JPH05296920A - 赤外分光光度測定装置 - Google Patents
赤外分光光度測定装置Info
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- JPH05296920A JPH05296920A JP12944392A JP12944392A JPH05296920A JP H05296920 A JPH05296920 A JP H05296920A JP 12944392 A JP12944392 A JP 12944392A JP 12944392 A JP12944392 A JP 12944392A JP H05296920 A JPH05296920 A JP H05296920A
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- JP
- Japan
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- wafer
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- infrared
- infrared light
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/065—Integrating spheres
Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外光に対する半導体ウェーハの吸収係数を
正確に測定する。片面ミラーウェーハでの測定を可能に
する。 【構成】 光源１と赤外検出器８との間に透過型試料ホ
ルダ７を配設するとともに、偏光ビームスプリッタ５を
透過型試料ホルダ７と分光器４との間に配設する。ホル
ダ７は自動回転ステージ９により光軸と直交する軸回り
に回動自在に設ける。偏光ビームスプリッタ５により分
離した赤外光のｐ偏光成分が試料ウェーハにブリュース
ター角入射するようにホルダ７をセットし、赤外光のｐ
偏光成分をこの試料ウェーハに照射する。ｐ偏光成分は
試料ウェーハ面における反射を受けることなく１００％
試料内に入射するので正確に透過率および吸収係数を測
定することができる。赤外光が試料ウェーハを透過する
際屈折により光軸のずれが生じるが、積分球１１により
これを補正する。
正確に測定する。片面ミラーウェーハでの測定を可能に
する。 【構成】 光源１と赤外検出器８との間に透過型試料ホ
ルダ７を配設するとともに、偏光ビームスプリッタ５を
透過型試料ホルダ７と分光器４との間に配設する。ホル
ダ７は自動回転ステージ９により光軸と直交する軸回り
に回動自在に設ける。偏光ビームスプリッタ５により分
離した赤外光のｐ偏光成分が試料ウェーハにブリュース
ター角入射するようにホルダ７をセットし、赤外光のｐ
偏光成分をこの試料ウェーハに照射する。ｐ偏光成分は
試料ウェーハ面における反射を受けることなく１００％
試料内に入射するので正確に透過率および吸収係数を測
定することができる。赤外光が試料ウェーハを透過する
際屈折により光軸のずれが生じるが、積分球１１により
これを補正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、赤外光をシリコンウ
ェーハやガリウムひ素ウェーハ等の半導体ウェーハに照
射してその透過光強度を測定することにより、当該半導
体ウェーハの赤外光の分光光度を測定する赤外分光光度
測定装置に関する。
ェーハやガリウムひ素ウェーハ等の半導体ウェーハに照
射してその透過光強度を測定することにより、当該半導
体ウェーハの赤外光の分光光度を測定する赤外分光光度
測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤外分光光度測定装置としては、
例えば以下に示すようなものが用いられていた。このも
のは、試料である半導体ウェーハを透過型ホルダに保持
させ、この半導体ウェーハ表面に対して垂直入射するよ
うに光源から所定強度の赤外光を照射していた。そし
て、半導体ウェーハの裏面からの透過光強度を赤外光検
出器により測定し、その透過光強度に基づいてその半導
体ウェーハの赤外光に対する透過率、および、吸収係数
を算出していた。さらに、このようにして算出した赤外
光に対する吸収係数に基づいて例えば当該半導体ウェー
ハ中のキャリア濃度や欠陥濃度を求めていた。
例えば以下に示すようなものが用いられていた。このも
のは、試料である半導体ウェーハを透過型ホルダに保持
させ、この半導体ウェーハ表面に対して垂直入射するよ
うに光源から所定強度の赤外光を照射していた。そし
て、半導体ウェーハの裏面からの透過光強度を赤外光検
出器により測定し、その透過光強度に基づいてその半導
体ウェーハの赤外光に対する透過率、および、吸収係数
を算出していた。さらに、このようにして算出した赤外
光に対する吸収係数に基づいて例えば当該半導体ウェー
ハ中のキャリア濃度や欠陥濃度を求めていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の赤外
分光光度測定装置にあっては、半導体ウェーハの赤外光
に対する吸収係数を正確に測定するためには、赤外光に
対する試料ウェーハの表面および裏面での反射率が既知
であり、かつ、等しいことが必要である。そのため、こ
の試料ウェーハとしては、両面を鏡面加工した両面ミラ
ーウェーハーを使用しなければならない。しかしなが
ら、このような従来の測定方法では、試料ウェーハのミ
ラー加工状態が試料ごとのバラツキがなく、かつ、面内
で一様であるとは言えず、面状態によって反射率の値が
既知の値と一致しなくなる。このため、測定された赤外
光に対する透過率から必ずしも正確な吸収係数が得られ
ているとは言えないという欠点があった。また、上述の
ように試料ウェーハとして両面ミラーウェーハを使用し
なければならないため、現在、市販ウェーハの主流とな
りつつある片面ミラーウェーハでは測定することができ
ない。このようなウェーハでは、表面から入射した赤外
光が裏面にて強い散乱を受けることにより正確な測定値
を得ることは不可能である。
分光光度測定装置にあっては、半導体ウェーハの赤外光
に対する吸収係数を正確に測定するためには、赤外光に
対する試料ウェーハの表面および裏面での反射率が既知
であり、かつ、等しいことが必要である。そのため、こ
の試料ウェーハとしては、両面を鏡面加工した両面ミラ
ーウェーハーを使用しなければならない。しかしなが
ら、このような従来の測定方法では、試料ウェーハのミ
ラー加工状態が試料ごとのバラツキがなく、かつ、面内
で一様であるとは言えず、面状態によって反射率の値が
既知の値と一致しなくなる。このため、測定された赤外
光に対する透過率から必ずしも正確な吸収係数が得られ
ているとは言えないという欠点があった。また、上述の
ように試料ウェーハとして両面ミラーウェーハを使用し
なければならないため、現在、市販ウェーハの主流とな
りつつある片面ミラーウェーハでは測定することができ
ない。このようなウェーハでは、表面から入射した赤外
光が裏面にて強い散乱を受けることにより正確な測定値
を得ることは不可能である。
【０００４】そこで、本願出願人は、平成３年特許願第
１４６７５０号明細書において、両面ミラーウェーハの
みならず、片面ミラーウェーハについても赤外光に対す
る吸収係数を正確に求めることができる赤外分光光度測
定装置を提案した。この装置は、ホルダ駆動部材により
試料ホルダを光軸に対して垂直な軸の回りに回転させる
ことにより、測定に用いる赤外光が試料ウェーハにブリ
ュースター角入射するようにしている。分光器によって
単色化された赤外光を偏光ビームスプリッタを用いてｓ
偏光成分とｐ偏光成分とに分離した後、ｐ偏光成分のみ
の赤外光を試料ウェーハに照射する。ブリュースター角
入射したｐ偏光成分のみの赤外光に対するウェーハ表面
における反射率はゼロとなるため、この赤外光は１００
％試料ウェーハ内に入る。そして、透過光の強度を赤外
光検出器によって測定する。
１４６７５０号明細書において、両面ミラーウェーハの
みならず、片面ミラーウェーハについても赤外光に対す
る吸収係数を正確に求めることができる赤外分光光度測
定装置を提案した。この装置は、ホルダ駆動部材により
試料ホルダを光軸に対して垂直な軸の回りに回転させる
ことにより、測定に用いる赤外光が試料ウェーハにブリ
ュースター角入射するようにしている。分光器によって
単色化された赤外光を偏光ビームスプリッタを用いてｓ
偏光成分とｐ偏光成分とに分離した後、ｐ偏光成分のみ
の赤外光を試料ウェーハに照射する。ブリュースター角
入射したｐ偏光成分のみの赤外光に対するウェーハ表面
における反射率はゼロとなるため、この赤外光は１００
％試料ウェーハ内に入る。そして、透過光の強度を赤外
光検出器によって測定する。
【０００５】ところが、この試料ウェーハを赤外光が透
過する場合、屈折によりその光軸がずれてしまう。この
光軸のずれは例えばほぼ試料の厚さと同じ程度となって
いた。リファレンス用ウェーハを用いてこの光軸のずれ
を補正することも考えられるが、その場合は、リファレ
ンス用ウェーハは試料ウェーハと同一の厚さ、同一の物
質であり、さらに、リファレンス用ウェーハ中での赤外
光の吸収係数を正確に把握しておく必要がある等、装置
としては実用上の困難が多い。
過する場合、屈折によりその光軸がずれてしまう。この
光軸のずれは例えばほぼ試料の厚さと同じ程度となって
いた。リファレンス用ウェーハを用いてこの光軸のずれ
を補正することも考えられるが、その場合は、リファレ
ンス用ウェーハは試料ウェーハと同一の厚さ、同一の物
質であり、さらに、リファレンス用ウェーハ中での赤外
光の吸収係数を正確に把握しておく必要がある等、装置
としては実用上の困難が多い。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明は、両面ミラーウェーハ
のみならず、片面ミラーウェーハについても、さらに、
数ミリ程度の厚い試料であっても赤外光に対する半導体
ウェーハの吸収係数を正確に求めることができる赤外分
光光度測定装置を提供することを、その目的としてい
る。
のみならず、片面ミラーウェーハについても、さらに、
数ミリ程度の厚い試料であっても赤外光に対する半導体
ウェーハの吸収係数を正確に求めることができる赤外分
光光度測定装置を提供することを、その目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料ウェーハ
を保持する赤外光透過型のホルダと、このホルダに保持
された試料ウェーハに対して赤外光を照射する照射手段
と、この試料ウェーハの透過光強度を測定する赤外光検
出器と、上記ホルダを光軸に対して垂直な軸の回りに回
転させるホルダ駆動部材と、上記照射手段と上記ホルダ
との間の光路に介装された偏光ビームスプリッタと、を
備えた赤外分光光度測定装置にあって、上記ホルダと上
記赤外光検出器との間の光路に積分球を介装した赤外分
光光度測定装置である。
を保持する赤外光透過型のホルダと、このホルダに保持
された試料ウェーハに対して赤外光を照射する照射手段
と、この試料ウェーハの透過光強度を測定する赤外光検
出器と、上記ホルダを光軸に対して垂直な軸の回りに回
転させるホルダ駆動部材と、上記照射手段と上記ホルダ
との間の光路に介装された偏光ビームスプリッタと、を
備えた赤外分光光度測定装置にあって、上記ホルダと上
記赤外光検出器との間の光路に積分球を介装した赤外分
光光度測定装置である。
【０００８】
【作用】本発明に係る赤外分光光度測定装置によれば、
照射手段から出射し、分光器や干渉フィルタにより単色
化された赤外光は、試料ウェーハに対して所定の入射角
度（その赤外光の波長における当該半導体ウェーハでの
屈折率によって定まるその赤外光の波長に対するブリュ
ースター角）で入射する。すなわち、ホルダ駆動部材に
より試料ホルダを光軸に対して垂直な軸の回りに回転さ
せることにより、測定に用いる赤外光が試料ウェーハに
ブリュースター角入射するように配置しておく。そし
て、上述の分光器や干渉フイルタによって単色化された
赤外光を偏光ビームスプリッタを用いてｓ偏光成分とｐ
偏光成分とに分離した後、ｐ偏光成分のみの赤外光を試
料ウェーハに照射する。この試料ウェーハにブリュース
ター角入射したｐ偏光成分のみの赤外光に対するウェー
ハ表面における反射率はゼロとなっている。このため、
この赤外光は１００％試料ウェーハ内に入る。そして、
透過光は赤外光検出器によってその強度が測定される。
この場合、透過光は積分球を通過してその光軸のずれが
補正されている。これらの結果、透過率を測定すること
により、試料ウェーハの赤外光に対する吸収係数の算出
を正確に行うことができる。このことは、入射光強度と
透過光強度との差はすべて試料内部における吸収による
ものとなることに基づくものである。
照射手段から出射し、分光器や干渉フィルタにより単色
化された赤外光は、試料ウェーハに対して所定の入射角
度（その赤外光の波長における当該半導体ウェーハでの
屈折率によって定まるその赤外光の波長に対するブリュ
ースター角）で入射する。すなわち、ホルダ駆動部材に
より試料ホルダを光軸に対して垂直な軸の回りに回転さ
せることにより、測定に用いる赤外光が試料ウェーハに
ブリュースター角入射するように配置しておく。そし
て、上述の分光器や干渉フイルタによって単色化された
赤外光を偏光ビームスプリッタを用いてｓ偏光成分とｐ
偏光成分とに分離した後、ｐ偏光成分のみの赤外光を試
料ウェーハに照射する。この試料ウェーハにブリュース
ター角入射したｐ偏光成分のみの赤外光に対するウェー
ハ表面における反射率はゼロとなっている。このため、
この赤外光は１００％試料ウェーハ内に入る。そして、
透過光は赤外光検出器によってその強度が測定される。
この場合、透過光は積分球を通過してその光軸のずれが
補正されている。これらの結果、透過率を測定すること
により、試料ウェーハの赤外光に対する吸収係数の算出
を正確に行うことができる。このことは、入射光強度と
透過光強度との差はすべて試料内部における吸収による
ものとなることに基づくものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る赤外分光光度測定装置の
実施例を図面を参照して説明する。図１は本発明の第１
実施例に係る赤外分光光度測定装置を示す概略図であ
る。
実施例を図面を参照して説明する。図１は本発明の第１
実施例に係る赤外分光光度測定装置を示す概略図であ
る。
【００１０】第１実施例に係る赤外分光光度測定装置
は、図１に示すように、光源１と、ピンホール２と、レ
ンズ３と、分光器４と、偏光ビームスプリッタ５と、ア
パーチャ６と、を有して構成されている。偏光ビームス
プリッタ５は、分光器４で単色化された赤外光をｓ偏光
成分とｐ偏光成分とに分離するものである。これらの光
源１〜アパーチャ６により赤外光の光路が形成されてい
る。そして、この光路には赤外光透過型の試料ホルダ７
および赤外光検出器８が配置されている。試料ホルダ７
は自動回転ステージ９によりこの光軸に垂直な軸の回り
に回動自在に設けられている。試料ホルダ７には試料ウ
ェーハが搭載されるものである。
は、図１に示すように、光源１と、ピンホール２と、レ
ンズ３と、分光器４と、偏光ビームスプリッタ５と、ア
パーチャ６と、を有して構成されている。偏光ビームス
プリッタ５は、分光器４で単色化された赤外光をｓ偏光
成分とｐ偏光成分とに分離するものである。これらの光
源１〜アパーチャ６により赤外光の光路が形成されてい
る。そして、この光路には赤外光透過型の試料ホルダ７
および赤外光検出器８が配置されている。試料ホルダ７
は自動回転ステージ９によりこの光軸に垂直な軸の回り
に回動自在に設けられている。試料ホルダ７には試料ウ
ェーハが搭載されるものである。
【００１１】そして、この光路にあって上記試料ホルダ
７と赤外光検出器８との間には積分球１１が介設されて
いる。すなわち、試料ウェーハを透過した赤外光は入射
窓より積分球１１に入射するよう構成されており、この
赤外光は積分球１１の内壁で拡散反射を繰り返して、測
光窓を通って積分球１１の外部に出ることとなる。この
出力光を赤外光検出器８によって検出するものである。
７と赤外光検出器８との間には積分球１１が介設されて
いる。すなわち、試料ウェーハを透過した赤外光は入射
窓より積分球１１に入射するよう構成されており、この
赤外光は積分球１１の内壁で拡散反射を繰り返して、測
光窓を通って積分球１１の外部に出ることとなる。この
出力光を赤外光検出器８によって検出するものである。
【００１２】コンピュータ１０は、上記分光器４および
自動回転ステージ９をそれぞれ制御するとともに、赤外
光検出器８からの透過光強度信号を取り込み、その試料
ウェーハについての透過率および吸収係数等の演算を行
うものである。
自動回転ステージ９をそれぞれ制御するとともに、赤外
光検出器８からの透過光強度信号を取り込み、その試料
ウェーハについての透過率および吸収係数等の演算を行
うものである。
【００１３】したがって、光源１から照射され分光器４
で単色化された赤外光は、偏光ビームスプリッタ５でｓ
偏光成分とｐ偏光成分とに分離され、ｐ偏光成分のみが
試料ホルダ７上の試料ウェーハに照射されることとな
る。このとき、試料ホルダ７は自動回転ステージ９によ
り光軸に対して所定角度を有するように設定されてい
る。すなわち、試料ホルダ７は試料ウェーハを光軸に対
してその赤外光の波長におけるブリュースター角になる
ように設定している。この結果、試料ウェーハに照射さ
れた赤外光のｐ偏光成分は該試料ウェーハ表面での反射
率がゼロとなるため、試料ウェーハ内部に１００％入射
し、試料ウェーハの裏面から出射する。このとき、ｓ偏
光成分は、偏光ビームスプリッタ５において光軸と垂直
な方向へ分離されているので試料ウェーハへは照射され
ない。そして、この試料ウェーハを透過したその透過光
は積分球１１に入射し、積分球１１内で拡散反射した
後、赤外光検出器８に入射する。すなわち、赤外光が試
料ウェーハを透過した場合屈折により光軸のずれが生じ
るが、この光軸のずれは積分球１１により補正されるも
のである。
で単色化された赤外光は、偏光ビームスプリッタ５でｓ
偏光成分とｐ偏光成分とに分離され、ｐ偏光成分のみが
試料ホルダ７上の試料ウェーハに照射されることとな
る。このとき、試料ホルダ７は自動回転ステージ９によ
り光軸に対して所定角度を有するように設定されてい
る。すなわち、試料ホルダ７は試料ウェーハを光軸に対
してその赤外光の波長におけるブリュースター角になる
ように設定している。この結果、試料ウェーハに照射さ
れた赤外光のｐ偏光成分は該試料ウェーハ表面での反射
率がゼロとなるため、試料ウェーハ内部に１００％入射
し、試料ウェーハの裏面から出射する。このとき、ｓ偏
光成分は、偏光ビームスプリッタ５において光軸と垂直
な方向へ分離されているので試料ウェーハへは照射され
ない。そして、この試料ウェーハを透過したその透過光
は積分球１１に入射し、積分球１１内で拡散反射した
後、赤外光検出器８に入射する。すなわち、赤外光が試
料ウェーハを透過した場合屈折により光軸のずれが生じ
るが、この光軸のずれは積分球１１により補正されるも
のである。
【００１４】赤外光検出器８は光電変換によりこの透過
光強度に比例した電圧信号をコンピュータ１０に出力す
る。したがって、コンピュータ１０はこの電圧値と試料
ウェーハをセットしない時の電圧値（入射光強度）を用
いて演算処理することにより、当該試料ウェーハの赤外
光に対する透過率、さらにはその吸収係数を演算する。
ここで、赤外光検出器８からの透過光強度に比例した電
圧信号が微弱である時にはロックインアンプおよび光チ
ョッパを用いてＳ／Ｎ比の向上を行うことは言うまでも
ない。そして、このように無反射の条件で得られた吸収
係数から例えばその試料ウェーハのキャリア濃度を算出
することができる。同様にして、ガリウムひ素ウェーハ
中の固有欠陥であるＥＬ２の濃度も算出することができ
る。
光強度に比例した電圧信号をコンピュータ１０に出力す
る。したがって、コンピュータ１０はこの電圧値と試料
ウェーハをセットしない時の電圧値（入射光強度）を用
いて演算処理することにより、当該試料ウェーハの赤外
光に対する透過率、さらにはその吸収係数を演算する。
ここで、赤外光検出器８からの透過光強度に比例した電
圧信号が微弱である時にはロックインアンプおよび光チ
ョッパを用いてＳ／Ｎ比の向上を行うことは言うまでも
ない。そして、このように無反射の条件で得られた吸収
係数から例えばその試料ウェーハのキャリア濃度を算出
することができる。同様にして、ガリウムひ素ウェーハ
中の固有欠陥であるＥＬ２の濃度も算出することができ
る。
【００１５】図２は本発明の第２実施例を示している。
この実施例では、上記実施例に係る分光器４に代えて干
渉フィルタ２１を用いたものである。この干渉フィルタ
２１を用いることにより、上記実施例に比べて、偏光ビ
ームスプリッタ５に入射する光の強度を高めることがで
きる。その他の構成および作用は上記実施例のそれと同
じである。
この実施例では、上記実施例に係る分光器４に代えて干
渉フィルタ２１を用いたものである。この干渉フィルタ
２１を用いることにより、上記実施例に比べて、偏光ビ
ームスプリッタ５に入射する光の強度を高めることがで
きる。その他の構成および作用は上記実施例のそれと同
じである。
【００１６】また、これらの実施例において、試料ウェ
ーハとしては両面ミラーウェーハのみならず、片面のみ
鏡面仕上げした片面ミラーウェーハでも測定に供するこ
とができる。これは、赤外光のｐ偏光成分のみを用いた
無反射条件における測定であることに基づくものであ
る。
ーハとしては両面ミラーウェーハのみならず、片面のみ
鏡面仕上げした片面ミラーウェーハでも測定に供するこ
とができる。これは、赤外光のｐ偏光成分のみを用いた
無反射条件における測定であることに基づくものであ
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る赤外分光光度測定装置で
は、通常の赤外分光光度測定のみならず、無反射条件を
利用するとによって、赤外光に対する半導体ウェーハの
吸収係数を正確に求めることができる。例えば数ｍｍ程
度の厚さの試料ウェーハの吸収係数をも正確にかつ簡便
に測定することができる。そして、試料ウェーハとして
は両面ミラーウェーハはもちろん、片面のみ鏡面仕上げ
した片面ミラーウェーハでも測定を行うこともできる。
は、通常の赤外分光光度測定のみならず、無反射条件を
利用するとによって、赤外光に対する半導体ウェーハの
吸収係数を正確に求めることができる。例えば数ｍｍ程
度の厚さの試料ウェーハの吸収係数をも正確にかつ簡便
に測定することができる。そして、試料ウェーハとして
は両面ミラーウェーハはもちろん、片面のみ鏡面仕上げ
した片面ミラーウェーハでも測定を行うこともできる。
【図１】本発明の第１実施例に係る赤外分光光度測定装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る赤外分光光度測定装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
【符号の説明】 １ 光源（照射手段） ５ 偏光ビームスプリッタ ７ 試料ホルダ ８ 赤外光検出器 ９ 自動回転ステージ（ホルダ駆動部材） １１ 積分球
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０１Ｊ 3/02 Ｚ 8707−2Ｇ 3/42 Ｕ 8707−2Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】 試料ウェーハを保持する赤外光透過型の
ホルダと、このホルダに保持された試料ウェーハに対し
て赤外光を照射する照射手段と、この試料ウェーハの透
過光強度を測定する赤外光検出器と、上記ホルダを光軸
に対して垂直な軸の回りに回転させるホルダ駆動部材
と、上記照射手段と上記ホルダとの間の光路に介装され
た偏光ビームスプリッタと、を備えた赤外分光光度測定
装置にあって、 上記ホルダと上記赤外光検出器との間の光路に積分球を
介装したことを特徴とする赤外分光光度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12944392A JPH05296920A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 赤外分光光度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12944392A JPH05296920A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 赤外分光光度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05296920A true JPH05296920A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=15009600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12944392A Withdrawn JPH05296920A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 赤外分光光度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05296920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008099442A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Tokyo Institute Of Technology | 分光解析装置及び分光解析方法 |
| CN102435422A (zh) * | 2011-09-22 | 2012-05-02 | 西安炬光科技有限公司 | 一种半导体激光器偏振测试方法及其测试系统 |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP12944392A patent/JPH05296920A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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