JPH0529500A - Icパツケージ - Google Patents
IcパツケージInfo
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- JPH0529500A JPH0529500A JP3206372A JP20637291A JPH0529500A JP H0529500 A JPH0529500 A JP H0529500A JP 3206372 A JP3206372 A JP 3206372A JP 20637291 A JP20637291 A JP 20637291A JP H0529500 A JPH0529500 A JP H0529500A
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- JP
- Japan
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- chip
- package
- heat sinks
- heat dissipation
- dissipation plate
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 密封不良が起きない、薄型化が可能な、放熱
板を具えたICパッケージを実現する。 【構成】 放熱板2をICチップ1の側面に配置し、こ
の放熱板2によりICチップ1がリードフレームと熱的
に接続された構造とする。
板を具えたICパッケージを実現する。 【構成】 放熱板2をICチップ1の側面に配置し、こ
の放熱板2によりICチップ1がリードフレームと熱的
に接続された構造とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC(集積回路)パッ
ケージ、特に薄型化されたICパッケージに関するもの
である。
ケージ、特に薄型化されたICパッケージに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】ICの高集積化に伴い、IC一個あたり
の発熱量が増大し、放熱の向上が必要とされている。そ
の一方でICパッケージ全体の厚さの減少も、強く要求
されている。
の発熱量が増大し、放熱の向上が必要とされている。そ
の一方でICパッケージ全体の厚さの減少も、強く要求
されている。
【0003】従来のICパッケージでは、図3に示すよ
うに、ICチップ1の下に放熱板31を設け、これらを
ボンディングワイヤ3およびインナーリード4とともに
モールドレジン5に封入した構造が、多く用いられてい
る。
うに、ICチップ1の下に放熱板31を設け、これらを
ボンディングワイヤ3およびインナーリード4とともに
モールドレジン5に封入した構造が、多く用いられてい
る。
【0004】あるいは、図4に示すように、放熱をよく
するために、放熱板41をパッケージの一面に露出させ
ている。図4の構造でインナーリード4は、両面接着性
絶縁フィルム42で放熱板41に貼り付けられている。
するために、放熱板41をパッケージの一面に露出させ
ている。図4の構造でインナーリード4は、両面接着性
絶縁フィルム42で放熱板41に貼り付けられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図3に示す構
造は、ICチップを通る断面で、ICチップと放熱板の
上下にモールドレジンの層がある4層構造となってお
り、薄型化が困難である。
造は、ICチップを通る断面で、ICチップと放熱板の
上下にモールドレジンの層がある4層構造となってお
り、薄型化が困難である。
【0006】また、図4に示すパッケージは、ICチッ
プを含めた3層構造で、薄型化に有利であるが、モール
ドレジンの剥離によるチップの密封不良が起き易く、信
頼性に問題がある。
プを含めた3層構造で、薄型化に有利であるが、モール
ドレジンの剥離によるチップの密封不良が起き易く、信
頼性に問題がある。
【0007】本発明の目的は、密封不良が起きない、薄
型化が可能な、放熱板を具えたICパッケージを実現す
ることである。
型化が可能な、放熱板を具えたICパッケージを実現す
ることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明では、密封不良が
起きない、薄型化が可能な、放熱板を具えたICパッケ
ージを実現するため、放熱板をICチップの側面に配置
し、この放熱板によりICチップがリードフレームと熱
的に接続された構造とする。
起きない、薄型化が可能な、放熱板を具えたICパッケ
ージを実現するため、放熱板をICチップの側面に配置
し、この放熱板によりICチップがリードフレームと熱
的に接続された構造とする。
【0009】放熱板の材料は、銅等の金属でもよく、ま
た窒化アルミニウム等のセラミックでもよい。ICチッ
プとインナーリードとは、ワイヤボンディングによって
接続されてもよく、また金等のバンプとインナーリード
との接着により接続されていてもよい。パッケージの密
封は、モールドレジンによる封入のほか、セラミック等
の接着剤による気密な接合でもよい。
た窒化アルミニウム等のセラミックでもよい。ICチッ
プとインナーリードとは、ワイヤボンディングによって
接続されてもよく、また金等のバンプとインナーリード
との接着により接続されていてもよい。パッケージの密
封は、モールドレジンによる封入のほか、セラミック等
の接着剤による気密な接合でもよい。
【0010】
【作用】本発明のICパッケージの構造では、ICチッ
プで発生した熱は、ICチップの側面に設けた放熱板か
らインナーリードあるいはモールドレジンを経て、また
一部はワイヤボンディング等およびインナーリードを経
て、外部に放出される。それ故、放熱板を具えないIC
パッケージに比し、熱抵抗は1/2以下となる。ICチ
ップの両面がモールドレジンで密封されているので、モ
ールドレジンは剥離しにくく、放熱板を露出させる構造
に比して、密封に関する信頼性が高い。
プで発生した熱は、ICチップの側面に設けた放熱板か
らインナーリードあるいはモールドレジンを経て、また
一部はワイヤボンディング等およびインナーリードを経
て、外部に放出される。それ故、放熱板を具えないIC
パッケージに比し、熱抵抗は1/2以下となる。ICチ
ップの両面がモールドレジンで密封されているので、モ
ールドレジンは剥離しにくく、放熱板を露出させる構造
に比して、密封に関する信頼性が高い。
【0011】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明のより具体的な
説明とする。 〔実施例1〕図1に本発明によるICパッケージの断面
を示す。ICチップ1は接着剤6により放熱板2の貫通
孔2aの内壁に固定され、放熱板2は両面接着性の絶縁
フィルム7を介してインナーリード4に接着されてい
る。そして、それらはボンディングワイヤ3、インナー
リード4とともにモールドレジン5に封入されている。
説明とする。 〔実施例1〕図1に本発明によるICパッケージの断面
を示す。ICチップ1は接着剤6により放熱板2の貫通
孔2aの内壁に固定され、放熱板2は両面接着性の絶縁
フィルム7を介してインナーリード4に接着されてい
る。そして、それらはボンディングワイヤ3、インナー
リード4とともにモールドレジン5に封入されている。
【0012】図1のパッケージは、ICチップ1を通る
断面で3層構造となっており、ボンディングワイヤ3の
高さも低くできるので、パッケージ全体の厚さを図3の
パッケージより小さくできる。しかもICチップ1およ
び放熱板2の両面がモールドレジンで覆われており、図
3のパッケージと同様に、完全な密封が可能である。
断面で3層構造となっており、ボンディングワイヤ3の
高さも低くできるので、パッケージ全体の厚さを図3の
パッケージより小さくできる。しかもICチップ1およ
び放熱板2の両面がモールドレジンで覆われており、図
3のパッケージと同様に、完全な密封が可能である。
【0013】〔実施例2〕図1の構造と同様であるが、
図2に示すように、放熱板2に貫通孔2aとともに形成
された陥没部2bに、ICチップ1を収容し、接着剤6
で固定したものである。
図2に示すように、放熱板2に貫通孔2aとともに形成
された陥没部2bに、ICチップ1を収容し、接着剤6
で固定したものである。
【0014】
【発明の効果】本発明のICパッケージは、ICチップ
を通る断面で3層構造となっているから、高集積化に適
する、放熱板を具えたICパッケージの、厚さを薄くで
きる。ICチップおよび放熱板の両面がモールドレジン
で覆われているから、放熱板を露出させた場合のような
密封不良を、起こす懸念もない。
を通る断面で3層構造となっているから、高集積化に適
する、放熱板を具えたICパッケージの、厚さを薄くで
きる。ICチップおよび放熱板の両面がモールドレジン
で覆われているから、放熱板を露出させた場合のような
密封不良を、起こす懸念もない。
【図1】図1は、本発明によるICチップの一実施例の
断面略図である。
断面略図である。
【図2】図2は、本発明によるICチップの他の実施例
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図3】図3は、従来のICチップの断面略図である。
【図4】図4は、従来の他のICチップの断面略図であ
る。
る。
1 ICチップ 2 放熱板 2a 貫通孔 2b 陥没部 3 ボンディングワイヤ 4 インナーリード 5 モールドレジン 6 接着剤 7 両面接着性絶縁フィルム 31 放熱板 41 放熱板 42 両面接着性絶縁フィルム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 ICチップと、それに隣接した放熱板
と、リードフレームとを具え、前記ICチップが密封さ
れているICパッケージにおいて、 前記放熱板を前記ICチップの側面に配置し、この放熱
板により前記ICチップをリードフレームと熱的に接続
したことを特徴とする、ICパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3206372A JPH0529500A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | Icパツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3206372A JPH0529500A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | Icパツケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0529500A true JPH0529500A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16522238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3206372A Pending JPH0529500A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | Icパツケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0529500A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5679978A (en) * | 1993-12-06 | 1997-10-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having resin gate hole through substrate for resin encapsulation |
US6111306A (en) * | 1993-12-06 | 2000-08-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same and semiconductor device unit and method of producing the same |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP3206372A patent/JPH0529500A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5679978A (en) * | 1993-12-06 | 1997-10-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having resin gate hole through substrate for resin encapsulation |
US5804467A (en) * | 1993-12-06 | 1998-09-08 | Fujistsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
US6111306A (en) * | 1993-12-06 | 2000-08-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same and semiconductor device unit and method of producing the same |
US6379997B1 (en) | 1993-12-06 | 2002-04-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same and semiconductor device unit and method of producing the same |
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