JPH05292259A - 画像走査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 縦シングルモードの半導体レーザから発せら
れたレーザビームにより記録材料を走査し、そこに記録
されている画像を読み取り、あるいはそこに画像を記録
する画像走査装置において、半導体レーザのモードホッ
ピングにより読取画像あるいは記録画像に濃度ムラが生
じることを防止する。 【構成】 縦シングルモードの半導体レーザ１を駆動す
る駆動電流ｉに、半導体レーザ１を多重縦モード発振さ
せない周波数範囲で、１画素読取または記録時間の逆数
よりも高い周波数の高周波電流ｉ_R を重畳する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は感光材料等の記録材料
を、記録画像読取りのため、あるいはそこへの画像記録
のために光ビームで走査する装置に関し、特に詳細に
は、走査光として縦シングルモードの半導体レーザから
発せられたレーザビームを用いる画像走査装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、画像が記録されている記録材
料を光ビームで走査し、それによりこの記録材料から生
じた発光光、透過光あるいは反射光を光電的に検出し
て、記録画像を読み取るようにした画像読取装置が種々
知られている。また、画像信号に基づいて変調された光
ビームを感光材料等の記録材料上において走査させるこ
とにより、上記画像信号が担持する画像をこの記録材料
に記録する画像記録装置も種々公知となっている。なお
この種の画像読取装置あるいは画像記録装置において
は、通常、所定の画素クロックに基づいて１画素読取ま
たは記録時間を規定するようにしている。

【０００３】ところで、以上述べたようにして画像読取
あるいは記録を行なう画像走査装置においては、走査光
源として半導体レーザを使用することも考えられてい
る。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べると小
型、安価で消費電力も少なく、画像走査装置をコンパク
トに形成する上で有利なものとなっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが縦シングルモ
ードの半導体レーザにおいては、周囲温度の変化、駆動
電流の変化等によってモードホッピングという現象が起
きることが知られている。図６はこのモードホッピング
が起きる条件を示したものである。図示のように半導体
レーザのモードは、その光出力Ｐと温度Ｔによって決ま
り、モードホッピングはこのモードの切り換わり点（例
えば同図中のＡ点）で生じる。つまり半導体レーザに戻
り光が入射しない場合、この切り換わり点Ａでは半導体
レーザの縦モードが、モード１とモード２とにランダム
に切り換わる。このモードホッピングが起きると、光量
が変動したり、発振波長が変動したりする。

【０００５】上記画像読取装置の読取光源として用いら
れた半導体レーザにおいてこのモードホッピングが起き
ると、読み取られた画像に濃度ムラが生じることがあ
る。すなわち、読取対象が例えば特開昭55-12492号公報
等に示される蓄積性蛍光体シートである場合、該シート
の感度（これは一定光量の励起光に対する輝尽発光光量
で規定される）は、例えば図２に示すように波長依存性
を有するので、読取光としての励起光の波長が変動する
と、励起光量が一定であっても輝尽発光光量が変動して
しまうのである。また、モードホッピングによって半導
体レーザの発光量が変動すれば、この場合は励起光量自
体が変動することになる。

【０００６】他方、画像記録装置の記録光源として用い
られた半導体レーザにおいてモードホッピングが起きる
と、この場合も上記と同様に記録光量の変動、および記
録材料の感度の波長依存性の２点から、記録画像に濃度
ムラが生じる恐れが多分にある。

【０００７】なお特に画像読取装置の場合は、図７に示
す通り、読取画像Ｒに副走査方向に延びる縦縞Ｕが発生
することもある。本発明者等の研究によると、この縦縞
Ｕとなって現われる濃度ムラも、半導体レーザのモード
ホッピングに起因するものであることが判明した。

【０００８】このモードホッピング対策として従来よ
り、例えば特開昭59-9086 号公報等に示されるように、
半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳して、縦シ
ングルモード半導体レーザを多重縦モード発振させるこ
とが考えられている。

【０００９】しかしそのようにする場合、高周波電流の
周波数は通常５０ＭＨz 以上程度と、極めて高いものに
しなければならない。そのように周波数が著しく高い高
周波電流を発生させる回路は、コストもかなり高いもの
となるので、この従来の高周波重畳の技術を前述の画像
走査装置に適用すると、装置が少なからずコストアップ
することになる。

【００１０】また上記のような高周波電流を扱うと、高
レベルの放射ノイズが生じるので、それの影響を回避す
るために各種の強力な電磁シールドを施す必要があり、
それによる画像走査装置のコスト上昇もかなりのものと
なる。

【００１１】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、走査光源として縦シングルモードの半導
体レーザを用いても、読取画像あるいは記録画像に濃度
ムラが生じることがなく、そしてこの濃度ムラ対策のた
めに大幅なコストアップを招くことのない画像走査装置
を提供することを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明による画像走査装
置は、前述したように半導体レーザから発せられた光ビ
ームにより記録材料を画像読取または記録のために走査
する一方、所定の画素クロックに基づいて１画素読取ま
たは記録時間を規定するようにした画像走査装置におい
て、半導体レーザの駆動電流に、半導体レーザを多重縦
モード発振させない周波数範囲で、上記１画素読取また
は記録時間の逆数よりも高い周波数の高周波電流を重畳
する手段が設けられたことを特徴とするものである。

【００１３】なお上記の高周波電流としては、デューテ
ィ比が６０％以上の矩形波電流を用いるのが好ましい。
その理由については後述する。

【００１４】

【作用および発明の効果】上記の構成において、半導体
レーザは当然多重縦モード発振することはなく、相異な
る縦シングルモードが繰返し切り換わる状態で駆動する
が、それでも、モードホッピングによる濃度ムラが目立
ち難くなる。このように濃度ムラ発生を抑えられる作用
としては、３つのことが考えられる。まず第１の作用に
ついて、図３および図４を参照して、画像記録の場合を
例に挙げて詳しく説明する。

【００１５】図３は、高周波重畳がなされていない場合
について示したものであり、例えば半導体レーザの温度
が同図の(1) に示すように時間ｔ₁ から上昇し始め、半
導体レーザの縦モードが同図の(2) に示すように時間ｔ
₂ でモード１からモード２にホップすることを考える。
例えば半導体レーザからの光ビームを外部変調して画像
記録を行なう場合、変調前の記録光の光量は、上記のモ
ードホッピングにより同図(3) に示すようにステップ状
に変化する。そして同図(4) のような画素クロックＣに
基づいて１画素記録時間ｔp が同図(3) 中に示すように
規定されているとすると、画素クロックＣn-1 、Ｃn が
規定する各画素についての画像信号（つまり変調指令信
号）が相等しくても、変調前の記録光量差のために、そ
れらの画素間で濃度段差が生じることになる。

【００１６】それに対して、上記の１画素記録時間ｔp
の逆数よりも高い周波数の高周波電流を半導体レーザ駆
動電流に重畳しておくと、発振モードは図４の(2) に示
すように交互に切り換わるようになる。そしてこの場
合、半導体レーザの温度が同図の(1) に示すように時間
ｔ₁ から上昇し始めると、モード２のデューティ比が次
第に増大する。そこで変調前の記録光量は、この縦モー
ドの切り換わりに従って同図(3) に示すようにパルス状
に変化し、またその平均光量は上記デューティ比の変化
に応じて、同図(3) 中に仮想線で示すように漸次増大す
る。

【００１７】したがってこの場合は、１画素記録時間ｔ
p を同図(4) の画素クロックＣに基づいて規定したと
き、クロックＣn-1 で規定される画素と、クロックＣn
で規定される画素との間に大きな濃度段差が生じること
がなくなる。以上、画像記録の場合を例に挙げて説明し
たが、画像読取りの場合も同様にしてモードホッピング
による読取画像の濃度ムラ発生が防止され得る。

【００１８】次に、濃度ムラ発生を抑える第２の作用に
ついて説明する。なおこの作用は、特に前述の縦縞Ｕの
発生を抑えるものであり、そして高周波電流の波形が正
弦波状の場合に限らず得られるものである。ここでは一
例として、前述した蓄積性蛍光体シートから放射線画像
情報を読み取る装置を考える。すなわち図８に示すよう
に、縦シングルモードの半導体レーザ130 から発散光状
態で出射した励起光としてのレーザビーム131 をコリメ
ーターレンズ136 によって平行光化した後、ポリゴンミ
ラー等の光偏向器132 で反射偏向し、走査レンズ133 に
よって集光した上で蓄積性蛍光体シート101 上を走査さ
せ、それにより蓄積性蛍光体シート101から発せられる
輝尽発光光（図示せず）を光電的に検出して放射線画像
情報を読み取ることを考える。

【００１９】このように蓄積性蛍光体シート101 をレー
ザビーム131 で走査する場合は、比較的強い戻り光（蓄
積性蛍光体シート101 で反射して半導体レーザ130 に戻
る光）が生じるので、高周波重畳がなされていなけれ
ば、半導体レーザ130 のモードは、この半導体レーザ13
0 から蓄積性蛍光体シート101 上のビーム収束位置まで
の距離に依存するようになる。つまり例えば、レーザビ
ーム131 が主走査線上のＸ₁ 点を照射しているときは戻
り光により半導体レーザ130 がモード１で発振しやすく
なり、レーザビーム131 が主走査線上の別のＸ₂ 点を照
射しているときは戻り光により半導体レーザ130 が別の
モード２で発振しやすくなる、という現象が生じる。図
９はこのことを分かりやすく示すものであり、その(1)
には主走査位置を、そしてそれに対応させて(2) には縦
モードを示してある。

【００２０】こうして半導体レーザ130 の縦モードが変
化すれば、図９の(3) に示すように読取光量つまり励起
光量が変わるから、蓄積性蛍光体シート101 からの輝尽
発光光量が変化し、それは読取画像の濃度変化となって
現われる。この戻り光に依存する縦モードの切り換わり
は、通常、１画素読取時間ｔq よりも長い時間間隔で生
じるから、何画素かに亘る明瞭な濃度変化が生じること
になる。そしてこの戻り光に依存する縦モードの切り換
わりは、毎回の主走査においてレーザビーム主走査位置
が同じところで生じるから、この縦モードの切り換わり
による濃度ムラが副走査方向に連なって、前述のような
縦縞Ｕが発生するのである。

【００２１】それに対して、図９の(4) に示されるよう
に１画素読取時間ｔq の逆数よりも高い周波数の高周波
電流を半導体レーザ駆動電流に重畳しておくと、半導体
レーザ130 の光出力Ｐが例えば図６中のＢ点とＣ点との
間で変化し、その縦モードが図９の(5) に示すように切
り換わる。この縦モードの切り換わりは、当然１画素読
取時間ｔq よりも短い時間間隔で頻繁に生じるから、各
画素を通してこの縦モードの切り換わりが一様化され
る。つまり、この縦モードの切り換わりが画素毎の濃度
変化となって現われないから、上記の縦縞Ｕが生じるこ
とがない。

【００２２】なお以上述べた第２の作用は、高周波電流
の波形が矩形波の場合にも同様に得られるものである。
その場合、高周波電流重畳により半導体レーザの光出力
Ｐが図６中のＢ点とＣ点との間で変化するならば、縦モ
ード変化の様子（図９の(5)参照）は、高周波電流の波
形と等しいものとなる。

【００２３】ここで、濃度ムラ発生を抑える第２の作用
の特別な場合について説明する。ここでも、図８に示し
た放射線画像情報読取装置を例に挙げて説明する。そし
て図９の(1) 〜(3) に示したのと同様に、高周波重畳が
なされなければ主走査位置Ｘ₁ 、Ｘ₂ において半導体レ
ーザ130 の縦モードが変化し、それに応じて読取光量が
変化するものとする（図10の(1) 〜(3) 参照）。

【００２４】それに対して、図10の(4) に示すような矩
形波の高周波電流を半導体レーザ駆動電流に重畳するこ
とを考えるが、このとき特殊な状況として、高周波重畳
により半導体レーザの光出力Ｐが図６中のＡ点とＢ点と
の間で変化する場合があり得る。そのような状況下で
は、レーザビーム131 の主走査位置がＸ₂ 点に達する前
には、縦モードはモード１とモード２のどちらにもなり
得るので、ここではずっとモード１になっていると仮定
する（図10の(5) 参照）。

【００２５】そして主走査位置がＸ₂ 点に到達すると、
戻り光の影響で縦モードがモード２に切り換わる。しか
し、図10のの(4) と(5) から明らかな通り、高周波重畳
がなされているために半導体レーザの光出力Ｐが直ちに
図６中のＢ点まで低下し、半導体レーザはモード１で発
振しやすくなる。そこで縦モードは、１画素読取時間ｔ
q よりは短い時間ｔ₃ の間だけモード２になった後、再
びモード１に戻る。以上のようにしてこの場合も、半導
体レーザのモードホッピングにより縦縞Ｕが生じること
がなくなる。

【００２６】以上説明した第２の作用は、特に記録材料
から戻り光が生じやすい画像読取装置において顕著に得
られるが、画像記録装置であっても比較的強い戻り光が
生じやすい状況下では、同様に得られるものである。

【００２７】また、この第２の作用は、前述したように
高周波電流が矩形波であっても得られるものである。こ
の矩形波の高周波電流を利用する場合は、そのデューテ
ィ比ｔ_A ／ｔ（図10の(4) 参照）を大きく設定すること
により、正弦波の高周波電流を利用する場合に比べてよ
り有効に光量を得ることができ、そのため、最大出力が
より小さい半導体レーザを用いることも可能となる。こ
のような観点から、一般には上記デューティ比を６０％
以上に設定するのが望ましい。

【００２８】なお以上説明した通り、本発明における高
周波重畳は、それにより縦シングルモードが切り換わり
さえすればよいものであるから、この高周波重畳による
半導体レーザ駆動電流の変調度Ｖ＝振幅Ａ／最大電流ｐ
（図５参照）は、半導体レーザを多重縦モード発振させ
る場合のように100 ％程度まで高く設定する必要はな
く、具体的には40％以下に設定することも可能である。

【００２９】また、以上述べた高周波重畳による縦シン
グルモードの切換わりは、１画素読取あるいは記録時間
内に２回以上なされるのが好ましい。そのようにするた
めには、例えば１画素読取時間を１μsec 、１画素記録
時間を５００ｎsec とすると、高周波電流の周波数は前
者の場合で最低２ＭＨｚ以上、後者の場合で最低４ＭＨ
ｚ以上となる。またこの高周波電流の、半導体レーザを
多重縦モード発振させない周波数範囲は一般に、５０Ｍ
Ｈｚを下回る程度の範囲である。

【００３０】半導体レーザの駆動電流に重畳させる高周
波電流の周波数を上記のような値とする場合、この高周
波電流を扱う回路は汎用のＴＴＬ、Ｃ−ＭＯＳ等のロジ
ックＩＣを用いて構成することができるから、極めて高
い周波数の高周波電流を利用して半導体レーザを多重縦
モード発振させる場合に比べれば、この回路は比較的安
価に形成可能となる。また、従来装置におけるほど高く
はない周波数の高周波電流を扱う本発明装置において
は、放射ノイズの影響を回避するための電磁シールドも
比較的簡単なもので済む。本発明による画像走査装置
は、以上の２点により、モードホッピングによる濃度ム
ラ対策のために半導体レーザを多重縦モード発振させる
従来装置よりは安価に形成可能となる。

【００３１】

【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による画
像走査装置を示している。本装置は、一例として画像記
録装置に適用されたものである。画像信号発生器10は、
連続調画像を担持する画像信号Ｓ１を発生する。この画
像信号Ｓ１は一例として、10bit の濃度スケールの連続
調画像を示すデジタル信号である。画像信号発生器10は
後述するラインクロックＳ２に基づいて１主走査ライン
分の信号を切り換え、また画素クロックＳ３に基づいて
各画素毎の画像信号Ｓ１を出力する。

【００３２】上述の画像信号Ｓ１は、ＲＡＭ等からなる
補正テーブル11により階調補正、逆log 変換、および半
導体レーザの駆動電流対光出力特性の非線形性を補正す
るための変換処理を受けて、例えば16bit の発光レベル
指令信号Ｓ５に変換される。この発光レベル指令信号Ｓ
５はＤ／Ａ変換器12に入力され、ここでアナログの電圧
信号からなる発光レベル指令信号Ｖref に変換される。
この発光レベル指令信号Ｖref は、ＡＰＣ回路８の加算
点２を通して電圧−電流変換アンプ３に入力され、該ア
ンプ３はこの指令信号Ｖref に比例した駆動電流を縦シ
ングルモードの半導体レーザ１に供給する。半導体レー
ザ１から前方に出射した光ビーム４は、後述するビーム
走査系を通して感光材料走査に利用される。

【００３３】一方半導体レーザ１の後方側に出射された
光ビーム５の強度は、例えば半導体レーザのケース内に
設置された光量モニタ用のフォトダイオード６によって
検出される。こうして検出される光ビーム５の強度は、
実際に画像記録に利用される上記光ビーム４の強度と比
例関係にある。該光ビーム５の強度、すなわち光ビーム
４の強度を示すフォトダイオード６の出力電流は、電流
−電圧変換アンプ７によって帰還信号（電圧信号）Ｖpd
に変換され、該帰還信号Ｖpdは前述の加算点２に入力さ
れる。この加算点２からは、上記発光レベル指令信号Ｖ
ref と帰還信号Ｖpdとの偏差を示す偏差信号Ｖe が出力
され、該偏差信号Ｖe は前記電圧−電流変換アンプ３に
よって電流に変換され、半導体レーザ１を駆動する。以
上のような制御を行なうことにより、所定の発光レベル
指令信号Ｖref に対して光ビーム５の強度が必ず所定値
となる。

【００３４】上記光ビーム４はコリメータレンズ17に通
されて平行ビームとされ、次に例えばポリゴンミラー等
の光偏向器18に入射してそこで反射偏向される。こうし
て偏向された光ビーム４は、通常ｆθレンズからなる集
束レンズ19に通されて写真感光材料20上において微小な
スポットに集束し、該写真感光材料20上をＸ方向に走査
（主走査）する。写真感光材料20は図示しない移送手段
により、上記主走査方向Ｘと略直角なＹ方向に移送さ
れ、それによって光ビーム４の副走査がなされる。こう
して写真感光材料20は光ビーム４によって２次元的に走
査され、感光する。前述したように光ビーム４は画像信
号Ｓ１に基づいて強度変調されているので、この写真感
光材料20上には、画像信号Ｓ１が担持する連続調画像が
写真潜像として記録される。次に写真感光材料20は現像
機22に通されて、そこで現像処理を受ける。それにより
写真感光材料20上には、上記連続調画像が可視像として
記録される。

【００３５】なお上記のように光ビーム４が写真感光材
料20上を走査するとき、主走査の始点を該ビーム４が通
過したことが光検出器21によって検出され、該光検出器
21が出力する始点検出信号Ｓ６がクロックジェネレータ
13に入力される。クロックジェネレータ13はこの始点検
出信号Ｓ６の入力タイミングに同期させて、前述のライ
ンクロックＳ２および画素クロックＳを出力する。

【００３６】ここで、ＡＰＣ回路８の電圧−電流変換ア
ンプ３が出力する直流の半導体レーザ駆動電流ｉには、
高周波電流ｉ_R が重畳される。この高周波電流ｉ_R は、
高周波発振回路14が出力した高周波信号（電圧信号）Ｒ
Ｆを電圧−電流変換アンプ16に通して得られたものであ
り、その周波数は一例として２０ＭＨｚとされている。
ここで半導体レーザ１は、その駆動電流ｉに周波数５０
ＭＨｚ以上程度の高周波電流が重畳されると多重縦モー
ド発振するものであり、上記の高周波電流ｉ_Rが重畳さ
れても多重縦モード発振することはない。また本実施例
において１画素記録時間ｔp は５００ｎsec であり、高
周波電流ｉ_R の周波数２０ＭＨｚはこの１画素記録時間
ｔp の逆数の１０倍の値となっている。つまりこの場
合、１画素記録時間ｔp 内に半導体レーザ１の縦シング
ルモードは１０回切り換わることになる。

【００３７】なお上記高周波電流ｉ_R としては、例えば
図９の(4) に示すような正弦波のもの、あるいは図10の
(4) に示すような矩形波のもの等が用いられ得る。

【００３８】このようにして、記録光源である半導体レ
ーザ１を高周波重畳駆動すると、感光材料20に記録され
る画像において、半導体レーザ１のモードホッピングに
よる濃度ムラが生じることが防止され得る。その理由
は、先に詳しく述べた通りである。

【００３９】また、２０ＭＨｚ程度の高周波電流ｉ_R を
発生させる高周波発振回路14は比較的安価に形成可能
で、さらに、この程度の周波数の高周波電流ｉ_R による
放射ノイズは、比較的簡単な電磁シールドで遮断できる
から、この画像走査装置は、上記濃度ムラ対策のために
半導体レーザを多重縦モード発振させる従来装置よりは
安価に形成可能となる。

【００４０】次に図11を参照して、本発明の第２実施例
による画像走査装置を説明する。この第２実施例装置
は、特に前述の蓄積性蛍光体シートから放射線画像情報
を読み取る装置である。図示されるように本装置におい
ては、励起光源として縦シングルモードの半導体レーザ
130 が設けられている。そこから発散光状態で出射した
励起光としてのレーザビーム131 は、コリメーターレン
ズ136 によって平行光化された後、ポリゴンミラー等の
光偏向器132 に入射する。なお、半導体レーザ130 は駆
動回路134 によって駆動される。

【００４１】被写体を透過した放射線を照射する等によ
り、この被写体の放射線画像情報が蓄積記録された蓄積
性蛍光体シート101 は、エンドレスベルト等の副走査手
段111 により矢印Ｙ方向に移動される。それとともに上
記レーザビーム131 が光偏向器132 によって偏向され、
通常ｆθレンズからなる走査レンズ133 を通過して、シ
ート101 上をＸ方向に主走査する。この励起光走査を受
けた蓄積性蛍光体シート101 の箇所からは、蓄積記録さ
れている放射線画像情報に応じた光量の輝尽発光光113
が発散する。この輝尽発光光113 は、透明なアクリル板
を成形して作られた光ガイド114 の一端面114 ａからこ
の光ガイド114 の内部に入射し、その中を全反射を繰返
しながら進行して、円形に丸められた端面114 ｂから出
射し、フォトマルチプライヤー（光電子増倍管）115 に
受光される。このフォトマルチプライヤー115 からは、
輝尽発光光113 の発光量に対応した、つまり上記放射線
画像情報を示すアナログ信号Ｓが出力される。

【００４２】上記の信号Ｓは対数増幅器116 により対数
増幅され、次いでＡ／Ｄ変換器117において所定の画素
クロックに基づいてサンプリングされて、デジタル画像
信号Ｄに変換される。このデジタル画像信号Ｄは次に画
像処理回路120 において階調処理等の画像処理を受けた
後、画像再生装置121 に送られて、放射線画像の再生に
供せられる。この画像再生装置121 は、ＣＲＴ等からな
るディスプレイ手段でもよいし、感光フィルムに光走査
記録を行なう記録装置であってもよい。

【００４３】次に、半導体レーザ130 のモードホッピン
グにより再生放射線画像に濃度ムラが生じることを防止
する点について説明する。半導体レーザ駆動回路134 に
は高周波発振回路135 から高周波電流ｉ_R が入力され、
半導体レーザ130 の駆動電流Ｉにはこの高周波電流ｉ_R
が重畳される。この高周波電流ｉ_R の周波数は、１画素
読取時間ｔq ＝１μsec の逆数よりも大で、かつ半導体
レーザ130 が多重縦モード発振しない範囲にある５ＭＨ
ｚに設定してある。

【００４４】このようにして、励起光源である半導体レ
ーザ130 を高周波重畳駆動すると、デジタル画像信号Ｄ
に基づいて画像再生装置121 で再生される放射線画像
に、半導体レーザ130 のモードホッピングによる濃度ム
ラ（特に図７に示した縦縞Ｕ）が生じることが防止され
得る。その理由は先に詳しく述べた通りである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例による画像走査装置を示す
概略斜視図

【図２】蓄積性蛍光体シートの分光感度特性の一例を示
すグラフ

【図３】従来の画像記録装置における、半導体レーザ温
度と、半導体レーザの発振モードと、変調前記録光量
と、画素クロックとの関係を示すグラフ

【図４】本発明の画像記録装置における、半導体レーザ
温度と、半導体レーザの発振モードと、変調前記録光量
と、画素クロックとの関係を示すグラフ

【図５】本発明における半導体レーザ駆動電流の変調度
を説明する概略図

【図６】半導体レーザの縦モードが切り換わる条件を示
すグラフ

【図７】従来の画像読取装置において発生する画像濃度
ムラを説明する概略図

【図８】半導体レーザへの戻り光がある画像読取装置の
一例を示す概略図

【図９】画像読取装置における読取光主走査位置と、高
周波重畳駆動されない半導体レーザの縦モードと、その
半導体レーザによる読取光量と、高周波電流波形と、高
周波重畳駆動された半導体レーザの縦モードとの関係の
一例を示すグラフ

【図１０】画像読取装置における読取光主走査位置と、
高周波重畳駆動されない半導体レーザの縦モードと、そ
の半導体レーザによる読取光量と、高周波電流波形と、
高周波重畳駆動された半導体レーザの縦モードとの関係
の他の例を示すグラフ

【図１１】本発明の第２実施例による画像走査装置を示
す概略斜視図

【符号の説明】

１、130 半導体レーザ ２ 加算点 ３、16 電圧−電流変換アンプ ４、５、131 光ビーム（レーザビーム） ６ フォトダイオード ７ 電流−電圧変換アンプ ８ ＡＰＣ回路 10 画像信号発生器 15、135 高周波発振回路 16 利得可変回路 17 コリメータレンズ 18、132 光偏向器 19 集束レンズ 20 感光材料 101 蓄積性蛍光体シート 114 光ガイド 115 フォトマルチプライヤー 133 走査レンズ ｉ、Ｉ 半導体レーザ駆動電流 ｉ_R 高周波電流 Ｓ１ 画像信号 Ｓ５、Ｖref 発光レベル指令信号 Ｖpd 帰還信号 Ｖe 偏差信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/23 １０３ Ｚ 9186−5Ｃ 1/29 Ｂ 9186−5Ｃ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 縦シングルモードの半導体レーザから発
   せられた光ビームにより記録材料を画像読取または記録
   のために走査する一方、所定の画素クロックに基づいて
   １画素読取または記録時間を規定するようにした画像走
   査装置において、 前記半導体レーザの駆動電流に、半導体レーザを多重縦
   モード発振させない周波数範囲で、前記１画素読取また
   は記録時間の逆数よりも高い周波数の高周波電流を重畳
   する手段が設けられたことを特徴とする画像走査装置。