JPH0528517A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ピックアップ装置内の発光素子，受光素子
およびビームスプリッタ間の相対位置ずれ許容量を大幅
に緩和した超薄型光ピックアップ装置を実現する。 【構成】 受光体３１上にプリズム５を配置し、受光体
３１と半導体レーザ素子１とが同一固定台３２に配置さ
れ、さらに受光素子により検出される光信号の位相成分
を検出・比較する手段３３によりフォーカスエラー信号
およびトラッキングエラー信号の内少なくとも１つを得
て、アクチュエーター１０を制御する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク等の光学式
情報記録媒体に対しての情報の記録および／または再生
を行う装置に用いる光ピックアップ装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の光ピックアップ装置は図
１１に示されるようなものであった。図１１において、
１は半導体レーザ素子、２はヒートシンク、３は半導体
基板、４は信号検出用受光素子領域、５はプリズム、６
は半導体レーザ光出射光光路、７は信号光光路、８は対
物レンズ、９は光記録媒体、１０はアクチュエーター、
ｋは対物レンズ８から光記録媒体９までの距離、ｌは半
導体レーザ素子１からプリズム５までの距離、ｍはプリ
ズム５から対物レンズ８までの距離、ｎは信号光のプリ
ズム５内光路長である。また、図１１に示される技術に
おいて用いられる受光素子のパタンを図１２に示す。図
１２において、４ａ〜４ｄはそれぞれ信号検出用受光素
子、１１は信号光が受光素子上に結ぶスポット、１２は
不感帯である。

【０００３】図１２に示される技術の問題点を改善する
技術を図１３に示す。図１３において、図１１と同様に
１は半導体レーザ素子、２はヒートシンク、３は半導体
基板、４は信号検出用受光素子領域、５はプリズム、６
は半導体レーザ光出射光光路、７は信号光光路、８は対
物レンズ、９は光記録媒体、１０はアクチュエーター、
１３は新しく追加されたホログラム光学素子、その結果
図１１と絶対値は異なるが、ｌは半導体レーザ素子１か
らプリズム５までの距離、ｍはプリズム５から対物レン
ズ８までの距離、ｎは信号光のプリズム５内光路の距
離、ｐはプリズム５からホログラム光学素子１３までの
距離である。

【０００４】さらに図１１，図１３に示される技術の問
題点を改善する技術として特開昭６２−１９７９３１号
公報に示される技術を図１４に示す。図１４において、
１は半導体レーザ素子、３は半導体基板、４は信号検出
用受光素子領域、５はプリズム、６は半導体レーザ光出
射光光路、７は信号光光路、８は対物レンズ、９は光記
録媒体、１０はアクチュエーター、ｌは半導体レーザ素
子１からプリズム５までの距離、ｍはプリズム５から対
物レンズ８までの距離である。また、図１４に示される
技術において用いられる受光素子のパターンを図１５に
示す。図１５において、４ｅ〜４ｍはそれぞれ信号検出
用受光素子、１１は信号光が受光素子上に結ぶスポット
である。

【０００５】また、半導体レーザ素子に対する受光素子
および分光光学素子の位置精度の許容範囲が緩和される
フォーカスエラー信号検出方式で特開平０１−１３０３
３３号公報に示される技術を図１６，図１７に示す。図
１６，図１７において、８は対物レンズ、９は光記録媒
体、１４は発光手段、１５は受光手段で、１５ａ〜１５
ｄは受光手段１５を構成する各受光素子、１６，１７は
位相比較手段、１８は加算手段、１９は低減通過手段、
２０は受光素子上におちるスポットの一例、２１はビー
ムスプリッタである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図１１に
示される第１の構成は、プリズム自身で発生する非点収
差を図１２に示されるようなパターンの受光素子で検出
することによりフォーカスエラー信号を得るもので、一
般に非点収差法と呼ばれる検出方法である。この構造に
おいて、半導体レーザ素子１から出射された光はプリズ
ム５の斜面で反射し、対物レンズ８により集光されて光
記録媒体９に集光し、さらに反射されて信号光となって
対物レンズ８を経てプリズム５に達する。この信号光は
プリズム５内に通過する際に非点収差を発生し、受光素
子４上にスポットを結ぶ。この時のスポット形状がフォ
ーカス状態，デフォーカス状態で図１２のように変化す
ることにより受光素子４ａ〜４ｄの出力に差がでること
によりフォーカスエラー信号を得るものである。

【０００７】この第１の構成における第１の課題は、プ
リズムの小型化が困難なことにより装置全体の構造を薄
型化しにくいことである。プリズムを小型化すると半導
体レーザ素子からの出射光中心光軸をプリズム斜面内で
反射させるためにヒートシンク２の厚さも薄くしなけれ
ばならないが、この場合、半導体レーザ素子１から出射
される光６は低い位置でプリズム５の斜面で反射される
ため必然的に信号光７も低い位置でプリズム５内に透過
する。すると信号光のプリズム内の光路長ｎが短くな
り、十分な非点収差を発生できず、図１２に示すような
受光素子で検出する場合に対物レンズがフォーカス状態
からずれた場合の受光素子上のスポット１１の形状の変
化が小さい上にスポットの不感帯にあたる面積が大きく
なるため、良好なフォーカスエラー信号が得られなくな
る。これを解決するためヒートシンクを厚くすればよい
が、この場合プリズム自体も大きくしなければならず、
結局装置全体の薄型化が困難になる。

【０００８】第２の課題としては、半導体レーザ素子１
からプリズム５までの距離ｌを大きくできないことによ
る装置全体の大型化である。図１１に示す構造において
は例えばＣＤ用光ピックアップ装置の場合、対物レンズ
の開口率は両側共にほぼ決まっているため、対物レンズ
の口径が決まれば対物レンズ８から光記録媒体９までの
距離ｋおよび対物レンズから半導体レーザ素子までの距
離（ｍ＋ｌ）の最小値はほぼ決まることになる。従って
装置全体の薄型化を図るためにはｌを大きくとり、ｍを
小さくすることが必要である。しかしｌを大きくとると
必然的に信号光のプリズム内光路ｎが大きくなるためプ
リズムが大型化し装置全体が厚くなり、結局薄型化が困
難であることがわかる。

【０００９】第３の課題としては、半導体レーザ素子１
およびプリズム５を固定する際の位置決め精度の許容範
囲が小さいことである。これは４分割ディテクタのほぼ
中央にスポットを結ぶようにする必要があるためで、ス
ポットサイズの１０分の１のずれが許容される場合必要
組立精度は±数μｍとなり、機械組立をする場合保留り
が悪くなり、コストが高くなるため大きな問題であっ
た。

【００１０】これらの課題を解決するための図１３の構
成は、非点収差の発生をプリズム５によらずホログラム
光学素子１３で発生させるものである。この技術によれ
ばホログラム光学素子１３から受光素子までの距離（ｐ
＋ｎ）を適当にとり十分な非点収差を発生するホログラ
ム光学素子を設計することによりプリズム５による非点
収差発生効果によらなくとも十分な非点収差が発生する
ため、プリズム５を小型化することができ、第１の課題
は解決できる。また、（ｐ＋ｎ）＜（ｐ＋１）の設計も
可能であることからプリズム５から半導体レーザ素子１
までの距離ｌを大きくする設計もできるためプリズム５
から対物レンズ８までの距離ｍをある程度小さくでき、
装置全体の薄型化も可能となり、第２の課題もある程度
解決できることになる。しかしこの構成ではある程度薄
型化は可能になるがホログラム光学素子１３自身の厚さ
およびホログラム光学素子１３の配置スペースのためプ
リズム５から対物レンズ８までの距離ｍの短縮には限度
がある。また、ビームスプリッタ機能と非点収差発生機
能を兼ねたプリズムを導入することにより光学部品点数
を削減するという本来の目的とは相反して部品点数が増
えるため、部品コストが増大するという課題がある。ま
た上記第３の問題点である組立精度の許容誤差について
も、集光スポットを受光素子で検出する限り図１１に示
される技術と同じ理由により厳しく、さらにこの構造の
場合は半導体レーザ素子１およびプリズム５の組立精度
と共にホログラム光学素子１３の組立精度も必要にな
り、さらに組立時の位置合わせが厳しくなり、組立コス
トも増大するという課題がある。

【００１１】これら図１３に示される構成の課題を解決
するための図１４に示される構成は、フォーカスエラー
信号の検出方法として非点収差法を用いず、スポットサ
イズ法を用い、プリズム５内に侵入し反射しながら進行
する信号光を２箇所で検出することによりフォーカスエ
ラー信号を得ている。これによりホログラム光学素子１
３が不要になり、低コスト化が図られている。さらに受
光素子のパターンも図１５に示されるように２箇所の短
冊状パターンを採用しているためスポット位置が受光素
子パターンの長手方向に移動することは許容されるた
め、半導体レーザ素子１の発光点高さに関する組立許容
範囲も緩和される。

【００１２】しかし、受光素子パターン短冊形状の短手
方向にスポットがずれると受光素子の信号成分にオフセ
ットが発生するためこの方向の組立位置精度は依然とし
て厳しいままである。またプリズム５内を反射し深く進
入した信号光を利用するため半導体レーザ素子１および
プリズム５を固定する際の角度精度が厳しくなり新たな
点で組立コストの増加が問題になる。さらに先に述べた
第２の課題に関しても再び問題となる。すなわち半導体
レーザ素子１とプリズム５との距離ｌを大きくするとプ
リズム５から対物レンズ８までの距離ｍは小さくできる
が、プリズム５が厚くなり装置全体の薄型化が困難にな
る。またｌを小さくすればｍが大きくなるため装置全体
の薄型化は難しい。ｍが大きい場合に光路中に反射ミラ
ーを配置して光路を折り曲げることにより薄型化を図る
工夫も提案されているが、結局配置する反射ミラーの厚
みが全体の薄型化を妨げるため、プリズム５を導入して
薄型化を図る利点が活かされなくなる。

【００１３】また、図１６，図１７に示される特開平０
１−１３０３３３号公報の構成は、一般に位相差法と呼
ばれる検出方式であり、光記録媒体９により反射されて
戻ってきた光を複数の受光素子で検出しその信号の位相
成分を検出・比較することによりフォーカスエラー信号
を得るものである。この方式によれば受光素子上におち
るスポットサイズが大きくそれに合わせて受光素子も大
きくなるため、その相対位置がスポットサイズの１０分
の１のずれまで許容されると考えれば、スポットサイズ
径１mmの場合許容誤差は±１００μｍとなり非常に大き
な組立許容誤差を得ることができる。従って組立歩留上
非常に有効なフォーカスエラー信号検出方式であるが、
この構成に示される素子の構造は、発光手段，受光手
段，分光手段が個別に配置されており、このままでは装
置の小型化が難しいといえる。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光ピックアップ装置は、プリズムが受光体上
に配置され、その受光体と半導体レーザ素子とが同一固
定台に配置され、受光素子の受光領域が少なくとも２つ
以上の領域からなっており、その各受光領域から得られ
る信号成分の位相差を検出，比較し、その位相差信号に
より得られるフォーカスエラー信号およびトラッキング
エラー信号のうち少なくとも１つによりアクチュエータ
ーを制御する手段を備えた構成による。

【００１５】

【作用】この構成により、信号検出用受光素子上には信
号光の集光スポットを結ばせる必要がなくなり、プリズ
ムから半導体レーザ素子までの距離ｌを信号光のプリズ
ム内光路長ｎとは無関係に任意の値に設定できる。従っ
て半導体レーザ素子出射光がプリズムに対して低い位置
で反射してｎが短くなっても問題にならないことから、
プリズム自体を小型化することができる。また信号検出
用受光素子上に信号光の集光スポットを結ばせる必要が
ないことから、プリズムサイズを大きくすることなくプ
リズムと半導体レーザ素子との距離ｌを大きく設定し、
プリズムと対物レンズとの距離ｍを小さく設定すること
ができる。以上よりプリズムを小型化でき、しかもプリ
ズムと対物レンズとの距離ｍを小さくできるため装置全
体の薄型化が可能となる。また、距離ｌを大きくとり距
離ｎを小さくとれば必然的に受光素子上のビームパター
ンも大きくなるため受光素子に対するビーム位置の許容
誤差をビームサイズの１０分の１として許容誤差±１０
０μｍあるいはそれ以上も可能である。これにより半導
体レーザ素子およびプリズムの受光素子に対する位置決
め精度も大幅に緩和され、組立歩留の向上および組立コ
ストの低下が達成できる。

【００１６】

【実施例】本発明の第１の実施例を図１に示す。図１に
おいて従来例の図１１と同一部分には同一番号を付し説
明を省略する。すなわち本発明の特徴は、プリズム５が
受光素子等を形成した半導体基板３に樹脂等のパッケー
ジを施した受光体３１上に配置され、その受光体３１と
半導体レーザ素子１とが同一固定台３２に配置され、受
光素子の受光領域が少なくとも２つ以上の領域からなっ
ており、その各受光領域から得られる信号成分の位相差
を検出，比較し、その位相差信号により得られるフォー
カスエラー信号およびトラッキングエラー信号のうち少
なくとも１つによりアクチュエーター１０を制御する手
段を備えたことである。その手段として位相比較、演算
回路および低減通過手段３３がある。

【００１７】またここに用いられている受光素子パター
ンを図２に、受光素子上に落ちるビームスポットの形状
変化の様子（光記録媒体９から反射されてきた光の遠視
野像）を図３に示す。図２において３３ａは位相比較回
路、３３ｂは低減通過手段で位相比較、演算回路および
低減通過手段３３を構成している。３４ａ，３４ｂは受
光素子、３５は受光素子領域上に結ぶビームスポットで
ある。図３において、各ビーム形状は図４に示すように
光記録媒体上のピット端で回折した光が平面部分で反射
した光と互いに干渉することにより、このような模様に
なる。このうち（ａ）は光記録媒体上の情報トラックが
対物レンズ８の焦点深度内にある時の遠視野像、
（ｂ），（ｃ）はそれぞれ対物レンズが近すぎる場合お
よび遠すぎる場合、（ｄ），（ｅ），（ｆ）は光記録媒
体上に設けられた情報トラックに沿って微少量移動した
ときの（ａ），（ｂ），（ｃ）それぞれの遠視野像の変
化の様子である。

【００１８】図１における動作原理を説明する。半導体
レーザ素子１から反射された光はプリズム５の斜面で反
射し対物レンズ８により集光されて光記録媒体９にスポ
ットを結ぶ。そして回折・反射された光が再び対物レン
ズ８を経てプリズム５に至り、プリズム５内に進入した
光が受光素子上にパターンを結ぶ。受光素子上に結ばれ
たパターンは、光記録媒体９が対物レンズ８の焦点深度
内にあるとき、対物レンズ８に近すぎるとき、遠すぎる
とき、でそれぞれ図３（ａ），（ｂ），（ｃ）のように
変化する。さらに対物レンズ８が光記録媒体９上の情報
トラックに沿って微少量移動したとき、光記録媒体９が
対物レンズの焦点深度内にあるときは図３（ｄ）に示す
ように干渉領域全体の総光量のみが変化するが、対物レ
ンズ８に近すぎるとき・遠すぎるときは図３（ｅ），
（ｆ）に示すように光量分布の移動が起こる。しかもそ
の移動方向は焦点位置が遠いか近いかによって互いに反
対向きとなる。この光量変化を図２に示す受光素子３４
ａ，３４ｂで検出した場合の信号特性の一例を図５に示
す。図５（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ焦点深度
内、近すぎるとき、遠すぎるときに対応している。ピッ
トは連続的にトラック周方向に移動しているとする。こ
れを見れば明らかなように、焦点誤差量およびその方向
は受光素子３４ａ，３４ｂの出力信号の位相に対応して
いることがわかる。従ってこの位相差を検出することに
よりフォーカスエラー信号を得ることができる。

【００１９】以上述べた図１に示す構造および方式を用
いた場合の光ピックアップ装置の実寸法例を次に示す。
レンズ直径３mmで半導体レーザ側のレンズ開口数０．１
の場合、（ｍ＋ｌ）は１４．９mmとなる。この方式にお
いてはｍとｌの比率は任意に選べるので、対物レンズ８
がプリズム５に当たらない距離としてｍ＝３mmとすれば
ｌ＝１１．９mmとなる。さらに半導体レーザ素子１から
の出射光のうち対物レンズ８に入射する開口数０．１内
の光を反射させるためプリズム５形状およびサイズを図
６に示すような高さ３mmのプリズムを使用する（半導体
レーザ素子１から出射される光の中心光軸がプリズム５
の４５゜斜面中央に当たるものとする。）。このように
すれば受光体３１の厚さを１mm、固定台３２の厚さを
０．５mmとすれば対物レンズ８中心から固定台３２下面
までのトータル厚みが６．０mmとなり、超薄型の光ピッ
クアップ装置が実現できる。さらにこの構造においては
受光素子３４ａ，３４ｂ上に落ちるビームスポット３５
は直径約１．５mmとなり、受光素子との相対位置ずれ許
容量がスポット径の１０分の１とすれば１５０μｍの位
置ずれが許容されることになり、組立が非常に容易にな
る。

【００２０】またこの方式は図７に示すように、対物レ
ンズ８をも固定台３２に対して直接あるいは固定材をは
さんで固定しその全体をアクチュエーター１０で制御す
るようにする構造にすればさらに薄型化が可能であり有
効である。

【００２１】なおフォーカスエラー信号を得る方法とし
て、この実施例では受光素子検出信号の位相を検出する
ことによる一例を用いているが、一般に位相差法と呼ば
れる方式であればすべて適用することができる。そこで
本実施例に示す受光素子３４ａ，３４ｂの代りに短冊状
に４分割された受光素子を２段に配置した８分割受光素
子を用い、その８分割受光素子上に信号光のスポットを
結ぶ構造にすることにより、より効果的にフォーカスエ
ラー信号が得られると共に、トラッキングエラー信号を
も得ることができ、より有効である。

【００２２】またプリズム５の略４５゜斜面の反射率
は、材質の屈折率を１．５として斜面であることを考慮
すれば１０％に満たないため、光記録媒体９へ向かう光
量が不足する。従って斜面での反射率を大きくすればよ
いが、反射を大きくし過ぎると受光素子に戻って来る光
が少なくなり、信号検出が困難になると共に半導体レー
ザ素子１に戻る光強度も強くなり、半導体レーザ素子１
の発振状態が不安定になり、ノイズが大きくなるという
問題が発生する。そこで光記録媒体９へ向かう光強度、
光記録媒体９から戻って来る光信号が受光素子へ向かう
光強度および半導体レーザ素子１に戻って来る光強度を
最適化するプリズム斜面反射率として１０〜８０％が望
まれる。そこで斜面上に金属薄膜や誘電体薄膜を形成す
ることにより斜面での反射率は１０〜８０％に制御され
ているものとする。

【００２３】本発明による第２の実施例を図８に示す。
図８においては受光素子を形成した半導体基板３に樹脂
等のパッケージを施さず、直接半導体基板３上にプリズ
ム５を固定したものである。フォーカスエラー信号の取
りかたおよび各部材の構造設計の第１の実施例と同様で
ある。この場合受光素子部分の厚みが減少するためさら
に薄型化が可能となる。また第１の実施例と同じく、対
物レンズ８をも固定台３２に対して直接あるいは固定材
をはさんで固定しその全体をアクチュエーター１０で制
御するようにする構造にすればさらに薄型化が可能であ
り有効である。

【００２４】なおフォーカスエラー信号を得る方法とし
て、この実施例では受光素子検出信号の位相を検出する
ことによる一例を用いているが、一般に位相差法と呼ば
れる方式であればすべて適用することができる。

【００２５】またプリズム５の斜面は第１の実施例と同
じ理由により金属薄膜や誘電体薄膜が形成され、反射率
１０〜８０％に制御されているものとする。

【００２６】本発明による第３の実施例を図９に示す。
この例では同一半導体基板上に信号検出用受光素子，信
号処理用電子回路，半導体レーザ素子出射光モニタ用受
光素子，半導体レーザ素子駆動用ＡＰＣ（オートパワー
コントロール）回路を集積化し、その上に半導体レーザ
素子１および光学プリズム５を配置した構造とする。図
９において、３６は半導体基板、３７は半導体基板３６
上の位相比較・演算回路およびＡＰＣ回路形成領域、３
８は信号検出用受光素子形成領域、３９は半導体レーザ
素子出射光強度モニタ用受光素子形成領域である。すな
わち半導体レーザ素子駆動回路，検出信号電流電圧変換
回路，検出信号位相比較回路，検出信号演算回路，検出
信号増幅回路のうち少なくとも１つを集積することが可
能である。フォーカスエラー信号の取りかたおよび各部
材の構造設計は第１の実施例と同様である。このように
同一基板上に受光素子および回路を集積し、さらに半導
体レーザ素子１をも直接あるいはヒートシンク材をはさ
んで配置することにより、装置が薄型軽量化されると共
に各素子の実装が容易になるため各素子間の相対位置精
度が向上し、薄型軽量化および組立コスト・歩留の両面
で非常に有効である。また図１０に示すように、対物レ
ンズ８をも固定台３２に対して直接あるいは固定材をは
さんで固定しその全体をアクチュエーター１０で制御す
るようにする構造にすればさらに薄型化が可能であり有
効である。特に前記各素子が集積化されて軽量となるた
め、駆動用アクチュエーター１０の小型化にも有効であ
り、全体の小型軽量化が可能になる。

【００２７】なおフォーカスエラー信号を得る方法とし
て、この実施例では受光素子検出信号の位相を検出する
ことによる一例を用いているが、一般に位相差法と呼ば
れる方式であればすべて適用することができる。

【００２８】またプリズム５の斜面は第１の実施例と同
じ理由により金属薄膜や誘電体薄膜が形成され、反射率
１０〜８０％に制御されているものとする。

【００２９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、プリズム
が受光体上に配置され、その受光体と半導体レーザ素子
とが同一固定台に配置され、受光素子の受光領域が少な
くとも２つ以上の領域からなっており、その各受光領域
から得られる信号成分の位相差を検出，比較し、その位
相差信号により得られるフォーカスエラー信号およびト
ラッキングエラー信号のうち少なくとも１つによりアク
チュエーターを制御する手段を備えた構成によるので、
組立時に非常に大きな位置ずれ許容量を確保できるため
組立が容易になると共に組立歩留の向上、組立コストの
低減が達成でき、かつ小型化が図れる光ピックアップ装
置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の光ピックアップ装置の
断面図

【図２】同光ピックアップ装置に用いられる受光素子パ
ターン図

【図３】同光ピックアップ装置の動作原理を説明するた
めの図

【図４】同光ピックアップ装置の動作原理を説明するた
めの図

【図５】同光ピックアップ装置の動作原理を説明するた
めの図

【図６】同光ピックアップ装置に用いられるプリズムの
形状を示す図

【図７】同実施例から派生して考えられる他の実施例の
光ピックアップ装置の断面図

【図８】同光ピックアップ装置の断面図

【図９】本発明の第３の実施例の光ピックアップ装置の
断面図

【図１０】同実施例から派生して考えられる他の実施例
の光ピックアップ装置の断面図

【図１１】従来の光ピックアップ装置の断面図

【図１２】同光ピックアップ装置に用いられる受光素子
パターン図

【図１３】同光ピックアップ装置の問題点を解決するた
めに考えられた他の従来例を示す断面図

【図１４】上記２つの従来例の問題点を解決するために
考えられた特開昭６２−１９７９３１号公報に示された
光ピックアップ装置の断面図

【図１５】同光ピックアップ装置に用いられた受光素子
パターン図

【図１６】従来例の１つである特開平０１−１３０３３
３号公報に示された光ピックアップ装置の構成図

【図１７】同光ピックアップ装置を説明するための構成
図

【符号の説明】

１ 半導体レーザ素子 ２ ヒートシンク ３ 半導体基板 ５ プリズム ６ 半導体レーザ光出射光光路 ７ 信号光光路 ８ 対物レンズ ９ 光記録媒体 １０ アクチュエーター ３１ 受光体 ３２ 固定台 ３３ 位相比較，演算回路および低減通過手段（各受光
領域から得られる信号成分の位相差を検出，比較しその
位相差信号により得られるフォーカスエラー信号および
トラッキングエラー信号のうち少なくとも１つによりア
クチュエーターを制御する手段）

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】受光素子等を形成した半導体基板に樹脂等
   のパッケージを施した受光体と、前記受光素子の方向に
   光を屈折させるプリズムと、そのプリズムに対向して配
   置された半導体レーザ素子と、その半導体レーザからの
   出射光を光記録媒体に集光する対物レンズと、その対物
   レンズにより集光された光を前記光記録媒体上に結像さ
   せるためのアクチュエーターとを少なくとも備えた光ピ
   ックアップ装置において、前記プリズムが前記受光体上
   に配置され、その受光体と半導体レーザ素子とが同一固
   定台に配置され、前記受光素子の受光領域が少なくとも
   ２つ以上の領域からなっており、その各受光領域から得
   られる信号成分の位相差を検出，比較し、その位相差信
   号により得られるフォーカスエラー信号およびトラッキ
   ングエラー信号のうち少なくとも１つにより前記アクチ
   ュエーターを制御する手段を備えたことを特徴とする光
   ピックアップ装置。
2. 【請求項２】受光体の代りに受光素子等を形成した半導
   体基板を備えたことを特徴とする請求項１記載の光ピッ
   クアップ装置。
3. 【請求項３】受光素子等を形成した半導体基板と、前記
   受光素子の方向に光を屈折させるプリズムと、そのプリ
   ズムに対向して配置された半導体レーザ素子と、その半
   導体レーザからの出射光を光記録媒体に集光する対物レ
   ンズと、その対物レンズにより集光された光を前記光記
   録媒体上に結像させるためのアクチュエーターとを少な
   くとも備えた光ピックアップ装置において、前記プリズ
   ムおよび半導体レーザ素子が前記半導体基板上に配置さ
   れ、前記受光素子の受光領域が少なくとも２つ以上の領
   域からなっており、その各受光領域から得られる信号成
   分の位相差を検出，比較し、その位相差信号により得ら
   れるフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信
   号のうち少なくとも１つにより前記アクチュエーターを
   制御する手段を備えたことを特徴とする光ピックアップ
   装置。
4. 【請求項４】半導体レーザ素子の代りにヒートシンクを
   介した半導体レーザ素子を備えたことを特徴とする請求
   項３記載の光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】プリズムの斜面上に反射率が１０〜８０％
   の高反射率コーティングを施したことを特徴とする請求
   項１，２，３または４記載の光ピックアップ装置。
6. 【請求項６】受光素子の受光領域が少なくとも２つ以上
   の領域として、受光領域が８つの分割された領域からな
   り、その配置として隣合う４分割された領域が２段に配
   置されていることを特徴とする請求項１，２，３，４ま
   たは５記載の光ピックアップ装置。
7. 【請求項７】受光素子等を形成した半導体基板上に半導
   体レーザ素子出射光強度をモニタする受光素子も形成し
   たことを特徴とする請求項１，２，３，４，５または６
   記載の光ピックアップ装置。
8. 【請求項８】受光素子等を形成した半導体基板上に半導
   体レーザ素子駆動回路，検出信号電流電圧変換回路，検
   出信号位相比較回路，検出信号演算回路，検出信号増幅
   回路のうち少なくとも１つを集積したことを特徴とする
   請求項１，２，３，４，５，６または７記載の光ピック
   アップ装置。
9. 【請求項９】対物レンズを受光素子等を形成した半導体
   基板またはその半導体基板に樹脂等のパッケージを施し
   た受光体を配置した固定台に直接または他の部材を介し
   て固定し、その全体を制御するようにアクチュエーター
   を配置したことを特徴とする請求項１，２，３，４，
   ５，６，７または８記載の光ピックアップ装置。