JPH05297572A - ペリクル膜付きレチクル及びその異物除去方法 - Google Patents
ペリクル膜付きレチクル及びその異物除去方法Info
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- JPH05297572A JPH05297572A JP13023792A JP13023792A JPH05297572A JP H05297572 A JPH05297572 A JP H05297572A JP 13023792 A JP13023792 A JP 13023792A JP 13023792 A JP13023792 A JP 13023792A JP H05297572 A JPH05297572 A JP H05297572A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペリクル膜付きのまま、ペリクル膜−レチク
ル間空間に存在する異物をマスクパターンの転写領域か
ら除去することのできるペリクル膜付きレチクルを得
る。 【構成】 ペリクル膜3を支持しているペリクル膜支持
枠4aの相対向する位置に、開閉弁5a,5bにより開
閉可能な通気口6a,6bを設け、該通気口からガス7
を流してマスクパターン2に付着した異物を除去できる
ようにした。 【効果】 異物の除去したあと再度ペリクル膜を付け直
す煩雑さを解消できる。
ル間空間に存在する異物をマスクパターンの転写領域か
ら除去することのできるペリクル膜付きレチクルを得
る。 【構成】 ペリクル膜3を支持しているペリクル膜支持
枠4aの相対向する位置に、開閉弁5a,5bにより開
閉可能な通気口6a,6bを設け、該通気口からガス7
を流してマスクパターン2に付着した異物を除去できる
ようにした。 【効果】 異物の除去したあと再度ペリクル膜を付け直
す煩雑さを解消できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体製造に使用され
る縮小投影露光におけるペリクル膜付きレチクルに関
し、その構造および異物除去方法に関するものである。
る縮小投影露光におけるペリクル膜付きレチクルに関
し、その構造および異物除去方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般にレチクルとは、半導体製造におい
て使用される縮小投影露光において用いられるもので、
石英レチクルの例えば下面にマスクパターンを有し、縮
小投影露光光源からの光が該レチクル上のパターンを介
してウエハ上に結像されてウエハ上にパターンを形成す
るものである。このレチクルはそのパターン上に異物が
存在すると、ウエハ上の結像面でその異物の像が転写さ
れるため、その異物の大きさが例えば形成したい配線幅
より大きい場合には、配線不良の原因となる。そのた
め、そのマスクパターン面上に異物の存在するレチクル
を洗浄して異物を除去し、該レチクルにペリクル膜支持
枠を介してペリクル膜を取り付け、これによりその後異
物がレチクルのガラス面またはペリクル膜上に付着して
も、該異物の位置はレチクル上のパターンとは結像距離
が異なるため、ウエハ上にはレチクル上のパターンのみ
が結像され、異物の像は結像されないため、配線不良と
はならない。
て使用される縮小投影露光において用いられるもので、
石英レチクルの例えば下面にマスクパターンを有し、縮
小投影露光光源からの光が該レチクル上のパターンを介
してウエハ上に結像されてウエハ上にパターンを形成す
るものである。このレチクルはそのパターン上に異物が
存在すると、ウエハ上の結像面でその異物の像が転写さ
れるため、その異物の大きさが例えば形成したい配線幅
より大きい場合には、配線不良の原因となる。そのた
め、そのマスクパターン面上に異物の存在するレチクル
を洗浄して異物を除去し、該レチクルにペリクル膜支持
枠を介してペリクル膜を取り付け、これによりその後異
物がレチクルのガラス面またはペリクル膜上に付着して
も、該異物の位置はレチクル上のパターンとは結像距離
が異なるため、ウエハ上にはレチクル上のパターンのみ
が結像され、異物の像は結像されないため、配線不良と
はならない。
【0003】このような従来のペリクル膜付きレチクル
の断面図を図4及び図5に示す。図4におけるペリクル
膜付きレチクルは、石英レチクル1と平行にペリクル膜
3をペリクル膜支持枠4bにより支持し、石英レチクル
1下面のマスクパターン2を、密閉した空間内に置く構
造となっている。
の断面図を図4及び図5に示す。図4におけるペリクル
膜付きレチクルは、石英レチクル1と平行にペリクル膜
3をペリクル膜支持枠4bにより支持し、石英レチクル
1下面のマスクパターン2を、密閉した空間内に置く構
造となっている。
【0004】図5におけるペリクル膜付きレチクルは、
上記と同様、石英レチクル1と平行にペリクル膜3をペ
リクル膜支持枠4bにより支持し、かつ該ペリクル膜支
持枠4bに通気口6cを設けたものである。
上記と同様、石英レチクル1と平行にペリクル膜3をペ
リクル膜支持枠4bにより支持し、かつ該ペリクル膜支
持枠4bに通気口6cを設けたものである。
【0005】図4におけるペリクル膜付きレチクルで
は、マスクパターン2の存在する空間に異物が存在しな
い状況下でペリクル膜3をペリクル膜支持枠4bを介し
て石英レチクル1にはりつけて密閉した空間を形成して
いるので、ペリクル膜3のやぶれや他の場所の破壊がな
い限り、異物がマスクパターン上に付着することはな
い。
は、マスクパターン2の存在する空間に異物が存在しな
い状況下でペリクル膜3をペリクル膜支持枠4bを介し
て石英レチクル1にはりつけて密閉した空間を形成して
いるので、ペリクル膜3のやぶれや他の場所の破壊がな
い限り、異物がマスクパターン上に付着することはな
い。
【0006】また、図5におけるペリクル膜付きレチク
ルでは、図4におけるペリクル膜付きレチクルと同様、
異物が存在しない状況下で、レチクル1にペリクル膜支
持枠4bを介してペリクル膜3をはりつけるが、レチク
ルを使用する環境下において、レチクルのペリクル膜3
とペリクル膜支持枠4bにより密閉された空間とその外
部の空間との間の気圧差をなくすることができるよう、
通気口6cを設け、該気圧差によるペリクル膜3のやぶ
れがないようにしてある。
ルでは、図4におけるペリクル膜付きレチクルと同様、
異物が存在しない状況下で、レチクル1にペリクル膜支
持枠4bを介してペリクル膜3をはりつけるが、レチク
ルを使用する環境下において、レチクルのペリクル膜3
とペリクル膜支持枠4bにより密閉された空間とその外
部の空間との間の気圧差をなくすることができるよう、
通気口6cを設け、該気圧差によるペリクル膜3のやぶ
れがないようにしてある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のペリクル膜付き
レチクルは以上のように構成されているので、ペリクル
膜−レチクル間空間に異物が存在すると、ペリクル膜を
除去し、レチクルを洗浄した後、再度ペリクル膜をはり
つけなければならず、この時に、再度異物が封入される
などの問題があった。また、気圧差が生じた場合、図4
のペリクル膜付きレチクルではペリクル膜がやぶれると
いう問題があった。そして、これらの場合にペリクル膜
をつけ直すことは非常に煩雑さが大きいものであった。
レチクルは以上のように構成されているので、ペリクル
膜−レチクル間空間に異物が存在すると、ペリクル膜を
除去し、レチクルを洗浄した後、再度ペリクル膜をはり
つけなければならず、この時に、再度異物が封入される
などの問題があった。また、気圧差が生じた場合、図4
のペリクル膜付きレチクルではペリクル膜がやぶれると
いう問題があった。そして、これらの場合にペリクル膜
をつけ直すことは非常に煩雑さが大きいものであった。
【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ペリクル膜を除去することな
く、ペリクル膜−レチクル間空間に存在する異物をマス
クパターンの転写領域から除去することができ、しかも
気圧差にも対応可能なレチクルの構造およびその異物除
去方法を提供することを目的としている。
ためになされたもので、ペリクル膜を除去することな
く、ペリクル膜−レチクル間空間に存在する異物をマス
クパターンの転写領域から除去することができ、しかも
気圧差にも対応可能なレチクルの構造およびその異物除
去方法を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係るペリクル
膜付きレチクルは、ペリクル膜を支持しているレチクル
上の支持枠に、通気口とその通気口の開閉弁をそれぞれ
複数個取り付けたものである。
膜付きレチクルは、ペリクル膜を支持しているレチクル
上の支持枠に、通気口とその通気口の開閉弁をそれぞれ
複数個取り付けたものである。
【0010】また、上記通気口のうち、気体入口側とな
る通気口にフィルタを設けたものである。
る通気口にフィルタを設けたものである。
【0011】
【作用】この発明におけるペリクル膜付きレチクルは、
開閉可能な複数の通気口を持ち、ある通気口からN2 ガ
ス等のガスを導入し、別の通気口から該ガスを排出し
て、ペリクル膜−レチクル間空間にガスの流れを作り、
その流れを利用して同空間に存在する異物を除去するこ
とができ、また同空間と外部環境に気圧差が生じた場合
も、この通気口を通して気圧差をなくすことにより該気
圧差によりペリクル膜がやぶれるのを防ぐことができ
る。
開閉可能な複数の通気口を持ち、ある通気口からN2 ガ
ス等のガスを導入し、別の通気口から該ガスを排出し
て、ペリクル膜−レチクル間空間にガスの流れを作り、
その流れを利用して同空間に存在する異物を除去するこ
とができ、また同空間と外部環境に気圧差が生じた場合
も、この通気口を通して気圧差をなくすことにより該気
圧差によりペリクル膜がやぶれるのを防ぐことができ
る。
【0012】また、フィルタを介してガスを導入するこ
とで、ガス導入時の外部からの異物の混入を防止でき
る。
とで、ガス導入時の外部からの異物の混入を防止でき
る。
【0013】
【実施例】以下、この発明の一実施例によるペリクル膜
付きレチクルを図について説明する。
付きレチクルを図について説明する。
【0014】図1はこの発明の一実施例によるペリクル
膜付きレチクルを示し、図において、石英レチクル1に
は必要とされるマスクパターン2が形成されており、ペ
リクル膜3はペリクル膜支持枠4aを介して石英レチク
ル1に固定されている。本実施例によるペリクル膜付き
レチクル1にはペリクル膜支持枠4aに開閉弁5a,5
bを持つ通気口6a,6bが設けられている。
膜付きレチクルを示し、図において、石英レチクル1に
は必要とされるマスクパターン2が形成されており、ペ
リクル膜3はペリクル膜支持枠4aを介して石英レチク
ル1に固定されている。本実施例によるペリクル膜付き
レチクル1にはペリクル膜支持枠4aに開閉弁5a,5
bを持つ通気口6a,6bが設けられている。
【0015】図2に示すように、このペリクル膜付きレ
チクル1のペリクル膜3とレチクル1との間の空間に、
異物9が発見された場合、ペリクル膜支持枠4aの開閉
弁5a,5bを開の状態にし、通気口6aよりN2 ガス
7を導入し、通気口6bより排出する。このとき、ペリ
クル膜−レチクル間空間においてマスクパターン2に付
着して存在する異物9は同空間に発生したN2 ガスの気
流により移動し、マスクパターン2から除かれ、通気口
6bより放出されるか、パターン領域8の外部に移動す
る。
チクル1のペリクル膜3とレチクル1との間の空間に、
異物9が発見された場合、ペリクル膜支持枠4aの開閉
弁5a,5bを開の状態にし、通気口6aよりN2 ガス
7を導入し、通気口6bより排出する。このとき、ペリ
クル膜−レチクル間空間においてマスクパターン2に付
着して存在する異物9は同空間に発生したN2 ガスの気
流により移動し、マスクパターン2から除かれ、通気口
6bより放出されるか、パターン領域8の外部に移動す
る。
【0016】このような本実施例のペリクル膜付きレチ
クルでは、ペリクル膜3を支持する支持枠4aの相対向
する位置に、開閉弁5a,5bにより開閉可能な通気口
6a,6bを取り付けたので、一方の通気口からN2 ガ
ス7を導入し、他方の通気口から該N2 ガスを排出し
て、ペリクル膜−レチクル間空間にN2 ガスの流れを作
り、その流れを利用して該ペリクル膜−レチクル間空間
に存在する異物9を除去することができる。また該空間
と外部環境との間に気圧差が生じた場合も、この通気口
6a,6bを通して該気圧差をなくすることができ、該
気圧差によりペリクル膜3がやぶれるのを防ぐことがで
きる。さらに、一度混入された異物を除去した後は開閉
弁5a,5bを閉じることで、異物が二度と混入できな
いようにでき、ペリクル膜の再度付け直しをする必要が
ないという効果がある。
クルでは、ペリクル膜3を支持する支持枠4aの相対向
する位置に、開閉弁5a,5bにより開閉可能な通気口
6a,6bを取り付けたので、一方の通気口からN2 ガ
ス7を導入し、他方の通気口から該N2 ガスを排出し
て、ペリクル膜−レチクル間空間にN2 ガスの流れを作
り、その流れを利用して該ペリクル膜−レチクル間空間
に存在する異物9を除去することができる。また該空間
と外部環境との間に気圧差が生じた場合も、この通気口
6a,6bを通して該気圧差をなくすることができ、該
気圧差によりペリクル膜3がやぶれるのを防ぐことがで
きる。さらに、一度混入された異物を除去した後は開閉
弁5a,5bを閉じることで、異物が二度と混入できな
いようにでき、ペリクル膜の再度付け直しをする必要が
ないという効果がある。
【0017】図3はこの発明の第2の実施例によるペリ
クル膜付きレチクルを示し、この実施例は、上記第1の
実施例のガス導入側の通気口6aにさらにフィルタ10
を設けたものであり、この場合このフィルタ10により
ガス導入時に外部から異物が混入するのを防止すること
ができる。
クル膜付きレチクルを示し、この実施例は、上記第1の
実施例のガス導入側の通気口6aにさらにフィルタ10
を設けたものであり、この場合このフィルタ10により
ガス導入時に外部から異物が混入するのを防止すること
ができる。
【0018】なお、上記実施例では異物を除去するため
のガスとして、N2 ガスを用いたが、これは、ペリクル
膜,レチクルが耐えられるガスであれば、異物の材質に
応じてこれを変更することも可能である。
のガスとして、N2 ガスを用いたが、これは、ペリクル
膜,レチクルが耐えられるガスであれば、異物の材質に
応じてこれを変更することも可能である。
【0019】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかるペリク
ル膜付きレチクルによれば、ペリクル膜支持枠に開閉可
能な通気口を設けたので、該通気口を介してガスを通す
ことによりレチクルに付着した異物を除去することがで
き、しかも、一度混入された異物を除去した後は異物が
二度と混入できないようにでき、従ってペリクル膜の再
度付け直しをする必要がなく、その煩雑さを解消できる
という効果がある。
ル膜付きレチクルによれば、ペリクル膜支持枠に開閉可
能な通気口を設けたので、該通気口を介してガスを通す
ことによりレチクルに付着した異物を除去することがで
き、しかも、一度混入された異物を除去した後は異物が
二度と混入できないようにでき、従ってペリクル膜の再
度付け直しをする必要がなく、その煩雑さを解消できる
という効果がある。
【0020】また、フィルタを介してガスを導入するこ
とで、ガス導入時に外部から異物が混入するのを防止す
ることができる。
とで、ガス導入時に外部から異物が混入するのを防止す
ることができる。
【図1】この発明の一実施例によるペリクル膜付きレチ
クルの断面側面図である。
クルの断面側面図である。
【図2】この発明の一実施例によるペリクル膜付きレチ
クルの動作を示すための断面側面図である。
クルの動作を示すための断面側面図である。
【図3】この発明の他の実施例によるペリクル膜付きレ
チクルの断面側面図である。
チクルの断面側面図である。
【図4】従来のペリクル膜付きレチクルの断面側面図で
ある。
ある。
【図5】従来の他のペリクル膜付きレチクルの断面側面
図である。
図である。
1 石英レチクル 2 マスクパターン 3 ペリクル膜 4a ペリクル膜支持枠 4b ペリクル膜支持枠 5a 開閉弁 5b 開閉弁 6a 通気口 6b 通気口 6c 通気口 7 N2 ガス 8 パターン領域 9 異物 10 フィルタ
Claims (3)
- 【請求項1】 ペリクル膜と、該ペリクル膜を支持する
支持枠とを備えたペリクル膜付きレチクルにおいて、 そのペリクル膜を支持する支持枠は、通気口と、その通
気口を開閉する開閉弁とをそれぞれ複数個有することを
特徴とするペリクル膜付きレチクル。 - 【請求項2】 請求項1記載のペリクル膜付きレチクル
において、 上記通気口のうち、気体入口側となる通気口にフィルタ
を設けたことを特徴とするペリクル膜付きレチクル。 - 【請求項3】 請求項1記載のペリクル膜付きレチクル
に対し、その通気口に気体を流すことによりレチクルパ
ターン面上又はペリクル内面の異物を除去することを特
徴とするペリクル膜付きレチクルの異物除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13023792A JPH05297572A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | ペリクル膜付きレチクル及びその異物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13023792A JPH05297572A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | ペリクル膜付きレチクル及びその異物除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05297572A true JPH05297572A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=15029397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13023792A Pending JPH05297572A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | ペリクル膜付きレチクル及びその異物除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05297572A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001059522A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Asml Us, Inc. | Method and apparatus for a reticle with purged pellicle-to-reticle gap |
WO2002054461A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Unite de photomasque, dispositif de photomasque, dispositif d'exposition par projection et son procede, dispositif semi-conducteur |
SG106163A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-09-30 | Asml Holding Nv | Method and apparatus for a pellicle frame with porous filtering inserts and heightened bonding surfaces |
JP2008051986A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの洗浄方法 |
JP2011066259A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | マスク洗浄方法及びマスク洗浄装置 |
CN114815519A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-07-29 | 深圳市龙图光电有限公司 | 掩模护膜、掩模护膜移除方法以及掩模护膜移除装置 |
WO2024183988A1 (en) * | 2023-03-06 | 2024-09-12 | Asml Netherlands B.V. | System for supporting a pellicle in a lithographic apparatus, allowing for pressure increase in a region between the pellicle and a patterning device |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP13023792A patent/JPH05297572A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001059522A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Asml Us, Inc. | Method and apparatus for a reticle with purged pellicle-to-reticle gap |
WO2002054461A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Unite de photomasque, dispositif de photomasque, dispositif d'exposition par projection et son procede, dispositif semi-conducteur |
SG106163A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-09-30 | Asml Holding Nv | Method and apparatus for a pellicle frame with porous filtering inserts and heightened bonding surfaces |
JP2008051986A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの洗浄方法 |
JP2011066259A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | マスク洗浄方法及びマスク洗浄装置 |
CN114815519A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-07-29 | 深圳市龙图光电有限公司 | 掩模护膜、掩模护膜移除方法以及掩模护膜移除装置 |
WO2024183988A1 (en) * | 2023-03-06 | 2024-09-12 | Asml Netherlands B.V. | System for supporting a pellicle in a lithographic apparatus, allowing for pressure increase in a region between the pellicle and a patterning device |
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