JPH05291851A - 高出力半導体増幅器 - Google Patents
高出力半導体増幅器Info
- Publication number
- JPH05291851A JPH05291851A JP4115391A JP11539192A JPH05291851A JP H05291851 A JPH05291851 A JP H05291851A JP 4115391 A JP4115391 A JP 4115391A JP 11539192 A JP11539192 A JP 11539192A JP H05291851 A JPH05291851 A JP H05291851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distributed constant
- power
- impedance
- input
- semiconductor amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高出力で、かつインピーダンス整合が広帯域
な高出力半導体増幅器を得る。 【構成】 インピーダンス変換機能を有する電力分配器
１０により、入力電力を複数のＦＥＴ３１〜３ｎに分配
し、このＦＥＴ３１〜３ｎの出力をインピーダンス変換
機能を有する電力合成器２０により合成する高出力半導
体増幅器において、電力分配器１０を、一端がＦＥＴ３
１〜３ｎの入力端子に接続される複数の分布定数線路７
１〜７ｎと、当該分布定数線路７１〜７ｎに直列に接続
され一端が当該電力分配器１０の入力端子１に接続され
る直列抵抗６１〜６ｎとから構成した。
な高出力半導体増幅器を得る。 【構成】 インピーダンス変換機能を有する電力分配器
１０により、入力電力を複数のＦＥＴ３１〜３ｎに分配
し、このＦＥＴ３１〜３ｎの出力をインピーダンス変換
機能を有する電力合成器２０により合成する高出力半導
体増幅器において、電力分配器１０を、一端がＦＥＴ３
１〜３ｎの入力端子に接続される複数の分布定数線路７
１〜７ｎと、当該分布定数線路７１〜７ｎに直列に接続
され一端が当該電力分配器１０の入力端子１に接続され
る直列抵抗６１〜６ｎとから構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、衛星通信，地上マイ
クロ波通信，移動体通信等に使用するＵＨＦ，ＳＨＦ帯
の高出力半導体増幅器に関するものである。
クロ波通信，移動体通信等に使用するＵＨＦ，ＳＨＦ帯
の高出力半導体増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、例えば、昭和６３年電子情報通
信学会春季全国大会Ｃ−６４５“２０ＧＨｚ帯外囲器入
り電力ＧａＡｓＦＥＴ”に示された従来の高出力半導体
増幅器の等価回路図である。図において、１は入力端
子、２は出力端子、３１〜３ｎは電界効果トランジスタ
（以下、ＦＥＴと略す）、４１〜４ｎは入力側１／４波
長分布定数線路、５１〜５ｎは出力側１／４波長分布定
数線路である。なお、従来の発表例は２個のＦＥＴを用
いる場合について記載しているが、図５はこれをｎ個の
ＦＥＴを用いる場合に拡張して示している。ここでは、
入力側１／４波長分布定数線路４１〜４ｎにより電力分
配器１０が構成され、出力側１／４波長分布定数線路５
１〜５ｎにより電力合成器２０が構成されている。
信学会春季全国大会Ｃ−６４５“２０ＧＨｚ帯外囲器入
り電力ＧａＡｓＦＥＴ”に示された従来の高出力半導体
増幅器の等価回路図である。図において、１は入力端
子、２は出力端子、３１〜３ｎは電界効果トランジスタ
（以下、ＦＥＴと略す）、４１〜４ｎは入力側１／４波
長分布定数線路、５１〜５ｎは出力側１／４波長分布定
数線路である。なお、従来の発表例は２個のＦＥＴを用
いる場合について記載しているが、図５はこれをｎ個の
ＦＥＴを用いる場合に拡張して示している。ここでは、
入力側１／４波長分布定数線路４１〜４ｎにより電力分
配器１０が構成され、出力側１／４波長分布定数線路５
１〜５ｎにより電力合成器２０が構成されている。
【０００３】次に動作について説明する。入力端子１か
ら入力した信号は、入力側１／４波長分布定数線路４１
〜４ｎよりなる電力分配器１０を介して各ＦＥＴ３１〜
３ｎで増幅され、出力側１／４波長分布定数線路５１〜
５ｎよりなる電力合成器２０を介して出力端子２に出力
される。ＦＥＴ３１〜３ｎの入力インピーダンスを
Ｚin，出力インピーダンスをＺout，合成数をｎとし、
電源インピーダンスおよび負荷インピーダンスをＺoと
すると、入力側１／４波長分布定数線路４１〜４ｎの特
性インピーダンスＺ1と出力側１／４波長分布定数線路
５１〜５ｎの特性インピーダンスＺ2は次の式（１），
式（２）のように与えられる。
ら入力した信号は、入力側１／４波長分布定数線路４１
〜４ｎよりなる電力分配器１０を介して各ＦＥＴ３１〜
３ｎで増幅され、出力側１／４波長分布定数線路５１〜
５ｎよりなる電力合成器２０を介して出力端子２に出力
される。ＦＥＴ３１〜３ｎの入力インピーダンスを
Ｚin，出力インピーダンスをＺout，合成数をｎとし、
電源インピーダンスおよび負荷インピーダンスをＺoと
すると、入力側１／４波長分布定数線路４１〜４ｎの特
性インピーダンスＺ1と出力側１／４波長分布定数線路
５１〜５ｎの特性インピーダンスＺ2は次の式（１），
式（２）のように与えられる。
【０００４】
【数１】
【０００５】また、この時の分布定数線路部分のインピ
ーダンス変換比は次のように与えられる。 入力側１／４波長分布定数線路のインピーダンス変換
比：ｎ×Ｚo／Ｚin 出力側１／４波長分布定数線路のインピーダンス変換
比：ｎ×Ｚo／Ｚout Ｚ1，Ｚ2を上記式（１），式（２）を満足するように設
定すると、ＦＥＴ３１〜３ｎの入力インピーダンスＺin
は電源インピーダンスＺoに，ＦＥＴ３１〜３ｎの出力
インピーダンスＺoutは負荷インピーダンスＺoにそれぞ
れインピーダンス整合され、入力電力は有効にＦＥＴ３
１〜３ｎに供給され、またＦＥＴ３１〜３ｎの出力電力
も有効に取り出される。
ーダンス変換比は次のように与えられる。 入力側１／４波長分布定数線路のインピーダンス変換
比：ｎ×Ｚo／Ｚin 出力側１／４波長分布定数線路のインピーダンス変換
比：ｎ×Ｚo／Ｚout Ｚ1，Ｚ2を上記式（１），式（２）を満足するように設
定すると、ＦＥＴ３１〜３ｎの入力インピーダンスＺin
は電源インピーダンスＺoに，ＦＥＴ３１〜３ｎの出力
インピーダンスＺoutは負荷インピーダンスＺoにそれぞ
れインピーダンス整合され、入力電力は有効にＦＥＴ３
１〜３ｎに供給され、またＦＥＴ３１〜３ｎの出力電力
も有効に取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般的に、増幅器の高
出力化を図る方法として次の（Ｉ），（II）がある。 （Ｉ）ゲート幅の大きなＦＥＴを使用する。 （II）合成数を増大する。 しかし、従来の高出力半導体増幅器では、（Ｉ）の場
合、Ｚin，Ｚoutが小さくなって分布定数線路部分のイ
ンピーダンス変換比が増大し、増幅器のインピーダンス
整合が狭帯域となる問題が生じる。また、（II）の場合
にも、ｎが大きくなって分布定数線路部分のインピーダ
ンス変換比が増大し、増幅器のインピーダンス整合が狭
帯域となる問題が生じる。
出力化を図る方法として次の（Ｉ），（II）がある。 （Ｉ）ゲート幅の大きなＦＥＴを使用する。 （II）合成数を増大する。 しかし、従来の高出力半導体増幅器では、（Ｉ）の場
合、Ｚin，Ｚoutが小さくなって分布定数線路部分のイ
ンピーダンス変換比が増大し、増幅器のインピーダンス
整合が狭帯域となる問題が生じる。また、（II）の場合
にも、ｎが大きくなって分布定数線路部分のインピーダ
ンス変換比が増大し、増幅器のインピーダンス整合が狭
帯域となる問題が生じる。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、高出力でインピーダンス整合が
広帯域な高出力半導体増幅器を得ることを目的とする。
ためになされたもので、高出力でインピーダンス整合が
広帯域な高出力半導体増幅器を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高出力半
導体増幅器は、電力分配器を、一端が半導体素子の入力
端子に接続される複数の分布定数線路と、当該分布定数
線路に直列に接続され一端が当該電力分配器の入力端子
に接続される抵抗とから構成したものである。
導体増幅器は、電力分配器を、一端が半導体素子の入力
端子に接続される複数の分布定数線路と、当該分布定数
線路に直列に接続され一端が当該電力分配器の入力端子
に接続される抵抗とから構成したものである。
【０００９】
【作用】この発明において、分布定数線路は半導体素子
を見込むインピーダンスを電源インピーダンスから直列
抵抗の抵抗値を引いた値に変換すれば良く、分布定数線
路部分のインピーダンス変換比は小さくなる。その結
果、広帯域なインピーダンス整合が実現される。
を見込むインピーダンスを電源インピーダンスから直列
抵抗の抵抗値を引いた値に変換すれば良く、分布定数線
路部分のインピーダンス変換比は小さくなる。その結
果、広帯域なインピーダンス整合が実現される。
【００１０】
【実施例】実施例１．図１は、この発明の一実施例によ
る高出力半導体増幅器の等価回路図で、ｎ個のＦＥＴ３
１〜３ｎの出力を合成する場合について示しており、電
力合成器２０は図５の従来例と同一である。図におい
て、６１〜６ｎは直列抵抗、７１〜７ｎは分布定数線路
であり、各分布定数線路７１〜７ｎの一端は各ＦＥＴ３
１〜３ｎの入力端子に接続されており、各分布定数線路
７１〜７ｎに直列に接続された各抵抗６１〜６ｎの一端
が入力端子１に接続され、これらにより電力分配器１０
が構成されている。各分布定数線路７１〜７ｎは、信号
周波数で約１／４波長の長さに設定する。各直列抵抗６
１〜６ｎの抵抗値Ｒx，各分布定数線路７１〜７ｎの特
性インピーダンスＺxを次の式（３）を満足するように
定めると、当該高出力半導体増幅器は電源インピーダン
スＺoに整合される。
る高出力半導体増幅器の等価回路図で、ｎ個のＦＥＴ３
１〜３ｎの出力を合成する場合について示しており、電
力合成器２０は図５の従来例と同一である。図におい
て、６１〜６ｎは直列抵抗、７１〜７ｎは分布定数線路
であり、各分布定数線路７１〜７ｎの一端は各ＦＥＴ３
１〜３ｎの入力端子に接続されており、各分布定数線路
７１〜７ｎに直列に接続された各抵抗６１〜６ｎの一端
が入力端子１に接続され、これらにより電力分配器１０
が構成されている。各分布定数線路７１〜７ｎは、信号
周波数で約１／４波長の長さに設定する。各直列抵抗６
１〜６ｎの抵抗値Ｒx，各分布定数線路７１〜７ｎの特
性インピーダンスＺxを次の式（３）を満足するように
定めると、当該高出力半導体増幅器は電源インピーダン
スＺoに整合される。
【００１１】
【数２】
【００１２】この場合、入力側の分布定数線路部分のイ
ンピーダンス変換比は（ｎ×Ｚo−Ｒx）／Ｚinで与えら
れる。
ンピーダンス変換比は（ｎ×Ｚo−Ｒx）／Ｚinで与えら
れる。
【００１３】次に動作について説明する。式（３）を満
足するようにＲxとＺxを設定すると、高出力半導体増幅
器の入力側のインピーダンス整合が実現される。入力側
の分布定数線路部分のインピーダンス変換比は、この発
明では（ｎ×Ｚo−Ｒx）／Ｚin，従来例ではｎ×Ｚo／
Ｚi nである。この発明では、入力側の分布定数線路部分
でのインピーダンス変換比が小さくなり、入力側のイン
ピーダンス整合が広帯域となる。
足するようにＲxとＺxを設定すると、高出力半導体増幅
器の入力側のインピーダンス整合が実現される。入力側
の分布定数線路部分のインピーダンス変換比は、この発
明では（ｎ×Ｚo−Ｒx）／Ｚin，従来例ではｎ×Ｚo／
Ｚi nである。この発明では、入力側の分布定数線路部分
でのインピーダンス変換比が小さくなり、入力側のイン
ピーダンス整合が広帯域となる。
【００１４】実施例２．図２は、この発明の他の実施例
による高出力半導体増幅器の等価回路図であり、図中、
８は１個の直列抵抗、９１〜９ｎは分布定数線路で、こ
れらにより電力分配器１０が構成されている。この図２
もｎ個のＦＥＴ３１〜３ｎの出力を合成する場合につい
て示しており、電力合成器２０は図５の従来例と同一で
ある。直列抵抗８の抵抗値Ｒy，各分布定数線路９１〜
９ｎの特性インピーダンスＺyを次の式（４）を満足す
るように定めると、当該高出力半導体増幅器は電源イン
ピーダンスＺoに整合される。
による高出力半導体増幅器の等価回路図であり、図中、
８は１個の直列抵抗、９１〜９ｎは分布定数線路で、こ
れらにより電力分配器１０が構成されている。この図２
もｎ個のＦＥＴ３１〜３ｎの出力を合成する場合につい
て示しており、電力合成器２０は図５の従来例と同一で
ある。直列抵抗８の抵抗値Ｒy，各分布定数線路９１〜
９ｎの特性インピーダンスＺyを次の式（４）を満足す
るように定めると、当該高出力半導体増幅器は電源イン
ピーダンスＺoに整合される。
【００１５】
【数３】
【００１６】この場合、入力側の分布定数線路部分のイ
ンピーダンス変換比はｎ×（Ｚo−Ｒy）／Ｚinで与えら
れる。この図２に示すように、本発明は複数個の分布定
数線路と１個の直列抵抗を用いる場合に適用しても良
い。
ンピーダンス変換比はｎ×（Ｚo−Ｒy）／Ｚinで与えら
れる。この図２に示すように、本発明は複数個の分布定
数線路と１個の直列抵抗を用いる場合に適用しても良
い。
【００１７】実施例３．図３は、この発明の他の実施例
による高出力半導体増幅器の等価回路図であり、図中、
１０１，１０２は直列抵抗、１１１，１１２は第１の分
布定数線路、１２１〜１２４は第２の分布定数線路であ
り、これらにより電力分配器１０が構成されている。こ
の図３は４個のＦＥＴ３１〜３４の出力を合成する場合
について示しており、電力合成器２０は上記電力分配器
１０と同様に接続された第３の分布定数線路１３１〜１
３４および第４の分布定数線路１４１，１４２で構成さ
れている。第１の分布定数線路１１１，１１２と第２の
分布定数線路１２１〜１２４の線路長は、その和が信号
周波数で約１／４波長となるように設定している。ま
た、第２の分布定数線路１２１〜１２４の特性インピー
ダンスは第１の分布定数線路１１１，１１２の特性イン
ピーダンスの約２倍とする。これは電力合成器２０も同
様である。この図３に示すように、本発明は２個の分布
定数線路毎に１個の直列抵抗を設ける構成としても良
い。
による高出力半導体増幅器の等価回路図であり、図中、
１０１，１０２は直列抵抗、１１１，１１２は第１の分
布定数線路、１２１〜１２４は第２の分布定数線路であ
り、これらにより電力分配器１０が構成されている。こ
の図３は４個のＦＥＴ３１〜３４の出力を合成する場合
について示しており、電力合成器２０は上記電力分配器
１０と同様に接続された第３の分布定数線路１３１〜１
３４および第４の分布定数線路１４１，１４２で構成さ
れている。第１の分布定数線路１１１，１１２と第２の
分布定数線路１２１〜１２４の線路長は、その和が信号
周波数で約１／４波長となるように設定している。ま
た、第２の分布定数線路１２１〜１２４の特性インピー
ダンスは第１の分布定数線路１１１，１１２の特性イン
ピーダンスの約２倍とする。これは電力合成器２０も同
様である。この図３に示すように、本発明は２個の分布
定数線路毎に１個の直列抵抗を設ける構成としても良
い。
【００１８】実施例４．図４は、この発明の他の実施例
による高出力半導体増幅器の構造図である。図中、１５
はパッケージ、１６１，１６２は誘電体基板、１７１，
１７２は薄膜抵抗、１８１，１８２は第１の入力側マイ
クロストリップ線路、１９１〜１９４は第２の入力側マ
クロストリップ線路、２０１〜２０４は第３の出力側マ
イクロストリップ線路、２１１，２１２は第４の出力側
マイクロストリップ線路である。この図４は分布定数線
路をマイクロストリップ線路で実現した場合を示してお
り、薄膜抵抗１７１，１７２と第１の入力側マイクロス
トリップ線路１８１，１８２及び第２の入力側マイクロ
ストリップ線路１９１〜１９４により電力分配器１０が
構成され、第３の出力側マイクロストリップ線路２０１
〜２０４及び第４の出力側マイクロストリップ線路２１
１，２１２により電力合成器２０が構成されている。前
記実施例３同様、第１の入力側マイクロストリップ線路
１８１，１８２と第２の入力側マイクロストリップ線路
１９１〜１９４の長さの和は信号周波数で約１／４波長
となるように設定している。
による高出力半導体増幅器の構造図である。図中、１５
はパッケージ、１６１，１６２は誘電体基板、１７１，
１７２は薄膜抵抗、１８１，１８２は第１の入力側マイ
クロストリップ線路、１９１〜１９４は第２の入力側マ
クロストリップ線路、２０１〜２０４は第３の出力側マ
イクロストリップ線路、２１１，２１２は第４の出力側
マイクロストリップ線路である。この図４は分布定数線
路をマイクロストリップ線路で実現した場合を示してお
り、薄膜抵抗１７１，１７２と第１の入力側マイクロス
トリップ線路１８１，１８２及び第２の入力側マイクロ
ストリップ線路１９１〜１９４により電力分配器１０が
構成され、第３の出力側マイクロストリップ線路２０１
〜２０４及び第４の出力側マイクロストリップ線路２１
１，２１２により電力合成器２０が構成されている。前
記実施例３同様、第１の入力側マイクロストリップ線路
１８１，１８２と第２の入力側マイクロストリップ線路
１９１〜１９４の長さの和は信号周波数で約１／４波長
となるように設定している。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、電力
分配器の分布定数線路に直列に抵抗を装荷したことによ
り、分布定数線路部分のインピーダンス変換比を小さく
することができ、広帯域なインピーダンス整合を実現で
きる効果がある。
分配器の分布定数線路に直列に抵抗を装荷したことによ
り、分布定数線路部分のインピーダンス変換比を小さく
することができ、広帯域なインピーダンス整合を実現で
きる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による高出力半導体増幅器
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図２】この発明の他の実施例による高出力半導体増幅
器の等価回路図である。
器の等価回路図である。
【図３】この発明の他の実施例による高出力半導体増幅
器の等価回路図である。
器の等価回路図である。
【図４】この発明の他の実施例による高出力半導体増幅
器の構造図である。
器の構造図である。
【図５】従来の高出力半導体増幅器の等価回路図であ
る。
る。
１ 入力端子 ２ 出力端子 １０ 電力分配器 ２０ 電力合成器 ３１〜３ｎ ＦＥＴ（半導体素子） ４１〜４ｎ 入力側１／４波長分布定数線路 ５１〜５ｎ 出力側１／４波長分布定数線路 ６１〜６ｎ，８，１０１，１０２ 直列抵抗 ７１〜７ｎ，９１〜９ｎ 分布定数線路 １１１，１１２ 第１の分布定数線路 １２１〜１２４ 第２の分布定数線路 １３１〜１３４ 第３の分布定数線路 １４１，１４２ 第４の分布定数線路 １５ パッケージ １６１，１６２ 誘電体基板 １７１，１７２ 薄膜抵抗 １８１，１８２ 第１の入力側マイクロストリップ線路 １９１〜１９４ 第２の入力側マイクロストリップ線路 ２０１〜２０４ 第３の出力側マイクロストリップ線路 ２１１，２１２ 第４の出力側マイクロストリップ線路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高木 直 鎌倉市大船五丁目１番１号 三菱電機株式 会社電子システム研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 電力分配器の複数の出力端子にそれぞれ
半導体素子の入力端子を接続し、これらの半導体素子の
出力端子にそれぞれ電力合成器の複数の入力端子を接続
し、電力分配器の入力端子に入力した電力を複数の半導
体素子で増幅し電力合成器の出力端子に取り出す高出力
半導体増幅器において、上記電力分配器を、一端が半導
体素子の入力端子に接続される複数の分布定数線路と、
当該分布定数線路に直列に接続され一端が当該電力分配
器の入力端子に接続される抵抗とから構成したことを特
徴とする高出力半導体増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115391A JP2878900B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 高出力半導体増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115391A JP2878900B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 高出力半導体増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291851A true JPH05291851A (ja) | 1993-11-05 |
| JP2878900B2 JP2878900B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=14661392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115391A Expired - Fee Related JP2878900B2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 高出力半導体増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2878900B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144560A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| JP2020074600A (ja) * | 2018-04-12 | 2020-05-14 | 日本電気株式会社 | 電力増幅装置およびテレビジョン信号送信システム |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP4115391A patent/JP2878900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144560A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| JP2020074600A (ja) * | 2018-04-12 | 2020-05-14 | 日本電気株式会社 | 電力増幅装置およびテレビジョン信号送信システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2878900B2 (ja) | 1999-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3439172B1 (en) | Four-way doherty amplifier and mobile telecommunications base station | |
| JP3215292B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11261351A (ja) | 電力増幅器ｍｍｉｃ | |
| US6166604A (en) | Semiconductor amplifier with compensated passing gain characteristic and passing phase characteristic | |
| JP2878900B2 (ja) | 高出力半導体増幅器 | |
| Giofré et al. | A GaN single-chip front end with improved efficiency and power by using class F approach | |
| US6448616B1 (en) | Adaptive biasing of RF power transistors | |
| US5160984A (en) | Amplifying feedback FET semiconductor element | |
| WO2000007296A1 (fr) | Telephone portable | |
| JPS6228788Y2 (ja) | ||
| JP2008236354A (ja) | 増幅器 | |
| JP2726447B2 (ja) | マイクロ波高出力増幅器 | |
| JP3517777B2 (ja) | 線形高出力増幅装置 | |
| JP2876575B2 (ja) | 半導体増幅器 | |
| Gamand | A complete small size 2 to 30 GHz hybrid distributed amplifier using a novel design technique | |
| NL2031173B1 (en) | Rf amplifier and electronic device comprising the same | |
| JP2834168B2 (ja) | 分布型増幅器 | |
| Wei et al. | A 4.7-GHz Broadband Asymmetrical Doherty Power Amplifier in Hybrid Integrated Process | |
| JP3625378B2 (ja) | 多段増幅器 | |
| JPH0562844B2 (ja) | ||
| JP3151813B2 (ja) | アナログ増幅回路 | |
| JPH01205458A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
| JPH06326530A (ja) | 高出力増幅器 | |
| Ho | Millimeter-wave monolithic components for sensor applications | |
| Bahl | Design of power MMICs and power combining techniques |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |