｅで示してある。イオン電流のほ
ぼ半分の値でバイアス補正を行った２電流法による値を
三角印と丸印で示してある。同図から判るように、Ｖ1
＝０、即ち空間電位付近では、むしろプローブ特性の肩
の丸みから、真値より高い値となっているが、その後は
Ｔｅの約３乃至４倍の電圧範囲まで、ほぼ一定の値を示
し、測定可能であることが判った。バイアス補正をしな
かった場合、一定値となる電圧範囲が約半分であったの
で、バイアス補正が極めて有効であることも判った。ま
たこの一定値となる電圧の中心付近にプローブ電圧Ｖ1
を設定することによって、気圧変化に伴う空間電圧の多
少の変動があっても、プラズマの長時間連続モニターが
可能であることが判った。
ｍ、長さ３ｍｍの白金製円筒プローブを用いたＴｅの実
施例を図４に示す。シングルプローブで測定したＴｅの
値は気圧Ｐ＝０．０８ＴｏｒｒでＴｅ＝１．４１ｅＶ、
気圧Ｐ＝１．５ＴｏｒｒでＴｅ＝０．７６ｅＶである
が、それぞれ点線Ｄ、Ｅで示してある。イオン電流のほ
ぼ半分の値でバイアス補正を行った２電流法による値を
三角印と丸印で示してある。同図から判るように、Ｖ1
＝０、即ち空間電位付近では、むしろプローブ特性の肩
の丸みから、真値より高い値となっているが、その後は
Ｔｅの約３乃至４倍の電圧範囲まで、ほぼ一定の値を示
し、測定可能であることが判った。バイアス補正をしな
かった場合、一定値となる電圧範囲が約半分であったの
で、バイアス補正が極めて有効であることも判った。ま
たこの一定値となる電圧の中心付近にプローブ電圧Ｖ1
を設定することによって、気圧変化に伴う空間電圧の多
少の変動があっても、プラズマの長時間連続モニターが
可能であることが判った。
【００１１】上記基準電極は、通常、放電電極またはプ
ラズマ容器壁等を利用して設けられるが、表面積が十分
大きいプローブであって、測定系全体を電位的に浮動状
態にしたものであってもよい。又、上記２本のプローブ
を設ける代わりに、１本のプローブを設け、手動又は自
動的切換え回路によって異なるバイアス電圧状態におい
て電流値を測定できるように、交互に切換え、それらの
電流値を測定して電流比を求める如く構成してもよい。
ラズマ容器壁等を利用して設けられるが、表面積が十分
大きいプローブであって、測定系全体を電位的に浮動状
態にしたものであってもよい。又、上記２本のプローブ
を設ける代わりに、１本のプローブを設け、手動又は自
動的切換え回路によって異なるバイアス電圧状態におい
て電流値を測定できるように、交互に切換え、それらの
電流値を測定して電流比を求める如く構成してもよい。
【００１２】Ｉ1 ／Ｉ2 の電流比から求まる電子温度Ｔ
ｅはイオン電流のため、浮動電位に近づく程見かけ上小
さくなるが、空間電位の近くでは、イオン電流の影響は
無視でき、電子温度の約１〜２倍の電圧範囲でほぼ一定
の値を示すことが判った。この電子温度がほぼ一定を示
す電圧区間は、プローブ電流に適当なバイアスを印加
し、加算することによって更に約２〜３倍程度に拡大で
きる。従って、電子温度が一定を示す電圧区間の中心付
近に２本のプローブ（又は、スイッチ切換えを行えば１
本のプローブでもよい。）の電位を設定されれば、ある
程度空間電位の変動があってもＴｅとＮｅの値を直読で
きる。
ｅはイオン電流のため、浮動電位に近づく程見かけ上小
さくなるが、空間電位の近くでは、イオン電流の影響は
無視でき、電子温度の約１〜２倍の電圧範囲でほぼ一定
の値を示すことが判った。この電子温度がほぼ一定を示
す電圧区間は、プローブ電流に適当なバイアスを印加
し、加算することによって更に約２〜３倍程度に拡大で
きる。従って、電子温度が一定を示す電圧区間の中心付
近に２本のプローブ（又は、スイッチ切換えを行えば１
本のプローブでもよい。）の電位を設定されれば、ある
程度空間電位の変動があってもＴｅとＮｅの値を直読で
きる。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、簡単な装置で、且つスイッチ
切り換えによっては１本のプローブのみで、電子温度、
電子密度を直読またはモニターすることが可能であるの
で、設備の簡素化、低コスト化を必要とする産業分野に
おいて極めて大きな効果をもたらすものと考える。プラ
ズマ応用装置では、プラズマの安定化が今後とくに重要
な問題となってくるが、本発明においてプラズマのモニ
ターと制御が容易に実現されるので、製品の均質化、高
品質化に対する寄与が期待される。
切り換えによっては１本のプローブのみで、電子温度、
電子密度を直読またはモニターすることが可能であるの
で、設備の簡素化、低コスト化を必要とする産業分野に
おいて極めて大きな効果をもたらすものと考える。プラ
ズマ応用装置では、プラズマの安定化が今後とくに重要
な問題となってくるが、本発明においてプラズマのモニ
ターと制御が容易に実現されるので、製品の均質化、高
品質化に対する寄与が期待される。
【００１４】本発明は、トリプルプローブ法に基づくプ
ラズマ診断装置に比べ汎用性の点で劣るが、プラズマの
空間電位分布があらかじめ推定できる場合であれば、プ
ローブが２本又は１本で構成されるから、空間的分解能
がよい。又、被膜汚染によるプローブ間の撹乱や絶縁低
下の問題が避けられ、空間電位付近での情報が得られる
などの利点を有する。
ラズマ診断装置に比べ汎用性の点で劣るが、プラズマの
空間電位分布があらかじめ推定できる場合であれば、プ
ローブが２本又は１本で構成されるから、空間的分解能
がよい。又、被膜汚染によるプローブ間の撹乱や絶縁低
下の問題が避けられ、空間電位付近での情報が得られる
などの利点を有する。
【図１】本発明のプラズマ診断装置の実施例の回路概念
図。
図。
【図２】プローブの電流−電圧特性図。
【図３】アルゴンガスについて計算された式１の電流比
Ｉ1 ／Ｉ2 とｅＶ1 ／ｋＴｅの関係。
Ｉ1 ／Ｉ2 とｅＶ1 ／ｋＴｅの関係。
【図４】本発明の実施例によるＴｅの測定値とバイアス
補正された２電流法による値との比較。
補正された２電流法による値との比較。
１ プラズマ ２、３ プローブ ４ 基準電極 ５ Ｉi 演算回路 ６、７ バイアス加算回路 ８ 除算回路 ９ 演算回路
Claims (5)
- 【請求項１】 プラズマ内に設置した２つのプローブ、
プローブの電流電圧特性にイオン電流補正を行う回路、
該２つのプローブからの電流の比を用いてプラズマの電
子温度、電子密度を計算する回路を有することを特徴と
するプラズマ診断装置。 - 【請求項２】 プラズマ内に設置した２つのプローブか
らのそれぞれの電流を、イオン電流補正を行い、それら
の電流比を用いてプラズマの電子温度、電子密度を測定
する方法。 - 【請求項３】 ２つのプローブは、プラズマ内の基準電
極に対して、異なる電位にバイアスされた請求項１記載
のプラズマ診断装置。 - 【請求項４】 プラズマ内に設置した基準電極と１本の
プローブ、プローブの電流電圧特性にイオン電流補正を
行う補正回路、プローブを基準電極に対して異なる電位
にバイアスした状態で電流を測定する回路、該回路とプ
ローブの接続を該異なるバイアス電位に切換える切換回
路を有することを特徴とするプラズマ診断装置。 - 【請求項５】 基準電極は、プローブである請求項３又
は請求項４記載のプラズマ診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4124155A JPH05299194A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | ２電流法プローブによるプラズマ診断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4124155A JPH05299194A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | ２電流法プローブによるプラズマ診断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299194A true JPH05299194A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14878306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4124155A Pending JPH05299194A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | ２電流法プローブによるプラズマ診断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299194A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024235A1 (fr) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Tokyo Electron Limited | Procede permettant de mesurer les ions negatifs dans un plasma, et procede et dispositif permettant de traiter un plasma |
| JP2007073420A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ計測装置 |
| US7691226B2 (en) | 2005-03-24 | 2010-04-06 | Tokyo Electron Limited | Electron temperature measurement method, electron temperature measurement program for implementing the method, and storage medium storing the electron temperature measurement program |
| CN107817085A (zh) * | 2017-12-07 | 2018-03-20 | 中国科学技术大学 | 一种用于高速流场等离子体参数诊断的平装探针装置 |
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