JPH0529364A - 半導体素子のボンデイング方法及び装置 - Google Patents
半導体素子のボンデイング方法及び装置Info
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- JPH0529364A JPH0529364A JP3203946A JP20394691A JPH0529364A JP H0529364 A JPH0529364 A JP H0529364A JP 3203946 A JP3203946 A JP 3203946A JP 20394691 A JP20394691 A JP 20394691A JP H0529364 A JPH0529364 A JP H0529364A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子を基板にボンディングするための
導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄せられて
発光部等に付着することがなく、しかも半導体素子を高
精度でボンディングすることができる半導体素子のボン
ディング方法及び装置とする。 【構成】 移動機構はコレット300 に保持された半導体
素子100Bの下面110Bが既にボンディングされた半導体素
子100Aの上面110Aより下方、かつ基板200 に接触しない
範囲まで上下方向に動かした後に、既にボンディングさ
れた半導体素子100Aとの間が所定の間隔になるまで水平
方向に動かし、その後に半導体素子100Bが基板200 にボ
ンディングされるまで上下方向に動かし、コレット300
は保持した半導体素子100Bの少なくとも一辺がはみ出す
ようになっている。
導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄せられて
発光部等に付着することがなく、しかも半導体素子を高
精度でボンディングすることができる半導体素子のボン
ディング方法及び装置とする。 【構成】 移動機構はコレット300 に保持された半導体
素子100Bの下面110Bが既にボンディングされた半導体素
子100Aの上面110Aより下方、かつ基板200 に接触しない
範囲まで上下方向に動かした後に、既にボンディングさ
れた半導体素子100Aとの間が所定の間隔になるまで水平
方向に動かし、その後に半導体素子100Bが基板200 にボ
ンディングされるまで上下方向に動かし、コレット300
は保持した半導体素子100Bの少なくとも一辺がはみ出す
ようになっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の半導体素子を並
べてボンディングする方法及び装置に関する。
べてボンディングする方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体素子のボンディング方法及
び装置について図４〜図８を参照しつつ説明する。ＬＥ
Ｄプリントヘッド、サーマルヘッド或いはイメージセン
サ等は、複数の発光部、受光部或いは発熱部を有する半
導体素子アレイ（以下、『半導体素子100』とする）
が、図４に示すように複数個並べることで構成されてい
る。半導体素子100 が有する発光部等は、所定の間隔で
並べられているので、この所定の間隔を隣接する半導体
素子100 との間でも保たなければならない。このような
半導体素子100 のボンディングは以下のようにして行わ
れる。
び装置について図４〜図８を参照しつつ説明する。ＬＥ
Ｄプリントヘッド、サーマルヘッド或いはイメージセン
サ等は、複数の発光部、受光部或いは発熱部を有する半
導体素子アレイ（以下、『半導体素子100』とする）
が、図４に示すように複数個並べることで構成されてい
る。半導体素子100 が有する発光部等は、所定の間隔で
並べられているので、この所定の間隔を隣接する半導体
素子100 との間でも保たなければならない。このような
半導体素子100 のボンディングは以下のようにして行わ
れる。
【０００３】最も一般的なのは、図５に示すように、吸
着面510 が角錐型になったいわゆる角錐型コレット500
で半導体素子100 を吸着し、当該角錐型コレット500 を
移動させることによってボンディングを行う方法であ
る。しかし、通常の角錐型コレット500 を使用すると、
角錐型コレット500 の角部520 が邪魔になって、隣接す
る半導体素子100 との間隔が10〜20μm 等の狭いものに
は対応できない。
着面510 が角錐型になったいわゆる角錐型コレット500
で半導体素子100 を吸着し、当該角錐型コレット500 を
移動させることによってボンディングを行う方法であ
る。しかし、通常の角錐型コレット500 を使用すると、
角錐型コレット500 の角部520 が邪魔になって、隣接す
る半導体素子100 との間隔が10〜20μm 等の狭いものに
は対応できない。
【０００４】かかる問題点を解消するために発明された
のが、図６に示すコレット300 である。かかるコレット
300 は、前記角錐型コレット500 の一辺を切り欠いたも
のであり、半導体素子100 を吸着保持すると、半導体素
子100 がコレット300 の中に収まりきらず、半導体素子
100 の一辺がコレット300 からはみ出すようになってい
る。
のが、図６に示すコレット300 である。かかるコレット
300 は、前記角錐型コレット500 の一辺を切り欠いたも
のであり、半導体素子100 を吸着保持すると、半導体素
子100 がコレット300 の中に収まりきらず、半導体素子
100 の一辺がコレット300 からはみ出すようになってい
る。
【０００５】かかるコレット300 は、以下のようにして
半導体素子100 を基板200 にボンディングする。すなわ
ち、半導体素子100 を保持したコレット300 を下降させ
て、半導体素子100 を基板200 に接触させた後に（図７
参照）、コレット300を水平方向に移動させて既にボン
ディングされた半導体素子100 との間が所定の間隔にな
るようにするのである。
半導体素子100 を基板200 にボンディングする。すなわ
ち、半導体素子100 を保持したコレット300 を下降させ
て、半導体素子100 を基板200 に接触させた後に（図７
参照）、コレット300を水平方向に移動させて既にボン
ディングされた半導体素子100 との間が所定の間隔にな
るようにするのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一辺を
切り欠いたコレット300 にも以下のような問題点があ
る。すなわち、半導体素子100 を基板200 にボンディン
グさせるためには、導電性接着ペースト210 を用いる
が、コレット300 を水平方向に移動させると、図８に示
すように、２つの半導体素子100 の間にあった導電性接
着ペースト210 が押し寄せられて２つの半導体素子100
の間からはみ出し、配線の短絡、半導体素子100 の発光
部等への付着等の原因となる。また、導電性接着ペース
ト210 がコレット300 の水平方向への移動を阻害し、半
導体素子100 のボンディング位置が不安定となる。
切り欠いたコレット300 にも以下のような問題点があ
る。すなわち、半導体素子100 を基板200 にボンディン
グさせるためには、導電性接着ペースト210 を用いる
が、コレット300 を水平方向に移動させると、図８に示
すように、２つの半導体素子100 の間にあった導電性接
着ペースト210 が押し寄せられて２つの半導体素子100
の間からはみ出し、配線の短絡、半導体素子100 の発光
部等への付着等の原因となる。また、導電性接着ペース
ト210 がコレット300 の水平方向への移動を阻害し、半
導体素子100 のボンディング位置が不安定となる。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄せら
れて発光部等に付着することがなく、しかも半導体素子
を高精度でボンディングすることができる半導体素子の
ボンディング方法及び装置を提供することを目的として
いる。
で、導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄せら
れて発光部等に付着することがなく、しかも半導体素子
を高精度でボンディングすることができる半導体素子の
ボンディング方法及び装置を提供することを目的として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体素子
のボンディング方法は、半導体素子を保持するコレット
と半導体素子がボンディングされるべき基板とを相対的
に動かして、複数の半導体素子を所定の間隔で並べる半
導体素子のボンディング方法であって、コレットに保持
された半導体素子の下面が既にボンディングされた半導
体素子の上面より下方、かつ基板に接触しない範囲まで
上下方向に動かす第１上下工程と、コレットに保持され
た半導体素子と既にボンディングされた半導体素子との
間が所定の間隔になるまで水平方向に動かす水平工程
と、コレットに保持された半導体素子が基板にボンディ
ングされるまで上下方向に動かす第２上下工程とを有し
ている。
のボンディング方法は、半導体素子を保持するコレット
と半導体素子がボンディングされるべき基板とを相対的
に動かして、複数の半導体素子を所定の間隔で並べる半
導体素子のボンディング方法であって、コレットに保持
された半導体素子の下面が既にボンディングされた半導
体素子の上面より下方、かつ基板に接触しない範囲まで
上下方向に動かす第１上下工程と、コレットに保持され
た半導体素子と既にボンディングされた半導体素子との
間が所定の間隔になるまで水平方向に動かす水平工程
と、コレットに保持された半導体素子が基板にボンディ
ングされるまで上下方向に動かす第２上下工程とを有し
ている。
【０００９】また、本発明に係る半導体素子のボンディ
ング装置は、半導体素子を保持するコレットと半導体素
子がボンディングされるべき基板とを相対的に動かす移
動機構を有し、複数の半導体素子を所定の間隔で並べる
半導体素子のボンディング装置であって、前記移動機構
はコレットに保持された半導体素子の下面が既にボンデ
ィングされた半導体素子の上面より下方、かつ基板に接
触しない範囲まで上下方向に動かした後に、既にボンデ
ィングされた半導体素子との間が所定の間隔になるまで
水平方向に動かし、その後に半導体素子が基板にボンデ
ィングされるまで上下方向に動かし、前記コレットは保
持した半導体素子の少なくとも一辺がはみ出すようにな
っている。
ング装置は、半導体素子を保持するコレットと半導体素
子がボンディングされるべき基板とを相対的に動かす移
動機構を有し、複数の半導体素子を所定の間隔で並べる
半導体素子のボンディング装置であって、前記移動機構
はコレットに保持された半導体素子の下面が既にボンデ
ィングされた半導体素子の上面より下方、かつ基板に接
触しない範囲まで上下方向に動かした後に、既にボンデ
ィングされた半導体素子との間が所定の間隔になるまで
水平方向に動かし、その後に半導体素子が基板にボンデ
ィングされるまで上下方向に動かし、前記コレットは保
持した半導体素子の少なくとも一辺がはみ出すようにな
っている。
【００１０】
【作用】１つ目の半導体素子をボンディングする際に
は、コレットはボンディングすべき位置の真上に移動さ
れ、真っ直ぐに下降されてボンディングが行われる。１
つ目の半導体素子のボンディングが完了したならば、コ
レットは２つ目の半導体素子を吸着保持する。そして、
基板の上方に移動する。この際、コレットに保持された
２つ目の半導体素子の左辺と、既にボンディングされた
１つ目の半導体素子の右辺との水平方向の距離は、隣接
する半導体素子の所定の間隔より大きくしておく。コレ
ットを真っ直ぐ下降させる。この際、保持された２つ目
の半導体素子の下面が、既に基板にボンディングされた
１つ目の半導体素子の上面より下方で、かつ基板に接触
しない範囲まで下降される。さらに、コレットは既にボ
ンディングされた１つ目の半導体素子の側、すなわち左
側に移動される。この移動は、コレットに保持された２
つ目の半導体素子の左辺と、既にボンディングされた１
つ目の半導体素子の右辺との間が予め設定された間隔に
なるようにする。コレットに保持された２つ目の半導体
素子と既にボンディングされた１つ目の半導体素子との
間が所定の間隔になったならば、コレットを下降させ
て、保持された２つ目の半導体素子のボンディングを行
う。
は、コレットはボンディングすべき位置の真上に移動さ
れ、真っ直ぐに下降されてボンディングが行われる。１
つ目の半導体素子のボンディングが完了したならば、コ
レットは２つ目の半導体素子を吸着保持する。そして、
基板の上方に移動する。この際、コレットに保持された
２つ目の半導体素子の左辺と、既にボンディングされた
１つ目の半導体素子の右辺との水平方向の距離は、隣接
する半導体素子の所定の間隔より大きくしておく。コレ
ットを真っ直ぐ下降させる。この際、保持された２つ目
の半導体素子の下面が、既に基板にボンディングされた
１つ目の半導体素子の上面より下方で、かつ基板に接触
しない範囲まで下降される。さらに、コレットは既にボ
ンディングされた１つ目の半導体素子の側、すなわち左
側に移動される。この移動は、コレットに保持された２
つ目の半導体素子の左辺と、既にボンディングされた１
つ目の半導体素子の右辺との間が予め設定された間隔に
なるようにする。コレットに保持された２つ目の半導体
素子と既にボンディングされた１つ目の半導体素子との
間が所定の間隔になったならば、コレットを下降させ
て、保持された２つ目の半導体素子のボンディングを行
う。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体素子の
ボンディング方法の第１上下工程と水平工程とを示す説
明図、図２は第２上下工程を示す説明図、図３は半導体
素子を保持するコレットの斜視図である。
ボンディング方法の第１上下工程と水平工程とを示す説
明図、図２は第２上下工程を示す説明図、図３は半導体
素子を保持するコレットの斜視図である。
【００１２】本実施例に係る半導体素子のボンディング
装置は、半導体素子100 を保持するコレット300 と半導
体素子100 がボンディングされるべき基板200 とを相対
的に動かす移動機構 (図示省略) を有し、複数の半導体
素子100 を所定の間隔で並べるものである。
装置は、半導体素子100 を保持するコレット300 と半導
体素子100 がボンディングされるべき基板200 とを相対
的に動かす移動機構 (図示省略) を有し、複数の半導体
素子100 を所定の間隔で並べるものである。
【００１３】なお、基板200 には、前もって導電性接着
ペースト210 がディスペンサ、スタンピング或いはスク
リーン印刷等で塗布されている。
ペースト210 がディスペンサ、スタンピング或いはスク
リーン印刷等で塗布されている。
【００１４】コレット300 は、図３に示すように、吸着
面が角錐型になった角錐型コレットの一辺を切り欠いた
ものであり、吸着保持された半導体素子100 の一辺がは
み出るようになっている。なお、半導体素子100 を基板
200 の左側からボンディングしていくならば左辺が切り
欠かれたものを、右側からボンディングしていくならば
右辺が切り欠かれたものを用いる。
面が角錐型になった角錐型コレットの一辺を切り欠いた
ものであり、吸着保持された半導体素子100 の一辺がは
み出るようになっている。なお、半導体素子100 を基板
200 の左側からボンディングしていくならば左辺が切り
欠かれたものを、右側からボンディングしていくならば
右辺が切り欠かれたものを用いる。
【００１５】また、前記移動機構は、基板200 とコレッ
ト300 とを相対的に移動させるものであるが、本実施例
では基板200 は固定されており、コレット300 が移動さ
れるものとして説明する。
ト300 とを相対的に移動させるものであるが、本実施例
では基板200 は固定されており、コレット300 が移動さ
れるものとして説明する。
【００１６】まず、コレット300 は、ボンディングすべ
き半導体素子100 が多数個ストックされたストック位置
(図示省略) に移動し、ストックされている半導体素子
100を１つ吸着保持する。次に、当該コレット300 は、
ストック位置から基板200 の上に移動する。
き半導体素子100 が多数個ストックされたストック位置
(図示省略) に移動し、ストックされている半導体素子
100を１つ吸着保持する。次に、当該コレット300 は、
ストック位置から基板200 の上に移動する。
【００１７】１つ目の半導体素子100Aをボンディングす
る際には、コレット300 はボンディングすべき位置の真
上に移動され、真っ直ぐに下降されてボンディングが行
われる。
る際には、コレット300 はボンディングすべき位置の真
上に移動され、真っ直ぐに下降されてボンディングが行
われる。
【００１８】１つ目の半導体素子100Aのボンディングが
完了したならば、コレット300 は再びストック位置に戻
り、２つ目の半導体素子100Bを吸着保持する。そして、
図１に破線で示すように、基板200 の上方に移動する。
この際、コレット300 に保持された２つ目の半導体素子
100Bの左辺と、既にボンディングされた１つ目の半導体
素子100Aの右辺との水平方向の距離は、隣接する半導体
素子100 の所定の間隔Ｘより大きくしておく。
完了したならば、コレット300 は再びストック位置に戻
り、２つ目の半導体素子100Bを吸着保持する。そして、
図１に破線で示すように、基板200 の上方に移動する。
この際、コレット300 に保持された２つ目の半導体素子
100Bの左辺と、既にボンディングされた１つ目の半導体
素子100Aの右辺との水平方向の距離は、隣接する半導体
素子100 の所定の間隔Ｘより大きくしておく。
【００１９】まず、コレット300 を真っ直ぐ下降させる
(図１の矢印Ａ参照) 。この際、保持された２つ目の半
導体素子100Bの下面110Bが、既に基板200 にボンディン
グされた１つ目の半導体素子100Aの上面110Aより下方
で、かつ基板200 に接触しない範囲まで下降される。す
なわち、第１上下工程を行うのである。
(図１の矢印Ａ参照) 。この際、保持された２つ目の半
導体素子100Bの下面110Bが、既に基板200 にボンディン
グされた１つ目の半導体素子100Aの上面110Aより下方
で、かつ基板200 に接触しない範囲まで下降される。す
なわち、第１上下工程を行うのである。
【００２０】さらに、コレット300 は既にボンディング
された１つ目の半導体素子100Aの側、すなわち左側に移
動される (図１の矢印Ｂ参照) 。この移動は、コレット
300に保持された２つ目の半導体素子100Bの左辺と、既
にボンディングされた１つ目の半導体素子100Aの右辺と
の間が予め設定された間隔Ｘになるようにする。すなわ
ち、水平工程を行うのである。
された１つ目の半導体素子100Aの側、すなわち左側に移
動される (図１の矢印Ｂ参照) 。この移動は、コレット
300に保持された２つ目の半導体素子100Bの左辺と、既
にボンディングされた１つ目の半導体素子100Aの右辺と
の間が予め設定された間隔Ｘになるようにする。すなわ
ち、水平工程を行うのである。
【００２１】コレット300 に保持された２つ目の半導体
素子100Bと既にボンディングされた１つ目の半導体素子
100Aとの間が所定の間隔Ｘになったならば、コレット30
0 を下降させて (図２の矢印Ｃ参照) 、保持された２つ
目の半導体素子100Bのボンディングを行う。すなわち、
第２上下工程を行うのである。
素子100Bと既にボンディングされた１つ目の半導体素子
100Aとの間が所定の間隔Ｘになったならば、コレット30
0 を下降させて (図２の矢印Ｃ参照) 、保持された２つ
目の半導体素子100Bのボンディングを行う。すなわち、
第２上下工程を行うのである。
【００２２】このようにして複数の半導体素子100 を所
定の間隔をもって基板200 上にボンディングする。
定の間隔をもって基板200 上にボンディングする。
【００２３】なお、上述した実施例では、基板200 は固
定されており、コレット300 が移動することでボンディ
ングが行われたが、基板200 が移動することによってボ
ンディングが行われてもよい。勿論、両者が動くように
してもよい。
定されており、コレット300 が移動することでボンディ
ングが行われたが、基板200 が移動することによってボ
ンディングが行われてもよい。勿論、両者が動くように
してもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る半導体素子のボンディング
方法及び装置は、コレットに保持された半導体素子の下
面が既にボンディングされた半導体素子の上面より下
方、かつ基板に接触しない範囲まで上下方向に動かし、
コレットに保持された半導体素子と既にボンディングさ
れた半導体素子との間が所定の間隔になるまで水平方向
に動かし、コレットに保持された半導体素子が基板にボ
ンディングされるまで上下方向に動かすようになってい
るので、導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄
せられて発光部等に付着することがなく、しかも半導体
素子を高精度でボンディングすることができる。
方法及び装置は、コレットに保持された半導体素子の下
面が既にボンディングされた半導体素子の上面より下
方、かつ基板に接触しない範囲まで上下方向に動かし、
コレットに保持された半導体素子と既にボンディングさ
れた半導体素子との間が所定の間隔になるまで水平方向
に動かし、コレットに保持された半導体素子が基板にボ
ンディングされるまで上下方向に動かすようになってい
るので、導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄
せられて発光部等に付着することがなく、しかも半導体
素子を高精度でボンディングすることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体素子のボンディ
ング方法の第１上下工程と水平工程とを示す説明図であ
る。
ング方法の第１上下工程と水平工程とを示す説明図であ
る。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体素子のボンディ
ング方法の第２上下工程を示す説明図である。
ング方法の第２上下工程を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体素子のボンディ
ング装置に用いられる半導体素子を保持するコレットの
斜視図である。
ング装置に用いられる半導体素子を保持するコレットの
斜視図である。
【図４】半導体素子の間隔を示す説明図である。
【図５】従来の半導体素子のボンディング方法とその問
題点を示す説明図である。
題点を示す説明図である。
【図６】従来の半導体素子のボンディング方法の手順を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図７】従来の半導体素子のボンディング方法の手順を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図８】従来の半導体素子のボンディングの問題点を示
す説明図である。
す説明図である。
100A (既にボンディングされた１つ目の) 半導体素子
110A 半導体素子100Aの上面
100B (コレットに保持された２つ目の) 半導体素子
110B 半導体素子100Bの下面
200 基板
300 コレット
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子を保持するコレットと半導体
素子がボンディングされるべき基板とを相対的に動かし
て、複数の半導体素子を所定の間隔で並べる半導体素子
のボンディング方法において、コレットに保持された半
導体素子の下面が既にボンディングされた半導体素子の
上面より下方、かつ基板に接触しない範囲まで上下方向
に動かす第１上下工程と、コレットに保持された半導体
素子と既にボンディングされた半導体素子との間が所定
の間隔になるまで水平方向に動かす水平工程と、コレッ
トに保持された半導体素子が基板にボンディングされる
まで上下方向に動かす第２上下工程とを有することを特
徴とする半導体素子のボンディング方法。 - 【請求項２】 半導体素子を保持するコレットと半導体
素子がボンディングされるべき基板とを相対的に動かす
移動機構を有し、複数の半導体素子を所定の間隔で並べ
る半導体素子のボンディング装置において、前記移動機
構はコレットに保持された半導体素子の下面が既にボン
ディングされた半導体素子の上面より下方、かつ基板に
接触しない範囲まで上下方向に動かした後に、既にボン
ディングされた半導体素子との間が所定の間隔になるま
で水平方向に動かし、その後に半導体素子が基板にボン
ディングされるまで上下方向に動かし、前記コレットは
保持した半導体素子の少なくとも一辺がはみ出すように
なっていることを特徴とする半導体素子のボンディング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203946A JPH0529364A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体素子のボンデイング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3203946A JPH0529364A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体素子のボンデイング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529364A true JPH0529364A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16482297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3203946A Pending JPH0529364A (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体素子のボンデイング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529364A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176551A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体部品用コレット |
| WO2003010798A3 (en) * | 2001-07-23 | 2003-10-16 | Cree Inc | Bonding of light emitting diodes having shaped substrates and collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates |
| US6888167B2 (en) | 2001-07-23 | 2005-05-03 | Cree, Inc. | Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding |
| JP5299546B1 (ja) * | 2012-08-24 | 2013-09-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 保持具、搭載装置、搭載方法、基板装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3203946A patent/JPH0529364A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176551A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体部品用コレット |
| WO2003010798A3 (en) * | 2001-07-23 | 2003-10-16 | Cree Inc | Bonding of light emitting diodes having shaped substrates and collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates |
| US6747298B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-06-08 | Cree, Inc. | Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates |
| US6888167B2 (en) | 2001-07-23 | 2005-05-03 | Cree, Inc. | Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding |
| US7259033B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-08-21 | Cree, Inc. | Flip-chip bonding of light emitting devices |
| US7341175B2 (en) | 2001-07-23 | 2008-03-11 | Cree, Inc. | Bonding of light emitting diodes having shaped substrates |
| US7608860B2 (en) | 2001-07-23 | 2009-10-27 | Cree, Inc. | Light emitting devices suitable for flip-chip bonding |
| JP5299546B1 (ja) * | 2012-08-24 | 2013-09-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 保持具、搭載装置、搭載方法、基板装置の製造方法 |
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